配線基板、半導体パッケージおよび配線基板の製造方法
【課題】
樹脂基板上に導電性ペーストを用いた配線が形成される配線基板においては、導電性ペーストを焼結させる時の熱が樹脂基板に伝熱されてしまい、樹脂基板に耐熱温度の低い材料を使用できない。さらに、焼結時の長時間の加熱により、樹脂基板の反りや機械的特性の劣化などの不具合がある。
また、樹脂基板の反りや機械的特性の劣化を防ぐために、低温で焼結を行うと、導電性ペーストの焼結が不完全で、焼結後の配線において導通の抵抗が高くなる不具合もある。
【解決手段】
配線と樹脂基板の間に、酸化物セラミックスからなる層を設ける。
樹脂基板上に導電性ペーストを用いた配線が形成される配線基板においては、導電性ペーストを焼結させる時の熱が樹脂基板に伝熱されてしまい、樹脂基板に耐熱温度の低い材料を使用できない。さらに、焼結時の長時間の加熱により、樹脂基板の反りや機械的特性の劣化などの不具合がある。
また、樹脂基板の反りや機械的特性の劣化を防ぐために、低温で焼結を行うと、導電性ペーストの焼結が不完全で、焼結後の配線において導通の抵抗が高くなる不具合もある。
【解決手段】
配線と樹脂基板の間に、酸化物セラミックスからなる層を設ける。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、配線基板に関し、特に導電粒子を含む導電性ペーストを用いて配線が形成される配線基板に関する。
【背景技術】
【０００２】
電子機器の小型・軽量・薄型化に伴い、配線基板の薄型化や配線の微細化の要求が高まっている。
【０００３】
特許文献１に記載されている多層配線板では、金属微粒子を含む導電性ペーストを用いて回路パターンを形成している。すなわち、平均粒子径７ｎｍの銀ナノ粒子が凝集しないように調整された導電性ペーストで、ビアホールを設けたコア基板の表面上に回路パターンを描画すると共に、銀ナノ粒子をビアホールに充填した後、１８０℃、３０分の加熱処理を行うことにより、銀の焼結体よりなる回路パターンを形成する。さらに、回路パターン表面をフォトレジストで覆い、そのフォトレジストの一部にビアホールを形成する。その後、導電性ペーストで回路パターンを描画すると共に、銀ナノ粒子をビアホールに充填した後、１８０℃、３０分の加熱処理という工程を繰り返して、多層配線板を得ることができる。
【０００４】
特許文献２に記載されている配線は、ポリイミドなどの高い耐熱性を有するポリマー材料で構成された転写シート表面に、ペースト状銀ナノ粒子分散液で配線の描画を行い、２５０℃４０分の加熱処理を行うことで、銀ナノ粒子の焼結体層からなる配線が形成されている。そして、形成された配線を、有機層を有するセラミック基板上に重ね合わせ、加熱加圧して押しつけることにより、セラミック基板上に転写し、セラミック基板上に配線を有するプリント基板を得ている。
【０００５】
【特許文献１】特開２００２−２９９８３３号
【特許文献２】特開２００４−２４７５７２号
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
特許文献１に記載されている多層配線板は、コア基板上に直接回路パターンを形成し、回路パターンを構成する銀ナノペーストを焼結させる時に加熱処理によって焼結体を形成しているため、焼結時の熱がコア基板に伝熱されてしまい、コア基板に耐熱温度の低い材料を使用できない。また、コア基板として、エポキシ、ポリイミドなどの熱硬化性樹脂を使用しているが、焼結時の長時間の加熱により、基板の反りや機械的特性の劣化などの不具合がある。さらに、特許文献１に記載されている多層配線基板では、焼結としては低温である１８０℃で加熱処理を行っている。そのため、隣接する金属微粒子の焼結が不完全で、導通の際の抵抗が高くなるという不具合もある。
【０００７】
また、特許文献２によれば、高い耐熱性を有するポリマー材料上構成された転写シート上で、配線を形成させるための焼結を行うため、転写シートは機械的特性が劣化しない。
【０００８】
しかしながら、転写シートに用いられている高い耐熱性を有する樹脂を基板の絶縁材料として使用すると、その樹脂自体の調達コストが高くなる。さらに、高い耐熱性を有する樹脂を使用した基板では、その製造時に、高温にて樹脂を硬化させる必要があるので、製造コストも高くなり、歩留まりも悪くなる。よって、基板の絶縁材料として、高い耐熱性を有する樹脂を使用することは、量産に向かないという課題があった。
【０００９】
また、絶縁層として高い耐熱性を有しない樹脂を用いた基板の上に特許文献２の転写シートに使用されている高い耐熱性を有する樹脂を設ける事も考えられるが転写シートに使用されている樹脂では断熱性を有しないため、焼結時の熱が転写シートを介して樹脂材料に伝熱され、樹脂材料の機械的特性が劣化し、反りなどの不具合が生じるという課題は依然解決できない。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
上記課題を解決するため、本発明の配線基板は樹脂絶縁層と、前記樹脂絶縁層の表面に設けられている電極と、からなる樹脂基板と、前記樹脂基板上に設けられた第１の絶縁層と、前記電極上の前記第１の絶縁層に設けられた第１の貫通孔と、前記第１の絶縁層上および前記第１の貫通孔内に設けられた配線と、を有し、前記配線は前記電極と接し、前記配線は隣接した導電粒子が互いに接合した導電体からなり、前記第１の絶縁層は酸化物セラミックスからなること特徴とする。
【００１１】
また、前記配線は導電粒子と有機化合物を含有した導電性ペーストを焼結させた焼結体であってもよい。
【００１２】
さらに、前記第１の絶縁層はアルミナ、シリカ、スピネル、ムライト、コーディエライト、ジルコニア、ジルコンからなる群から選択された少なくとも１種の酸化物セラミックスからなっていてもよい。
【００１３】
さらに、前記樹脂絶縁層には、前記樹脂基板表面に設けられソルダーレジストとしての機能を有するソルダーレジスト層を含んでいてもよい。
【００１４】
さらに、前記第１の絶縁層と前記樹脂基板の間に設けられた第２の絶縁層と、前記電極上の前記第２の絶縁層に設けられた第２の貫通孔と、を有していてもよい。
【００１５】
さらに、前記第１の絶縁層は透光性を有する酸化物セラミックスからなり、前記樹脂基板と前記配線の間に金属膜を有し、前記金属膜は前記第１の絶縁層または前記樹脂絶縁層に被覆されていてもよい。
【００１６】
さらに、前記配線及び前記第１の絶縁層を被覆する第３の絶縁層を有していてもよい。
【００１７】
さらに、前記第３の絶縁層が酸化物セラミックスからなり、前記第３の絶縁層に第３の貫通孔が設けられ、前記第３の絶縁層上および前記第３の貫通孔内に配線が設けられ、前記配線と酸化物セラミックスからなる層が複数積層されていてもよい。
【００１８】
さらに、前記第３の絶縁層に第３の貫通孔が設けられ、前記前記第３の貫通孔の内部に外部接続電極が設けられ、前記外部接続電極と前記配線が接していてもよい。
【００１９】
さらに、前記外部接続電極上に導体が設けられていてもよい。
【００２０】
さらに、前記第１の絶縁層は粒子状の多結晶構造を有する酸化物セラミックスからなり、前記多結晶構造を構成する結晶の粒径は前記第１の絶縁層の厚さ方向に変化し、前記第１の絶縁層上に設けられた前記配線に接する結晶の粒径は、前記樹脂基板に接する結晶の粒径よりも大きくてもよい。
【００２１】
本発明の半導体パッケージは、本発明の配線基板に少なくとも１つ以上の半導体装置が搭載されていることを特徴とする。
【００２２】
また、前記配線が導体を介して前記半導体装置と導通していてもよい。
【００２３】
本発明の配線基板の製造方法は、樹脂基板上に酸化物セラミックスからなる第１の絶縁層を形成する工程と、前記第１の絶縁層に第１の貫通孔を形成する工程と、前記第１の絶縁層上と前記第１の貫通孔内に、導電性ペーストを配置する工程と、前記導電性ペーストを加熱する工程と、を含むことを特徴とする。
【００２４】
さらに、樹脂基板上に酸化物セラミックスからなる第１の絶縁層を形成する前記工程と、前記第１の絶縁層に第１の貫通孔を形成する前記工程とは、前記第１の貫通孔が設けられているセラミックシートを前記樹脂基板に接着する工程であってもよい。
【００２５】
さらに、樹脂基板上に酸化物セラミックスからなる第１の絶縁層を形成する前記工程と、前記第１の絶縁層に第１の貫通孔を形成する前記工程とは、樹脂基板上に酸化物セラミックスからなるペーストの一部を転写する工程であってもよい。
【００２６】
さらに、酸化物セラミックスからなる第１の絶縁層を形成する前記工程の前に、前記樹脂基板上に金属膜を形成する工程と、前記金属膜の一部を除去する工程と、を含んでいてもよい。
【００２７】
さらに、前記第１の絶縁層を形成する前記工程はエアロゾルデポジション法であってもよい。
【００２８】
さらに、前記配線基板に噴射する前記第１の絶縁層の原料微粒子の噴射速度を、段階的に遅くしてもよい。
【発明の効果】
【００２９】
以上説明したように本発明によれば、導電性ペーストを加熱し配線を形成させる時に、十分な加熱が可能となるため、電気的な導通が十分に確保できる配線を有する配線基板を提供することが可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３０】
以下、図面を参照し、本発明の実施の形態について詳細に説明する。
【００３１】
（第１の実施の形態）
【００３２】
本発明の第１の実施の形態である配線基板について説明する。
【００３３】
図１（ｂ）は、本実施の形態の配線基板６０の構成を示す図であり、図１（ａ）は配線基板６０を配線５０が設けられている面から見た平面図であり、図１（ｂ）は垂直方向の断面図であり、図１（ｃ）は平面方向の断面図である。図２は、配線基板６０の電極２０近傍の拡大断面図である。
【００３４】
図１に示す配線基板６０は、樹脂基板３０と第１の絶縁層４０と配線５０とで構成されている。
【００３５】
樹脂基板３０は、樹脂絶縁層１０と樹脂絶縁層１０の表面に設けられている電極２０とで構成されている。
【００３６】
樹脂絶縁層１０は、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、エポキシアクリレート樹脂、ウレタンアクリレート樹脂、ポリエステル樹脂、フェノール樹脂、ＢＣＢ（ｂｅｎｚｏｃｙｃｌｏｂｕｔｅｎｅ）及びＰＢＯ（ｐｏｌｙｂｅｎｚｏｘａｚｏｌｅ）からなる群から選択された１種又は２種以上の絶縁樹脂により形成されている。
【００３７】
また、絶縁樹脂層１０の内部には内層配線２１が設けられていても良く、それぞれの内層配線２１や電極２０はビア（図示せず）によって、接続されていてもよい。
【００３８】
図２に示されている電極２０は、その側面が樹脂絶縁層１０に完全に埋め込まれており、電極２０の配線５０と接する面が、樹脂絶縁層１０と第１の絶縁層４０が接する面と同一な面となっている。しかしながら、本実施の形態の配線基板６０においては、電極２０の配線５０が接する面が、樹脂絶縁層１０と第１の絶縁層４０が接する面に同一ではなく、凹んだ面になっていても、凸面になっていても良い。
【００３９】
第１の絶縁層４０は、酸化物セラミックスからなり、樹脂基板３０上に設けられ、電極２０上に、第１の貫通孔４１を有する。
【００４０】
第１の絶縁層４０は、熱伝導率の低く、絶縁樹脂よりも耐熱温度が高い、酸化物セラミックスで形成されている。本発明の酸化物セラミックスとは、アルミナ（Ａｌ２Ｏ３）、シリカ（ＳｉＯ２）、スピネル（ＭｇＡｌ２Ｏ４）、ムライト（３Ａｌ２Ｏ３・２ＳｉＯ２）、コーディエライト（２ＭｇＯ・２Ａｌ２Ｏ３・５ＳｉＯ２）、ジルコニア（ＺｒＯ２）、ジルコン（ＺｒＳｉＯ４）、ＰＬＺＴ（（Ｐｂ，Ｌａ）（Ｚｒ，Ｔｉ）Ｏ３）、イットリア−トリア（Ｙ２Ｏ３−ＴｈＯ２）、スピネル（ＭｇＡｌ２Ｏ４）等のことであり、アルミニウム、珪素、マグネシウム、ジルコニウム、鉛、ランタン、チタン、イットリウム、トリウム、ホウ素、カルシウム、セリウムから選択された１種または２種以上の元素の金属酸化物のことである。また、第１の絶縁層４０は１種類の酸化物セラミックスからなっていても良く、２種類以上の酸化物セラミックスが混合されているものであっても良い。
【００４１】
配線５０は、第１の絶縁層４０上および第１の貫通孔４１内に設けられており、電極２０と接している。
【００４２】
図２に示すように、配線５０は隣接した導電粒子が互いに接合した導電体であり、有機溶媒と導電粒子を含む導電性ペーストを加熱して焼結させた焼結体である。この配線５０は、焼結時の熱により導電粒子の表面が溶融し、隣接する導電粒子の溶融部分が接合した状態で冷却され、溶融部分が固まることにより形成される。また、有機溶媒は焼結時の熱により蒸発する。
【００４３】
なお、本願図面に記載されている配線５０を形成する導電粒子は、いずれも整列された状態のものが図示されているが、これらは導電粒子を模式的に表したものである。本願発明の配線５０を形成する導電粒子は整列されたものに限るものではなく、その配置に規則性が無いものであっても良い。
【００４４】
この導電粒子には、金、銀、銅、白金、パラジウム、ロジウム、オスミウム、ルテニウム、イリジウム、鉄、錫、亜鉛、コバルト、ニッケル、クロム、チタン、タンタル、タングステン、インジウム、ケイ素の中の少なくとも１種類の金属、または２種類以上の金属からなる合金が用いられる。また、この導電粒子の粒径は１ナノメートルから１００ナノメートルである。
【００４５】
本実施の形態である配線基板によれば、熱伝導率の低い酸化物セラミックスからなる第１の絶縁層４０を樹脂基板３０の上に設けているため、導電粒子の焼結体である配線を得るための焼結時の熱が、耐熱温度の低い樹脂基板３０に伝わりにくい。よって、配線焼結時の樹脂基板３０の温度上昇を抑制することが可能となり、樹脂基板３０の温度上昇による劣化が小さい配線基板を得ることが可能となる。
【００４６】
次に、本発明の第１の実施の形態の配線基板を用いた半導体パッケージについて説明する。
【００４７】
図３（ａ）および図３（ｂ）は、本実施の形態の半導体パッケージ９０の構成を示す図であり、本実施の形態の配線基板６０上に半導体装置９１を搭載させたものである。図３（ａ）は、樹脂基板３０の第１の絶縁層４０に接しない面に設けられた電極２０に半導体装置９１を搭載したものである。電極２０上にハンダなどの導体９３を設け、半導体装置９１と配線基板６０が電気的に導通している。
【００４８】
また、図３（ｂ）は配線基板６０の第１の絶縁層４０上に半導体装置９１を搭載したものである。配線５０上にハンダなどの導体９３を設け、半導体装置９１と配線基板６０が電気的に導通している。
【００４９】
半導体装置９１と配線基板６０は、種々の方式で電気的に導通させることが可能であり、たとえば、フリップチップ、ワイヤーボンディング、テープボンディングなどがあげられる。
【００５０】
半導体装置９１は１つであっても複数有っても良く、図３（ａ）と図３（ｂ）を組み合わせ配線基板６０の両面に半導体装置９１を搭載したものであっても良い。
【００５１】
本実施の形態である半導体パッケージ９０によれば、酸化物セラミックスからなる第１の絶縁層４０と半導体装置９１の熱膨張率が近い値を有することとなる。そのため、周囲の温度変化や半導体装置の動作などによって発生した熱によって、第１の絶縁層４０と半導体装置９１が熱膨張したとしても、その熱膨張量は近い値となる。よって、この半導体パッケージ９０は、高い信頼性を有することが出来る。
【００５２】
次に、本発明の第１の実施の形態である配線基板の製造方法について説明する。
図４（ａ）から（ｆ）は、本実施の形態の配線基板６０の製造方法を工程順に示す部分断面図である。この断面図は、配線５０が接続される電極２０付近を拡大した図である。なお、各工程間において、適宜洗浄および熱処理を行う。
【００５３】
まず、図４（ａ）に示すように、表面に電極２０を有する樹脂基板３０を用意する。
【００５４】
次に、図４（ｂ）に示すように、電極２０上に第１の貫通孔４１を有する第１の絶縁層４０を形成させる。たとえば、エアロゾルデポジション法（ＡＤ法）を用いて、酸化物セラミックスからなる第１の絶縁層４０を形成する。このとき、電極２０上に予めマスク（図示せず）を設けておき、ＡＤ法による第１の絶縁層４０の形成が完了した後に、マスクを除去することにより、電極２０上に第１の貫通孔４１が形成されても良い。また、ＡＤ法により、樹脂基板３０上の全面に第１の絶縁層４０を形成した後に、超音波精密加工などの機械加工により電極上に第１の貫通孔４１を形成しても良い。
【００５５】
次に、図４（ｃ）に示すように、酸化物セラミックスからなる第１の絶縁層４０上と、第１の絶縁層４０に設けられた第１の貫通孔４１内に、導電性ペースト５２を塗布する。導電性ペースト５２を塗布する方法としては、インクジェット法、ディスペンス法、スクリーン印刷法、凸版印刷法、インプリント法等を用いる。例えば、インクジェット法によれば、導電性ペーストを塗布可能なヘッドを有する装置を用いて、第１の絶縁層４０上、および、第１の絶縁層４０に設けられた第１の貫通孔４１内に導電性ペースト５２を塗布する。塗布された導電性ペースト５２は点で描画され、その点を連続して塗布することにより、点を連結させて配線を形成してもよい。
【００５６】
次に、図４（ｄ）に示すように、第１の絶縁層４０上の導電性ペースト５２を加熱して導電粒子を焼結する。導電性ペースト５２を塗布した面に対して、電磁波を照射し、その吸収特性を利用し加熱を行う。電磁波の波長を導電性ペースト５２の吸収波長に調整して照射すると、導電性ペースト５２は温度上昇する。焼結条件としては、温度が２００℃から３００℃であって、時間は２時間行う。なお、これらの焼結条件は、これに限られるものではなく、適宜変更することが可能である。
【００５７】
図４（ｅ）に示すように、加熱が完了すると、隣接した導電粒子が互いに接合した導電体からなる配線５０を有する配線基板６０を得ることができる。
【００５８】
本実施の形態である配線基板の製造方法によれば、耐熱温度の低い絶縁樹脂を有する樹脂基板上に、熱伝導率の低い酸化物セラミックスからなる第１の絶縁層４０を設け、その第１の絶縁層上に導電性ペーストを塗布する。
【００５９】
その後、導電性ペーストに加えられる熱は、第１の絶縁層４０によって樹脂基板３０に伝熱されることが抑制される。よって、樹脂基板３０の温度上昇を抑えつつ、導電性ペーストを十分加熱させることが可能となるため、十分な導通が確保された配線を有する配線基板を製造することが可能となる。
【００６０】
第１の絶縁層が設けられていない場合、導電性ペーストに加えたれた熱は、樹脂基板に直に伝熱されるため、樹脂基板の温度上昇が顕著となり、樹脂絶縁層の反りや物性劣化を生じさせてしまう。もしくは、樹脂基板の物性劣化を防止するために導電性ペーストの加熱を抑制すると、焼結が不十分となり、配線の導通に不具合が生じる恐れがある。
【００６１】
特許文献２に記載されている配線の形成方法によれば、配線は転写シート上に別工程にて作成されている。転写シート上にて焼結された後、配線はセラミック基板上に転写される。しかしながら、配線幅が最大でも数十ミクロンメートルと大変細い配線は、機械的強度が低く、脆いために、転写する際の応力により、断線する可能性が高いという課題があった。
【００６２】
本実施の形態である配線基板の製造方法によれば、耐熱温度の低い絶縁樹脂を有する基板上に直接、導電粒子を含む導電性ペーストを塗布して形成した配線を有する配線基板を製造することが可能となるので、転写による断線が生じることはないという効果がある。
【００６３】
（第２の実施の形態）
【００６４】
次に、本発明の第２の実施の形態である配線基板について説明する。
【００６５】
図５は、本実施の形態の配線基板６０の構成を示す図であり、図５（ａ）は概略断面図であり、図５（ｂ）は、配線基板６０の電極２０近傍の拡大断面図である。
【００６６】
第１の実施の形態との違いは、樹脂基板３０の表面に、ソルダーレジストとしての機能を有するソルダーレジスト層１１が設けられている点である。
【００６７】
ソルダーレジスト層１１は、電極２０が露出するように設けられており、電極２０の周囲はソルダーレジスト層１１によって被覆されている。また、電極２０の露出面とソルダーレジスト層１１の露出面との境界には段差が設けられており、電極２０の露出面はソルダーレジスト層１１の露出面よりも低い位置に設けられている。
【００６８】
なお、電極２０は、その一部が樹脂絶縁層１０に埋まっていても良く、第１の実施の形態のように電極２０の全体が樹脂絶縁層１０に埋まっていても良い。
【００６９】
第１の絶縁層４０に上に設けられた配線は、第１の貫通孔４１を通って、電極２０と接している。なお、このソルダーレジスト層１１は、例えば熱硬化性樹脂であっても良く、例えばエポキシ系樹脂が好適である。
【００７０】
ソルダーレジスト層１１上には、第１の実施の形態である配線基板と同様に、第１の絶縁層４０や配線５０が設けられている。
【００７１】
本実施の形態である配線基板によれば、樹脂基板３０の表面上にソルダーレジスト層１１に被覆された配線を形成することが可能となる。このことにより、配線の多層化が可能となる。
【００７２】
また、樹脂絶縁層１０がソルダーレジスト層１１によって被覆されているため、第１の絶縁層４０形成時に、樹脂絶縁層１０を保護することが可能となる。
【００７３】
次に、本発明の第２の実施の形態の配線基板を用いた半導体パッケージについて説明する。
【００７４】
本実施の形態の半導体パッケージは、本実施の形態の配線基板上に半導体装置を搭載させたものであり、半導体装置の搭載面や半導体装置の数、半導体装置の接続方法等については第１の実施の形態の半導体パッケージと同じである。
【００７５】
本実施の形態である半導体パッケージによれば、図３（ｃ）に示すように、樹脂基板３０の電極２０上にはんだ等の導体９３を設け、そこに半導体装置９１を実装する領域を設けることも可能となる。すなわち、一つの配線基板において、通常の実装領域と、導電性ペーストを焼結させた配線５０を有する実装領域を形成することが可能となる。
【００７６】
次に、本発明の第２の実施の形態である配線基板の製造方法について説明する。
【００７７】
図６（ａ）から（ｆ）は、本実施の形態の配線基板６０の製造方法を工程順に示す部分断面図である。なお、各工程間において適宜洗浄及び熱処理を行う。
【００７８】
まず、図６（ａ）に示すように、表面が露出された電極２０が配置され、さらに樹脂絶縁層１０を覆うようにソルダーレジスト層１１が形成されている樹脂基板３０を用意する。電極２０は、その表面が露出していれば良く、その一部が樹脂絶縁層１０に埋まっていても、電極２０の全体が樹脂絶縁層１０に埋まっていても良い。
【００７９】
ソルダーレジスト層１１は、電極２０の少なくとも一部が露出するように形成され、電極２０の露出面とソルダーレジスト層１１の露出面との境界には段差が設けられており、電極２０の露出面はソルダーレジスト層１１の露出面よりも低い位置に設けられている。
【００８０】
次に、図６（ｂ）および（ｃ）は、樹脂基板３０表面に酸化物セラミックスからなる第１の絶縁層４０を形成する工程である。あらかじめソルダーレジスト層１１には、アンカー効果によるセラミックスペーストとの密着性を高めるため、あらかじめ機械的研磨等により表面を粗くしてもよい。
【００８１】
図６（ｂ）に示すように、弾性ゴム等のベース材９５に、セラミックスペースト９６を厚さが均一になるように印刷したものに対し、ソルダーレジスト層１１を接触させる。
【００８２】
この時、セラミックペースト９６はソルダーレジスト層１１が設けられている箇所にのみ転写される。ただし、電極２０が十分に露出していれば、電極２０の露出面の一部にセラミックペーストが転写されていても良い。
【００８３】
ここでセラミックスペーストは、アルミナ、ムライト、コーディエライトなどのセラミックスを含有した耐熱性の高いセラミックスペーストを用いてもよい。
【００８４】
次に、図６（ｃ）に示すように、セラミックスペーストを転写後、樹脂絶縁層１０およびソルダーレジスト層１１の耐熱温度以下の温度で放置し、セラミックスペーストを硬化させ、第１の絶縁層４０とした。次に、図６（ｄ）に示すように、第１の絶縁層４０上と、第１の絶縁層４０に設けられた第１の貫通孔４１中に、導電性ペースト５２を塗布する。これ以降の工程は、図４（ｄ）以降の工程と同じである。
【００８５】
本実施の形態である配線基板の製造方法によれば、第１の実施の形態の配線基板の製造方法の第１の貫通孔４１を設けるためのマスクや、機械加工による穴あけ工程を用いなくとも、第１の絶縁層４０に第１の貫通孔４１を形成することが可能となる。
【００８６】
なぜなら、ソルダーレジスト層１１と電極２０の境界には段差があるので、樹脂基板３０をセラミックペースト９６に接触させると、ソルダーレジスト層１１にのみ、セラミックペースト９６が転写されるからである。電極２０にはセラミックペースト９６が転写されず、その転写されなかった箇所が、第１の貫通孔４１となるためである。
【００８７】
また、セラミックペースト９６の粘度を調整することにより、電極２０の表面にセラミックペースト９６が転写される時の状態を制御することが可能となる。
【００８８】
（第３の実施の形態）
【００８９】
次に、本発明の第３の実施の形態である配線基板について説明する。
【００９０】
第１の絶縁層４０に用いる酸化物セラミックスとして白色または淡色の酸化物セラミックスを用いること以外は、第１の実施の形態の配線基板６０と同一である。
【００９１】
本実施の形態における白色または淡色の酸化物セラミックスとしては、アルミナ（Ａｌ２Ｏ３）、シリカ（ＳｉＯ２）、スピネル（ＭｇＡｌ２Ｏ４）、あるいは、ムライト（３Ａｌ２Ｏ３・２ＳｉＯ２）、コーディエライト（２ＭｇＯ・２Ａｌ２Ｏ３・５ＳｉＯ２）などのアルミナ−シリカ系複酸化物等が、やや黄色あるいはやや茶色がかった酸化物セラミックスとして、ジルコニア（ＺｒＯ２）、ジルコン（ＺｒＳｉＯ４）などのジルコニア系セラミックス等があげられる。
【００９２】
これらの白色または淡色の酸化物セラミックスを第１の絶縁層４０に用いることによる、さらなる効果を説明する。焼結体である配線５０を形成する時に、焼結前の導電性ペースト５２に電磁波を照射して加熱する。この加熱電磁波として例えば、紫外光よりも波長の長い可視光、赤外線、遠赤外線、マイクロ波、ミリ波などが挙げられる。
【００９３】
配線５０の焼結時に照射される電磁波は、配線だけではなく、その周囲に存在する第１の絶縁層４０にも照射される。その第１の絶縁層４０が白色または淡色の酸化物セラミックスであると、電磁波は白色または淡色の酸化物セラミックスに吸収されにくく、酸化物セラミックスによって反射されることとなる。すなわち、電磁波は導電性ペースト５２のみを加熱し、その周囲の第１の絶縁層４０は加熱されにくくなるので、第１の絶縁層４０の下部に存在する樹脂基板３０の温度上昇を抑制させることが可能となる。
【００９４】
次に、本発明の第３の実施の形態の配線基板を用いた半導体パッケージについて説明する。
【００９５】
本実施の形態の半導体パッケージは、本実施の形態の配線基板上に半導体装置を搭載させたものであり、半導体装置の搭載面や半導体装置の数、半導体装置の接続方法等については第１の実施の形態の半導体パッケージと同じである。
【００９６】
（第４の実施の形態）
【００９７】
次に、本発明の第４の実施の形態である配線基板について説明する。
【００９８】
図７は、本実施の形態の配線基板６０の構成を示す図であり、図７（ａ）は概略断面図であり、図７（ｂ）は、配線基板６０の電極２０近傍の拡大断面図である。
【００９９】
第１の実施の形態との違いは、樹脂基板３０と第１の絶縁層４０の間に第２の絶縁層７０が設けられている点である。電極２０上の第２の絶縁層７０には第２の貫通孔７１が設けられ、第２の貫通孔７１中にも配線５０が設けられ、配線５０と電極２０が接している。
【０１００】
この第２の絶縁層７０は、第１の絶縁層４０を形成するセラミックシートを樹脂基板３０に接着するためのものである。具体的には、耐熱性を有するエポキシベースの接着剤や、アルミナやジルコニアベースの接着剤を用いることが出来る。
【０１０１】
セラミックシートとは、酸化物セラミックスと繊維との複合材料であって、その酸化物セラミックスは既に焼成されているものである。このセラミックシートは、シート状に成形されたものであり、高い平坦度を有するものである。
【０１０２】
本実施の形態である配線基板によれば、平坦度の高いセラミックシートを用いて第１の絶縁層４０が形成されているため、配線５０を形成する面の平坦度が高められている配線基板を提供することが可能となる。配線５０を形成する面の平坦度が高いと、導電性ペーストを塗布して形成される配線５０の線幅が均一となり、その導通が安定する。よって、より微細な配線５０を形成することが可能となる。
【０１０３】
次に、本発明の第４の実施の形態の配線基板を用いた半導体パッケージについて説明する。
【０１０４】
本実施の形態の半導体パッケージは、本実施の形態の配線基板上に半導体装置を搭載させたものであり、半導体装置の搭載面や半導体装置の数、半導体装置の接続方法等については第１の実施の形態の半導体パッケージと同じである。
【０１０５】
本実施の形態である配線基板によれば、微細な配線を有する配線基板を用いることができるので、接続電極を多く有する半導体装置を実装することが可能となる。なぜなら、微細な配線を形成することが出来るので、接続電極の数が多くとも、多くの配線の引き回しが可能となるためである。
【０１０６】
次に、本発明の第４の実施の形態である配線基板の製造方法について説明する。
【０１０７】
図８（ａ）から（ｆ）は、本実施の形態の配線基板６０の製造方法を工程順に示す部分断面図である。なお、各工程間において適宜洗浄及び熱処理を行う。
【０１０８】
まず、図８（ａ）に示すように、表面が露出された電極２０が配置された樹脂基板３０を用意する。電極２０は、その表面が露出していれば良く、その一部が樹脂絶縁層１０に埋まっていても、電極２０の全体が樹脂絶縁層１０に埋まっていても良い。
【０１０９】
次に、図８（ｂ）に示すように、予め電極２０の位置に対応するように第１の貫通孔４１が設けられたセラミックスシート９７を用意し、耐熱性を有するエポキシベースの接着剤や、アルミナやジルコニアベースの接着剤７３をセラミックシート９７に塗布する。その後、セラミックスシート９７と樹脂基板３０を位置決めする。
【０１１０】
次に、図８（ｃ）に示すように、セラミックシート９７が接着剤７３を介して樹脂基板３０に接着されることにより、第１の絶縁層が形成される。
【０１１１】
次に、図８（ｄ）に示すように、第１の絶縁層４０上と、第１の絶縁層４０に設けられた第１の貫通孔４１および第２の絶縁層７０に設けられた第２の貫通孔７１に、導電性ペースト５２を塗布する。これ以降の工程は、図４（ｄ）以降の工程と同じである。
【０１１２】
本実施の形態である配線基板の製造方法によれば、平坦度の高いセラミックシート９７を用いて第１の絶縁層４０を形成するため、第１の絶縁層４０の平坦度を高くすることが出来る。第１の絶縁層４０の平坦度が高いと、その上に塗布される導電性ペーストの厚さや線幅が均一となり、電気的な導通が安定した配線を有する配線基板を形成することが可能となる。
【０１１３】
（第５の実施の形態）
【０１１４】
次に、本発明の第５の実施の形態である配線基板について説明する。
【０１１５】
図９は、本実施の形態の配線基板６０の構成を示す図であり、図９（ａ）は概略断面図であり、図９（ｂ）は、配線基板６０の電極２０近傍の拡大断面図である。
【０１１６】
第１の実施の形態との違いは、樹脂基板３０と配線５０との間に電磁波を反射する金属膜７２を設け、なおかつ、第１の絶縁層４０は透光性セラミックスで形成されている点である。その他の構造は第１の実施の形態と同一である。
【０１１７】
図９（ａ）および図９（ｂ）において示されている金属膜７２は配線５０および電極２０に接することが無いように、樹脂基板３０上の電極２０が形成されていない箇所に設けられている。
【０１１８】
この金属膜７２は、電極２０および配線５０と接していなければよく、金属膜７２が樹脂基板３０と接していなくてもよい。第１の絶縁層４０の内部に設けられていてもよい。
【０１１９】
金属膜７２が第１の絶縁層４０の内部に設けられ、樹脂基板３０から離れた位置にあれば、照射される電磁波が樹脂基板３０から離れた位置で反射され、電磁波によって加熱される第１の絶縁層４０が少なくなるため、樹脂基板３０の加熱が、より抑制される。
【０１２０】
金属膜７２は、配線５０の焼結時に照射される電磁波を反射するものであれば良く、銅、銀、金、ニッケル、アルミニウム、およびパラジウムの中の少なくとも１種類の金属、または２種類以上の金属からなる合金であればよい。また、透光性セラミックスとしては、アルミナ（Ａｌ２Ｏ３）やＰＬＺＴ（（Ｐｂ，Ｌａ）（Ｚｒ，Ｔｉ）Ｏ３）、イットリア−トリア（Ｙ２Ｏ３−ＴｈＯ２）、スピネル（ＭｇＡｌ２Ｏ４）などの酸化物セラミックスがある。
【０１２１】
次に、本発明の第５の実施の形態の配線基板を用いた半導体パッケージについて説明する。
【０１２２】
本実施の形態の半導体パッケージは、本実施の形態の配線基板上に半導体装置を搭載させたものであり、半導体装置の搭載面や半導体装置の数、半導体装置の接続方法等については第１の実施の形態の半導体パッケージと同じである。
【０１２３】
次に、本発明の第５の実施の形態である配線基板の製造方法について説明する。
【０１２４】
図１０（ａ）から（ｉ）は、本実施の形態の配線基板６０の製造方法を工程順に示す部分断面図である。なお、各工程間において適宜洗浄及び熱処理を行う。
【０１２５】
まず、図１０（ａ）に示すように、表面が露出された電極２０が配置された樹脂基板３０を用意する。電極２０は、その表面が露出していれば良く、その一部が樹脂絶縁層１０に埋まっていても、電極２０の全体が樹脂絶縁層１０に埋まっていても良い。
【０１２６】
次に、図１０（ｂ）に示すように、樹脂基板３０表面に金属膜７２を形成する。例えば、スパッタ法により、金属膜７２を形成する。
【０１２７】
次に、図１０（ｃ）に示すように、スクリーン印刷等により、レジスト材９９を金属膜７２上に塗布、硬化させる。
【０１２８】
次に、図１０（ｄ）に示すように、電極２０近傍の金属膜７２をエッチングにより除去する。
【０１２９】
次に、図１０（ｅ）に示すように、レジスト材を除去する。
【０１３０】
次に、図１０（ｆ）に示すように、透光性を有するセラミックスからなる第１の絶縁層４０を形成する。電磁波吸収率の低い金属酸化物粒子を金属膜形成面に高速で衝突させると、粒子は微細化するとともに、互いに結合し、透光性を有する酸化物セラミックスとなる。
【０１３１】
例えば、本発明の第１の実施の形態である配線基板の製造方法において説明したエアロゾルデポジション法を用い、金属酸化物粒子の噴射速度を高速にすることにより、透光性を有する酸化物セラミックスを形成することができる。
【０１３２】
次に、図１０（ｇ）に示すように、第１の絶縁層４０上と、第１の絶縁層４０に設けられた第１の貫通孔４１に、導電性ペースト５２を塗布する。これ以降の工程は、図４（ｄ）以降に示す工程と同一である。
【０１３３】
なお、金属膜７２は、樹脂基板３０上だけではなく、第１の絶縁層４０の内部にも形成可能である。例えば、第１の絶縁層４０を形成した後、その表面に金属膜７２を形成し、さらにその上に、第１の絶縁層４０を形成しても良い。
【０１３４】
本実施の形態である配線基板の製造方法によれば、加熱のために照射される電磁波は、第１の絶縁層４０を透過し、金属膜７２で反射され外部に放出されるために、電磁波照射による第１の絶縁層４０および樹脂基板３０の温度上昇をさらに抑制することができる。
【０１３５】
また、金属膜７２によって反射された電磁波が導電性ペースト５２の裏面も加熱することが可能となる。導電性ペースト５２は、直接照射される電磁波と反射された電磁波によって、その両面から加熱されるため、隣接する導電粒子の接合が確実になる。よって、信頼性の高い配線５０を形成することが可能となる。
【０１３６】
（第６の実施の形態）
【０１３７】
次に、本発明の第６の実施の形態である配線基板について説明する。
【０１３８】
図１１は、本実施の形態の配線基板６０の構成を示す図である。
【０１３９】
第１の実施の形態との違いは、第１の絶縁層４０と配線５０を被覆する第３の絶縁層８０が設けられている点である。第３の絶縁層８０は、絶縁性を有する材料であれば良く、一般的な配線基板と同様に、エポキシ樹脂やポリイミドなどの有機絶縁材料、あるいは、酸化物セラミックスなどの無機絶縁材料であっても良い。第３の絶縁層８０によって配線５０を被覆することにより、配線５０を保護することが可能となり、信頼性やハンドリング性の良い配線基板６０を形成することが可能となる。
【０１４０】
次に、本発明の第６の実施の形態の配線基板を用いた半導体パッケージについて説明する。
【０１４１】
本実施の形態の半導体パッケージは、本実施の形態の配線基板上に半導体装置を搭載させたものである。
【０１４２】
本実施の形態の配線５０は第３の絶縁層８０によって被覆されているため、図３（ｂ）のように配線５０に半導体デバイス９１を搭載することは出来ない。しかしながら、図３（ａ）に示されているように、第１の絶縁層４０が設けられていない面の電極２０に半導体デバイス９１を搭載することは可能である。
【０１４３】
半導体装置の接続方法等については第１の実施の形態の半導体パッケージと同じである。
【０１４４】
次に、本発明の第６の実施の形態である配線基板の製造方法について説明する。
【０１４５】
本実施の形態の製造方法は、配線５０の焼結後に、配線５０と第１の絶縁層４０を覆うように第３の絶縁層８０を形成する工程を追加することによって、実現される。第３の絶縁層８０は、一般的な絶縁層形成方法と同様に、例えばポリイミドのように熱硬化性の絶縁性樹脂をスプレーコートにより、配線５０を覆うように塗布し、加熱硬化させることで形成可能である。
【０１４６】
また、酸化物セラミックスからなる第３の絶縁層８０をエアロゾルデポジション法（ＡＤ法）により形成しても良い。この時、ＡＤ法によって吹き付けられる酸化物セラミックスの粒子が配線に衝突する際に、衝突のエネルギーが焼結体にも付与されるために、焼結体が加熱される。その加熱により、導電粒子の表面がより多く溶融するので、冷却後の配線５０は、より緻密な構造を有し、より比抵抗の小さくい配線を形成することができる。
【０１４７】
（第７の実施の形態）
【０１４８】
次に、本発明の第７の実施の形態である配線基板について説明する。
【０１４９】
図１２は、本実施の形態の配線基板６０の構成を示す図である。
【０１５０】
図１２に示されるように、配線５０は１層に限定されるものではなく、２層あるいはそれ以上の層を有する配線５０を形成することができる。
【０１５１】
配線５０は、第４の絶縁層８１によって被覆され、第４の絶縁層８１には、第４の貫通孔８２が形成されている。そして、別の配線５０を第４の絶縁層８１上と、第４の貫通孔８２中に設けることにより、複数の層に配線５０を設けることが可能となる。
複数の配線５０の下部には、酸化物セラミックスからなる層がそれぞれ積層されることにより、樹脂基板３０への熱伝導をより抑制することができる。上層の配線５０は、樹脂基板３０からの距離が大きくなり、その間には酸化物セラミックスからなる層が複数積層されているため、高温で加熱することができ、比抵抗の低い配線５０を得ることができる。
【０１５２】
第４の絶縁層８１は、配線５０を焼結する時の熱により劣化しても良いのであれば、酸化物セラミックスでなくともよく、絶縁性を有する材料であればよい。
【０１５３】
また、図１２に示されている配線基板では、最上層の配線は露出しているが、最上層の配線を被覆する絶縁層が有っても良い。
【０１５４】
本実施の形態である半導体パッケージによれば、配線５０を多層化できることにより、配線の引き回しが容易となり、接続電極を多く有する半導体装置を実装することが可能となる。よって、高密度実装が可能となる。
【０１５５】
次に、本発明の第７の実施の形態の配線基板を用いた半導体パッケージについて説明する。
【０１５６】
本実施の形態の半導体パッケージは、本実施の形態の配線基板上に半導体装置を搭載させたものであり、半導体装置の搭載面や半導体装置の数、半導体装置の接続方法等については第１の実施の形態の半導体パッケージと同じである。
【０１５７】
（第８の実施の形態）
【０１５８】
次に、本発明の第８の実施の形態である配線基板について説明する。
【０１５９】
図１３（ａ）および図１３（ｂ）は、本実施の形態の配線基板６０の構成を示す図である。
【０１６０】
本実施の形態では、最上層の配線５０を覆う第５の絶縁層８３に第５の貫通孔８４を設け、配線５０の一部を露出させる。露出された配線上にNi/Auめっき等による表面処理を行い、これを外部接続電極９２としても良い。また、図１３（ｂ）に示すように、外部接続電極９２上にハンダなどの導体９３を搭載することで、一般的な、実装部品と同様に取り扱うことが可能となる。
【０１６１】
次に、本発明の第８の実施の形態の配線基板を用いた半導体パッケージについて説明する。
【０１６２】
本実施の形態の半導体パッケージは、本実施の形態の配線基板上に半導体装置を搭載させたものであり、半導体装置の搭載面や半導体装置の数、半導体装置の接続方法等については第１の実施の形態の半導体パッケージと同じである。
【０１６３】
例えば、外部接続電極９２にはんだ等の導体を設けることにより、半導体装置を搭載させることが可能である。
【０１６４】
半導体装置の接続方法等については第１の実施の形態の半導体パッケージと同じである。
【０１６５】
（第９の実施の形態）
【０１６６】
次に、本発明の第９の実施の形態である配線基板について説明する。
【０１６７】
図１４（ａ）は、本実施の形態の配線基板６０の構成を示す図であり、配線基板６０の電極２０近傍の拡大断面を模式的に表した図である。
【０１６８】
第１の実施の形態との違いは、第１の絶縁層を構成する結晶粒子９８の径が均一でなく、層の厚さ方向に変化する点である。樹脂基板３０に近い層の結晶粒子９８の径は数十ナノメートル程度の緻密な構造を形成し、次第に結晶粒子９８の径は大きくなり、配線と接する層の結晶粒子９８の径は数百ナノメートルら数マイクロメートル程度の粗い構造としている点である。その他の構造は第１の実施の形態と同一である。
【０１６９】
本実施の形態における特有の効果について、図１４（ｂ）および図１４（ｃ）を用いて説明する。図１４（ｂ）および（ｃ）は、配線５０と第１の絶縁層４０が接する部分を模式的に表し、拡大した図である。まず、第１の絶縁層４０の樹脂基板３０と接する層は、樹脂基板３０との密着性を高めるために、数十ナノメートル程度の比較的小さい結晶粒径を有した方が良い。一方、第１の絶縁層４０の配線５０と接する層は、数百ナノメートルから数ミクロンメートル程度の比較的大きな結晶粒径を有した方がよい。
【０１７０】
なぜなら、図１４（ｂ）に示すように、配線５０は粒子状の導電体が接合したものであるので、その配線５０と接する第１の絶縁層４０の粒径が大きい方が、配線５０が第１の絶縁層４０の凸凹に入り込み易くなる。その結果、配線５０と第１の絶縁層４０の密着強度が高まる効果が得られる。
【０１７１】
一方、図１４（ｃ）に示すように、配線５０と接する第１の絶縁層４０の結晶粒径が小さいと、配線５０は、第１の絶縁層４０の凸凹に入り込みにくくなる。この場合、配線５０と第１の絶縁層４０の間には、一つの点で接しているのみであり、両者の間には比較的大きな隙間が生じるため、配線５０と第１の絶縁層４０の密着強度が弱くなる。
本実施の形態のように、配線５０と第１の絶縁層４０の密着強度が強くなることにより、焼結後、配線５０が第１の絶縁層から剥がれ落ちることを防止することが可能となる。
次に、本発明の第９の実施の形態の配線基板を用いた半導体パッケージについて説明する。
【０１７２】
本実施の形態の半導体パッケージは、本実施の形態の配線基板上に半導体装置を搭載させたものであり、半導体装置の搭載面や半導体装置の数、半導体装置の接続方法等については第１の実施の形態の半導体パッケージと同じである。
【０１７３】
次に、本発明の第９の実施の形態である配線基板の製造方法について説明する。
【０１７４】
樹脂基板３０の表面上に、エアロゾルデポジション法を用いて第１の絶縁層４０を形成する際、衝突させる粒子の速度を、積層初期は速く、段階的に遅くすることにより、積層初期の結晶粒径は数十ナノメートル程度の緻密な構造を形成し、次第に結晶粒径は大きくなり、積層後期の結晶粒径は数百ナノメートルから数マイクロメートル程度の粗い構造とする。以降は、第１の実施の形態と同様に、配線を積層していく。
【０１７５】
本発明の配線基板、半導体パッケージおよび配線基板の製造方法は、上記実施の形態に基づいて説明されているが、上記実施の形態に限定されることなく、本発明の範囲内において、かつ本発明の基本的技術思想に基づいて、上記実施の形態に対し種々の変形、変更及び改良を含むことができることはいうまでもない。また、本発明の請求の範囲の枠内において、種々の開示要素の多様な組み合わせ・置換ないし選択が可能である。
【図面の簡単な説明】
【０１７６】
【図１】本発明の第１の実施の形態である配線基板の平面図および断面図
【図２】本発明の第１の実施の形態である配線基板の拡大図
【図３】本発明の第１の実施の形態の配線基板を用いた半導体パッケージの断面図
【図４】本発明の第１の実施の形態である配線基板の製造方法の部分断面図
【図５】本発明の第２の実施の形態である配線基板の断面図および拡大図
【図６】本発明の第２の実施の形態である配線基板の製造方法の部分断面図
【図７】本発明の第４の実施の形態である配線基板の断面図および拡大図
【図８】本発明の第３の実施の形態である配線基板の製造方法の部分断面図
【図９】本発明の第５の実施の形態である配線基板の断面図および拡大図
【図１０】本発明の第４の実施の形態である配線基板の製造方法の部分断面図
【図１１】本発明の第６の実施の形態である配線基板の断面図
【図１２】本発明の第７の実施の形態である配線基板の断面図
【図１３】本発明の第８の実施の形態である配線基板の断面図
【図１４】本発明の第９の実施の形態である配線基板の断面図および部分拡大図
【符号の説明】
【０１７７】
１０ 樹脂絶縁層
１１ ソルダーレジスト層
２０ 電極
２１ 内層配線
３０ 樹脂基板
４０ 第１の絶縁層
４１ 第１の貫通孔
５０ 配線
５２ 導電性ペースト
６０ 配線基板
７０ 第２の絶縁層
７１ 第２の貫通孔
７２ 金属膜
７３ 接着剤
８０ 第３の絶縁層
８１ 第４の絶縁層
８２ 第４の貫通孔
８３ 第５の絶縁層
８４ 第５の貫通孔
９０ 半導体パッケージ
９１ 半導体装置
９２ 外部接続電極
９３ 導体
９５ ベース材
９６ セラミックスペースト
９７ セラミックスシート
９８ 結晶粒子
９９ レジスト材
【技術分野】
【０００１】
本発明は、配線基板に関し、特に導電粒子を含む導電性ペーストを用いて配線が形成される配線基板に関する。
【背景技術】
【０００２】
電子機器の小型・軽量・薄型化に伴い、配線基板の薄型化や配線の微細化の要求が高まっている。
【０００３】
特許文献１に記載されている多層配線板では、金属微粒子を含む導電性ペーストを用いて回路パターンを形成している。すなわち、平均粒子径７ｎｍの銀ナノ粒子が凝集しないように調整された導電性ペーストで、ビアホールを設けたコア基板の表面上に回路パターンを描画すると共に、銀ナノ粒子をビアホールに充填した後、１８０℃、３０分の加熱処理を行うことにより、銀の焼結体よりなる回路パターンを形成する。さらに、回路パターン表面をフォトレジストで覆い、そのフォトレジストの一部にビアホールを形成する。その後、導電性ペーストで回路パターンを描画すると共に、銀ナノ粒子をビアホールに充填した後、１８０℃、３０分の加熱処理という工程を繰り返して、多層配線板を得ることができる。
【０００４】
特許文献２に記載されている配線は、ポリイミドなどの高い耐熱性を有するポリマー材料で構成された転写シート表面に、ペースト状銀ナノ粒子分散液で配線の描画を行い、２５０℃４０分の加熱処理を行うことで、銀ナノ粒子の焼結体層からなる配線が形成されている。そして、形成された配線を、有機層を有するセラミック基板上に重ね合わせ、加熱加圧して押しつけることにより、セラミック基板上に転写し、セラミック基板上に配線を有するプリント基板を得ている。
【０００５】
【特許文献１】特開２００２−２９９８３３号
【特許文献２】特開２００４−２４７５７２号
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
特許文献１に記載されている多層配線板は、コア基板上に直接回路パターンを形成し、回路パターンを構成する銀ナノペーストを焼結させる時に加熱処理によって焼結体を形成しているため、焼結時の熱がコア基板に伝熱されてしまい、コア基板に耐熱温度の低い材料を使用できない。また、コア基板として、エポキシ、ポリイミドなどの熱硬化性樹脂を使用しているが、焼結時の長時間の加熱により、基板の反りや機械的特性の劣化などの不具合がある。さらに、特許文献１に記載されている多層配線基板では、焼結としては低温である１８０℃で加熱処理を行っている。そのため、隣接する金属微粒子の焼結が不完全で、導通の際の抵抗が高くなるという不具合もある。
【０００７】
また、特許文献２によれば、高い耐熱性を有するポリマー材料上構成された転写シート上で、配線を形成させるための焼結を行うため、転写シートは機械的特性が劣化しない。
【０００８】
しかしながら、転写シートに用いられている高い耐熱性を有する樹脂を基板の絶縁材料として使用すると、その樹脂自体の調達コストが高くなる。さらに、高い耐熱性を有する樹脂を使用した基板では、その製造時に、高温にて樹脂を硬化させる必要があるので、製造コストも高くなり、歩留まりも悪くなる。よって、基板の絶縁材料として、高い耐熱性を有する樹脂を使用することは、量産に向かないという課題があった。
【０００９】
また、絶縁層として高い耐熱性を有しない樹脂を用いた基板の上に特許文献２の転写シートに使用されている高い耐熱性を有する樹脂を設ける事も考えられるが転写シートに使用されている樹脂では断熱性を有しないため、焼結時の熱が転写シートを介して樹脂材料に伝熱され、樹脂材料の機械的特性が劣化し、反りなどの不具合が生じるという課題は依然解決できない。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
上記課題を解決するため、本発明の配線基板は樹脂絶縁層と、前記樹脂絶縁層の表面に設けられている電極と、からなる樹脂基板と、前記樹脂基板上に設けられた第１の絶縁層と、前記電極上の前記第１の絶縁層に設けられた第１の貫通孔と、前記第１の絶縁層上および前記第１の貫通孔内に設けられた配線と、を有し、前記配線は前記電極と接し、前記配線は隣接した導電粒子が互いに接合した導電体からなり、前記第１の絶縁層は酸化物セラミックスからなること特徴とする。
【００１１】
また、前記配線は導電粒子と有機化合物を含有した導電性ペーストを焼結させた焼結体であってもよい。
【００１２】
さらに、前記第１の絶縁層はアルミナ、シリカ、スピネル、ムライト、コーディエライト、ジルコニア、ジルコンからなる群から選択された少なくとも１種の酸化物セラミックスからなっていてもよい。
【００１３】
さらに、前記樹脂絶縁層には、前記樹脂基板表面に設けられソルダーレジストとしての機能を有するソルダーレジスト層を含んでいてもよい。
【００１４】
さらに、前記第１の絶縁層と前記樹脂基板の間に設けられた第２の絶縁層と、前記電極上の前記第２の絶縁層に設けられた第２の貫通孔と、を有していてもよい。
【００１５】
さらに、前記第１の絶縁層は透光性を有する酸化物セラミックスからなり、前記樹脂基板と前記配線の間に金属膜を有し、前記金属膜は前記第１の絶縁層または前記樹脂絶縁層に被覆されていてもよい。
【００１６】
さらに、前記配線及び前記第１の絶縁層を被覆する第３の絶縁層を有していてもよい。
【００１７】
さらに、前記第３の絶縁層が酸化物セラミックスからなり、前記第３の絶縁層に第３の貫通孔が設けられ、前記第３の絶縁層上および前記第３の貫通孔内に配線が設けられ、前記配線と酸化物セラミックスからなる層が複数積層されていてもよい。
【００１８】
さらに、前記第３の絶縁層に第３の貫通孔が設けられ、前記前記第３の貫通孔の内部に外部接続電極が設けられ、前記外部接続電極と前記配線が接していてもよい。
【００１９】
さらに、前記外部接続電極上に導体が設けられていてもよい。
【００２０】
さらに、前記第１の絶縁層は粒子状の多結晶構造を有する酸化物セラミックスからなり、前記多結晶構造を構成する結晶の粒径は前記第１の絶縁層の厚さ方向に変化し、前記第１の絶縁層上に設けられた前記配線に接する結晶の粒径は、前記樹脂基板に接する結晶の粒径よりも大きくてもよい。
【００２１】
本発明の半導体パッケージは、本発明の配線基板に少なくとも１つ以上の半導体装置が搭載されていることを特徴とする。
【００２２】
また、前記配線が導体を介して前記半導体装置と導通していてもよい。
【００２３】
本発明の配線基板の製造方法は、樹脂基板上に酸化物セラミックスからなる第１の絶縁層を形成する工程と、前記第１の絶縁層に第１の貫通孔を形成する工程と、前記第１の絶縁層上と前記第１の貫通孔内に、導電性ペーストを配置する工程と、前記導電性ペーストを加熱する工程と、を含むことを特徴とする。
【００２４】
さらに、樹脂基板上に酸化物セラミックスからなる第１の絶縁層を形成する前記工程と、前記第１の絶縁層に第１の貫通孔を形成する前記工程とは、前記第１の貫通孔が設けられているセラミックシートを前記樹脂基板に接着する工程であってもよい。
【００２５】
さらに、樹脂基板上に酸化物セラミックスからなる第１の絶縁層を形成する前記工程と、前記第１の絶縁層に第１の貫通孔を形成する前記工程とは、樹脂基板上に酸化物セラミックスからなるペーストの一部を転写する工程であってもよい。
【００２６】
さらに、酸化物セラミックスからなる第１の絶縁層を形成する前記工程の前に、前記樹脂基板上に金属膜を形成する工程と、前記金属膜の一部を除去する工程と、を含んでいてもよい。
【００２７】
さらに、前記第１の絶縁層を形成する前記工程はエアロゾルデポジション法であってもよい。
【００２８】
さらに、前記配線基板に噴射する前記第１の絶縁層の原料微粒子の噴射速度を、段階的に遅くしてもよい。
【発明の効果】
【００２９】
以上説明したように本発明によれば、導電性ペーストを加熱し配線を形成させる時に、十分な加熱が可能となるため、電気的な導通が十分に確保できる配線を有する配線基板を提供することが可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３０】
以下、図面を参照し、本発明の実施の形態について詳細に説明する。
【００３１】
（第１の実施の形態）
【００３２】
本発明の第１の実施の形態である配線基板について説明する。
【００３３】
図１（ｂ）は、本実施の形態の配線基板６０の構成を示す図であり、図１（ａ）は配線基板６０を配線５０が設けられている面から見た平面図であり、図１（ｂ）は垂直方向の断面図であり、図１（ｃ）は平面方向の断面図である。図２は、配線基板６０の電極２０近傍の拡大断面図である。
【００３４】
図１に示す配線基板６０は、樹脂基板３０と第１の絶縁層４０と配線５０とで構成されている。
【００３５】
樹脂基板３０は、樹脂絶縁層１０と樹脂絶縁層１０の表面に設けられている電極２０とで構成されている。
【００３６】
樹脂絶縁層１０は、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、エポキシアクリレート樹脂、ウレタンアクリレート樹脂、ポリエステル樹脂、フェノール樹脂、ＢＣＢ（ｂｅｎｚｏｃｙｃｌｏｂｕｔｅｎｅ）及びＰＢＯ（ｐｏｌｙｂｅｎｚｏｘａｚｏｌｅ）からなる群から選択された１種又は２種以上の絶縁樹脂により形成されている。
【００３７】
また、絶縁樹脂層１０の内部には内層配線２１が設けられていても良く、それぞれの内層配線２１や電極２０はビア（図示せず）によって、接続されていてもよい。
【００３８】
図２に示されている電極２０は、その側面が樹脂絶縁層１０に完全に埋め込まれており、電極２０の配線５０と接する面が、樹脂絶縁層１０と第１の絶縁層４０が接する面と同一な面となっている。しかしながら、本実施の形態の配線基板６０においては、電極２０の配線５０が接する面が、樹脂絶縁層１０と第１の絶縁層４０が接する面に同一ではなく、凹んだ面になっていても、凸面になっていても良い。
【００３９】
第１の絶縁層４０は、酸化物セラミックスからなり、樹脂基板３０上に設けられ、電極２０上に、第１の貫通孔４１を有する。
【００４０】
第１の絶縁層４０は、熱伝導率の低く、絶縁樹脂よりも耐熱温度が高い、酸化物セラミックスで形成されている。本発明の酸化物セラミックスとは、アルミナ（Ａｌ２Ｏ３）、シリカ（ＳｉＯ２）、スピネル（ＭｇＡｌ２Ｏ４）、ムライト（３Ａｌ２Ｏ３・２ＳｉＯ２）、コーディエライト（２ＭｇＯ・２Ａｌ２Ｏ３・５ＳｉＯ２）、ジルコニア（ＺｒＯ２）、ジルコン（ＺｒＳｉＯ４）、ＰＬＺＴ（（Ｐｂ，Ｌａ）（Ｚｒ，Ｔｉ）Ｏ３）、イットリア−トリア（Ｙ２Ｏ３−ＴｈＯ２）、スピネル（ＭｇＡｌ２Ｏ４）等のことであり、アルミニウム、珪素、マグネシウム、ジルコニウム、鉛、ランタン、チタン、イットリウム、トリウム、ホウ素、カルシウム、セリウムから選択された１種または２種以上の元素の金属酸化物のことである。また、第１の絶縁層４０は１種類の酸化物セラミックスからなっていても良く、２種類以上の酸化物セラミックスが混合されているものであっても良い。
【００４１】
配線５０は、第１の絶縁層４０上および第１の貫通孔４１内に設けられており、電極２０と接している。
【００４２】
図２に示すように、配線５０は隣接した導電粒子が互いに接合した導電体であり、有機溶媒と導電粒子を含む導電性ペーストを加熱して焼結させた焼結体である。この配線５０は、焼結時の熱により導電粒子の表面が溶融し、隣接する導電粒子の溶融部分が接合した状態で冷却され、溶融部分が固まることにより形成される。また、有機溶媒は焼結時の熱により蒸発する。
【００４３】
なお、本願図面に記載されている配線５０を形成する導電粒子は、いずれも整列された状態のものが図示されているが、これらは導電粒子を模式的に表したものである。本願発明の配線５０を形成する導電粒子は整列されたものに限るものではなく、その配置に規則性が無いものであっても良い。
【００４４】
この導電粒子には、金、銀、銅、白金、パラジウム、ロジウム、オスミウム、ルテニウム、イリジウム、鉄、錫、亜鉛、コバルト、ニッケル、クロム、チタン、タンタル、タングステン、インジウム、ケイ素の中の少なくとも１種類の金属、または２種類以上の金属からなる合金が用いられる。また、この導電粒子の粒径は１ナノメートルから１００ナノメートルである。
【００４５】
本実施の形態である配線基板によれば、熱伝導率の低い酸化物セラミックスからなる第１の絶縁層４０を樹脂基板３０の上に設けているため、導電粒子の焼結体である配線を得るための焼結時の熱が、耐熱温度の低い樹脂基板３０に伝わりにくい。よって、配線焼結時の樹脂基板３０の温度上昇を抑制することが可能となり、樹脂基板３０の温度上昇による劣化が小さい配線基板を得ることが可能となる。
【００４６】
次に、本発明の第１の実施の形態の配線基板を用いた半導体パッケージについて説明する。
【００４７】
図３（ａ）および図３（ｂ）は、本実施の形態の半導体パッケージ９０の構成を示す図であり、本実施の形態の配線基板６０上に半導体装置９１を搭載させたものである。図３（ａ）は、樹脂基板３０の第１の絶縁層４０に接しない面に設けられた電極２０に半導体装置９１を搭載したものである。電極２０上にハンダなどの導体９３を設け、半導体装置９１と配線基板６０が電気的に導通している。
【００４８】
また、図３（ｂ）は配線基板６０の第１の絶縁層４０上に半導体装置９１を搭載したものである。配線５０上にハンダなどの導体９３を設け、半導体装置９１と配線基板６０が電気的に導通している。
【００４９】
半導体装置９１と配線基板６０は、種々の方式で電気的に導通させることが可能であり、たとえば、フリップチップ、ワイヤーボンディング、テープボンディングなどがあげられる。
【００５０】
半導体装置９１は１つであっても複数有っても良く、図３（ａ）と図３（ｂ）を組み合わせ配線基板６０の両面に半導体装置９１を搭載したものであっても良い。
【００５１】
本実施の形態である半導体パッケージ９０によれば、酸化物セラミックスからなる第１の絶縁層４０と半導体装置９１の熱膨張率が近い値を有することとなる。そのため、周囲の温度変化や半導体装置の動作などによって発生した熱によって、第１の絶縁層４０と半導体装置９１が熱膨張したとしても、その熱膨張量は近い値となる。よって、この半導体パッケージ９０は、高い信頼性を有することが出来る。
【００５２】
次に、本発明の第１の実施の形態である配線基板の製造方法について説明する。
図４（ａ）から（ｆ）は、本実施の形態の配線基板６０の製造方法を工程順に示す部分断面図である。この断面図は、配線５０が接続される電極２０付近を拡大した図である。なお、各工程間において、適宜洗浄および熱処理を行う。
【００５３】
まず、図４（ａ）に示すように、表面に電極２０を有する樹脂基板３０を用意する。
【００５４】
次に、図４（ｂ）に示すように、電極２０上に第１の貫通孔４１を有する第１の絶縁層４０を形成させる。たとえば、エアロゾルデポジション法（ＡＤ法）を用いて、酸化物セラミックスからなる第１の絶縁層４０を形成する。このとき、電極２０上に予めマスク（図示せず）を設けておき、ＡＤ法による第１の絶縁層４０の形成が完了した後に、マスクを除去することにより、電極２０上に第１の貫通孔４１が形成されても良い。また、ＡＤ法により、樹脂基板３０上の全面に第１の絶縁層４０を形成した後に、超音波精密加工などの機械加工により電極上に第１の貫通孔４１を形成しても良い。
【００５５】
次に、図４（ｃ）に示すように、酸化物セラミックスからなる第１の絶縁層４０上と、第１の絶縁層４０に設けられた第１の貫通孔４１内に、導電性ペースト５２を塗布する。導電性ペースト５２を塗布する方法としては、インクジェット法、ディスペンス法、スクリーン印刷法、凸版印刷法、インプリント法等を用いる。例えば、インクジェット法によれば、導電性ペーストを塗布可能なヘッドを有する装置を用いて、第１の絶縁層４０上、および、第１の絶縁層４０に設けられた第１の貫通孔４１内に導電性ペースト５２を塗布する。塗布された導電性ペースト５２は点で描画され、その点を連続して塗布することにより、点を連結させて配線を形成してもよい。
【００５６】
次に、図４（ｄ）に示すように、第１の絶縁層４０上の導電性ペースト５２を加熱して導電粒子を焼結する。導電性ペースト５２を塗布した面に対して、電磁波を照射し、その吸収特性を利用し加熱を行う。電磁波の波長を導電性ペースト５２の吸収波長に調整して照射すると、導電性ペースト５２は温度上昇する。焼結条件としては、温度が２００℃から３００℃であって、時間は２時間行う。なお、これらの焼結条件は、これに限られるものではなく、適宜変更することが可能である。
【００５７】
図４（ｅ）に示すように、加熱が完了すると、隣接した導電粒子が互いに接合した導電体からなる配線５０を有する配線基板６０を得ることができる。
【００５８】
本実施の形態である配線基板の製造方法によれば、耐熱温度の低い絶縁樹脂を有する樹脂基板上に、熱伝導率の低い酸化物セラミックスからなる第１の絶縁層４０を設け、その第１の絶縁層上に導電性ペーストを塗布する。
【００５９】
その後、導電性ペーストに加えられる熱は、第１の絶縁層４０によって樹脂基板３０に伝熱されることが抑制される。よって、樹脂基板３０の温度上昇を抑えつつ、導電性ペーストを十分加熱させることが可能となるため、十分な導通が確保された配線を有する配線基板を製造することが可能となる。
【００６０】
第１の絶縁層が設けられていない場合、導電性ペーストに加えたれた熱は、樹脂基板に直に伝熱されるため、樹脂基板の温度上昇が顕著となり、樹脂絶縁層の反りや物性劣化を生じさせてしまう。もしくは、樹脂基板の物性劣化を防止するために導電性ペーストの加熱を抑制すると、焼結が不十分となり、配線の導通に不具合が生じる恐れがある。
【００６１】
特許文献２に記載されている配線の形成方法によれば、配線は転写シート上に別工程にて作成されている。転写シート上にて焼結された後、配線はセラミック基板上に転写される。しかしながら、配線幅が最大でも数十ミクロンメートルと大変細い配線は、機械的強度が低く、脆いために、転写する際の応力により、断線する可能性が高いという課題があった。
【００６２】
本実施の形態である配線基板の製造方法によれば、耐熱温度の低い絶縁樹脂を有する基板上に直接、導電粒子を含む導電性ペーストを塗布して形成した配線を有する配線基板を製造することが可能となるので、転写による断線が生じることはないという効果がある。
【００６３】
（第２の実施の形態）
【００６４】
次に、本発明の第２の実施の形態である配線基板について説明する。
【００６５】
図５は、本実施の形態の配線基板６０の構成を示す図であり、図５（ａ）は概略断面図であり、図５（ｂ）は、配線基板６０の電極２０近傍の拡大断面図である。
【００６６】
第１の実施の形態との違いは、樹脂基板３０の表面に、ソルダーレジストとしての機能を有するソルダーレジスト層１１が設けられている点である。
【００６７】
ソルダーレジスト層１１は、電極２０が露出するように設けられており、電極２０の周囲はソルダーレジスト層１１によって被覆されている。また、電極２０の露出面とソルダーレジスト層１１の露出面との境界には段差が設けられており、電極２０の露出面はソルダーレジスト層１１の露出面よりも低い位置に設けられている。
【００６８】
なお、電極２０は、その一部が樹脂絶縁層１０に埋まっていても良く、第１の実施の形態のように電極２０の全体が樹脂絶縁層１０に埋まっていても良い。
【００６９】
第１の絶縁層４０に上に設けられた配線は、第１の貫通孔４１を通って、電極２０と接している。なお、このソルダーレジスト層１１は、例えば熱硬化性樹脂であっても良く、例えばエポキシ系樹脂が好適である。
【００７０】
ソルダーレジスト層１１上には、第１の実施の形態である配線基板と同様に、第１の絶縁層４０や配線５０が設けられている。
【００７１】
本実施の形態である配線基板によれば、樹脂基板３０の表面上にソルダーレジスト層１１に被覆された配線を形成することが可能となる。このことにより、配線の多層化が可能となる。
【００７２】
また、樹脂絶縁層１０がソルダーレジスト層１１によって被覆されているため、第１の絶縁層４０形成時に、樹脂絶縁層１０を保護することが可能となる。
【００７３】
次に、本発明の第２の実施の形態の配線基板を用いた半導体パッケージについて説明する。
【００７４】
本実施の形態の半導体パッケージは、本実施の形態の配線基板上に半導体装置を搭載させたものであり、半導体装置の搭載面や半導体装置の数、半導体装置の接続方法等については第１の実施の形態の半導体パッケージと同じである。
【００７５】
本実施の形態である半導体パッケージによれば、図３（ｃ）に示すように、樹脂基板３０の電極２０上にはんだ等の導体９３を設け、そこに半導体装置９１を実装する領域を設けることも可能となる。すなわち、一つの配線基板において、通常の実装領域と、導電性ペーストを焼結させた配線５０を有する実装領域を形成することが可能となる。
【００７６】
次に、本発明の第２の実施の形態である配線基板の製造方法について説明する。
【００７７】
図６（ａ）から（ｆ）は、本実施の形態の配線基板６０の製造方法を工程順に示す部分断面図である。なお、各工程間において適宜洗浄及び熱処理を行う。
【００７８】
まず、図６（ａ）に示すように、表面が露出された電極２０が配置され、さらに樹脂絶縁層１０を覆うようにソルダーレジスト層１１が形成されている樹脂基板３０を用意する。電極２０は、その表面が露出していれば良く、その一部が樹脂絶縁層１０に埋まっていても、電極２０の全体が樹脂絶縁層１０に埋まっていても良い。
【００７９】
ソルダーレジスト層１１は、電極２０の少なくとも一部が露出するように形成され、電極２０の露出面とソルダーレジスト層１１の露出面との境界には段差が設けられており、電極２０の露出面はソルダーレジスト層１１の露出面よりも低い位置に設けられている。
【００８０】
次に、図６（ｂ）および（ｃ）は、樹脂基板３０表面に酸化物セラミックスからなる第１の絶縁層４０を形成する工程である。あらかじめソルダーレジスト層１１には、アンカー効果によるセラミックスペーストとの密着性を高めるため、あらかじめ機械的研磨等により表面を粗くしてもよい。
【００８１】
図６（ｂ）に示すように、弾性ゴム等のベース材９５に、セラミックスペースト９６を厚さが均一になるように印刷したものに対し、ソルダーレジスト層１１を接触させる。
【００８２】
この時、セラミックペースト９６はソルダーレジスト層１１が設けられている箇所にのみ転写される。ただし、電極２０が十分に露出していれば、電極２０の露出面の一部にセラミックペーストが転写されていても良い。
【００８３】
ここでセラミックスペーストは、アルミナ、ムライト、コーディエライトなどのセラミックスを含有した耐熱性の高いセラミックスペーストを用いてもよい。
【００８４】
次に、図６（ｃ）に示すように、セラミックスペーストを転写後、樹脂絶縁層１０およびソルダーレジスト層１１の耐熱温度以下の温度で放置し、セラミックスペーストを硬化させ、第１の絶縁層４０とした。次に、図６（ｄ）に示すように、第１の絶縁層４０上と、第１の絶縁層４０に設けられた第１の貫通孔４１中に、導電性ペースト５２を塗布する。これ以降の工程は、図４（ｄ）以降の工程と同じである。
【００８５】
本実施の形態である配線基板の製造方法によれば、第１の実施の形態の配線基板の製造方法の第１の貫通孔４１を設けるためのマスクや、機械加工による穴あけ工程を用いなくとも、第１の絶縁層４０に第１の貫通孔４１を形成することが可能となる。
【００８６】
なぜなら、ソルダーレジスト層１１と電極２０の境界には段差があるので、樹脂基板３０をセラミックペースト９６に接触させると、ソルダーレジスト層１１にのみ、セラミックペースト９６が転写されるからである。電極２０にはセラミックペースト９６が転写されず、その転写されなかった箇所が、第１の貫通孔４１となるためである。
【００８７】
また、セラミックペースト９６の粘度を調整することにより、電極２０の表面にセラミックペースト９６が転写される時の状態を制御することが可能となる。
【００８８】
（第３の実施の形態）
【００８９】
次に、本発明の第３の実施の形態である配線基板について説明する。
【００９０】
第１の絶縁層４０に用いる酸化物セラミックスとして白色または淡色の酸化物セラミックスを用いること以外は、第１の実施の形態の配線基板６０と同一である。
【００９１】
本実施の形態における白色または淡色の酸化物セラミックスとしては、アルミナ（Ａｌ２Ｏ３）、シリカ（ＳｉＯ２）、スピネル（ＭｇＡｌ２Ｏ４）、あるいは、ムライト（３Ａｌ２Ｏ３・２ＳｉＯ２）、コーディエライト（２ＭｇＯ・２Ａｌ２Ｏ３・５ＳｉＯ２）などのアルミナ−シリカ系複酸化物等が、やや黄色あるいはやや茶色がかった酸化物セラミックスとして、ジルコニア（ＺｒＯ２）、ジルコン（ＺｒＳｉＯ４）などのジルコニア系セラミックス等があげられる。
【００９２】
これらの白色または淡色の酸化物セラミックスを第１の絶縁層４０に用いることによる、さらなる効果を説明する。焼結体である配線５０を形成する時に、焼結前の導電性ペースト５２に電磁波を照射して加熱する。この加熱電磁波として例えば、紫外光よりも波長の長い可視光、赤外線、遠赤外線、マイクロ波、ミリ波などが挙げられる。
【００９３】
配線５０の焼結時に照射される電磁波は、配線だけではなく、その周囲に存在する第１の絶縁層４０にも照射される。その第１の絶縁層４０が白色または淡色の酸化物セラミックスであると、電磁波は白色または淡色の酸化物セラミックスに吸収されにくく、酸化物セラミックスによって反射されることとなる。すなわち、電磁波は導電性ペースト５２のみを加熱し、その周囲の第１の絶縁層４０は加熱されにくくなるので、第１の絶縁層４０の下部に存在する樹脂基板３０の温度上昇を抑制させることが可能となる。
【００９４】
次に、本発明の第３の実施の形態の配線基板を用いた半導体パッケージについて説明する。
【００９５】
本実施の形態の半導体パッケージは、本実施の形態の配線基板上に半導体装置を搭載させたものであり、半導体装置の搭載面や半導体装置の数、半導体装置の接続方法等については第１の実施の形態の半導体パッケージと同じである。
【００９６】
（第４の実施の形態）
【００９７】
次に、本発明の第４の実施の形態である配線基板について説明する。
【００９８】
図７は、本実施の形態の配線基板６０の構成を示す図であり、図７（ａ）は概略断面図であり、図７（ｂ）は、配線基板６０の電極２０近傍の拡大断面図である。
【００９９】
第１の実施の形態との違いは、樹脂基板３０と第１の絶縁層４０の間に第２の絶縁層７０が設けられている点である。電極２０上の第２の絶縁層７０には第２の貫通孔７１が設けられ、第２の貫通孔７１中にも配線５０が設けられ、配線５０と電極２０が接している。
【０１００】
この第２の絶縁層７０は、第１の絶縁層４０を形成するセラミックシートを樹脂基板３０に接着するためのものである。具体的には、耐熱性を有するエポキシベースの接着剤や、アルミナやジルコニアベースの接着剤を用いることが出来る。
【０１０１】
セラミックシートとは、酸化物セラミックスと繊維との複合材料であって、その酸化物セラミックスは既に焼成されているものである。このセラミックシートは、シート状に成形されたものであり、高い平坦度を有するものである。
【０１０２】
本実施の形態である配線基板によれば、平坦度の高いセラミックシートを用いて第１の絶縁層４０が形成されているため、配線５０を形成する面の平坦度が高められている配線基板を提供することが可能となる。配線５０を形成する面の平坦度が高いと、導電性ペーストを塗布して形成される配線５０の線幅が均一となり、その導通が安定する。よって、より微細な配線５０を形成することが可能となる。
【０１０３】
次に、本発明の第４の実施の形態の配線基板を用いた半導体パッケージについて説明する。
【０１０４】
本実施の形態の半導体パッケージは、本実施の形態の配線基板上に半導体装置を搭載させたものであり、半導体装置の搭載面や半導体装置の数、半導体装置の接続方法等については第１の実施の形態の半導体パッケージと同じである。
【０１０５】
本実施の形態である配線基板によれば、微細な配線を有する配線基板を用いることができるので、接続電極を多く有する半導体装置を実装することが可能となる。なぜなら、微細な配線を形成することが出来るので、接続電極の数が多くとも、多くの配線の引き回しが可能となるためである。
【０１０６】
次に、本発明の第４の実施の形態である配線基板の製造方法について説明する。
【０１０７】
図８（ａ）から（ｆ）は、本実施の形態の配線基板６０の製造方法を工程順に示す部分断面図である。なお、各工程間において適宜洗浄及び熱処理を行う。
【０１０８】
まず、図８（ａ）に示すように、表面が露出された電極２０が配置された樹脂基板３０を用意する。電極２０は、その表面が露出していれば良く、その一部が樹脂絶縁層１０に埋まっていても、電極２０の全体が樹脂絶縁層１０に埋まっていても良い。
【０１０９】
次に、図８（ｂ）に示すように、予め電極２０の位置に対応するように第１の貫通孔４１が設けられたセラミックスシート９７を用意し、耐熱性を有するエポキシベースの接着剤や、アルミナやジルコニアベースの接着剤７３をセラミックシート９７に塗布する。その後、セラミックスシート９７と樹脂基板３０を位置決めする。
【０１１０】
次に、図８（ｃ）に示すように、セラミックシート９７が接着剤７３を介して樹脂基板３０に接着されることにより、第１の絶縁層が形成される。
【０１１１】
次に、図８（ｄ）に示すように、第１の絶縁層４０上と、第１の絶縁層４０に設けられた第１の貫通孔４１および第２の絶縁層７０に設けられた第２の貫通孔７１に、導電性ペースト５２を塗布する。これ以降の工程は、図４（ｄ）以降の工程と同じである。
【０１１２】
本実施の形態である配線基板の製造方法によれば、平坦度の高いセラミックシート９７を用いて第１の絶縁層４０を形成するため、第１の絶縁層４０の平坦度を高くすることが出来る。第１の絶縁層４０の平坦度が高いと、その上に塗布される導電性ペーストの厚さや線幅が均一となり、電気的な導通が安定した配線を有する配線基板を形成することが可能となる。
【０１１３】
（第５の実施の形態）
【０１１４】
次に、本発明の第５の実施の形態である配線基板について説明する。
【０１１５】
図９は、本実施の形態の配線基板６０の構成を示す図であり、図９（ａ）は概略断面図であり、図９（ｂ）は、配線基板６０の電極２０近傍の拡大断面図である。
【０１１６】
第１の実施の形態との違いは、樹脂基板３０と配線５０との間に電磁波を反射する金属膜７２を設け、なおかつ、第１の絶縁層４０は透光性セラミックスで形成されている点である。その他の構造は第１の実施の形態と同一である。
【０１１７】
図９（ａ）および図９（ｂ）において示されている金属膜７２は配線５０および電極２０に接することが無いように、樹脂基板３０上の電極２０が形成されていない箇所に設けられている。
【０１１８】
この金属膜７２は、電極２０および配線５０と接していなければよく、金属膜７２が樹脂基板３０と接していなくてもよい。第１の絶縁層４０の内部に設けられていてもよい。
【０１１９】
金属膜７２が第１の絶縁層４０の内部に設けられ、樹脂基板３０から離れた位置にあれば、照射される電磁波が樹脂基板３０から離れた位置で反射され、電磁波によって加熱される第１の絶縁層４０が少なくなるため、樹脂基板３０の加熱が、より抑制される。
【０１２０】
金属膜７２は、配線５０の焼結時に照射される電磁波を反射するものであれば良く、銅、銀、金、ニッケル、アルミニウム、およびパラジウムの中の少なくとも１種類の金属、または２種類以上の金属からなる合金であればよい。また、透光性セラミックスとしては、アルミナ（Ａｌ２Ｏ３）やＰＬＺＴ（（Ｐｂ，Ｌａ）（Ｚｒ，Ｔｉ）Ｏ３）、イットリア−トリア（Ｙ２Ｏ３−ＴｈＯ２）、スピネル（ＭｇＡｌ２Ｏ４）などの酸化物セラミックスがある。
【０１２１】
次に、本発明の第５の実施の形態の配線基板を用いた半導体パッケージについて説明する。
【０１２２】
本実施の形態の半導体パッケージは、本実施の形態の配線基板上に半導体装置を搭載させたものであり、半導体装置の搭載面や半導体装置の数、半導体装置の接続方法等については第１の実施の形態の半導体パッケージと同じである。
【０１２３】
次に、本発明の第５の実施の形態である配線基板の製造方法について説明する。
【０１２４】
図１０（ａ）から（ｉ）は、本実施の形態の配線基板６０の製造方法を工程順に示す部分断面図である。なお、各工程間において適宜洗浄及び熱処理を行う。
【０１２５】
まず、図１０（ａ）に示すように、表面が露出された電極２０が配置された樹脂基板３０を用意する。電極２０は、その表面が露出していれば良く、その一部が樹脂絶縁層１０に埋まっていても、電極２０の全体が樹脂絶縁層１０に埋まっていても良い。
【０１２６】
次に、図１０（ｂ）に示すように、樹脂基板３０表面に金属膜７２を形成する。例えば、スパッタ法により、金属膜７２を形成する。
【０１２７】
次に、図１０（ｃ）に示すように、スクリーン印刷等により、レジスト材９９を金属膜７２上に塗布、硬化させる。
【０１２８】
次に、図１０（ｄ）に示すように、電極２０近傍の金属膜７２をエッチングにより除去する。
【０１２９】
次に、図１０（ｅ）に示すように、レジスト材を除去する。
【０１３０】
次に、図１０（ｆ）に示すように、透光性を有するセラミックスからなる第１の絶縁層４０を形成する。電磁波吸収率の低い金属酸化物粒子を金属膜形成面に高速で衝突させると、粒子は微細化するとともに、互いに結合し、透光性を有する酸化物セラミックスとなる。
【０１３１】
例えば、本発明の第１の実施の形態である配線基板の製造方法において説明したエアロゾルデポジション法を用い、金属酸化物粒子の噴射速度を高速にすることにより、透光性を有する酸化物セラミックスを形成することができる。
【０１３２】
次に、図１０（ｇ）に示すように、第１の絶縁層４０上と、第１の絶縁層４０に設けられた第１の貫通孔４１に、導電性ペースト５２を塗布する。これ以降の工程は、図４（ｄ）以降に示す工程と同一である。
【０１３３】
なお、金属膜７２は、樹脂基板３０上だけではなく、第１の絶縁層４０の内部にも形成可能である。例えば、第１の絶縁層４０を形成した後、その表面に金属膜７２を形成し、さらにその上に、第１の絶縁層４０を形成しても良い。
【０１３４】
本実施の形態である配線基板の製造方法によれば、加熱のために照射される電磁波は、第１の絶縁層４０を透過し、金属膜７２で反射され外部に放出されるために、電磁波照射による第１の絶縁層４０および樹脂基板３０の温度上昇をさらに抑制することができる。
【０１３５】
また、金属膜７２によって反射された電磁波が導電性ペースト５２の裏面も加熱することが可能となる。導電性ペースト５２は、直接照射される電磁波と反射された電磁波によって、その両面から加熱されるため、隣接する導電粒子の接合が確実になる。よって、信頼性の高い配線５０を形成することが可能となる。
【０１３６】
（第６の実施の形態）
【０１３７】
次に、本発明の第６の実施の形態である配線基板について説明する。
【０１３８】
図１１は、本実施の形態の配線基板６０の構成を示す図である。
【０１３９】
第１の実施の形態との違いは、第１の絶縁層４０と配線５０を被覆する第３の絶縁層８０が設けられている点である。第３の絶縁層８０は、絶縁性を有する材料であれば良く、一般的な配線基板と同様に、エポキシ樹脂やポリイミドなどの有機絶縁材料、あるいは、酸化物セラミックスなどの無機絶縁材料であっても良い。第３の絶縁層８０によって配線５０を被覆することにより、配線５０を保護することが可能となり、信頼性やハンドリング性の良い配線基板６０を形成することが可能となる。
【０１４０】
次に、本発明の第６の実施の形態の配線基板を用いた半導体パッケージについて説明する。
【０１４１】
本実施の形態の半導体パッケージは、本実施の形態の配線基板上に半導体装置を搭載させたものである。
【０１４２】
本実施の形態の配線５０は第３の絶縁層８０によって被覆されているため、図３（ｂ）のように配線５０に半導体デバイス９１を搭載することは出来ない。しかしながら、図３（ａ）に示されているように、第１の絶縁層４０が設けられていない面の電極２０に半導体デバイス９１を搭載することは可能である。
【０１４３】
半導体装置の接続方法等については第１の実施の形態の半導体パッケージと同じである。
【０１４４】
次に、本発明の第６の実施の形態である配線基板の製造方法について説明する。
【０１４５】
本実施の形態の製造方法は、配線５０の焼結後に、配線５０と第１の絶縁層４０を覆うように第３の絶縁層８０を形成する工程を追加することによって、実現される。第３の絶縁層８０は、一般的な絶縁層形成方法と同様に、例えばポリイミドのように熱硬化性の絶縁性樹脂をスプレーコートにより、配線５０を覆うように塗布し、加熱硬化させることで形成可能である。
【０１４６】
また、酸化物セラミックスからなる第３の絶縁層８０をエアロゾルデポジション法（ＡＤ法）により形成しても良い。この時、ＡＤ法によって吹き付けられる酸化物セラミックスの粒子が配線に衝突する際に、衝突のエネルギーが焼結体にも付与されるために、焼結体が加熱される。その加熱により、導電粒子の表面がより多く溶融するので、冷却後の配線５０は、より緻密な構造を有し、より比抵抗の小さくい配線を形成することができる。
【０１４７】
（第７の実施の形態）
【０１４８】
次に、本発明の第７の実施の形態である配線基板について説明する。
【０１４９】
図１２は、本実施の形態の配線基板６０の構成を示す図である。
【０１５０】
図１２に示されるように、配線５０は１層に限定されるものではなく、２層あるいはそれ以上の層を有する配線５０を形成することができる。
【０１５１】
配線５０は、第４の絶縁層８１によって被覆され、第４の絶縁層８１には、第４の貫通孔８２が形成されている。そして、別の配線５０を第４の絶縁層８１上と、第４の貫通孔８２中に設けることにより、複数の層に配線５０を設けることが可能となる。
複数の配線５０の下部には、酸化物セラミックスからなる層がそれぞれ積層されることにより、樹脂基板３０への熱伝導をより抑制することができる。上層の配線５０は、樹脂基板３０からの距離が大きくなり、その間には酸化物セラミックスからなる層が複数積層されているため、高温で加熱することができ、比抵抗の低い配線５０を得ることができる。
【０１５２】
第４の絶縁層８１は、配線５０を焼結する時の熱により劣化しても良いのであれば、酸化物セラミックスでなくともよく、絶縁性を有する材料であればよい。
【０１５３】
また、図１２に示されている配線基板では、最上層の配線は露出しているが、最上層の配線を被覆する絶縁層が有っても良い。
【０１５４】
本実施の形態である半導体パッケージによれば、配線５０を多層化できることにより、配線の引き回しが容易となり、接続電極を多く有する半導体装置を実装することが可能となる。よって、高密度実装が可能となる。
【０１５５】
次に、本発明の第７の実施の形態の配線基板を用いた半導体パッケージについて説明する。
【０１５６】
本実施の形態の半導体パッケージは、本実施の形態の配線基板上に半導体装置を搭載させたものであり、半導体装置の搭載面や半導体装置の数、半導体装置の接続方法等については第１の実施の形態の半導体パッケージと同じである。
【０１５７】
（第８の実施の形態）
【０１５８】
次に、本発明の第８の実施の形態である配線基板について説明する。
【０１５９】
図１３（ａ）および図１３（ｂ）は、本実施の形態の配線基板６０の構成を示す図である。
【０１６０】
本実施の形態では、最上層の配線５０を覆う第５の絶縁層８３に第５の貫通孔８４を設け、配線５０の一部を露出させる。露出された配線上にNi/Auめっき等による表面処理を行い、これを外部接続電極９２としても良い。また、図１３（ｂ）に示すように、外部接続電極９２上にハンダなどの導体９３を搭載することで、一般的な、実装部品と同様に取り扱うことが可能となる。
【０１６１】
次に、本発明の第８の実施の形態の配線基板を用いた半導体パッケージについて説明する。
【０１６２】
本実施の形態の半導体パッケージは、本実施の形態の配線基板上に半導体装置を搭載させたものであり、半導体装置の搭載面や半導体装置の数、半導体装置の接続方法等については第１の実施の形態の半導体パッケージと同じである。
【０１６３】
例えば、外部接続電極９２にはんだ等の導体を設けることにより、半導体装置を搭載させることが可能である。
【０１６４】
半導体装置の接続方法等については第１の実施の形態の半導体パッケージと同じである。
【０１６５】
（第９の実施の形態）
【０１６６】
次に、本発明の第９の実施の形態である配線基板について説明する。
【０１６７】
図１４（ａ）は、本実施の形態の配線基板６０の構成を示す図であり、配線基板６０の電極２０近傍の拡大断面を模式的に表した図である。
【０１６８】
第１の実施の形態との違いは、第１の絶縁層を構成する結晶粒子９８の径が均一でなく、層の厚さ方向に変化する点である。樹脂基板３０に近い層の結晶粒子９８の径は数十ナノメートル程度の緻密な構造を形成し、次第に結晶粒子９８の径は大きくなり、配線と接する層の結晶粒子９８の径は数百ナノメートルら数マイクロメートル程度の粗い構造としている点である。その他の構造は第１の実施の形態と同一である。
【０１６９】
本実施の形態における特有の効果について、図１４（ｂ）および図１４（ｃ）を用いて説明する。図１４（ｂ）および（ｃ）は、配線５０と第１の絶縁層４０が接する部分を模式的に表し、拡大した図である。まず、第１の絶縁層４０の樹脂基板３０と接する層は、樹脂基板３０との密着性を高めるために、数十ナノメートル程度の比較的小さい結晶粒径を有した方が良い。一方、第１の絶縁層４０の配線５０と接する層は、数百ナノメートルから数ミクロンメートル程度の比較的大きな結晶粒径を有した方がよい。
【０１７０】
なぜなら、図１４（ｂ）に示すように、配線５０は粒子状の導電体が接合したものであるので、その配線５０と接する第１の絶縁層４０の粒径が大きい方が、配線５０が第１の絶縁層４０の凸凹に入り込み易くなる。その結果、配線５０と第１の絶縁層４０の密着強度が高まる効果が得られる。
【０１７１】
一方、図１４（ｃ）に示すように、配線５０と接する第１の絶縁層４０の結晶粒径が小さいと、配線５０は、第１の絶縁層４０の凸凹に入り込みにくくなる。この場合、配線５０と第１の絶縁層４０の間には、一つの点で接しているのみであり、両者の間には比較的大きな隙間が生じるため、配線５０と第１の絶縁層４０の密着強度が弱くなる。
本実施の形態のように、配線５０と第１の絶縁層４０の密着強度が強くなることにより、焼結後、配線５０が第１の絶縁層から剥がれ落ちることを防止することが可能となる。
次に、本発明の第９の実施の形態の配線基板を用いた半導体パッケージについて説明する。
【０１７２】
本実施の形態の半導体パッケージは、本実施の形態の配線基板上に半導体装置を搭載させたものであり、半導体装置の搭載面や半導体装置の数、半導体装置の接続方法等については第１の実施の形態の半導体パッケージと同じである。
【０１７３】
次に、本発明の第９の実施の形態である配線基板の製造方法について説明する。
【０１７４】
樹脂基板３０の表面上に、エアロゾルデポジション法を用いて第１の絶縁層４０を形成する際、衝突させる粒子の速度を、積層初期は速く、段階的に遅くすることにより、積層初期の結晶粒径は数十ナノメートル程度の緻密な構造を形成し、次第に結晶粒径は大きくなり、積層後期の結晶粒径は数百ナノメートルから数マイクロメートル程度の粗い構造とする。以降は、第１の実施の形態と同様に、配線を積層していく。
【０１７５】
本発明の配線基板、半導体パッケージおよび配線基板の製造方法は、上記実施の形態に基づいて説明されているが、上記実施の形態に限定されることなく、本発明の範囲内において、かつ本発明の基本的技術思想に基づいて、上記実施の形態に対し種々の変形、変更及び改良を含むことができることはいうまでもない。また、本発明の請求の範囲の枠内において、種々の開示要素の多様な組み合わせ・置換ないし選択が可能である。
【図面の簡単な説明】
【０１７６】
【図１】本発明の第１の実施の形態である配線基板の平面図および断面図
【図２】本発明の第１の実施の形態である配線基板の拡大図
【図３】本発明の第１の実施の形態の配線基板を用いた半導体パッケージの断面図
【図４】本発明の第１の実施の形態である配線基板の製造方法の部分断面図
【図５】本発明の第２の実施の形態である配線基板の断面図および拡大図
【図６】本発明の第２の実施の形態である配線基板の製造方法の部分断面図
【図７】本発明の第４の実施の形態である配線基板の断面図および拡大図
【図８】本発明の第３の実施の形態である配線基板の製造方法の部分断面図
【図９】本発明の第５の実施の形態である配線基板の断面図および拡大図
【図１０】本発明の第４の実施の形態である配線基板の製造方法の部分断面図
【図１１】本発明の第６の実施の形態である配線基板の断面図
【図１２】本発明の第７の実施の形態である配線基板の断面図
【図１３】本発明の第８の実施の形態である配線基板の断面図
【図１４】本発明の第９の実施の形態である配線基板の断面図および部分拡大図
【符号の説明】
【０１７７】
１０ 樹脂絶縁層
１１ ソルダーレジスト層
２０ 電極
２１ 内層配線
３０ 樹脂基板
４０ 第１の絶縁層
４１ 第１の貫通孔
５０ 配線
５２ 導電性ペースト
６０ 配線基板
７０ 第２の絶縁層
７１ 第２の貫通孔
７２ 金属膜
７３ 接着剤
８０ 第３の絶縁層
８１ 第４の絶縁層
８２ 第４の貫通孔
８３ 第５の絶縁層
８４ 第５の貫通孔
９０ 半導体パッケージ
９１ 半導体装置
９２ 外部接続電極
９３ 導体
９５ ベース材
９６ セラミックスペースト
９７ セラミックスシート
９８ 結晶粒子
９９ レジスト材
【特許請求の範囲】
【請求項１】
樹脂絶縁層と、
前記樹脂絶縁層の表面に設けられている電極と、からなる樹脂基板と、
前記樹脂基板上に設けられた第１の絶縁層と、
前記電極上の前記第１の絶縁層に設けられた第１の貫通孔と、
前記第１の絶縁層上および前記第１の貫通孔内に設けられた配線と、を有し、
前記配線は前記電極と接し、
前記配線は隣接した導電粒子が互いに接合した導電体からなり、
前記第１の絶縁層は酸化物セラミックスからなる
こと特徴とする配線基板。
【請求項２】
前記配線は導電粒子と有機化合物を含有した導電性ペーストを焼結させた焼結体である
ことを特徴とする請求項１に記載の配線基板。
【請求項３】
前記第１の絶縁層はアルミナ、シリカ、スピネル、ムライト、コーディエライト、ジルコニア、ジルコンからなる群から選択された少なくとも１種の酸化物セラミックスからなることを特徴とする請求項１または２のいずれかに記載の配線基板。
【請求項４】
前記樹脂絶縁層には、前記樹脂基板表面に設けられソルダーレジストとしての機能を有するソルダーレジスト層を含むことを特徴とする請求項１から３のいずれかに記載の配線基板。
【請求項５】
前記第１の絶縁層と前記樹脂基板の間に設けられた第２の絶縁層と、
前記電極上の前記第２の絶縁層に設けられた第２の貫通孔と、を有する
ことを特徴とする請求項１から４のいずれかに記載の配線基板。
【請求項６】
前記第１の絶縁層は透光性を有する酸化物セラミックスからなり、
前記樹脂基板と前記配線の間に金属膜を有し、
前記金属膜は前記第１の絶縁層または前記樹脂絶縁層に被覆されている
ことを特徴とする請求項１から４のいずれかに記載の配線基板。
【請求項７】
前記配線及び前記第１の絶縁層を被覆する第３の絶縁層を有する
ことを特徴とする請求項１から６のいずれかに記載の配線基板。
【請求項８】
前記第３の絶縁層が酸化物セラミックスからなり、
前記第３の絶縁層に第３の貫通孔が設けられ、
前記第３の絶縁層上および前記第３の貫通孔内に配線が設けられ、
前記配線と酸化物セラミックスからなる層が複数積層されている
ことを特徴とする請求項７に記載の配線基板。
【請求項９】
前記第３の絶縁層に第３の貫通孔が設けられ、
前記前記第３の貫通孔の内部に外部接続電極が設けられ、
前記外部接続電極と前記配線が接していることを特徴とする請求項７に記載の配線基板。
【請求項１０】
前記外部接続電極上に導体が設けられている
ことを特徴とする請求項９に記載の配線基板。
【請求項１１】
前記第１の絶縁層は粒子状の多結晶構造を有する酸化物セラミックスからなり、
前記多結晶構造を構成する結晶の粒径は前記第１の絶縁層の厚さ方向に変化し、
前記第１の絶縁層上に設けられた前記配線に接する結晶の粒径は、前記樹脂基板に接する結晶の粒径よりも大きいことを特徴とする請求項１から１０のいずれかに記載の配線基板。
【請求項１２】
請求項１から１１のいずれかに記載の配線基板に
少なくとも１つ以上の半導体装置が搭載されていることを特徴とする半導体パッケージ。
【請求項１３】
前記配線が導体を介して前記半導体装置と導通している
ことを特徴とする請求項１２に記載の半導体パッケージ。
【請求項１４】
配線基板の製造方法であって、
樹脂基板上に酸化物セラミックスからなる第１の絶縁層を形成する工程と、
前記第１の絶縁層に第１の貫通孔を形成する工程と、
前記第１の絶縁層上と前記第１の貫通孔内に、導電性ペーストを配置する工程と、
前記導電性ペーストを加熱する工程と、
を含むことを特徴とする配線基板の製造方法。
【請求項１５】
請求項１４に記載の配線基板の製造方法であって、
樹脂基板上に酸化物セラミックスからなる第１の絶縁層を形成する前記工程と、
前記第１の絶縁層に第１の貫通孔を形成する前記工程とは、
前記第１の貫通孔が設けられているセラミックシートを前記樹脂基板に接着する工程であることを特徴とする配線基板の製造方法。
【請求項１６】
請求項１４に記載の配線基板の製造方法であって、
樹脂基板上に酸化物セラミックスからなる第１の絶縁層を形成する前記工程と、
前記第１の絶縁層に第１の貫通孔を形成する前記工程とは、
樹脂基板上に酸化物セラミックスからなるペーストの一部を転写する工程である
ことを特徴とする配線基板の製造方法。
【請求項１７】
請求項１４に記載の配線基板の製造方法であって、
酸化物セラミックスからなる第１の絶縁層を形成する前記工程の前に、
前記樹脂基板上に金属膜を形成する工程と、
前記金属膜の一部を除去する工程と、
を含むことを特徴とする配線基板の製造方法。
【請求項１８】
請求項１４または１７に記載の配線基板の製造方法であって、
前記第１の絶縁層を形成する前記工程はエアロゾルデポジション法である
ことを特徴とする配線基板の製造方法。
【請求項１９】
請求項１８に記載の配線基板の製造方法であって、
前記配線基板に噴射する前記第１の絶縁層の原料微粒子の噴射速度を、
段階的に遅くすることを特徴とする配線基板の製造方法。
【請求項１】
樹脂絶縁層と、
前記樹脂絶縁層の表面に設けられている電極と、からなる樹脂基板と、
前記樹脂基板上に設けられた第１の絶縁層と、
前記電極上の前記第１の絶縁層に設けられた第１の貫通孔と、
前記第１の絶縁層上および前記第１の貫通孔内に設けられた配線と、を有し、
前記配線は前記電極と接し、
前記配線は隣接した導電粒子が互いに接合した導電体からなり、
前記第１の絶縁層は酸化物セラミックスからなる
こと特徴とする配線基板。
【請求項２】
前記配線は導電粒子と有機化合物を含有した導電性ペーストを焼結させた焼結体である
ことを特徴とする請求項１に記載の配線基板。
【請求項３】
前記第１の絶縁層はアルミナ、シリカ、スピネル、ムライト、コーディエライト、ジルコニア、ジルコンからなる群から選択された少なくとも１種の酸化物セラミックスからなることを特徴とする請求項１または２のいずれかに記載の配線基板。
【請求項４】
前記樹脂絶縁層には、前記樹脂基板表面に設けられソルダーレジストとしての機能を有するソルダーレジスト層を含むことを特徴とする請求項１から３のいずれかに記載の配線基板。
【請求項５】
前記第１の絶縁層と前記樹脂基板の間に設けられた第２の絶縁層と、
前記電極上の前記第２の絶縁層に設けられた第２の貫通孔と、を有する
ことを特徴とする請求項１から４のいずれかに記載の配線基板。
【請求項６】
前記第１の絶縁層は透光性を有する酸化物セラミックスからなり、
前記樹脂基板と前記配線の間に金属膜を有し、
前記金属膜は前記第１の絶縁層または前記樹脂絶縁層に被覆されている
ことを特徴とする請求項１から４のいずれかに記載の配線基板。
【請求項７】
前記配線及び前記第１の絶縁層を被覆する第３の絶縁層を有する
ことを特徴とする請求項１から６のいずれかに記載の配線基板。
【請求項８】
前記第３の絶縁層が酸化物セラミックスからなり、
前記第３の絶縁層に第３の貫通孔が設けられ、
前記第３の絶縁層上および前記第３の貫通孔内に配線が設けられ、
前記配線と酸化物セラミックスからなる層が複数積層されている
ことを特徴とする請求項７に記載の配線基板。
【請求項９】
前記第３の絶縁層に第３の貫通孔が設けられ、
前記前記第３の貫通孔の内部に外部接続電極が設けられ、
前記外部接続電極と前記配線が接していることを特徴とする請求項７に記載の配線基板。
【請求項１０】
前記外部接続電極上に導体が設けられている
ことを特徴とする請求項９に記載の配線基板。
【請求項１１】
前記第１の絶縁層は粒子状の多結晶構造を有する酸化物セラミックスからなり、
前記多結晶構造を構成する結晶の粒径は前記第１の絶縁層の厚さ方向に変化し、
前記第１の絶縁層上に設けられた前記配線に接する結晶の粒径は、前記樹脂基板に接する結晶の粒径よりも大きいことを特徴とする請求項１から１０のいずれかに記載の配線基板。
【請求項１２】
請求項１から１１のいずれかに記載の配線基板に
少なくとも１つ以上の半導体装置が搭載されていることを特徴とする半導体パッケージ。
【請求項１３】
前記配線が導体を介して前記半導体装置と導通している
ことを特徴とする請求項１２に記載の半導体パッケージ。
【請求項１４】
配線基板の製造方法であって、
樹脂基板上に酸化物セラミックスからなる第１の絶縁層を形成する工程と、
前記第１の絶縁層に第１の貫通孔を形成する工程と、
前記第１の絶縁層上と前記第１の貫通孔内に、導電性ペーストを配置する工程と、
前記導電性ペーストを加熱する工程と、
を含むことを特徴とする配線基板の製造方法。
【請求項１５】
請求項１４に記載の配線基板の製造方法であって、
樹脂基板上に酸化物セラミックスからなる第１の絶縁層を形成する前記工程と、
前記第１の絶縁層に第１の貫通孔を形成する前記工程とは、
前記第１の貫通孔が設けられているセラミックシートを前記樹脂基板に接着する工程であることを特徴とする配線基板の製造方法。
【請求項１６】
請求項１４に記載の配線基板の製造方法であって、
樹脂基板上に酸化物セラミックスからなる第１の絶縁層を形成する前記工程と、
前記第１の絶縁層に第１の貫通孔を形成する前記工程とは、
樹脂基板上に酸化物セラミックスからなるペーストの一部を転写する工程である
ことを特徴とする配線基板の製造方法。
【請求項１７】
請求項１４に記載の配線基板の製造方法であって、
酸化物セラミックスからなる第１の絶縁層を形成する前記工程の前に、
前記樹脂基板上に金属膜を形成する工程と、
前記金属膜の一部を除去する工程と、
を含むことを特徴とする配線基板の製造方法。
【請求項１８】
請求項１４または１７に記載の配線基板の製造方法であって、
前記第１の絶縁層を形成する前記工程はエアロゾルデポジション法である
ことを特徴とする配線基板の製造方法。
【請求項１９】
請求項１８に記載の配線基板の製造方法であって、
前記配線基板に噴射する前記第１の絶縁層の原料微粒子の噴射速度を、
段階的に遅くすることを特徴とする配線基板の製造方法。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【公開番号】特開２０１１−１４６４０８（Ｐ２０１１−１４６４０８Ａ）
【公開日】平成２３年７月２８日（２０１１．７．２８）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００８−８５４０３（Ｐ２００８−８５４０３）
【出願日】平成２０年３月２８日（２００８．３．２８）
【出願人】（０００００４２３７）日本電気株式会社 (19,353)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２３年７月２８日（２０１１．７．２８）
【国際特許分類】
【出願日】平成２０年３月２８日（２００８．３．２８）
【出願人】（０００００４２３７）日本電気株式会社 (19,353)
【Ｆターム（参考）】
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