【課題】基板を研磨するためのケミカルメカニカルポリッシング組成物濃縮物の複数の希釈液を用いる、窒化ケイ素上に堆積したポリシリコンのオーバーバーデンを有する基板のケミカルメカニカルポリッシングのための方法
【解決手段】基板を研磨するために使用される濃縮物の第１の希釈液は、第１のポリシリコン除去速度及び第１のポリシリコン対窒化ケイ素除去速度選択比を示すように調整され；基板を研磨するために使用される濃縮物の第２の希釈液は、第２のポリシリコン除去速度及び第２のポリシリコン対窒化ケイ素除去速度選択比を示すように調整される方法が提供される。 （もっと読む）

【課題】シリンダブロックのボアを高い真円度で加工する。
【解決手段】ウォータージャケット溝４の内周に規制部材３０を挿入することにより、ボア周壁５が規制部材３０により外径側から支持されるため、ボア内周面３ａを加工する際の外径向きの加圧力Ｐによるボア周壁５の外径方向への変形が規制され、ボア３の真円度の低下を防止することができる。 （もっと読む）

【課題】定盤の研磨面を高精度に平坦にすることが可能な修正キャリア及び研磨装置を提供する。
【解決手段】両面研磨装置２２の定盤２５，２７の研磨面２５ａ，２７ａを平坦に研磨するために用いられる、厚さ方向の貫通孔１０ａ，１０ｂ，１０ｃ，１０ｄを備えている修正キャリア１であって、前記貫通孔１０ａ，１０ｂ，１０ｃ，１０ｄは主面の中心を避けた位置にあることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】上研磨布の研磨作用面と下研磨布の研磨作用面との平行度を高めて、両面研磨後のウェーハの高平坦度化が可能な両面研磨装置の研磨布ドレッシング方法を提供する。
【解決手段】ドレッシング時、例えば第１のドレスプレートのリング形状の第１のドレス工具により、上研磨布の研磨作用面のうち、その中央部より隆起した外周部を主にドレッシングする。これと同時に、例えば、第２のドレスプレートの矩形状の第２のドレス工具によって、下研磨布の研磨作用面のうち、その外周部より隆起した中央部を主にドレッシングする。これにより、従来法の等量ドレッシングを施した場合に比べて、上研磨布の研磨作用面と下研磨布の研磨作用面との平行度が高まり、両面研磨後のウェーハの平坦度を高めることができる。 （もっと読む）

【課題】プーリシーブ面の表面粗さのプロフィールが、摩擦係数と耐摩耗性を確保するプロフィールとなるように安定的に加工すること。
【解決手段】プーリシーブ面加工方法は、プライマリプーリ１のシーブ面１１，１２とセカンダリプーリ２のシーブ面２１，２２に金属チェーン３を掛け渡して変速する無段変速機CVTに用いられるプーリ１，２において、第一工程８１と第二工程８２と第三工程８３とを備えた。第一工程８１は、プーリ１，２のシーブ面１１，１２，２１，２２に表面硬さを施すマイクロショット加工処理工程７の後、プーリ１，２のシーブ表面粗さのバラツキを平準化する。第二工程８２は、シーブ表面に形成された溝の深さ度合いを評価する溝深さRzを、所定の目標値となるように施工する。第三工程８３は、シーブ表面に形成された凹凸による平坦度合いを評価する平坦面積率Rmrを、所定の目標値となるように施工する。 （もっと読む）

【課題】切断性を損なうことなく、より安価に、固定砥粒方式で生じるスラッジへの不純物混入量の極めて少ないスライス台、および、このスライス台を用いた半導体ウェーハの製造方法を提供する。
【解決手段】本発明のスライス台は、半導体ブロック２を切断する際に前記半導体ブロック２を固定するスライス台１であって、少なくとも前記半導体ブロック２を固定する側に、前記半導体ブロック２と同種の半導体材料からなる半導体インゴットの廃棄部分を切り出した部材を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】炭化ケイ素などの硬度の高い難削材に対しても極めて高い研摩速度を実現できる研摩材を提供する。
【解決手段】本発明は、二酸化マンガンを砥粒とする研摩材において、二酸化マンガンは、λ型結晶構造を有するλ型二酸化マンガンとγ型結晶構造を有するγ型二酸化マンガンとを含み、λ型二酸化マンガンとγ型二酸化マンガンとのそれぞれのＸ線回折によるメインピークの強度比（γ／λ）が０．１〜２０の範囲内であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ローラを介してキャリア定盤を回転させる研磨システムにおいて、ローラとキャ
リア定盤の周面との接触状態を均一化して効率的に回転を伝達する。
【解決手段】キャリア定盤40は、ローラ110を回転駆動するローラ駆動モータ115とローラ
を径方向に移動させるローラ移動構造150とを備えてキャリア定盤40の周囲に配設された
複数のローラ駆動ユニット100により回転される。研磨システムは、キャリア定盤40が回
転した時に各ローラ駆動ユニット100の配設領域を通る定盤外周面45の位置を検出する径
方向位置検出部160を備え、制御装置が、径方向位置検出部160により検出される外周面45
の位置に応じて、各ローラ駆動ユニットのローラ110の移動位置及び回転速度を制御する
ように構成される。 （もっと読む）

【課題】低い押圧力での研磨加工時にも優れたクッション性を発揮すると共に、被研磨物や研磨材を平坦に保持することができる研磨用クッション材を提供する。
【解決手段】発泡シート11の一方の面に粘着剤層12aが積層一体化されてなる研磨用クッション材であって、
上記発泡シート11は、厚みが０．３〜３．０ｍｍであり、密度が４００〜６００ｋｇ／ｍ³であり、引張強さが１．０〜３．０ＭＰａであり、伸びが１３０〜１６０％であり、ショアＡ硬度が２５〜４０であり、又は２５％圧縮応力が０．３０〜０．６０ＭＰａである条件のうち少なくとも一つを満たすことを特徴とする研磨用クッション材。 （もっと読む）

【課題】極めて平坦度が高く、かつ、微小欠陥（凹状欠陥、凸状欠陥）を低減したマスクブランク用ガラス基板の製造方法を提供する。
【解決手段】研磨パッド２１，１１が貼り付けられ上下に対向して設けられた上定盤２０と下定盤１０との間に、複数のガラス基板を挟持し、ガラス基板に上定盤側２０より研磨液を供給しながら、ガラス基板の両主表面を両面研磨する。ガラス基板の形状は四角形で、そのコーナー部においてノッチマークを少なとも１以上有する。ガラス基板の上記両面研磨は、ノッチマークが形成されていない一方の主表面を上定盤２０側にセットして行う。 （もっと読む）

【課題】ワイヤ往復走行時やワイヤ往復切替に伴うワイヤ加減速時に発生するウエハのスクラッチを抑制または防止する。
【解決手段】ワイヤ減速開始時にワーク送り機構１８がワーク送り方向を反転させて、停止時にはワーク送り機構１８がワーク切断位置（切断底面）からワイヤ４を離間させる。好ましくは砥粒サイズ以上の距離を離す。その後、往復走行するためにワイヤ４を逆向きに加速させると共に、このワイヤ加速開始時に再び、ワーク送り方向を切断方向に反転させて、ワイヤ最大速度到達のタイミングで加工を再開する。 （もっと読む）

【課題】１３族及び１５族からなる化合物半導体基板を、表面平坦性が高く、表面粗さが小さく、表面の微小スクラッチや微小ピット、加工変質層が生じないような高品質な研磨表面を得つつ、かつ速い研磨速度を達成することができる研磨方法を提案する。
【解決手段】周期表における１３族及び１５族から構成される化合物半導体基板の表面を研磨する方法であって、酸化マグネシウムを主成分とする砥粒を酸化剤及び無機酸に含有させた研磨材スラリーを用いて、前記化合物半導体基板の表面をメカノケミカル研磨することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】平行度に優れた磁気記録媒体用ガラス基板を得ることが可能な磁気記録媒体用ガラス基板の製造方法及び平行度に優れた磁気記録媒体用ガラス基板を提供する。
【解決手段】一対の主平面１１と、外周端面１２と、内周端面１３と、を有する磁気記録媒体用ガラス基板１０の製造方法であって、外周端面は外周側面部１２０と外周面取り部１２１とを有し、両面研磨装置を用いてキャリアに保持された磁気記録媒体用ガラス基板の主平面を研磨する主平面研磨工程を有し、主平面研磨工程で研磨される前の磁気記録媒体用ガラス基板は、外周端面において、磁気記録媒体用ガラス基板の中心角で１５度間隔に設けた計２４の外周端面測定箇所で表面粗さＲａを測定したとき、外周側面部の表面粗さＲａの最大値は０．５μｍ以下、標準偏差は０．２μｍ以下である。 （もっと読む）

【課題】基板の研削工程において、ダイヤモンド粒子を含む固定砥粒を定盤に配置した両面研削装置を使用する場合に適した、基板の製造方法を提供する。
【解決手段】固定砥粒１１が研削面に配備された上定盤と下定盤１０を備える研削装置を用いてガラス基板の２つの主表面を両面研削する研削工程を有する基板の製造方法であって、修正部材５３、５５を備える修正キャリア５１を前記定盤上で自転させながら公転させ、修正キャリア５１の修正部材５３、５５と定盤の研削面とを互いに押圧させて摺動させて定盤の面修正を行う修正工程を有し、修正キャリア５１は、上定盤および下定盤１０にそれぞれ対向する２つの対向面を有する本体部と、２つの対向面にそれぞれ配置された修正部材５３、５５とからなり、修正部材５３、５５は、対向面の外周側に沿って配置され、かつ修正キャリアの自転軸と外周側の特定点とを結ぶ直線上の対向面にも配置されている。 （もっと読む）

【課題】欠陥を発生させることなく、下層のＣＭＰストッパー膜を実質的に研磨せずに、実用的な速度でシリコン酸化膜を研磨できるＣＭＰ用スラリーを提供することである。
【解決手段】実施形態のＣＭＰ用スラリーは、総量の０．５質量％以上３質量％以下で配合されたコロイダルシリカと、総量の０．１質量％以上１質量％以下で配合された重量平均分子量５００以上１０，０００以下のポリカルボン酸とを含有し、ｐＨが２．５以上４．５以下である。コロイダルシリカ全体の５０質量％以上９０質量％以下の粒子は、３ｎｍ以上１０ｎｍ以下の一次粒子径を有する。 （もっと読む）

【課題】従来の極細繊維からなる研磨布ではなし得なかった、表面粗さが低く、動摩擦係数が小さい高性能の研磨布を提供する。
【解決手段】平均単繊維直径０．０５〜５．０μｍの極細繊維を含む繊維構造体であって、その繊維構造体の表面粗さが１〜２０μｍであり、動摩擦係数が０．１〜１．０であることを特徴とする研磨布であり、その繊維構造体の少なくとも一部に、１０〜３０００ｐｐｍの珪素化合物が存在し、その繊維構造体の少なくとも片側の表面に、極細繊維からなる立毛を有するものである。 （もっと読む）

【課題】平坦化、除去率および欠陥率の全てにおいて改善された研磨パッドの製造方法を提供する。
【解決手段】磁性基材、半導体基材および光学基材の少なくとも一つを研磨するのに使用可能な積層開口網状研磨パッドを形成する方法であって、硬化性ポリマーの第１および第２ポリマーシートまたは膜をエネルギー源に曝露して、第１および第２ポリマーシートにエネルギー源に曝露された細長部位を有する曝露パターンを形成し、曝露した第１および第２ポリマーシートからポリマーを除去して、第１および第２ポリマーシートの全体にわたって、曝露パターンに対応したチャネルパターン状に、第１および第２ポリマーの厚さ全体にわたって延在する細長チャネルを形成し、第１および第２ポリマーシートを接合して積層開口網状研磨パッドを形成する。 （もっと読む）

【課題】ワイヤの往復走行でワイヤがワークから抜け切らずに切断することによる切れ味の低下を抑制または防止して切断速度を改善する。
【解決手段】所定の間隔で配置された複数の溝付ローラ２，３間に巻き付けられた切断用のワイヤ４１，４２の一方端が供給ボビン５１，５２に巻き付けられ、その他方端が回収ボビン６１，６２に巻き付けられて、ワイヤ４１，４２を往復走行させて複数の溝付ローラ２，３間のワイヤ４１，４２の複数列でワーク７を切断するワイヤソー装置１において、供給ボビン５１と回収ボビン６１の１対と、供給ボビン５２と回収ボビン６２の１対との２対設けられ、この２対に対応した２本のワイヤ４１，４２を往復走行させている。 （もっと読む）

【課題】ＬＰＤ低減剤を用いて研磨した後の研磨対象物表面における研磨加工に起因するＬＰＤの数を低減することが可能なＬＰＤ低減剤及びそのＬＰＤ低減剤を用いたシリコンウエハの欠陥低減方法を提供する。
【解決手段】本発明のＬＰＤ低減剤は、ポリビニルピロリドン及びポリＮ−ビニルホルムアミドから選ばれる少なくとも一種類の水溶性高分子を含有し、シリコンウエハの研磨において用いられることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】低コストで高精度な、積層セラミックコンデンサを製造するためのワークの切削装置を提供する。
【解決手段】積層セラミックコンデンサを製造するためのワーク１０を切削する切削装置１００であって、ワーク１０を切削するブレード２２と、ブレード２２を回転させるモータを備えたスピンドル２０と、リング照明および同軸落射照明を切り換えてワーク１０を撮像可能に構成された撮像装置３０と、撮像装置３０により取得されたワーク１０の画像に対して画像処理を行うことによりワーク１０の切削位置を特定し、特定された切削位置においてワーク１０を切削するようにブレード２２を制御する制御部４０とを有する。 （もっと読む）