パターン形成法
【課題】 安定したパターン形成を可能にする、導電性パターン形成方法の提供。
【解決手段】
ａ） 金属微粒子、この金属微粒子を分散媒体中で分散状態に維持する分散剤、光酸発生剤及び分散媒体を含む感光性パターン形成用組成物を用意する段階、
ｂ） 前記感光性パターン形成用組成物を基材上に塗布、乾燥して、基材上に前記組成物からなる膜を形成する段階、
ｃ） 段階ｂ）で得られた膜に放射線を照射して潜像を得る段階、
ｄ） 段階ｃ）で得られた潜像を含む膜を熱処理する段階、及び
ｅ） 段階ｄ）からの熱処理した膜を現像液で処理してパターンを得る段階、
を含む、導電性パターン形成方法。
【解決手段】
ａ） 金属微粒子、この金属微粒子を分散媒体中で分散状態に維持する分散剤、光酸発生剤及び分散媒体を含む感光性パターン形成用組成物を用意する段階、
ｂ） 前記感光性パターン形成用組成物を基材上に塗布、乾燥して、基材上に前記組成物からなる膜を形成する段階、
ｃ） 段階ｂ）で得られた膜に放射線を照射して潜像を得る段階、
ｄ） 段階ｃ）で得られた潜像を含む膜を熱処理する段階、及び
ｅ） 段階ｄ）からの熱処理した膜を現像液で処理してパターンを得る段階、
を含む、導電性パターン形成方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体基板や液晶基板、アレイ基板及びその他の電子部品の基板における電極や配線などの導体回路として使用することができる導電性パターンの形成方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体もしくは液晶デバイスまたはその他の電子部品の基板における電極や配線などの導体回路は、近年の機器の小型化、高密度化、高精度化、高性能化に伴い、より狭い線幅が求められている。これらの要求に対して各種の微細な導体形成方法が提案されている。
【０００３】
代表的なパターン形成方法として、樹脂に基づくフォトレジストを利用した方法が知られている。この方法はおおまかに、基板を洗浄する工程、洗浄後の基板上にスパッタまたは蒸着方法などにより金属薄膜を形成する工程、前記薄膜上にレジストを塗布して感光性樹脂層を形成する工程、マスクして感光性樹脂層を露光する工程、露光後の感光性樹脂層を現像してレジストパターンを得る工程、エッチングで薄膜を削る工程、レジストを除去してパターンを得る工程、から構成されている。このように、従来方法では、工程数が多くプロセス全体が煩雑・高コストであり、また、現像工程、エッチング工程において多量の薬剤を使用することから環境負荷が大きいという問題があった。
【０００４】
そのため、近年、このような従来方法の問題を解決するために、金属微粒子分散液を利用したリソグラフィプロセスが幾つか提案されている。
【０００５】
特開２００４−３９７９２号公報（特許文献１）には、基板上に導電性金属膜を形成させる工程において、金属微粒子分散液を基板上に直接塗布する方法が開示されている。金属膜形成に金属微粒子分散液を使用するために、従来技術の真空蒸着、スパッタリング、ＣＶＤ法などで必要であった真空チャンバなどが不要とされている。しかし、金属膜形成後は、従来技術と同じ工程が必要であり、更には、下地金属膜が溶媒可溶性の場合はフォトレジストとのインターミックスを引き起こしやすく、また下地金属膜が水溶性の場合は、フォトレジスト塗布時のはじきが発生しやすいなどの問題がある。
【０００６】
特開２００３−１４０３３０号公報（特許文献２）は、金属微粒子、金属微粒子の高分子分散剤、光ラジカル発生剤、及び溶媒を含む組成物を基板上に塗布し、これに像様露光し、次いで現像、熱処理することによって、基材上に導電性パターンを得る方法を開示している。この方法では、後に導電性パターンを構成する金属を含む組成物に対して露光、現像してパターニングするために、従来技術の金属膜形成工程、フォトレジスト、エッチング、レジスト剥離工程が不要であり、プロセスの工程数をかなり簡略することができる。また、高分子量樹脂を含むフォトレジストを使用しないために、現像液も少量で済む。この組成物を用いた場合のパターン形成の仕組みは、基材上に塗布された上記組成物膜に対して放射線露光すると、金属微粒子に結合している分散剤高分子が、光ラジカル発生剤から生じたラジカルによって分解することによって、露光領域が現像液可溶性になるというものである。すなわち、ポジ型のパターン形成機構である。
【０００７】
特開２００５−２５９８６１号公報（特許文献３）には、ネガ型に作動する類似の組成物が開示されている。この組成物は、金属微粒子、高分子分散剤、光酸発生剤からなり、そのパターン形成機構は、露光時に光酸発生剤から生成される酸が、高分子分散剤に作用してこれを金属微粒子から解離させることによって金属微粒子を結合反応させて固化させるというものである。この組成物は、上記特許文献２に記載の方法と同じく、塗布、露光、現像、焼成（熱処理）して、パターン形成に使用される。
【特許文献１】特開２００４−３９７９２号公報
【特許文献２】特開２００３−１４０３３０号公報
【特許文献３】特開２００５−２５９８６１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
しかし、本発明者らが追試したところでは、上に挙げた従来方法では、基材上に形成した膜が現像後に一部もしくは全てが溶出してしまうなどの問題があり、安定して所望のパターンを得ることができないことが判明した。
【０００９】
それゆえ、本発明の課題は、上記特許文献３に記載のような組成の金属微粒子に基づく感光性パターン形成用組成物を用いることにより、従来の樹脂に基づくフォトレジストを使用した場合に必要な付加工程を省くことによって工程を簡略化しつつ、安定したパターンを形成するための方法を見出すことである。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
驚くべきことに、金属微粒子に基づく感光性パターン形成用組成物を使用して基材上にパターンを形成するにあたって、露光後に直接現像するのではなく、その間に、露光された膜を熱処理に付すことによって上記の課題が解決されることがここに見出された。
【００１１】
それゆえ、本発明は、
ａ） 金属微粒子、この金属微粒子を分散媒体中で分散状態に維持する分散剤、光酸発生剤及び分散媒体を含む感光性パターン形成用組成物を用意する段階、
ｂ） 前記感光性パターン形成用組成物を基材上に塗布、乾燥して、基材上に前記組成物からなる膜を形成する段階、
ｃ） 段階ｂ）で得られた膜に放射線を照射して潜像を得る段階、
ｄ） 段階ｃ）で得られた潜像を含む膜を熱処理する段階、及び
ｅ） 段階ｄ）からの熱処理した膜を現像液で処理してパターンを得る段階、
を含む、導電性パターン形成方法、並びにこの導電性パターン形成方法を含む電子部品の製造方法に関する。
【００１２】
段階ａ）の感光性パターン形成用組成物は、金属微粒子、この金属微粒子を分散媒体中で分散状態に維持する分散剤、光酸発生剤及び分散媒体を含むものであり、特に特許文献３に記載のもの等、従来技術から公知の任意の組成物を使用することができる。
【００１３】
金属微粒子としてはアルカリ金属、アルカリ土類金属を除くあらゆる金属元素が適用可能であるが、工業的には銀、金、銅、白金、インジウム、ニッケル、ビスマス、スズ、ロジウム、パラジウム、イリジウム、タングステン、アルミニウム、クロム、チタン、亜鉛、鉄、シリコン、ゲルマニウムなどが重要であり、また単一の元素のみならず任意に組み合わせて用いることが可能である。また金属微粒子の平均粒径は、０．５〜２００ｎｍであることが好ましく、より好ましくは１〜１００ｎｍ、更に好ましくは２〜３０ｎｍである。金属微粒子が大きすぎると沈殿が生じやすくなり、小さすぎると相対的に分散のための分散剤量が多くなり、パターン形成時に寸法変化が生じやすくなるためである。
【００１４】
金属微粒子を分散媒体中で分散状態に維持する分散剤は任意の慣用の分散剤を使用することができる。好ましくは、比較的結合が弱くｐＨによって解離し易い塩を形成するものが使用される。このような分散剤としては、例えば上記特許文献３に記載のようなポリカルボン酸型高分子アニオンと称されるものなどが挙げられる。この種の材料は、例えば、ＥＦＫＡ５０７１（ＥＦＫＡケミカル製）、フローレンＧ−７００（共栄社化学製）、フローレンＴＧ−７５０Ｗ（共栄社化学製），フローレンＧ−７００ＤＭＥＡ（共栄社化学製）、ソフタノールＥＣ（日本触媒製）、セルナＤ７３５（中京油脂製）、ディスコートＮ−１４（第一工業製薬製）の商品名で市場で入手することができる。また、アルキル鎖中の炭素原子数が４〜２０のアルキルカルボン酸もしくはその塩、例えばラウリン酸ナトリウムなども分散剤として使用することができる。
【００１５】
分散媒体は、金属微粒子の種類、分散剤の種類によって最適なものを選ぶことができる。具体的には、水、アルコール類、エーテル類、エステル類、芳香族炭化水素、ケトン類、アミド類、ラクトン類などである。一般に好適とされるものは、水、メタノール、エタノール、イソプロピルアルコール、エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、エチレングリコールモノメチルエーテルアセテート、エチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノエチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノエチルエーテルアセテート、乳酸メチル、トルエン、キシレン、メチルエチルケトン、２−ヘプタノン、シクロヘキサノン、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、Ｎ−メチルピロリドン、γ−ブチロラクトンを挙げることができる。これらの分散媒体は、単独でまたは２種以上を混合して使用することができる。
【００１６】
光酸発生剤は、一般には光ラジカル発生剤と分類されるものであっても、一連の露光反応中に酸を発生するものでもよく、放射線照射時（段階ｃ）においてラジカルまたは酸を発生して、放射線が照射された領域において、金属微粒子と分散剤との結合を解除させることにより、金属微粒子自体の間の結合を導く任意の慣用の物質を使用することができる。
【００１７】
このような光酸発生剤の具体的なものとしては、例えば、特開２００５−１０４８８０号公報に記載の金属ヒドリド光酸発生剤、トリフェニルスルホニウムトリフルオロメタンスルホネート(ＴＰＳ−Ｔｆ）などのオニウム塩、ベンゾフェノン重合開始剤、１−［４−（２−ヒドロキシエトキシ）−フェニル］−２−ヒドロキシ−２−メチル−１−プロパン−１−オン、ナフトキノンジアジド化合物、ブロモメチルスルホニル化合物などが挙げられる。
【００１８】
また、界面活性剤を添加することによって、光酸発生剤やその他添加物の分散性を改善したりすることができる。このような界面活性剤の例としては、非イオン性界面活性剤（高級アルコールエチレンオキサイド付加物、アルキルフェノールエチレンオキサイド付加物、脂肪酸エチレンオキサイド付加物、高級アルキルアミンエチレンオキサイド付加物、脂肪酸アミドエチレンオキサイド付加物、ポリプロピレングリコールエチレンオキサイド付加物、グリセロールの脂肪酸エステル、ペンタエリスリトールの脂肪酸エステル、アルカノールアミン類の脂肪酸アミドなど）、アニオン界面活性剤（脂肪族カルボン酸塩、高級アルコール硫酸エステル塩、高級アルキルエーテル硫酸エステル塩、硫酸化オレフィン、アルキルベンゼンスルフォン酸塩、アルキルナフタレンスルフォン酸塩、高級アルコールリン酸エステル塩など）や、その他の界面活性剤などが挙げられる。
【００１９】
更に、光酸発生剤は、露光波長との関係で増感剤と組み合わせて使用することもでき、このような増感剤としては、例えば、クマリン系化合物、アゾ化合物、含キノン化合物や、蛍光色素を用いることができる。
【００２０】
本発明で使用されるパターン形成用組成物には、更に、塗布性の改善を目的として界面活性剤やレべリング剤など、感光特性の改善を目的としてクエンチャーや増感剤など、焼成促進のための触媒などを添加しても構わない。クエンチャーの例としては、塗布膜の乾燥時を含めて含有量があまり変わらないこと、つまりは沸点の高いアルカリ性物質が望ましい。この例として、トリエタノールアミン、ジエタノールアミンやヒンダードアミン類が挙げられる。
【００２１】
上記パターン形成用組成物は、金属微粒子分散液に光酸発生剤、必要に応じて及びその他の添加物を加えることによって調製することができる。この金属微粒子分散液の調製には例えば次のような方法がある。まず、分散媒に分散剤を分散させた分散液を調製する。これに金属塩を分散させ、還元剤を加えて攪拌すると、金属が還元され金属微粒子が析出する。この際、この金属微粒子表面は分散剤が吸着もしくは塩を形成し保護されているため、沈殿、凝集せずに分散状態となる。金属塩としては、例えば硫酸塩、硝酸塩、塩酸塩、酢酸塩などを使用することができ、還元剤としては、例えばホルムアルデヒド、アセトアルデヒド、 グルコース、シュウ酸、クエン酸、ヒドラジン、水素化ホウ素ナトリウムなどを使用することができる。それぞれの混合量は、金属塩、分散剤及び還元剤の種類によって異なるが、一般的には分散剤は金属塩に対して１〜２００重量％の割合で、また還元剤は金属塩に対して０．５〜５モル倍添加する。
【００２２】
このように調製した金属微粒子分散液に、光酸発生剤、必要に応じて及びその他の添加物を加えて本発明のパターン形成用組成物とする。この際、光酸発生剤の量は、金属微粒子に対し０．１〜２０重量％、好ましくは０．５〜１０重量％である。他の添加物は各々適宜量加えられる。
【００２３】
最終的には、本発明のパターン形成用組成物は、一般的には金属分が１〜９０重量％の濃度に調製される。しかし、最適な濃度は塗布方法と所望する膜厚によって異なり得る。例えばディップコートの場合、好ましい濃度は１〜２０重量％であり、スピンコートの場合は５〜４０重量％である。またバーコートの場合は２０〜９０重量％である。
【００２４】
本発明方法の段階ｂ）においては、前記のパターン形成用組成物を基材上に塗布して、基材上に前記組成物からなる膜を形成させる。この際、基材としては金属パターン形成の技術分野において慣用の任意のものを使用することができ、例えばガラス基板、シリコン基板、ステンレス基板、樹脂基板、フィルム状樹脂基板等が挙げられる。塗布法も特に制限はなく、スピン塗布、スリット塗布、ロール塗布、スプレイ塗布、スクリーン塗布、インクジェット塗布など各種の塗布法が利用可能である。塗布後には、形成した塗膜を乾燥させて分散媒体を蒸発させる。そのためには、一般には５０〜１５０℃、好ましくは５０〜１３０℃の乾燥が望ましい。乾燥時間は一般的には３０〜３００秒である。加熱装置としては、ホットプレートやオーブンを用いることができる。真空乾燥も可能である。
【００２５】
次いで、段階ｃ）において、得られた塗膜に対して所望のパターンで放射線を照射する。露光光源としては酸発生剤もしくは増感剤に感度がある波長を含むものであれば良く、その組み合わせによって最適な光源が選択される。露光波長は、一般的には２４０ｎｍ以長、例えば２４０ｎｍ〜８００ｎｍである。具体的な光源の例としては、電子線、低圧水銀灯、高圧水銀灯、超高圧水銀灯、キセノンランプ、メタルハライドランプ、ハロゲンランプ、エキシマレーザー（ＡｒＦ、ＫｒＦ、Ｆ２など）、アルゴンレーザー、色素レーザーなどを使用することができる。
【００２６】
露光工程における光照射により、光酸発生剤が直接励起したり、あるいは増感剤から間接的に励起することにより酸が発生する。光酸発生剤は、露光時にそれから遊離する酸の酸解離定数（Ｋａ）が分散剤の酸解離定数よりも大きくなるように選択されるために、この酸から遊離するプロトンが、金属微粒子に結合している分散剤分子に作用して、効率よく金属微粒子と分散剤分子との結合を解除させる。この分散剤から遊離した金属微粒子は現像液に溶解しづらいが、小さい粒子であるため物理的に現像液に持ち去られることが起こりやすい。
【００２７】
その後、段階ｄ）において本発明の特徴の一つである露光後熱処理を行う。この熱処理によって、露光段階において間隔が縮まった個々の金属微粒子が互いに更に密に接触、融合すると考えられる。熱を加えなくても多少の融合は生じるが、効率的に融合を進めそして安定してパターンを得るためには熱を加えることが必要であることが判明した。この際の加熱温度は４０℃〜２００℃であり、好ましくは５０℃〜１９０℃、より好ましくは７０℃〜１８０℃である。これは温度が低すぎると融合を促進する効果が乏しく、温度が高すぎると当初の分散剤で覆われている部分（光の照射されていない部分）でも融合が始まるためである。なお加熱時間は、１０秒〜３００秒、好ましくは３０秒〜１８０秒程度が実用的である。加熱装置としては、ホットプレートやオーブンを用いることができる。加熱時間が短かすぎると十分な反応が得られない恐れがあり、長すぎると製造コストが増大する。
【００２８】
段階ｅ）の現像工程では、段階ｄ）で熱処理された塗膜を現像液で処理して、未露光部の全体、露光部中に残存する化学剤を除去することができる。現像方法は特に制限はなく、従来慣用の全ての方法、例えば浸漬現像法、スプレイ現像法などを使用することができる。現像液は、パターン形成用組成物が水溶性であるか、非水溶性であるかによって選択される。水性の場合には、水でもよいが、好ましくはフォトレジストの現像で一般的なアルカリ水溶液を用いることができる。具体的には、テトラメチルアンモニウムヒドロキサイド水溶液、水酸化ナトリウム水溶液、水酸化カリウム水溶液、炭酸ナトリウム水溶液、炭酸カリウム水溶液などが挙げられる。非水溶性の場合には金属微粒子を分散し得る有機溶媒、具体的には アルコール類、炭化水素類、エチレングリコール、プロピレングリコールモノエチルエーテル、アセトン、など、またはこれらの二種以上のものの混合物などを使用することができる。
【００２９】
現像工程では、光照射を受けなかった部分は、現像液に容易に再溶解する。一方光照射された部分は、金属微粒子は分散剤分子から遊離しており、現像液に分散しづらい。しかし、もし露光後加熱（段階ｄ）がないと、周囲の多数の分散剤分子によって、金属微粒子は分散剤分子とともに現像液中に剥離してしまう。露光後加熱を行うことによって、遊離した金属微粒子は融合し金属の粒径が増大することと、また金属微粒子の一部が基材とも融合することにより、現像時の剥離を首尾よく防ぐことができる。
【００３０】
現像後のパターンニングされた金属膜は、必要に応じて加熱により焼結させて、パターンを安定化させる。加熱に際しては、膜中に存在する有機物がすべて蒸発もしくは分解する温度で焼成することが望ましいが、実際には有機物の残存があっても実用可能である。具体的には１５０℃〜６００℃、好ましくは１５０〜４００℃の焼成が望ましいが、基材の耐熱性によって焼成温度は調整される。例えば一般的な樹脂基板を用いる場合には、焼成温度は２５０℃程度以下に抑える必要がある。また焼成触媒を予め金属微粒子溶液に添加しておくことにより、焼成温度をより低温化することも可能である。焼成にはホットプレートやオーブンを用いることができる。必要な焼成時間は、金属の種類、分散剤の種類、焼成温度などによって異なるが、一般に５分〜１８０分である。
【００３１】
さらに焼成に先立って塗布膜全面に光照射することにより、分散剤を金属微粒子からより遊離せしめ、その後の焼成工程で必要な温度を低くしたり焼成時間を短くすることも可能である。照射の際の放射線の波長や、光源などの条件は、段階ｃ）と同じものであることができるが、パターニングの必要はないため一度に広い範囲が照射できる低圧水銀灯が最も望ましい。照射量は金属分散液の種類、膜厚等によって異なるが、一般に１０mJ/cm2〜１０J/cm2であり、好ましくは１００mJ/cm2〜５J/cm2の範囲にある。
【００３２】
その後は、必要に応じて水洗などの処理をして最終のパターンを得ることができる。
【００３３】
以下、実施例に基づいて本発明を更に詳細に説明するが、本発明はこれらの例に限定されない。
【実施例】
【００３４】
金属微粒子分散液１の調製
純水４００ｇにラウリン酸ナトリウム１０ｇ、硝酸銀２５ｇ、還元剤としてホルムアルデヒド１０ｇを加え完全に溶解した後、十分攪拌しながらアンモニアガスを吹き込み、銀コロイド水溶液を得た。
【００３５】
その後イオン交換樹脂と接触させ分散剤由来の余剰のイオンを除去し、金属分重量濃度が１０%の分散液とした。
【００３６】
金属微粒子分散液２の調製
純水４００ｇにポリカルボン酸界面活性剤(共栄社化学 フローレンＧ−７００)１０ｇ、硝酸銀１０ｇ、硝酸金２ｇ、塩化パラジウム５ｇ、還元剤としてホルムアルデヒド１０ｇを加えて完全に溶解したのち、十分攪拌しながらアンモニアガスを吹き込み、金属コロイドを得た。
【００３７】
その後イオン交換樹脂と接触させ界面活性剤由来の余剰のイオンを除去し、金属分重量濃度１０％の水・エタノール性分散液とした。なお水とエタノールの比率は、体積比で５：５である。
【００３８】
実施例１
１０ｇの金属微粒子分散液１に対して、トリフェニルスルホニウム トリフルオロメタンスルホネート０．１ｇを加えてよく攪拌してパターン形成用組成物とした。この組成物をシリコンウェハーにスピン塗布し、１００℃のホットプレートで1分間乾燥し膜厚２μｍの膜を得た。この後、マスクを介して１５０Ｗの低圧水銀灯（主波長 ２５４ｎｍ）に１０秒間晒した。（パターン露光）
【００３９】
次いで、１５０℃のホットプレートで１分間加熱した。その後、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド２．３８%水溶液に１分間浸漬したところ、低圧水銀灯照射部分のみ塗布膜が残り、その他の部分はすべて現像液に溶出した。この後水洗・乾燥を行い、マスクの透明部分と同じ５μｍのパターンを得た。
【００４０】
さらにこのパターニングされた塗布膜をオーブンにて300℃で1時間焼成して、結果として線幅は殆ど変わらなかったが、膜厚１．２μｍ、抵抗率３μΩcmのパターン金属膜を得ることができた。
【００４１】
比較例１
実施例１を繰り返すが、但しパターン露光後の加熱は行わず直接現像したところ、露光部を含み、すべての膜が溶出してしまった。パターン膜を得ることができなかった。
【００４２】
実施例２（他の光酸発生剤）
１０ｇの金属微粒子分散液２に対して、１− ［４−（２−ヒドロキシエトキシ）−フェニル］−２−ヒドロキシ−２−メチル−１−プロパン−１−オン０．２ｇを加えてよく攪拌した。この液をシリコンウェハーにスピン塗布し、１００℃のホットプレートで１分間乾燥した。この後、マスクを介して１５０Ｗの低圧水銀灯（主波長 ２５４ｎｍ）に１０秒間晒した。（パターン露光）
次いで、７０℃のホットプレートで１分間加熱した。その後、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド２．３８%水溶液に１分間浸漬したところ、低圧水銀灯照射部分のみ塗布膜が残り、その他の部分はすべて現像液に溶出した。
【００４３】
このパターニングされた塗布膜を十分水洗・乾燥し、結果として線幅がマスクと同じ５μｍのパターンが得られた。
【００４４】
実施例３（増感剤の使用）
１０ｇの金属微粒子分散液１に対して、トリフェニルスルホニウム トリフルオロメタンスルホネート０．１ｇ、増感色素としての７−ジエチルアミノ−４−トリフルオロメチルクマリン０．５ｇ、クエンチャーとしてのトリエタノールアミン０．００５ｇ加えてよく攪拌した。この液をシリコンウェハーにスピン塗布し、１３０℃のホットプレートで３０秒間乾燥した。この後、ニコン製ｇ線ステッパーＦＸ６０４を用いて５００ｍＪ／ｃｍ2の露光を行った。（パターン露光）
【００４５】
その後、１３０℃で２分間の露光後加熱を行い、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド１%水溶液に1分間浸漬し現像を行った。このパターニングされた塗布膜を十分水洗・乾燥し、結果として線幅がマスクと同じ５μｍのパターンが得られた。
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体基板や液晶基板、アレイ基板及びその他の電子部品の基板における電極や配線などの導体回路として使用することができる導電性パターンの形成方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体もしくは液晶デバイスまたはその他の電子部品の基板における電極や配線などの導体回路は、近年の機器の小型化、高密度化、高精度化、高性能化に伴い、より狭い線幅が求められている。これらの要求に対して各種の微細な導体形成方法が提案されている。
【０００３】
代表的なパターン形成方法として、樹脂に基づくフォトレジストを利用した方法が知られている。この方法はおおまかに、基板を洗浄する工程、洗浄後の基板上にスパッタまたは蒸着方法などにより金属薄膜を形成する工程、前記薄膜上にレジストを塗布して感光性樹脂層を形成する工程、マスクして感光性樹脂層を露光する工程、露光後の感光性樹脂層を現像してレジストパターンを得る工程、エッチングで薄膜を削る工程、レジストを除去してパターンを得る工程、から構成されている。このように、従来方法では、工程数が多くプロセス全体が煩雑・高コストであり、また、現像工程、エッチング工程において多量の薬剤を使用することから環境負荷が大きいという問題があった。
【０００４】
そのため、近年、このような従来方法の問題を解決するために、金属微粒子分散液を利用したリソグラフィプロセスが幾つか提案されている。
【０００５】
特開２００４−３９７９２号公報（特許文献１）には、基板上に導電性金属膜を形成させる工程において、金属微粒子分散液を基板上に直接塗布する方法が開示されている。金属膜形成に金属微粒子分散液を使用するために、従来技術の真空蒸着、スパッタリング、ＣＶＤ法などで必要であった真空チャンバなどが不要とされている。しかし、金属膜形成後は、従来技術と同じ工程が必要であり、更には、下地金属膜が溶媒可溶性の場合はフォトレジストとのインターミックスを引き起こしやすく、また下地金属膜が水溶性の場合は、フォトレジスト塗布時のはじきが発生しやすいなどの問題がある。
【０００６】
特開２００３−１４０３３０号公報（特許文献２）は、金属微粒子、金属微粒子の高分子分散剤、光ラジカル発生剤、及び溶媒を含む組成物を基板上に塗布し、これに像様露光し、次いで現像、熱処理することによって、基材上に導電性パターンを得る方法を開示している。この方法では、後に導電性パターンを構成する金属を含む組成物に対して露光、現像してパターニングするために、従来技術の金属膜形成工程、フォトレジスト、エッチング、レジスト剥離工程が不要であり、プロセスの工程数をかなり簡略することができる。また、高分子量樹脂を含むフォトレジストを使用しないために、現像液も少量で済む。この組成物を用いた場合のパターン形成の仕組みは、基材上に塗布された上記組成物膜に対して放射線露光すると、金属微粒子に結合している分散剤高分子が、光ラジカル発生剤から生じたラジカルによって分解することによって、露光領域が現像液可溶性になるというものである。すなわち、ポジ型のパターン形成機構である。
【０００７】
特開２００５−２５９８６１号公報（特許文献３）には、ネガ型に作動する類似の組成物が開示されている。この組成物は、金属微粒子、高分子分散剤、光酸発生剤からなり、そのパターン形成機構は、露光時に光酸発生剤から生成される酸が、高分子分散剤に作用してこれを金属微粒子から解離させることによって金属微粒子を結合反応させて固化させるというものである。この組成物は、上記特許文献２に記載の方法と同じく、塗布、露光、現像、焼成（熱処理）して、パターン形成に使用される。
【特許文献１】特開２００４−３９７９２号公報
【特許文献２】特開２００３−１４０３３０号公報
【特許文献３】特開２００５−２５９８６１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
しかし、本発明者らが追試したところでは、上に挙げた従来方法では、基材上に形成した膜が現像後に一部もしくは全てが溶出してしまうなどの問題があり、安定して所望のパターンを得ることができないことが判明した。
【０００９】
それゆえ、本発明の課題は、上記特許文献３に記載のような組成の金属微粒子に基づく感光性パターン形成用組成物を用いることにより、従来の樹脂に基づくフォトレジストを使用した場合に必要な付加工程を省くことによって工程を簡略化しつつ、安定したパターンを形成するための方法を見出すことである。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
驚くべきことに、金属微粒子に基づく感光性パターン形成用組成物を使用して基材上にパターンを形成するにあたって、露光後に直接現像するのではなく、その間に、露光された膜を熱処理に付すことによって上記の課題が解決されることがここに見出された。
【００１１】
それゆえ、本発明は、
ａ） 金属微粒子、この金属微粒子を分散媒体中で分散状態に維持する分散剤、光酸発生剤及び分散媒体を含む感光性パターン形成用組成物を用意する段階、
ｂ） 前記感光性パターン形成用組成物を基材上に塗布、乾燥して、基材上に前記組成物からなる膜を形成する段階、
ｃ） 段階ｂ）で得られた膜に放射線を照射して潜像を得る段階、
ｄ） 段階ｃ）で得られた潜像を含む膜を熱処理する段階、及び
ｅ） 段階ｄ）からの熱処理した膜を現像液で処理してパターンを得る段階、
を含む、導電性パターン形成方法、並びにこの導電性パターン形成方法を含む電子部品の製造方法に関する。
【００１２】
段階ａ）の感光性パターン形成用組成物は、金属微粒子、この金属微粒子を分散媒体中で分散状態に維持する分散剤、光酸発生剤及び分散媒体を含むものであり、特に特許文献３に記載のもの等、従来技術から公知の任意の組成物を使用することができる。
【００１３】
金属微粒子としてはアルカリ金属、アルカリ土類金属を除くあらゆる金属元素が適用可能であるが、工業的には銀、金、銅、白金、インジウム、ニッケル、ビスマス、スズ、ロジウム、パラジウム、イリジウム、タングステン、アルミニウム、クロム、チタン、亜鉛、鉄、シリコン、ゲルマニウムなどが重要であり、また単一の元素のみならず任意に組み合わせて用いることが可能である。また金属微粒子の平均粒径は、０．５〜２００ｎｍであることが好ましく、より好ましくは１〜１００ｎｍ、更に好ましくは２〜３０ｎｍである。金属微粒子が大きすぎると沈殿が生じやすくなり、小さすぎると相対的に分散のための分散剤量が多くなり、パターン形成時に寸法変化が生じやすくなるためである。
【００１４】
金属微粒子を分散媒体中で分散状態に維持する分散剤は任意の慣用の分散剤を使用することができる。好ましくは、比較的結合が弱くｐＨによって解離し易い塩を形成するものが使用される。このような分散剤としては、例えば上記特許文献３に記載のようなポリカルボン酸型高分子アニオンと称されるものなどが挙げられる。この種の材料は、例えば、ＥＦＫＡ５０７１（ＥＦＫＡケミカル製）、フローレンＧ−７００（共栄社化学製）、フローレンＴＧ−７５０Ｗ（共栄社化学製），フローレンＧ−７００ＤＭＥＡ（共栄社化学製）、ソフタノールＥＣ（日本触媒製）、セルナＤ７３５（中京油脂製）、ディスコートＮ−１４（第一工業製薬製）の商品名で市場で入手することができる。また、アルキル鎖中の炭素原子数が４〜２０のアルキルカルボン酸もしくはその塩、例えばラウリン酸ナトリウムなども分散剤として使用することができる。
【００１５】
分散媒体は、金属微粒子の種類、分散剤の種類によって最適なものを選ぶことができる。具体的には、水、アルコール類、エーテル類、エステル類、芳香族炭化水素、ケトン類、アミド類、ラクトン類などである。一般に好適とされるものは、水、メタノール、エタノール、イソプロピルアルコール、エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、エチレングリコールモノメチルエーテルアセテート、エチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノエチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノエチルエーテルアセテート、乳酸メチル、トルエン、キシレン、メチルエチルケトン、２−ヘプタノン、シクロヘキサノン、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、Ｎ−メチルピロリドン、γ−ブチロラクトンを挙げることができる。これらの分散媒体は、単独でまたは２種以上を混合して使用することができる。
【００１６】
光酸発生剤は、一般には光ラジカル発生剤と分類されるものであっても、一連の露光反応中に酸を発生するものでもよく、放射線照射時（段階ｃ）においてラジカルまたは酸を発生して、放射線が照射された領域において、金属微粒子と分散剤との結合を解除させることにより、金属微粒子自体の間の結合を導く任意の慣用の物質を使用することができる。
【００１７】
このような光酸発生剤の具体的なものとしては、例えば、特開２００５−１０４８８０号公報に記載の金属ヒドリド光酸発生剤、トリフェニルスルホニウムトリフルオロメタンスルホネート(ＴＰＳ−Ｔｆ）などのオニウム塩、ベンゾフェノン重合開始剤、１−［４−（２−ヒドロキシエトキシ）−フェニル］−２−ヒドロキシ−２−メチル−１−プロパン−１−オン、ナフトキノンジアジド化合物、ブロモメチルスルホニル化合物などが挙げられる。
【００１８】
また、界面活性剤を添加することによって、光酸発生剤やその他添加物の分散性を改善したりすることができる。このような界面活性剤の例としては、非イオン性界面活性剤（高級アルコールエチレンオキサイド付加物、アルキルフェノールエチレンオキサイド付加物、脂肪酸エチレンオキサイド付加物、高級アルキルアミンエチレンオキサイド付加物、脂肪酸アミドエチレンオキサイド付加物、ポリプロピレングリコールエチレンオキサイド付加物、グリセロールの脂肪酸エステル、ペンタエリスリトールの脂肪酸エステル、アルカノールアミン類の脂肪酸アミドなど）、アニオン界面活性剤（脂肪族カルボン酸塩、高級アルコール硫酸エステル塩、高級アルキルエーテル硫酸エステル塩、硫酸化オレフィン、アルキルベンゼンスルフォン酸塩、アルキルナフタレンスルフォン酸塩、高級アルコールリン酸エステル塩など）や、その他の界面活性剤などが挙げられる。
【００１９】
更に、光酸発生剤は、露光波長との関係で増感剤と組み合わせて使用することもでき、このような増感剤としては、例えば、クマリン系化合物、アゾ化合物、含キノン化合物や、蛍光色素を用いることができる。
【００２０】
本発明で使用されるパターン形成用組成物には、更に、塗布性の改善を目的として界面活性剤やレべリング剤など、感光特性の改善を目的としてクエンチャーや増感剤など、焼成促進のための触媒などを添加しても構わない。クエンチャーの例としては、塗布膜の乾燥時を含めて含有量があまり変わらないこと、つまりは沸点の高いアルカリ性物質が望ましい。この例として、トリエタノールアミン、ジエタノールアミンやヒンダードアミン類が挙げられる。
【００２１】
上記パターン形成用組成物は、金属微粒子分散液に光酸発生剤、必要に応じて及びその他の添加物を加えることによって調製することができる。この金属微粒子分散液の調製には例えば次のような方法がある。まず、分散媒に分散剤を分散させた分散液を調製する。これに金属塩を分散させ、還元剤を加えて攪拌すると、金属が還元され金属微粒子が析出する。この際、この金属微粒子表面は分散剤が吸着もしくは塩を形成し保護されているため、沈殿、凝集せずに分散状態となる。金属塩としては、例えば硫酸塩、硝酸塩、塩酸塩、酢酸塩などを使用することができ、還元剤としては、例えばホルムアルデヒド、アセトアルデヒド、 グルコース、シュウ酸、クエン酸、ヒドラジン、水素化ホウ素ナトリウムなどを使用することができる。それぞれの混合量は、金属塩、分散剤及び還元剤の種類によって異なるが、一般的には分散剤は金属塩に対して１〜２００重量％の割合で、また還元剤は金属塩に対して０．５〜５モル倍添加する。
【００２２】
このように調製した金属微粒子分散液に、光酸発生剤、必要に応じて及びその他の添加物を加えて本発明のパターン形成用組成物とする。この際、光酸発生剤の量は、金属微粒子に対し０．１〜２０重量％、好ましくは０．５〜１０重量％である。他の添加物は各々適宜量加えられる。
【００２３】
最終的には、本発明のパターン形成用組成物は、一般的には金属分が１〜９０重量％の濃度に調製される。しかし、最適な濃度は塗布方法と所望する膜厚によって異なり得る。例えばディップコートの場合、好ましい濃度は１〜２０重量％であり、スピンコートの場合は５〜４０重量％である。またバーコートの場合は２０〜９０重量％である。
【００２４】
本発明方法の段階ｂ）においては、前記のパターン形成用組成物を基材上に塗布して、基材上に前記組成物からなる膜を形成させる。この際、基材としては金属パターン形成の技術分野において慣用の任意のものを使用することができ、例えばガラス基板、シリコン基板、ステンレス基板、樹脂基板、フィルム状樹脂基板等が挙げられる。塗布法も特に制限はなく、スピン塗布、スリット塗布、ロール塗布、スプレイ塗布、スクリーン塗布、インクジェット塗布など各種の塗布法が利用可能である。塗布後には、形成した塗膜を乾燥させて分散媒体を蒸発させる。そのためには、一般には５０〜１５０℃、好ましくは５０〜１３０℃の乾燥が望ましい。乾燥時間は一般的には３０〜３００秒である。加熱装置としては、ホットプレートやオーブンを用いることができる。真空乾燥も可能である。
【００２５】
次いで、段階ｃ）において、得られた塗膜に対して所望のパターンで放射線を照射する。露光光源としては酸発生剤もしくは増感剤に感度がある波長を含むものであれば良く、その組み合わせによって最適な光源が選択される。露光波長は、一般的には２４０ｎｍ以長、例えば２４０ｎｍ〜８００ｎｍである。具体的な光源の例としては、電子線、低圧水銀灯、高圧水銀灯、超高圧水銀灯、キセノンランプ、メタルハライドランプ、ハロゲンランプ、エキシマレーザー（ＡｒＦ、ＫｒＦ、Ｆ２など）、アルゴンレーザー、色素レーザーなどを使用することができる。
【００２６】
露光工程における光照射により、光酸発生剤が直接励起したり、あるいは増感剤から間接的に励起することにより酸が発生する。光酸発生剤は、露光時にそれから遊離する酸の酸解離定数（Ｋａ）が分散剤の酸解離定数よりも大きくなるように選択されるために、この酸から遊離するプロトンが、金属微粒子に結合している分散剤分子に作用して、効率よく金属微粒子と分散剤分子との結合を解除させる。この分散剤から遊離した金属微粒子は現像液に溶解しづらいが、小さい粒子であるため物理的に現像液に持ち去られることが起こりやすい。
【００２７】
その後、段階ｄ）において本発明の特徴の一つである露光後熱処理を行う。この熱処理によって、露光段階において間隔が縮まった個々の金属微粒子が互いに更に密に接触、融合すると考えられる。熱を加えなくても多少の融合は生じるが、効率的に融合を進めそして安定してパターンを得るためには熱を加えることが必要であることが判明した。この際の加熱温度は４０℃〜２００℃であり、好ましくは５０℃〜１９０℃、より好ましくは７０℃〜１８０℃である。これは温度が低すぎると融合を促進する効果が乏しく、温度が高すぎると当初の分散剤で覆われている部分（光の照射されていない部分）でも融合が始まるためである。なお加熱時間は、１０秒〜３００秒、好ましくは３０秒〜１８０秒程度が実用的である。加熱装置としては、ホットプレートやオーブンを用いることができる。加熱時間が短かすぎると十分な反応が得られない恐れがあり、長すぎると製造コストが増大する。
【００２８】
段階ｅ）の現像工程では、段階ｄ）で熱処理された塗膜を現像液で処理して、未露光部の全体、露光部中に残存する化学剤を除去することができる。現像方法は特に制限はなく、従来慣用の全ての方法、例えば浸漬現像法、スプレイ現像法などを使用することができる。現像液は、パターン形成用組成物が水溶性であるか、非水溶性であるかによって選択される。水性の場合には、水でもよいが、好ましくはフォトレジストの現像で一般的なアルカリ水溶液を用いることができる。具体的には、テトラメチルアンモニウムヒドロキサイド水溶液、水酸化ナトリウム水溶液、水酸化カリウム水溶液、炭酸ナトリウム水溶液、炭酸カリウム水溶液などが挙げられる。非水溶性の場合には金属微粒子を分散し得る有機溶媒、具体的には アルコール類、炭化水素類、エチレングリコール、プロピレングリコールモノエチルエーテル、アセトン、など、またはこれらの二種以上のものの混合物などを使用することができる。
【００２９】
現像工程では、光照射を受けなかった部分は、現像液に容易に再溶解する。一方光照射された部分は、金属微粒子は分散剤分子から遊離しており、現像液に分散しづらい。しかし、もし露光後加熱（段階ｄ）がないと、周囲の多数の分散剤分子によって、金属微粒子は分散剤分子とともに現像液中に剥離してしまう。露光後加熱を行うことによって、遊離した金属微粒子は融合し金属の粒径が増大することと、また金属微粒子の一部が基材とも融合することにより、現像時の剥離を首尾よく防ぐことができる。
【００３０】
現像後のパターンニングされた金属膜は、必要に応じて加熱により焼結させて、パターンを安定化させる。加熱に際しては、膜中に存在する有機物がすべて蒸発もしくは分解する温度で焼成することが望ましいが、実際には有機物の残存があっても実用可能である。具体的には１５０℃〜６００℃、好ましくは１５０〜４００℃の焼成が望ましいが、基材の耐熱性によって焼成温度は調整される。例えば一般的な樹脂基板を用いる場合には、焼成温度は２５０℃程度以下に抑える必要がある。また焼成触媒を予め金属微粒子溶液に添加しておくことにより、焼成温度をより低温化することも可能である。焼成にはホットプレートやオーブンを用いることができる。必要な焼成時間は、金属の種類、分散剤の種類、焼成温度などによって異なるが、一般に５分〜１８０分である。
【００３１】
さらに焼成に先立って塗布膜全面に光照射することにより、分散剤を金属微粒子からより遊離せしめ、その後の焼成工程で必要な温度を低くしたり焼成時間を短くすることも可能である。照射の際の放射線の波長や、光源などの条件は、段階ｃ）と同じものであることができるが、パターニングの必要はないため一度に広い範囲が照射できる低圧水銀灯が最も望ましい。照射量は金属分散液の種類、膜厚等によって異なるが、一般に１０mJ/cm2〜１０J/cm2であり、好ましくは１００mJ/cm2〜５J/cm2の範囲にある。
【００３２】
その後は、必要に応じて水洗などの処理をして最終のパターンを得ることができる。
【００３３】
以下、実施例に基づいて本発明を更に詳細に説明するが、本発明はこれらの例に限定されない。
【実施例】
【００３４】
金属微粒子分散液１の調製
純水４００ｇにラウリン酸ナトリウム１０ｇ、硝酸銀２５ｇ、還元剤としてホルムアルデヒド１０ｇを加え完全に溶解した後、十分攪拌しながらアンモニアガスを吹き込み、銀コロイド水溶液を得た。
【００３５】
その後イオン交換樹脂と接触させ分散剤由来の余剰のイオンを除去し、金属分重量濃度が１０%の分散液とした。
【００３６】
金属微粒子分散液２の調製
純水４００ｇにポリカルボン酸界面活性剤(共栄社化学 フローレンＧ−７００)１０ｇ、硝酸銀１０ｇ、硝酸金２ｇ、塩化パラジウム５ｇ、還元剤としてホルムアルデヒド１０ｇを加えて完全に溶解したのち、十分攪拌しながらアンモニアガスを吹き込み、金属コロイドを得た。
【００３７】
その後イオン交換樹脂と接触させ界面活性剤由来の余剰のイオンを除去し、金属分重量濃度１０％の水・エタノール性分散液とした。なお水とエタノールの比率は、体積比で５：５である。
【００３８】
実施例１
１０ｇの金属微粒子分散液１に対して、トリフェニルスルホニウム トリフルオロメタンスルホネート０．１ｇを加えてよく攪拌してパターン形成用組成物とした。この組成物をシリコンウェハーにスピン塗布し、１００℃のホットプレートで1分間乾燥し膜厚２μｍの膜を得た。この後、マスクを介して１５０Ｗの低圧水銀灯（主波長 ２５４ｎｍ）に１０秒間晒した。（パターン露光）
【００３９】
次いで、１５０℃のホットプレートで１分間加熱した。その後、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド２．３８%水溶液に１分間浸漬したところ、低圧水銀灯照射部分のみ塗布膜が残り、その他の部分はすべて現像液に溶出した。この後水洗・乾燥を行い、マスクの透明部分と同じ５μｍのパターンを得た。
【００４０】
さらにこのパターニングされた塗布膜をオーブンにて300℃で1時間焼成して、結果として線幅は殆ど変わらなかったが、膜厚１．２μｍ、抵抗率３μΩcmのパターン金属膜を得ることができた。
【００４１】
比較例１
実施例１を繰り返すが、但しパターン露光後の加熱は行わず直接現像したところ、露光部を含み、すべての膜が溶出してしまった。パターン膜を得ることができなかった。
【００４２】
実施例２（他の光酸発生剤）
１０ｇの金属微粒子分散液２に対して、１− ［４−（２−ヒドロキシエトキシ）−フェニル］−２−ヒドロキシ−２−メチル−１−プロパン−１−オン０．２ｇを加えてよく攪拌した。この液をシリコンウェハーにスピン塗布し、１００℃のホットプレートで１分間乾燥した。この後、マスクを介して１５０Ｗの低圧水銀灯（主波長 ２５４ｎｍ）に１０秒間晒した。（パターン露光）
次いで、７０℃のホットプレートで１分間加熱した。その後、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド２．３８%水溶液に１分間浸漬したところ、低圧水銀灯照射部分のみ塗布膜が残り、その他の部分はすべて現像液に溶出した。
【００４３】
このパターニングされた塗布膜を十分水洗・乾燥し、結果として線幅がマスクと同じ５μｍのパターンが得られた。
【００４４】
実施例３（増感剤の使用）
１０ｇの金属微粒子分散液１に対して、トリフェニルスルホニウム トリフルオロメタンスルホネート０．１ｇ、増感色素としての７−ジエチルアミノ−４−トリフルオロメチルクマリン０．５ｇ、クエンチャーとしてのトリエタノールアミン０．００５ｇ加えてよく攪拌した。この液をシリコンウェハーにスピン塗布し、１３０℃のホットプレートで３０秒間乾燥した。この後、ニコン製ｇ線ステッパーＦＸ６０４を用いて５００ｍＪ／ｃｍ2の露光を行った。（パターン露光）
【００４５】
その後、１３０℃で２分間の露光後加熱を行い、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド１%水溶液に1分間浸漬し現像を行った。このパターニングされた塗布膜を十分水洗・乾燥し、結果として線幅がマスクと同じ５μｍのパターンが得られた。
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ａ） 金属微粒子、この金属微粒子を分散媒体中で分散状態に維持する分散剤、光酸発生剤及び分散媒体を含む感光性パターン形成用組成物を用意する段階、
ｂ） 前記感光性パターン形成用組成物を基材上に塗布、乾燥して、基材上に前記組成物からなる膜を形成する段階、
ｃ） 段階ｂ）で得られた膜に放射線を照射して潜像を得る段階、
ｄ） 段階ｃ）で得られた潜像を含む膜を熱処理する段階、及び
ｅ） 段階ｄ）からの熱処理した膜を現像液で処理してパターンを得る段階、
を含む、導電性パターン形成方法。
【請求項２】
段階ｂ）の乾燥工程を、ホットプレートもしくはオーブンを用いて５０〜１５０℃の温度で、３０〜３００秒加熱処理するか、または真空乾燥によって行うことを特徴とする、請求項１の導電性パターン形成方法。
【請求項３】
段階ｄ）を、ホットプレートもしくはオーブンを用いて、４０℃〜２００℃の温度で１０秒〜３００秒行うことを特徴とする、請求項１または２の導電性パターン形成方法。
【請求項４】
段階ｅ）で得られた膜を、ホットプレートもしくはオーブンを用いて、１５０℃〜６００℃の温度で５分〜１８０分間加熱処理することを更に含むことを特徴とする、請求項１〜３のいずれか一つの導電性パターン形成方法。
【請求項５】
請求項１〜４のいずれか一つに記載の方法を含む、電子部品を製造する方法。
【請求項１】
ａ） 金属微粒子、この金属微粒子を分散媒体中で分散状態に維持する分散剤、光酸発生剤及び分散媒体を含む感光性パターン形成用組成物を用意する段階、
ｂ） 前記感光性パターン形成用組成物を基材上に塗布、乾燥して、基材上に前記組成物からなる膜を形成する段階、
ｃ） 段階ｂ）で得られた膜に放射線を照射して潜像を得る段階、
ｄ） 段階ｃ）で得られた潜像を含む膜を熱処理する段階、及び
ｅ） 段階ｄ）からの熱処理した膜を現像液で処理してパターンを得る段階、
を含む、導電性パターン形成方法。
【請求項２】
段階ｂ）の乾燥工程を、ホットプレートもしくはオーブンを用いて５０〜１５０℃の温度で、３０〜３００秒加熱処理するか、または真空乾燥によって行うことを特徴とする、請求項１の導電性パターン形成方法。
【請求項３】
段階ｄ）を、ホットプレートもしくはオーブンを用いて、４０℃〜２００℃の温度で１０秒〜３００秒行うことを特徴とする、請求項１または２の導電性パターン形成方法。
【請求項４】
段階ｅ）で得られた膜を、ホットプレートもしくはオーブンを用いて、１５０℃〜６００℃の温度で５分〜１８０分間加熱処理することを更に含むことを特徴とする、請求項１〜３のいずれか一つの導電性パターン形成方法。
【請求項５】
請求項１〜４のいずれか一つに記載の方法を含む、電子部品を製造する方法。
【公開番号】特開２００８−１５９７５４（Ｐ２００８−１５９７５４Ａ）
【公開日】平成２０年７月１０日（２００８．７．１０）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００６−３４５６０８（Ｐ２００６−３４５６０８）
【出願日】平成１８年１２月２２日（２００６．１２．２２）
【出願人】（５０４４３５８２９）ＡＺエレクトロニックマテリアルズ株式会社 (79)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２０年７月１０日（２００８．７．１０）
【国際特許分類】
【出願日】平成１８年１２月２２日（２００６．１２．２２）
【出願人】（５０４４３５８２９）ＡＺエレクトロニックマテリアルズ株式会社 (79)
【Ｆターム（参考）】
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