多層配線基板及びその製造方法
【課題】樹脂絶縁層にクラックが発生しにくくて信頼性に優れた多層配線基板。
【解決手段】多層配線基板は、基板本体、内層配線パターン２８、下層側樹脂絶縁層１６、上層側樹脂絶縁層３０を備える。内層配線パターン２８は基板本体の面方向に沿って延びている。下層側樹脂絶縁層１６は、内層配線パターン２８の底面４４側に接する。上層側樹脂絶縁層３０は、下層側樹脂絶縁層１６に隣接しかつ内層配線パターン２８の上面４３側に接する。内層配線パターン２８は、下層側樹脂絶縁層１６及び上層側樹脂絶縁層３０の両方に対して埋まっている。内層配線パターン２８の積層方向切断面における最大幅部位５４が、パターン上端５１とパターン下端５２との間の位置に配置されている。
【解決手段】多層配線基板は、基板本体、内層配線パターン２８、下層側樹脂絶縁層１６、上層側樹脂絶縁層３０を備える。内層配線パターン２８は基板本体の面方向に沿って延びている。下層側樹脂絶縁層１６は、内層配線パターン２８の底面４４側に接する。上層側樹脂絶縁層３０は、下層側樹脂絶縁層１６に隣接しかつ内層配線パターン２８の上面４３側に接する。内層配線パターン２８は、下層側樹脂絶縁層１６及び上層側樹脂絶縁層３０の両方に対して埋まっている。内層配線パターン２８の積層方向切断面における最大幅部位５４が、パターン上端５１とパターン下端５２との間の位置に配置されている。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、多層配線基板及びその製造方法に係り、特にはめっき層からなる微細な内層配線パターンを隣接する樹脂絶縁層間に配置した構造の多層配線基板及びその製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年、電子機器の小型化、高性能化に伴って電子部品の高密度実装化が要求されている。このような高密度実装化を達成するにあたり、ＩＣチップを搭載するための配線基板の多層化技術が重要視されている。多層化技術を用いた具体例としては、スルーホール部などを設けたコア基板の片面または両面に、樹脂絶縁層及び導体層を交互に積層形成したビルドアップ層を備える多層配線基板（いわゆるビルドアップ多層配線基板）がよく知られている。
【０００３】
従来、このような微細な内層配線パターンの形成は、主としてセミアディティブ法により行われている。セミアディティブ法では、下層の樹脂絶縁層に対するビア穴形成、樹脂絶縁層表面の全体に対する無電解銅めっき、めっきレジストの形成、電解銅めっき、不要なめっきレジスト及び無電解銅めっき層の除去を順次行うというプロセスを採用している（例えば、特許文献１参照）。この結果、下層の樹脂絶縁層の上に銅めっき層からなる内層配線パターンが形成される。
【０００４】
これとは別に、最近ではトレンチフィリング法と呼ばれる手法が提案されている（例えば、特許文献２〜４参照）。トレンチフィリング法では、下層の樹脂絶縁層に対する溝（トレンチ）の形成、無電解銅めっきによる溝埋め、溝から突出する余剰の銅めっきの除去を順次行うというプロセスを採用している。この結果、溝内に埋められた銅めっきからなる内層配線パターンが形成される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２０００−１８８４６０号公報
【特許文献２】特開平１１−８７２７６号公報
【特許文献３】特開２００７−８４８９１号公報
【特許文献４】特開２００９−１３２９８２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
ところで、セミアディティブ法により形成される内層配線パターンは、通常、積層方向切断面が長方形状になる。また、めっきレジストの配線描画の手法や条件によっては、テーパを有する逆台形状の切断面になることがある。さらに、めっきレジスト除去後のエッチング条件によっては、半楕円形状や三角形状の切断面になることもある。一方、トレンチフィリング法では、配線描画時の溝の形状に依存するが、通常はレーザで描画を行うため、テーパを有する逆台形状の切断面になる。また、レーザ照射条件によっては、テーパのない長方形状の切断面になる。
【０００７】
以上のように、上記従来技術の多層配線基板では、いずれにしても内層配線パターンの積層方向切断面においてパターン上端あるいはパターン下端が、最も幅の大きい部位となる。このため、内層配線パターンの積層方向切断面には、直角や鋭角の箇所が存在する。それゆえ、このような直角や鋭角の箇所が楔のような役割を果たし、そこを起点として樹脂絶縁層にクラックが発生しやすい。従って、多層配線基板に十分な信頼性を付与することができない。特にセミアディティブ法の場合、樹脂絶縁層が内層配線パターンの凹凸を埋める役割を果たすことから、積層方向切断面に直角や鋭角を含んでいると、樹脂絶縁層がそこで局所的に大きく曲げられる。このこともクラック発生の原因となっている。
【０００８】
従来においては、クラックが発生しやすいパターン切断面形状であっても、例えば柔軟性の高い樹脂絶縁材料を使用する等の対策を打つことにより、多層配線基板に信頼性を付与している。しかしながら、将来的には、低熱膨張性を追及するために硬くて脆い性質を持つ樹脂絶縁層に移行する可能性がある。このような場合、低熱膨張性と高信頼性との両立が困難になることが予想される。
【０００９】
本発明は上記の課題に鑑みてなされたものであり、その目的は、樹脂絶縁層にクラックが発生しにくくて信頼性に優れた多層配線基板を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
そして上記課題を解決するための手段（手段１）としては、複数の樹脂絶縁層を積層してなり基板主面及び基板裏面を有する基板本体と、前記基板本体の面方向に沿って延びる内層配線パターンと、前記内層配線パターンの底面側に接する下層側樹脂絶縁層と、前記下層側樹脂絶縁層に隣接しかつ前記内層配線パターンの上面側に接する上層側樹脂絶縁層とを備え、前記内層配線パターンが前記下層側樹脂絶縁層及び前記上層側樹脂絶縁層の両方に対して埋まっている多層配線基板において、前記内層配線パターンの積層方向切断面における最大幅部位がパターン上端とパターン下端との間の位置に配置されていることを特徴とする多層配線基板がある。
【００１１】
従って、上記手段に係る発明によると、内層配線パターンの積層方向切断面における最大幅部位が、パターン上端やパターン下端の位置ではなく、それらの間の位置に配置されている。そのため、パターン上端やパターン下端に直角や鋭角の箇所が存在しなくなり、その代わりにクラック発生の起点になりにくい鈍角の箇所が存在した状態となる。よって、樹脂絶縁層におけるクラックの発生が抑制され、多層配線基板に十分な信頼性を向上することができる。また、この発明によると、例えば低熱膨張性を追及するために硬くて脆い性質を持つ樹脂絶縁層を採用したときであっても、クラックの発生が阻止されることから、低熱膨張性と高信頼性との両立を図ることが可能となる。
【００１２】
多層配線基板において基板本体を構成する複数の樹脂絶縁層は、例えば熱硬化性を有する樹脂などを用いて形成される。熱硬化性樹脂の好適例としては、ＥＰ樹脂（エポキシ樹脂）、ＰＩ樹脂（ポリイミド樹脂）、ＢＴ樹脂（ビスマレイミド−トリアジン樹脂）、フェノール樹脂、キシレン樹脂、ポリエステル樹脂、けい素樹脂等が挙げられる。これらの中でも、ＥＰ樹脂、ＰＩ樹脂、ＢＴ樹脂を選択することが好ましい。例えば、エポキシ樹脂としては、いわゆるＢＰ（ビスフェノール）型、ＰＮ（フェノールノボラック）型、ＣＮ（クレゾールノボラック）型のものを用いることがよい。特には、ＢＰ型を主体とするものがよく、ＢＰＡ（ビスフェノールＡ）型やＢＰＦ（ビスフェノールＦ）型が最もよい。なお、複数の樹脂絶縁層は、光硬化性を有する樹脂などを用いて形成されてもよい。
【００１３】
隣接する複数の樹脂絶縁層間には、内層配線パターンが挟まれるようにして配置される。内層配線パターンの上面側にて接する上層側樹脂絶縁層及び底面側にて接する下層側樹脂絶縁層は、同種の樹脂を用いて形成されたものであってもよく、あるいは異種の樹脂を用いて形成されたものであってもよい。下層側樹脂絶縁層及び上層側樹脂絶縁層の好適例としては、例えば、熱膨張係数（ＣＴＥ）が低い（例えば５０ｐｐｍ／℃以下の）ものであってかつ熱硬化性を有する同種の樹脂を用いて形成されたものが挙げられる。また、内層配線パターンは最大幅が２０μｍ以下の微細パターン、特には最大幅が１０μｍ以下の微細パターンであることがよい。
【００１４】
内層配線パターンは、基板本体の面方向に沿って延びており、導電材料を用いて形成されている。導電材料の好適例としては例えばめっき材等がある。めっき材は特に限定されないが、銅めっき、ニッケルめっき、金めっき、銀めっき、アルミニウムめっき、すずめっき、コバルトめっき、チタンめっきなどを採用することができる。導電性、コスト性、加工性などを勘案すると、内層配線パターンは銅めっき材からなることが好ましく、特に無電解銅めっき層上に電解銅めっき層を形成してなる構造であることがより好ましい。
【００１５】
内層配線パターンを積層方向に切断した場合、その切断面における最大幅部位は、パターン上端とパターン下端との間の位置に配置されている。つまり、パターン上端やパターン下端に最大幅部位は配置されていない。なお、パターン上端の幅及びパターン下端の幅の大小関係については特に限定されない。従って、前者が後者より大きくてもよく、後者が前者より大きくてもよく、あるいは両者が等しくてもよい。
【００１６】
ここで、最大幅部位は、パターン上端とパターン下端との間であれば任意の位置に配置され、例えば、下層側樹脂絶縁層及び上層側樹脂絶縁層の境界で形成される仮想平面と同一の平面内に配置される。なお、最大幅部位は、上記仮想平面と、パターン上端との間の位置に配置されてもよい。
【００１７】
例えば、最大幅部位の大きさ（幅）は、パターン上端及びパターン下端のうち幅が相対的に大きいものの１．１倍以上１．５倍以下とすることが好適である。その理由は、１．１倍未満であると、パターン上端に直角や鋭角の箇所が生じやすくなるからである。逆に、１．５倍超であると、最大幅部位に直角や鋭角の箇所が生じる可能性があるからである。
【００１８】
内層配線パターンの積層方向切断面は、鋭角及び直角を有しない形状を有していることが好ましく、言い換えると切断面における全ての角が鈍角であることが好ましい。この構成であると、切断面における全ての角がクラック発生の起点になりにくいものとなり、樹脂絶縁層におけるクラックの発生を効果的に抑制することができるからである。また、鋭角、直角及び鈍角を問わず、切断面における角の部分は丸みを帯びていることが好ましい。この場合にも、角がクラック発生の起点になりにくいものとなる。なお、最も好ましいのは、切断面における角の部分が、丸みを帯びた鈍角となっていることである。
【００１９】
内層配線パターンの積層方向切断面において、最大幅部位の幅とパターン上端の幅との比は限定されないが、例えば１０：１〜１０：９の範囲内に設定されることがよい。また、内層配線パターンの積層方向切断面において、最大幅部位の幅とパターン下端の幅との比も同様に限定されないが、例えば１０：５〜１０：９の範囲内に設定されることがよい。幅の比がこれらの好適範囲内であると、切断面における角がクラック発生の起点になりにくいものとなる。
【００２０】
内層配線パターンは、下層側樹脂絶縁層及び上層側樹脂絶縁層の両方に対して埋まっていることがよい。この構成の場合、内層配線パターンが微細なものであっても横倒れや剥がれが起こりにくくなり、樹脂絶縁層との間に十分な密着性を付与することができる。内層配線パターンにおいて、上層側樹脂絶縁層に埋まっている部分を上面側導体部分とし、下層側樹脂絶縁層に埋まっている部分を底面側導体部分とする。この場合、上面側導体部分の高さと底面側導体部分の高さとの比は限定されないが、例えば１：９〜８：２の範囲内に設定される。高さの比がこのような好適範囲内であれば、内層配線パターンとその上下両側の樹脂絶縁層に対する密着状態を確実に維持することができる。なお、底面側導体部分の高さは、具体的には５μｍ以上であることがよい。
【００２１】
そして上記課題を解決するための別の手段（手段２）としては、手段１に記載の多層配線基板の製造方法であって、前記下層側樹脂絶縁層に内層配線パターン形成用の溝を形成する溝形成工程と、前記溝内に充填されるとともに、前記溝よりも上方に隆起してなる導電部を形成する導電部形成工程と、前記導電部の余剰部分を除去して形状を調整し、前記内層配線パターンを形成する形状調整工程と、前記下層側樹脂絶縁層上に前記上層側樹脂絶縁層を形成し、前記下層側樹脂絶縁層と前記上層側樹脂絶縁層との間に前記内層配線パターンを埋め込む埋設工程とを含むことを特徴とする多層配線基板の製造方法がある。
【００２２】
従って、上記手段に係る発明によると、溝形成工程にて下層側樹脂絶縁層に内層配線パターン形成用の溝を形成した後、導電部形成工程にて溝内に導電部が充填形成される。続く形状調整工程にて導電部の余剰部分、即ちパターン上端における直角や鋭角の箇所を除去して形状を調整することにより、好適な切断面形状の内層配線パターンが形成される。このような内層配線パターンを下層側樹脂絶縁層と上層側樹脂絶縁層との間に埋め込んだ多層配線基板では、樹脂絶縁層にクラックが発生しにくくて信頼性に優れたものとなる。
【図面の簡単な説明】
【００２３】
【図１】本発明を具体化した実施形態のビルドアップ多層配線基板を示す概略断面図。
【図２】同じく多層配線基板における内層配線パターンを示す拡大断面図。
【図３】同じく多層配線基板の製造手順を説明するための概略断面図。
【図４】同じく多層配線基板の製造手順を説明するための要部概略断面図。
【図５】同じく多層配線基板の製造手順を説明するための要部概略断面図。
【図６】同じく多層配線基板の製造手順を説明するための要部概略断面図。
【図７】同じく多層配線基板の製造手順を説明するための要部概略断面図。
【図８】同じく多層配線基板の製造手順を説明するための要部概略断面図。
【図９】同じく多層配線基板の製造手順を説明するための要部概略断面図。
【図１０】同じく多層配線基板の製造手順を説明するための要部概略断面図。
【図１１】同じく多層配線基板の製造手順を説明するための要部概略断面図。
【図１２】同じく多層配線基板の製造手順を説明するための要部概略断面図。
【図１３】同じく多層配線基板の製造手順を説明するための要部概略断面図。
【図１４】同じく多層配線基板の製造手順を説明するための要部概略断面図。
【図１５】別の実施形態の内層配線パターンを示す拡大断面図。
【図１６】別の実施形態の内層配線パターンを示す拡大断面図。
【図１７】別の実施形態の内層配線パターンを示す拡大断面図。
【図１８】別の実施形態の内層配線パターンを示す拡大断面図。
【発明を実施するための形態】
【００２４】
以下、本発明を具体化した一実施形態の多層配線基板Ｋ１を図１〜図１４に基づき詳細に説明する。
【００２５】
図１に示されるように、本実施形態の多層配線基板Ｋ１は、表裏両面にビルドアップ層ＢＵ１，ＢＵ２を有する、いわゆるビルドアップ多層配線基板である。この多層配線基板Ｋ１は、基板主面３２ａ及び基板裏面３３ａを有する基板本体２０を備えている。基板本体２０の一部をなすコア基板１は、表面２及び裏面３を有する平板状を呈している。コア基板１の表面２側には樹脂絶縁層１２が形成され、裏面３側には樹脂絶縁層１３が形成されている。
【００２６】
コア基板１の表面２側に配置されたビルドアップ層ＢＵ１は、樹脂絶縁層１６，３０と、導体層（内層配線パターン１０，２８，外層配線パターン３４）とを交互に積層した構造を有している。樹脂絶縁層１２にはビアホール形成用孔１２ａが形成され、その内部には内層配線パターン１０とコア基板側導体層４とを導通させるフィルドビア導体１４が形成されている。樹脂絶縁層１６にはビアホール形成用孔１８が形成され、その内部には内層配線パターン１０，２８間を導通させるフィルドビア導体２６が形成されている。
【００２７】
コア基板１の裏面３側に配置されたビルドアップ層ＢＵ２は、樹脂絶縁層１７，３１と、導体層（内層配線パターン１１，２９，外層配線パターン３５）とを交互に積層した構造を有している。樹脂絶縁層１３にはビアホール形成用孔１３ａが形成され、その内部には内層配線パターン１１とコア基板側導体層５とを導通させるフィルドビア導体１５が形成されている。樹脂絶縁層１７にはビアホール形成用孔１９が形成され、その内部には内層配線パターン１１，２９間を導通させるフィルドビア導体２７が形成されている。
【００２８】
ソルダーレジスト３２は、樹脂絶縁層３０上に形成された外層配線パターン３４を全体的に被覆している。ソルダーレジスト３２は、所定箇所に開口部３６を有しており、これらの開口部３６は外層配線パターン３４における所定部位（即ち第１主面側ランド３４ａ）を第１主面３２ａ側に露呈させている。ソルダーレジスト３３は、樹脂絶縁層３１上に形成された外層配線パターン３５を全体的に被覆している。ソルダーレジスト３３は、所定箇所に開口部３７を有しており、これらの開口部３７は外層配線パターン３５における所定部位（即ち第２主面側ランド３５ａ）を第２主面３３ａ側に露呈させている。
【００２９】
また、第１主面側ランド３４ａの上には、第１主面３２ａよりも高く突出するはんだバンプ３８が形成されている。そして、これらのはんだバンプ３８上には、はんだを介して図示しないＩＣチップ等の電子部品が接合可能となっている。一方、第２主面側ランド３５は、図示しないマザーボード等のプリント配線基板と電気的に接続されるようになっている。
【００３０】
図１に示されるように、この配線基板Ｋ１の内部にはスルーホールが設けられている。本実施形態のスルーホールは、コア基板１及び樹脂絶縁層１２，１３を貫通するスルーホール形成用孔６の内壁面に円筒状のスルーホール導体７を析出させるとともに、そのスルーホール導体７の空洞部を充填樹脂９で埋めた構造を有している。そして、このスルーホールのスルーホール導体７によって、コア基板１の表面２側のビルドアップ層ＢＵ１における導体部分と、コア基板１の裏面３側のビルドアップ層ＢＵ２における導体部分との間の導通が図られている。
【００３１】
図１，図２に示されるように、本実施形態の配線基板Ｋ１における内層配線パターン２８，２９は、基板本体２０の面方向に沿って延びており、銅めっき層４２によって形成されている。より具体的にいうと、内層配線パターン２８，２９は、無電解銅めっき層上に電解銅めっき層を積層した層構造を有している。内層配線パターン２８，２９は、特にライン幅及びライン間隔がともに１５μｍ以下の微細な内層配線パターンとなっている。そして、表面２側のビルドアップ層ＢＵ１において下層側樹脂絶縁層１６上には、上層側樹脂絶縁層３０が内層配線パターン層２８を覆うようにして積層配置されている。裏面３側のビルドアップ層ＢＵ２において下層側樹脂絶縁層１７上には、上層側樹脂絶縁層３１が配線パターン層２９を覆うようにして積層配置されている。本実施形態においてこれら樹脂絶縁層１６，１７，３０，３１は、ＣＴＥが５０ｐｐｍ／℃以下の熱硬化性エポキシ樹脂を用いて形成されている。
【００３２】
図２に示されるように、内層配線パターン２８は、表面２側において隣接する２つの樹脂絶縁層１６，３０間に挟まれるようにして配置されている。上層側樹脂絶縁層３０は内層配線パターン２８の上面４３側にて接しており、下層側樹脂絶縁層１６は内層配線パターン２８の底面４４側にて接している。そして、内層配線パターン２８は樹脂絶縁層１６，３０の両方に対して埋まっている。
【００３３】
内層配線パターン２９は、裏面３側において隣接する２つの樹脂絶縁層１７，３１間に挟まれるようにして配置されている。上層側樹脂絶縁層３１は内層配線パターン２９の上面４３側にて接しており、下層側樹脂絶縁層１７は内層配線パターン２９の底面４４側にて接している。そして、内層配線パターン２９は樹脂絶縁層１７，３１の両方に対して埋まっている。
【００３４】
図２等に示されるように、配線基板Ｋ１をその積層方向に切断した場合、切断面に現れる内層配線パターン２８，２９は、本実施形態では断面略六角形状となっている。説明の便宜上、内層配線パターン２８，２９において、上層側樹脂絶縁層３０，３１に埋まっている部分を上面側導体部分４５とし、下層側樹脂絶縁層１６，１７に埋まっている部分を底面側導体部分４６とする。上面側導体部分４５は、コア基板１から遠ざかるに従って幅狭となるテーパ状の断面形状を有している。底面側導体部分４６は、コア基板１に近づくに従って幅狭となる逆テーパ状の断面形状を有している。そして、下層側樹脂絶縁層１６及び上層側樹脂絶縁層３０の境界で形成される仮想平面５３と同一の平面内には、内層配線パターン２８の最大幅部位５４（本実施形態では約１５μｍ）が配置されている。つまり、本実施形態では、最大幅部位５４がパターン上端５１やパターン下端５２に配置されているのではなく、それらの間の位置に配置されている。また、内層配線パターン２８，２９の積層方向切断面は、鋭角及び直角を有しない形状となっており、全ての角が鈍角となっている。特にパターン上端５１に位置する２つの角に関しては、丸みを帯びた鈍角となっている。
【００３５】
内層配線パターン２８，２９の切断面においては、パターン上端５１の幅Ｗ１のほうがパターン下端５２の幅Ｗ２よりも若干大きくなっている。パターン上端５１の幅Ｗ１を基準とすると、最大幅部位５４の幅Ｗ３の大きさはそれの１．２倍〜１．３倍程度となっている。ちなみに、幅Ｗ３と幅Ｗ１との比（Ｗ３：Ｗ１）は１０：７〜１０：８程度に設定され、幅Ｗ３と幅Ｗ２との比（Ｗ３：Ｗ２）は１０：５〜１０：６程度に設定されている。
【００３６】
内層配線パターン２８，２９において、上面側導体部分４５の高さを「ｈ１１」とし、底面側導体部分４６の高さを「ｈ１２」とする。本実施形態では、高さｈ１１が約５μｍであり、高さｈ１２が約１５μｍとなっている。ゆえに、両者の高さの比（ｈ１１：ｈ１２）は５：１５であり、その好適範囲内（１：９〜８：２）となるように設定されている。
【００３７】
次に、本実施形態の配線基板Ｋ１の製造方法を図３〜図１４に基づいて説明する。
【００３８】
まず、ビスマレイミドトリアジン（ＢＴ）樹脂を主体とするコア基板１を用意する。コア基板１の表面２及び裏面３には銅箔があらかじめ貼着されている。このようなコア基板１の銅箔を従来公知の手法（ここではサブトラクティブ法）でパターニングし、表面２上及び裏面３上にコア基板側導体層４，５を形成する。次に、コア基板１における表面２上及び裏面３上に樹脂絶縁層１２，１３を形成し、さらにビアホール形成用孔１２ａ，１３ａを形成する。ここで、樹脂絶縁層１２，１３は、熱硬化性を有するビルドアップ層形成用樹脂材料（いわゆるビルドアップ材）を用いて形成される。本実施形態では、ビルドアップ材としてエポキシ樹脂中に無機フィラーを分散させてなる絶縁性フィルムを用いている。次に、コア基板１及び樹脂絶縁層１２，１３を貫通するスルーホール形成用孔６を形成した後、無電解銅めっき及び電解銅めっきを施し、スルーホール導体７及びフィルドビア導体１４，１５を形成する。次に、スルーホール導体７の空洞部を充填樹脂９のペーストで穴埋めした後、電解銅めっきを行って銅めっき膜上にさらに銅めっき膜を形成する。このとき、同時に充填樹脂９の両端面を蓋めっき１０ａ，１１ａで覆うようにする。続いて、これら２層の銅めっき膜を従来公知のサブトラクティブ法によりエッチングし、図３に示すような内層配線パターン１０，１１をそれぞれ形成する。これら内層配線パターン１０，１１はビルドアップ層ＢＵ１，ＢＵ２における１層目の導体層となる。
【００３９】
次に、図４に示されるように、コア基板１側の樹脂絶縁層１２及び１層目の内層配線パターン１０の上に先ほどのエポキシ樹脂系絶縁性フィルムを貼り付けて、１層目の樹脂絶縁層１６を形成する。同じく、コア基板１側の樹脂絶縁層１３及び１層目の内層配線パターン１１の上に先ほどの絶縁性フィルムを貼り付けて、１層目の樹脂絶縁層１７を形成する。
【００４０】
次に、バリア層形成工程を行って、下層側樹脂絶縁層１６，１７上にバリア層６１を形成する（図５参照）。ここでは、ドライフィルムフォトレジストを貼着した後に全面露光することで、厚さ３μｍ〜１０μｍ程度のバリア層６１とする。
【００４１】
次に、バリア層６１と下層側樹脂絶縁層１６，１７とを同時にレーザ加工する（溝形成工程）。このレーザ加工により、バリア層６１を貫通する開口６３を形成するとともに、下層側樹脂絶縁層１６，１７に開口６３と連通する内層配線パターン形成用の溝６２とビアホール形成用孔１８，１９とを形成する（図６参照）。本実施形態ではバリア層６１が樹脂材料からなるため、レーザ加工により比較的容易に開口６３を形成することができる。そしてこの場合、ビアホール形成用孔１８，１９と溝６２とで加工深さを異ならせる必要があることから、例えばレーザの出力、ショット数、照射時間などを変更して照射を行うようにする。
【００４２】
次に、デスミア処理を行って、開口６３、ビアホール形成用孔１８，１９及び溝６２の内壁面のスミアを除去するとともに、これら内壁面を含む樹脂絶縁層１６，１７の表面全体を粗面化（表面粗さＲａを２μｍ程度に）する。
【００４３】
次に、導電部形成工程を行って、溝６２及び開口６３内を内層配線パターン２８，２９となるべき導電部（銅めっき層４２）を形成する。具体的には、めっき触媒をあらかじめ塗布した後、無電解銅めっきにより厚さ約０．５μｍの無電解銅めっき層を全面に形成する。そして、さらにその上の全面に電解銅めっきにより厚さ約１５μｍ〜２０μｍ程度の電解銅めっき層を形成する（図７参照）。なお、導電部である銅めっき層４２は、少なくとも溝６２よりも上方に隆起するように形成される。
【００４４】
次に、銅を溶解する所定のエッチング液を用いて銅めっき層４２をエッチングすることにより、主としてバリア層６１の表面上にある銅めっき層４２を除去する。その結果、フィルドビア導体２６，２７及び内層配線パターン２８，２９がそれぞれ形成される（図８〜図１０参照）。図８には、過不足なくエッチングを行ったときの銅めっき層４２の様子が示されている。このとき、銅めっき層４２の表面の高さがバリア層６１の表面の高さとほぼ同じになり、バリア層６１の表面上に銅めっき層４２は載っていない。図９には、エッチングが過度であるときの銅めっき層４２の様子が示されている。この図では、銅めっき層４２の表面の高さがバリア層６１の表面の高さよりも低くなっている。ただし、高さの差がバリア層６１の厚さ分よりも小さければ、このようなエッチング過度の場合であっても特に問題は生じない。図１０には、エッチングが不足しているときの銅めっき層４２の様子が示されている。この図では、バリア層６１の表面上において溝６２の周囲に余剰めっき部４２ａが載った状態となっているが、バリア層６１は後工程で除去できる程度に露出している。よって、このようなエッチング不足の場合であっても特に問題は生じない。
【００４５】
次に、バリア層除去工程を行って、樹脂絶縁層１６，１７上からバリア層６１を選択的に除去する（図１１，１２参照）。具体的には、専用の剥離液（例えばアルカリ水溶液等）を用いてドライフィルムフォトレジストを剥離する。このとき、下層側樹脂絶縁層１６，１７及び必要とされる銅めっき層４２については、溶解せずに残すようする。
【００４６】
次に、形状調整工程を行って、銅めっき層４２の余剰部分、即ち本実施形態では、下層側樹脂絶縁層１６，１７から露出しているパターン上端５１における直角や鋭角の箇所を除去して形状を調整する。具体的には、銅を溶解するエッチャントを用いてクイックエッチングを行い、銅めっき層４２を部分的に溶解除去する。図１０にて示した余剰めっき部４２ａもこの工程を経ることで除去される。その結果、好適な切断面形状を有する内層配線パターン２８，２９が形成される（図１３参照）。なお、形状調整の結果、内層配線パターン２８，２９においては、最大幅部位５４がパターン上端５１とパターン下端５２との間に配置された状態となる。
【００４７】
次に、埋設工程を行って、下層側樹脂絶縁層１６，１７上に先ほどのエポキシ樹脂系絶縁性フィルムを貼り付けて、上層側樹脂絶縁層３０，３１をそれぞれ形成する。その結果、下層側樹脂絶縁層１６と上層側樹脂絶縁層３０の間に内層配線パターン２８を埋め込み、下層側樹脂絶縁層１７と上層側樹脂絶縁層３１の間に内層配線パターン２９を埋め込むようにする（図１４参照）。
【００４８】
そして、セミアディティブ法により外層配線パターン３４，３５の形成を行った後、２層目の樹脂絶縁層３０，３１上に厚さ２５μｍのソルダーレジスト３２，３３をそれぞれ設ける。さらに、開口部３６を介して露呈する第１主面側ランド３４ａ上にニッケル−金めっきを施したうえではんだバンプ３８を形成し、開口部３７を介して露呈する第２主面側ランド３５ａにニッケル−金めっきを施す。以上の結果、図１に示したような表裏両面にビルドアップ層ＢＵ１，ＢＵ２を備える多層配線基板Ｋ１が完成する。
【００４９】
従って、本実施の形態によれば以下の効果を得ることができる。
（１）本実施形態の多層配線基板Ｋ１では、内層配線パターン２８，２９の積層方向切断面における最大幅部位５４が、パターン上端５１やパターン下端５２の位置ではなく、それらの間の位置に配置されている。このため、パターン上端５１やパターン下端５２に直角や鋭角の箇所が存在しなくなり、その代わりにクラック発生の起点になりにくい鈍角の箇所が存在した状態となる。そして、特にパターン上端５１については角の部分が丸みを帯びた鈍角となっている。よって、樹脂絶縁層１６，１７，３０，３１におけるクラックの発生が抑制され、多層配線基板Ｋ１に十分な信頼性を向上することができる。また、この実施形態の構成によると、例えば低熱膨張性を追及するために硬くて脆い性質を持つ樹脂絶縁層１６，１７，３０，３１を採用したときであっても、クラックの発生が阻止されることから、低熱膨張性と高信頼性との両立を図ることが可能となる。
【００５０】
（２）本実施形態の多層配線基板Ｋ１では、内層配線パターン２８，２９が下層側樹脂絶縁層１６，１７及び上層側樹脂絶縁層３０，３１の両方に対して埋まっているため、両層に対する好適な密着状態が維持される。よって、微細な内層配線パターン２８，２９であっても横倒れや剥がれが起こりにくく、十分な密着性を付与することができる。また、内層配線パターン２８，２９の下側が下層側樹脂絶縁層１６，１７に埋まったことで、上面側樹脂絶縁層３０，３１の表面に凹凸が発生しにくくなる。よって、上面側樹脂絶縁層３０，３１の厚さばらつきを低減することができるという利点がある。従って、ＩＣチップ搭載面の平坦性を向上させることができる。
【００５１】
（３）下層側樹脂絶縁層に溝を形成しそこを銅めっき層で埋めて内層配線パターンを形成する手法としては、いわゆるトレンチフィリング法が従来知られている。ところが、この手法は、溝内の銅めっき層を残しつつ樹脂絶縁層から突出した銅めっき層を全部除去する加工を行う必要があるため工程上困難であり、加工精度が低いと配線切れや短絡が発生するという課題がある。その点、本実施形態の多層配線基板Ｋ１の製造方法によれば、銅めっき層除去時にそれほど厳密性が要求されないという利点がある。つまり、銅めっき層のエッチングに過不足が多少あったとしても、配線切れや短絡を伴うことなく最終的に所望とする切断面形状の内層配線パターン２８，２９を形成することができる。ゆえに、多層配線基板Ｋ１を比較的簡単にかつ高歩留まりで製造することができる。
【００５２】
（４）本実施形態の多層配線基板Ｋ１では、最大幅部位５４の幅Ｗ３が、パターン上端５１の幅Ｗ１の１．１倍〜１．５倍という好適範囲内にて設定されている。また、幅Ｗ３とＷ１幅との比が１０：１〜１０：９という好適範囲内にて設定され、幅Ｗ３とＷ１幅との比が１０：５〜１０：９という好適範囲内にて設定されている。以上のことから、本実施形態ではパターン上端５１、パターン下端５２及び最大幅部位５４に直角や鋭角の箇所が生じにくく、切断面におけるいずれの角もクラック発生の起点になりにくいものとすることができる。
【００５３】
なお、本発明の実施の形態は以下のように変更してもよい。
【００５４】
・上記実施形態の多層配線基板Ｋ１では、内層配線パターン２８，２９の積層方向切断面が略六角形状であったが、略六角形状以外のものであってもよい。例えば、図１５に示される別の実施形態の内層配線パターン２８Ａでは、積層方向切断面が略五角形状になっている。なお、このような内層配線パターン２８Ａは、実施形態のときよりもエッチング条件を強く設定し、上面側導体部分４５を多めにエッチングすること等により形成可能である。あるいは、図１６に示される別の実施形態の内層配線パターン２８Ｂのように、上面側導体部分４５が凸状湾曲面となっているカップケーキ状の積層方向切断面形状を有するものとしてもよい。このような内層配線パターン２８Ｂも、エッチング条件を強く設定すること等により同様に形成可能である。
【００５５】
・その他、図１７に示される別の実施形態の内層配線パターン２８Ｃのように、下層側導体部分４６を上記実施形態よりも丸みを帯びたものとすることができる。言い換えると、パターン下端５２の角をなくし、底面側導体部分４６が全体として半楕円形状になるようにしてもよい。このような内層配線パターン２８Ｃは、例えば開口６３及び溝６２を形成する際のレーザ加工条件を弱めに設定し、溝６２の底部を丸くすること等により形成可能である。
【００５６】
・上記実施形態の多層配線基板Ｋ１では、内層配線パターン２８，２９の積層方向切断面における最大幅部位５４が、仮想平面５３と同一の平面内に配置されていたが、別の位置に配置されていてもよい。例えば、図１８に示される別の実施形態の内層配線パターン２８Ｄのように、最大幅部位５４が仮想平面５３とパターン上端５１との間の位置に配置されていてもよい。
【００５７】
・上記実施形態では、本発明をコア基板１を有する多層配線基板Ｋ１に具体化したが、いわゆるコア基板を有しない多層配線基板に具体化することもできる。
【００５８】
・上記実施形態では、内層配線パターン２８，２９が、最大幅２０μｍ以下の微細パターンである場合について突条４６を設け、溝５１を埋めるようにしたが、最大幅が２０μｍ超である場合についても同様の構成を採用してもよい。
【００５９】
・上記実施形態では、内層配線パターン２８，２９における高さがｈ１１＜ｈ１２となっているものを例示したが、例えば高さがｈ１１＞ｈ１２となっていてもよい。ただし、この場合にあっても高さの比（ｈ１１：ｈ１２）は１：９〜８：２という好適範囲内に設定されることがよい。
【００６０】
・上記実施形態では、隣接する２つの同種の樹脂絶縁層１６，３０間に、内層配線パターン２８を配置した例を示したが、例えば隣接する２つの異種の樹脂絶縁層間に同様の構造を有する内層配線パターンを配置してもよい。
【００６１】
次に、前述した実施の形態によって把握される技術的思想を以下に列挙する。
（１）手段１において、前記内層配線パターンは金属めっき層からなること。
（２）手段１において、前記内層配線パターンは銅めっき層からなること。
（３）手段１、思想１乃至２のいずれか１項において、前記内層配線パターンにおいて前記上層側樹脂絶縁層に埋まっている上面側導体部分の高さと前記下層側樹脂絶縁層に埋まっている底面側導体部分の高さとの比が、１：９〜８：２の範囲内であること。
（４）手段１、思想１乃至３のいずれか１項において、前記内層配線パターンは、最大幅が２０μｍ以下の微細パターンであること。
（５）手段１、思想１乃至４のいずれか１項において、前記下層側樹脂絶縁層及び前記上層側樹脂絶縁層は、熱硬化性を有する同種の樹脂絶縁層からなること。
（６）手段１、思想１乃至４のいずれか１項において、前記下層側樹脂絶縁層及び前記上層側樹脂絶縁層は、熱膨張係数が５０ｐｐｍ／℃以下であってかつ熱硬化性を有する同種の樹脂絶縁層からなること。
（７）手段１において、前記内層配線パターンの積層方向切断面における全ての角が鈍角であること。
（８）手段１において、前記内層配線パターンは、積層方向切断面が略五角形状または略六角形状であること。
（９）手段１において、前記内層配線パターンは、前記パターン上端が凸状湾曲面となっているカップケーキ状の積層方向切断面形状を有すること。
（１０）手段１、思想１乃至９のいずれか１項において、において、前記多層配線基板は、樹脂絶縁層と導体層とを交互に積層してなるビルドアップ層を有するビルドアップ多層配線基板であることを特徴とする多層配線基板。
（１１）手段１、思想１乃至１０のいずれか１項において、前記底面側にて接する樹脂絶縁層にはビアホール形成用孔が形成され、そのビアホール形成用孔内にはフィルドビア導体が形成され、前記底面側導体部分の高さが、前記ビアホール形成用孔の深さよりも小さくなるように設定されていることを特徴とする多層配線基板。
（１２）手段１、思想１乃至１１のいずれか１項において、前記多層配線基板はコア基板を有することを特徴とする多層配線基板。
（１３）手段１、思想１乃至１１のいずれか１項において、前記多層配線基板はコア基板を有しないことを特徴とする多層配線基板。
【符号の説明】
【００６２】
１６，１７…下層側樹脂絶縁層
２０…基板本体
２８，２８Ａ，２８Ｂ，２８Ｃ，２８Ｄ，２９…内層配線パターン
３０，３１…上層側樹脂絶縁層
３２ａ…基板主面
３３ａ…基板裏面
４３…（内層配線パターンの）上面
４４…（内層配線パターンの）底面
５１…パターン上端
５２…パターン下端
５３…仮想平面
５４…最大幅部位
Ｋ１…多層配線基板
Ｗ１…パターン上端の幅
Ｗ２…パターン下端の幅
Ｗ３…最大幅部位の幅
【技術分野】
【０００１】
本発明は、多層配線基板及びその製造方法に係り、特にはめっき層からなる微細な内層配線パターンを隣接する樹脂絶縁層間に配置した構造の多層配線基板及びその製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年、電子機器の小型化、高性能化に伴って電子部品の高密度実装化が要求されている。このような高密度実装化を達成するにあたり、ＩＣチップを搭載するための配線基板の多層化技術が重要視されている。多層化技術を用いた具体例としては、スルーホール部などを設けたコア基板の片面または両面に、樹脂絶縁層及び導体層を交互に積層形成したビルドアップ層を備える多層配線基板（いわゆるビルドアップ多層配線基板）がよく知られている。
【０００３】
従来、このような微細な内層配線パターンの形成は、主としてセミアディティブ法により行われている。セミアディティブ法では、下層の樹脂絶縁層に対するビア穴形成、樹脂絶縁層表面の全体に対する無電解銅めっき、めっきレジストの形成、電解銅めっき、不要なめっきレジスト及び無電解銅めっき層の除去を順次行うというプロセスを採用している（例えば、特許文献１参照）。この結果、下層の樹脂絶縁層の上に銅めっき層からなる内層配線パターンが形成される。
【０００４】
これとは別に、最近ではトレンチフィリング法と呼ばれる手法が提案されている（例えば、特許文献２〜４参照）。トレンチフィリング法では、下層の樹脂絶縁層に対する溝（トレンチ）の形成、無電解銅めっきによる溝埋め、溝から突出する余剰の銅めっきの除去を順次行うというプロセスを採用している。この結果、溝内に埋められた銅めっきからなる内層配線パターンが形成される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２０００−１８８４６０号公報
【特許文献２】特開平１１−８７２７６号公報
【特許文献３】特開２００７−８４８９１号公報
【特許文献４】特開２００９−１３２９８２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
ところで、セミアディティブ法により形成される内層配線パターンは、通常、積層方向切断面が長方形状になる。また、めっきレジストの配線描画の手法や条件によっては、テーパを有する逆台形状の切断面になることがある。さらに、めっきレジスト除去後のエッチング条件によっては、半楕円形状や三角形状の切断面になることもある。一方、トレンチフィリング法では、配線描画時の溝の形状に依存するが、通常はレーザで描画を行うため、テーパを有する逆台形状の切断面になる。また、レーザ照射条件によっては、テーパのない長方形状の切断面になる。
【０００７】
以上のように、上記従来技術の多層配線基板では、いずれにしても内層配線パターンの積層方向切断面においてパターン上端あるいはパターン下端が、最も幅の大きい部位となる。このため、内層配線パターンの積層方向切断面には、直角や鋭角の箇所が存在する。それゆえ、このような直角や鋭角の箇所が楔のような役割を果たし、そこを起点として樹脂絶縁層にクラックが発生しやすい。従って、多層配線基板に十分な信頼性を付与することができない。特にセミアディティブ法の場合、樹脂絶縁層が内層配線パターンの凹凸を埋める役割を果たすことから、積層方向切断面に直角や鋭角を含んでいると、樹脂絶縁層がそこで局所的に大きく曲げられる。このこともクラック発生の原因となっている。
【０００８】
従来においては、クラックが発生しやすいパターン切断面形状であっても、例えば柔軟性の高い樹脂絶縁材料を使用する等の対策を打つことにより、多層配線基板に信頼性を付与している。しかしながら、将来的には、低熱膨張性を追及するために硬くて脆い性質を持つ樹脂絶縁層に移行する可能性がある。このような場合、低熱膨張性と高信頼性との両立が困難になることが予想される。
【０００９】
本発明は上記の課題に鑑みてなされたものであり、その目的は、樹脂絶縁層にクラックが発生しにくくて信頼性に優れた多層配線基板を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
そして上記課題を解決するための手段（手段１）としては、複数の樹脂絶縁層を積層してなり基板主面及び基板裏面を有する基板本体と、前記基板本体の面方向に沿って延びる内層配線パターンと、前記内層配線パターンの底面側に接する下層側樹脂絶縁層と、前記下層側樹脂絶縁層に隣接しかつ前記内層配線パターンの上面側に接する上層側樹脂絶縁層とを備え、前記内層配線パターンが前記下層側樹脂絶縁層及び前記上層側樹脂絶縁層の両方に対して埋まっている多層配線基板において、前記内層配線パターンの積層方向切断面における最大幅部位がパターン上端とパターン下端との間の位置に配置されていることを特徴とする多層配線基板がある。
【００１１】
従って、上記手段に係る発明によると、内層配線パターンの積層方向切断面における最大幅部位が、パターン上端やパターン下端の位置ではなく、それらの間の位置に配置されている。そのため、パターン上端やパターン下端に直角や鋭角の箇所が存在しなくなり、その代わりにクラック発生の起点になりにくい鈍角の箇所が存在した状態となる。よって、樹脂絶縁層におけるクラックの発生が抑制され、多層配線基板に十分な信頼性を向上することができる。また、この発明によると、例えば低熱膨張性を追及するために硬くて脆い性質を持つ樹脂絶縁層を採用したときであっても、クラックの発生が阻止されることから、低熱膨張性と高信頼性との両立を図ることが可能となる。
【００１２】
多層配線基板において基板本体を構成する複数の樹脂絶縁層は、例えば熱硬化性を有する樹脂などを用いて形成される。熱硬化性樹脂の好適例としては、ＥＰ樹脂（エポキシ樹脂）、ＰＩ樹脂（ポリイミド樹脂）、ＢＴ樹脂（ビスマレイミド−トリアジン樹脂）、フェノール樹脂、キシレン樹脂、ポリエステル樹脂、けい素樹脂等が挙げられる。これらの中でも、ＥＰ樹脂、ＰＩ樹脂、ＢＴ樹脂を選択することが好ましい。例えば、エポキシ樹脂としては、いわゆるＢＰ（ビスフェノール）型、ＰＮ（フェノールノボラック）型、ＣＮ（クレゾールノボラック）型のものを用いることがよい。特には、ＢＰ型を主体とするものがよく、ＢＰＡ（ビスフェノールＡ）型やＢＰＦ（ビスフェノールＦ）型が最もよい。なお、複数の樹脂絶縁層は、光硬化性を有する樹脂などを用いて形成されてもよい。
【００１３】
隣接する複数の樹脂絶縁層間には、内層配線パターンが挟まれるようにして配置される。内層配線パターンの上面側にて接する上層側樹脂絶縁層及び底面側にて接する下層側樹脂絶縁層は、同種の樹脂を用いて形成されたものであってもよく、あるいは異種の樹脂を用いて形成されたものであってもよい。下層側樹脂絶縁層及び上層側樹脂絶縁層の好適例としては、例えば、熱膨張係数（ＣＴＥ）が低い（例えば５０ｐｐｍ／℃以下の）ものであってかつ熱硬化性を有する同種の樹脂を用いて形成されたものが挙げられる。また、内層配線パターンは最大幅が２０μｍ以下の微細パターン、特には最大幅が１０μｍ以下の微細パターンであることがよい。
【００１４】
内層配線パターンは、基板本体の面方向に沿って延びており、導電材料を用いて形成されている。導電材料の好適例としては例えばめっき材等がある。めっき材は特に限定されないが、銅めっき、ニッケルめっき、金めっき、銀めっき、アルミニウムめっき、すずめっき、コバルトめっき、チタンめっきなどを採用することができる。導電性、コスト性、加工性などを勘案すると、内層配線パターンは銅めっき材からなることが好ましく、特に無電解銅めっき層上に電解銅めっき層を形成してなる構造であることがより好ましい。
【００１５】
内層配線パターンを積層方向に切断した場合、その切断面における最大幅部位は、パターン上端とパターン下端との間の位置に配置されている。つまり、パターン上端やパターン下端に最大幅部位は配置されていない。なお、パターン上端の幅及びパターン下端の幅の大小関係については特に限定されない。従って、前者が後者より大きくてもよく、後者が前者より大きくてもよく、あるいは両者が等しくてもよい。
【００１６】
ここで、最大幅部位は、パターン上端とパターン下端との間であれば任意の位置に配置され、例えば、下層側樹脂絶縁層及び上層側樹脂絶縁層の境界で形成される仮想平面と同一の平面内に配置される。なお、最大幅部位は、上記仮想平面と、パターン上端との間の位置に配置されてもよい。
【００１７】
例えば、最大幅部位の大きさ（幅）は、パターン上端及びパターン下端のうち幅が相対的に大きいものの１．１倍以上１．５倍以下とすることが好適である。その理由は、１．１倍未満であると、パターン上端に直角や鋭角の箇所が生じやすくなるからである。逆に、１．５倍超であると、最大幅部位に直角や鋭角の箇所が生じる可能性があるからである。
【００１８】
内層配線パターンの積層方向切断面は、鋭角及び直角を有しない形状を有していることが好ましく、言い換えると切断面における全ての角が鈍角であることが好ましい。この構成であると、切断面における全ての角がクラック発生の起点になりにくいものとなり、樹脂絶縁層におけるクラックの発生を効果的に抑制することができるからである。また、鋭角、直角及び鈍角を問わず、切断面における角の部分は丸みを帯びていることが好ましい。この場合にも、角がクラック発生の起点になりにくいものとなる。なお、最も好ましいのは、切断面における角の部分が、丸みを帯びた鈍角となっていることである。
【００１９】
内層配線パターンの積層方向切断面において、最大幅部位の幅とパターン上端の幅との比は限定されないが、例えば１０：１〜１０：９の範囲内に設定されることがよい。また、内層配線パターンの積層方向切断面において、最大幅部位の幅とパターン下端の幅との比も同様に限定されないが、例えば１０：５〜１０：９の範囲内に設定されることがよい。幅の比がこれらの好適範囲内であると、切断面における角がクラック発生の起点になりにくいものとなる。
【００２０】
内層配線パターンは、下層側樹脂絶縁層及び上層側樹脂絶縁層の両方に対して埋まっていることがよい。この構成の場合、内層配線パターンが微細なものであっても横倒れや剥がれが起こりにくくなり、樹脂絶縁層との間に十分な密着性を付与することができる。内層配線パターンにおいて、上層側樹脂絶縁層に埋まっている部分を上面側導体部分とし、下層側樹脂絶縁層に埋まっている部分を底面側導体部分とする。この場合、上面側導体部分の高さと底面側導体部分の高さとの比は限定されないが、例えば１：９〜８：２の範囲内に設定される。高さの比がこのような好適範囲内であれば、内層配線パターンとその上下両側の樹脂絶縁層に対する密着状態を確実に維持することができる。なお、底面側導体部分の高さは、具体的には５μｍ以上であることがよい。
【００２１】
そして上記課題を解決するための別の手段（手段２）としては、手段１に記載の多層配線基板の製造方法であって、前記下層側樹脂絶縁層に内層配線パターン形成用の溝を形成する溝形成工程と、前記溝内に充填されるとともに、前記溝よりも上方に隆起してなる導電部を形成する導電部形成工程と、前記導電部の余剰部分を除去して形状を調整し、前記内層配線パターンを形成する形状調整工程と、前記下層側樹脂絶縁層上に前記上層側樹脂絶縁層を形成し、前記下層側樹脂絶縁層と前記上層側樹脂絶縁層との間に前記内層配線パターンを埋め込む埋設工程とを含むことを特徴とする多層配線基板の製造方法がある。
【００２２】
従って、上記手段に係る発明によると、溝形成工程にて下層側樹脂絶縁層に内層配線パターン形成用の溝を形成した後、導電部形成工程にて溝内に導電部が充填形成される。続く形状調整工程にて導電部の余剰部分、即ちパターン上端における直角や鋭角の箇所を除去して形状を調整することにより、好適な切断面形状の内層配線パターンが形成される。このような内層配線パターンを下層側樹脂絶縁層と上層側樹脂絶縁層との間に埋め込んだ多層配線基板では、樹脂絶縁層にクラックが発生しにくくて信頼性に優れたものとなる。
【図面の簡単な説明】
【００２３】
【図１】本発明を具体化した実施形態のビルドアップ多層配線基板を示す概略断面図。
【図２】同じく多層配線基板における内層配線パターンを示す拡大断面図。
【図３】同じく多層配線基板の製造手順を説明するための概略断面図。
【図４】同じく多層配線基板の製造手順を説明するための要部概略断面図。
【図５】同じく多層配線基板の製造手順を説明するための要部概略断面図。
【図６】同じく多層配線基板の製造手順を説明するための要部概略断面図。
【図７】同じく多層配線基板の製造手順を説明するための要部概略断面図。
【図８】同じく多層配線基板の製造手順を説明するための要部概略断面図。
【図９】同じく多層配線基板の製造手順を説明するための要部概略断面図。
【図１０】同じく多層配線基板の製造手順を説明するための要部概略断面図。
【図１１】同じく多層配線基板の製造手順を説明するための要部概略断面図。
【図１２】同じく多層配線基板の製造手順を説明するための要部概略断面図。
【図１３】同じく多層配線基板の製造手順を説明するための要部概略断面図。
【図１４】同じく多層配線基板の製造手順を説明するための要部概略断面図。
【図１５】別の実施形態の内層配線パターンを示す拡大断面図。
【図１６】別の実施形態の内層配線パターンを示す拡大断面図。
【図１７】別の実施形態の内層配線パターンを示す拡大断面図。
【図１８】別の実施形態の内層配線パターンを示す拡大断面図。
【発明を実施するための形態】
【００２４】
以下、本発明を具体化した一実施形態の多層配線基板Ｋ１を図１〜図１４に基づき詳細に説明する。
【００２５】
図１に示されるように、本実施形態の多層配線基板Ｋ１は、表裏両面にビルドアップ層ＢＵ１，ＢＵ２を有する、いわゆるビルドアップ多層配線基板である。この多層配線基板Ｋ１は、基板主面３２ａ及び基板裏面３３ａを有する基板本体２０を備えている。基板本体２０の一部をなすコア基板１は、表面２及び裏面３を有する平板状を呈している。コア基板１の表面２側には樹脂絶縁層１２が形成され、裏面３側には樹脂絶縁層１３が形成されている。
【００２６】
コア基板１の表面２側に配置されたビルドアップ層ＢＵ１は、樹脂絶縁層１６，３０と、導体層（内層配線パターン１０，２８，外層配線パターン３４）とを交互に積層した構造を有している。樹脂絶縁層１２にはビアホール形成用孔１２ａが形成され、その内部には内層配線パターン１０とコア基板側導体層４とを導通させるフィルドビア導体１４が形成されている。樹脂絶縁層１６にはビアホール形成用孔１８が形成され、その内部には内層配線パターン１０，２８間を導通させるフィルドビア導体２６が形成されている。
【００２７】
コア基板１の裏面３側に配置されたビルドアップ層ＢＵ２は、樹脂絶縁層１７，３１と、導体層（内層配線パターン１１，２９，外層配線パターン３５）とを交互に積層した構造を有している。樹脂絶縁層１３にはビアホール形成用孔１３ａが形成され、その内部には内層配線パターン１１とコア基板側導体層５とを導通させるフィルドビア導体１５が形成されている。樹脂絶縁層１７にはビアホール形成用孔１９が形成され、その内部には内層配線パターン１１，２９間を導通させるフィルドビア導体２７が形成されている。
【００２８】
ソルダーレジスト３２は、樹脂絶縁層３０上に形成された外層配線パターン３４を全体的に被覆している。ソルダーレジスト３２は、所定箇所に開口部３６を有しており、これらの開口部３６は外層配線パターン３４における所定部位（即ち第１主面側ランド３４ａ）を第１主面３２ａ側に露呈させている。ソルダーレジスト３３は、樹脂絶縁層３１上に形成された外層配線パターン３５を全体的に被覆している。ソルダーレジスト３３は、所定箇所に開口部３７を有しており、これらの開口部３７は外層配線パターン３５における所定部位（即ち第２主面側ランド３５ａ）を第２主面３３ａ側に露呈させている。
【００２９】
また、第１主面側ランド３４ａの上には、第１主面３２ａよりも高く突出するはんだバンプ３８が形成されている。そして、これらのはんだバンプ３８上には、はんだを介して図示しないＩＣチップ等の電子部品が接合可能となっている。一方、第２主面側ランド３５は、図示しないマザーボード等のプリント配線基板と電気的に接続されるようになっている。
【００３０】
図１に示されるように、この配線基板Ｋ１の内部にはスルーホールが設けられている。本実施形態のスルーホールは、コア基板１及び樹脂絶縁層１２，１３を貫通するスルーホール形成用孔６の内壁面に円筒状のスルーホール導体７を析出させるとともに、そのスルーホール導体７の空洞部を充填樹脂９で埋めた構造を有している。そして、このスルーホールのスルーホール導体７によって、コア基板１の表面２側のビルドアップ層ＢＵ１における導体部分と、コア基板１の裏面３側のビルドアップ層ＢＵ２における導体部分との間の導通が図られている。
【００３１】
図１，図２に示されるように、本実施形態の配線基板Ｋ１における内層配線パターン２８，２９は、基板本体２０の面方向に沿って延びており、銅めっき層４２によって形成されている。より具体的にいうと、内層配線パターン２８，２９は、無電解銅めっき層上に電解銅めっき層を積層した層構造を有している。内層配線パターン２８，２９は、特にライン幅及びライン間隔がともに１５μｍ以下の微細な内層配線パターンとなっている。そして、表面２側のビルドアップ層ＢＵ１において下層側樹脂絶縁層１６上には、上層側樹脂絶縁層３０が内層配線パターン層２８を覆うようにして積層配置されている。裏面３側のビルドアップ層ＢＵ２において下層側樹脂絶縁層１７上には、上層側樹脂絶縁層３１が配線パターン層２９を覆うようにして積層配置されている。本実施形態においてこれら樹脂絶縁層１６，１７，３０，３１は、ＣＴＥが５０ｐｐｍ／℃以下の熱硬化性エポキシ樹脂を用いて形成されている。
【００３２】
図２に示されるように、内層配線パターン２８は、表面２側において隣接する２つの樹脂絶縁層１６，３０間に挟まれるようにして配置されている。上層側樹脂絶縁層３０は内層配線パターン２８の上面４３側にて接しており、下層側樹脂絶縁層１６は内層配線パターン２８の底面４４側にて接している。そして、内層配線パターン２８は樹脂絶縁層１６，３０の両方に対して埋まっている。
【００３３】
内層配線パターン２９は、裏面３側において隣接する２つの樹脂絶縁層１７，３１間に挟まれるようにして配置されている。上層側樹脂絶縁層３１は内層配線パターン２９の上面４３側にて接しており、下層側樹脂絶縁層１７は内層配線パターン２９の底面４４側にて接している。そして、内層配線パターン２９は樹脂絶縁層１７，３１の両方に対して埋まっている。
【００３４】
図２等に示されるように、配線基板Ｋ１をその積層方向に切断した場合、切断面に現れる内層配線パターン２８，２９は、本実施形態では断面略六角形状となっている。説明の便宜上、内層配線パターン２８，２９において、上層側樹脂絶縁層３０，３１に埋まっている部分を上面側導体部分４５とし、下層側樹脂絶縁層１６，１７に埋まっている部分を底面側導体部分４６とする。上面側導体部分４５は、コア基板１から遠ざかるに従って幅狭となるテーパ状の断面形状を有している。底面側導体部分４６は、コア基板１に近づくに従って幅狭となる逆テーパ状の断面形状を有している。そして、下層側樹脂絶縁層１６及び上層側樹脂絶縁層３０の境界で形成される仮想平面５３と同一の平面内には、内層配線パターン２８の最大幅部位５４（本実施形態では約１５μｍ）が配置されている。つまり、本実施形態では、最大幅部位５４がパターン上端５１やパターン下端５２に配置されているのではなく、それらの間の位置に配置されている。また、内層配線パターン２８，２９の積層方向切断面は、鋭角及び直角を有しない形状となっており、全ての角が鈍角となっている。特にパターン上端５１に位置する２つの角に関しては、丸みを帯びた鈍角となっている。
【００３５】
内層配線パターン２８，２９の切断面においては、パターン上端５１の幅Ｗ１のほうがパターン下端５２の幅Ｗ２よりも若干大きくなっている。パターン上端５１の幅Ｗ１を基準とすると、最大幅部位５４の幅Ｗ３の大きさはそれの１．２倍〜１．３倍程度となっている。ちなみに、幅Ｗ３と幅Ｗ１との比（Ｗ３：Ｗ１）は１０：７〜１０：８程度に設定され、幅Ｗ３と幅Ｗ２との比（Ｗ３：Ｗ２）は１０：５〜１０：６程度に設定されている。
【００３６】
内層配線パターン２８，２９において、上面側導体部分４５の高さを「ｈ１１」とし、底面側導体部分４６の高さを「ｈ１２」とする。本実施形態では、高さｈ１１が約５μｍであり、高さｈ１２が約１５μｍとなっている。ゆえに、両者の高さの比（ｈ１１：ｈ１２）は５：１５であり、その好適範囲内（１：９〜８：２）となるように設定されている。
【００３７】
次に、本実施形態の配線基板Ｋ１の製造方法を図３〜図１４に基づいて説明する。
【００３８】
まず、ビスマレイミドトリアジン（ＢＴ）樹脂を主体とするコア基板１を用意する。コア基板１の表面２及び裏面３には銅箔があらかじめ貼着されている。このようなコア基板１の銅箔を従来公知の手法（ここではサブトラクティブ法）でパターニングし、表面２上及び裏面３上にコア基板側導体層４，５を形成する。次に、コア基板１における表面２上及び裏面３上に樹脂絶縁層１２，１３を形成し、さらにビアホール形成用孔１２ａ，１３ａを形成する。ここで、樹脂絶縁層１２，１３は、熱硬化性を有するビルドアップ層形成用樹脂材料（いわゆるビルドアップ材）を用いて形成される。本実施形態では、ビルドアップ材としてエポキシ樹脂中に無機フィラーを分散させてなる絶縁性フィルムを用いている。次に、コア基板１及び樹脂絶縁層１２，１３を貫通するスルーホール形成用孔６を形成した後、無電解銅めっき及び電解銅めっきを施し、スルーホール導体７及びフィルドビア導体１４，１５を形成する。次に、スルーホール導体７の空洞部を充填樹脂９のペーストで穴埋めした後、電解銅めっきを行って銅めっき膜上にさらに銅めっき膜を形成する。このとき、同時に充填樹脂９の両端面を蓋めっき１０ａ，１１ａで覆うようにする。続いて、これら２層の銅めっき膜を従来公知のサブトラクティブ法によりエッチングし、図３に示すような内層配線パターン１０，１１をそれぞれ形成する。これら内層配線パターン１０，１１はビルドアップ層ＢＵ１，ＢＵ２における１層目の導体層となる。
【００３９】
次に、図４に示されるように、コア基板１側の樹脂絶縁層１２及び１層目の内層配線パターン１０の上に先ほどのエポキシ樹脂系絶縁性フィルムを貼り付けて、１層目の樹脂絶縁層１６を形成する。同じく、コア基板１側の樹脂絶縁層１３及び１層目の内層配線パターン１１の上に先ほどの絶縁性フィルムを貼り付けて、１層目の樹脂絶縁層１７を形成する。
【００４０】
次に、バリア層形成工程を行って、下層側樹脂絶縁層１６，１７上にバリア層６１を形成する（図５参照）。ここでは、ドライフィルムフォトレジストを貼着した後に全面露光することで、厚さ３μｍ〜１０μｍ程度のバリア層６１とする。
【００４１】
次に、バリア層６１と下層側樹脂絶縁層１６，１７とを同時にレーザ加工する（溝形成工程）。このレーザ加工により、バリア層６１を貫通する開口６３を形成するとともに、下層側樹脂絶縁層１６，１７に開口６３と連通する内層配線パターン形成用の溝６２とビアホール形成用孔１８，１９とを形成する（図６参照）。本実施形態ではバリア層６１が樹脂材料からなるため、レーザ加工により比較的容易に開口６３を形成することができる。そしてこの場合、ビアホール形成用孔１８，１９と溝６２とで加工深さを異ならせる必要があることから、例えばレーザの出力、ショット数、照射時間などを変更して照射を行うようにする。
【００４２】
次に、デスミア処理を行って、開口６３、ビアホール形成用孔１８，１９及び溝６２の内壁面のスミアを除去するとともに、これら内壁面を含む樹脂絶縁層１６，１７の表面全体を粗面化（表面粗さＲａを２μｍ程度に）する。
【００４３】
次に、導電部形成工程を行って、溝６２及び開口６３内を内層配線パターン２８，２９となるべき導電部（銅めっき層４２）を形成する。具体的には、めっき触媒をあらかじめ塗布した後、無電解銅めっきにより厚さ約０．５μｍの無電解銅めっき層を全面に形成する。そして、さらにその上の全面に電解銅めっきにより厚さ約１５μｍ〜２０μｍ程度の電解銅めっき層を形成する（図７参照）。なお、導電部である銅めっき層４２は、少なくとも溝６２よりも上方に隆起するように形成される。
【００４４】
次に、銅を溶解する所定のエッチング液を用いて銅めっき層４２をエッチングすることにより、主としてバリア層６１の表面上にある銅めっき層４２を除去する。その結果、フィルドビア導体２６，２７及び内層配線パターン２８，２９がそれぞれ形成される（図８〜図１０参照）。図８には、過不足なくエッチングを行ったときの銅めっき層４２の様子が示されている。このとき、銅めっき層４２の表面の高さがバリア層６１の表面の高さとほぼ同じになり、バリア層６１の表面上に銅めっき層４２は載っていない。図９には、エッチングが過度であるときの銅めっき層４２の様子が示されている。この図では、銅めっき層４２の表面の高さがバリア層６１の表面の高さよりも低くなっている。ただし、高さの差がバリア層６１の厚さ分よりも小さければ、このようなエッチング過度の場合であっても特に問題は生じない。図１０には、エッチングが不足しているときの銅めっき層４２の様子が示されている。この図では、バリア層６１の表面上において溝６２の周囲に余剰めっき部４２ａが載った状態となっているが、バリア層６１は後工程で除去できる程度に露出している。よって、このようなエッチング不足の場合であっても特に問題は生じない。
【００４５】
次に、バリア層除去工程を行って、樹脂絶縁層１６，１７上からバリア層６１を選択的に除去する（図１１，１２参照）。具体的には、専用の剥離液（例えばアルカリ水溶液等）を用いてドライフィルムフォトレジストを剥離する。このとき、下層側樹脂絶縁層１６，１７及び必要とされる銅めっき層４２については、溶解せずに残すようする。
【００４６】
次に、形状調整工程を行って、銅めっき層４２の余剰部分、即ち本実施形態では、下層側樹脂絶縁層１６，１７から露出しているパターン上端５１における直角や鋭角の箇所を除去して形状を調整する。具体的には、銅を溶解するエッチャントを用いてクイックエッチングを行い、銅めっき層４２を部分的に溶解除去する。図１０にて示した余剰めっき部４２ａもこの工程を経ることで除去される。その結果、好適な切断面形状を有する内層配線パターン２８，２９が形成される（図１３参照）。なお、形状調整の結果、内層配線パターン２８，２９においては、最大幅部位５４がパターン上端５１とパターン下端５２との間に配置された状態となる。
【００４７】
次に、埋設工程を行って、下層側樹脂絶縁層１６，１７上に先ほどのエポキシ樹脂系絶縁性フィルムを貼り付けて、上層側樹脂絶縁層３０，３１をそれぞれ形成する。その結果、下層側樹脂絶縁層１６と上層側樹脂絶縁層３０の間に内層配線パターン２８を埋め込み、下層側樹脂絶縁層１７と上層側樹脂絶縁層３１の間に内層配線パターン２９を埋め込むようにする（図１４参照）。
【００４８】
そして、セミアディティブ法により外層配線パターン３４，３５の形成を行った後、２層目の樹脂絶縁層３０，３１上に厚さ２５μｍのソルダーレジスト３２，３３をそれぞれ設ける。さらに、開口部３６を介して露呈する第１主面側ランド３４ａ上にニッケル−金めっきを施したうえではんだバンプ３８を形成し、開口部３７を介して露呈する第２主面側ランド３５ａにニッケル−金めっきを施す。以上の結果、図１に示したような表裏両面にビルドアップ層ＢＵ１，ＢＵ２を備える多層配線基板Ｋ１が完成する。
【００４９】
従って、本実施の形態によれば以下の効果を得ることができる。
（１）本実施形態の多層配線基板Ｋ１では、内層配線パターン２８，２９の積層方向切断面における最大幅部位５４が、パターン上端５１やパターン下端５２の位置ではなく、それらの間の位置に配置されている。このため、パターン上端５１やパターン下端５２に直角や鋭角の箇所が存在しなくなり、その代わりにクラック発生の起点になりにくい鈍角の箇所が存在した状態となる。そして、特にパターン上端５１については角の部分が丸みを帯びた鈍角となっている。よって、樹脂絶縁層１６，１７，３０，３１におけるクラックの発生が抑制され、多層配線基板Ｋ１に十分な信頼性を向上することができる。また、この実施形態の構成によると、例えば低熱膨張性を追及するために硬くて脆い性質を持つ樹脂絶縁層１６，１７，３０，３１を採用したときであっても、クラックの発生が阻止されることから、低熱膨張性と高信頼性との両立を図ることが可能となる。
【００５０】
（２）本実施形態の多層配線基板Ｋ１では、内層配線パターン２８，２９が下層側樹脂絶縁層１６，１７及び上層側樹脂絶縁層３０，３１の両方に対して埋まっているため、両層に対する好適な密着状態が維持される。よって、微細な内層配線パターン２８，２９であっても横倒れや剥がれが起こりにくく、十分な密着性を付与することができる。また、内層配線パターン２８，２９の下側が下層側樹脂絶縁層１６，１７に埋まったことで、上面側樹脂絶縁層３０，３１の表面に凹凸が発生しにくくなる。よって、上面側樹脂絶縁層３０，３１の厚さばらつきを低減することができるという利点がある。従って、ＩＣチップ搭載面の平坦性を向上させることができる。
【００５１】
（３）下層側樹脂絶縁層に溝を形成しそこを銅めっき層で埋めて内層配線パターンを形成する手法としては、いわゆるトレンチフィリング法が従来知られている。ところが、この手法は、溝内の銅めっき層を残しつつ樹脂絶縁層から突出した銅めっき層を全部除去する加工を行う必要があるため工程上困難であり、加工精度が低いと配線切れや短絡が発生するという課題がある。その点、本実施形態の多層配線基板Ｋ１の製造方法によれば、銅めっき層除去時にそれほど厳密性が要求されないという利点がある。つまり、銅めっき層のエッチングに過不足が多少あったとしても、配線切れや短絡を伴うことなく最終的に所望とする切断面形状の内層配線パターン２８，２９を形成することができる。ゆえに、多層配線基板Ｋ１を比較的簡単にかつ高歩留まりで製造することができる。
【００５２】
（４）本実施形態の多層配線基板Ｋ１では、最大幅部位５４の幅Ｗ３が、パターン上端５１の幅Ｗ１の１．１倍〜１．５倍という好適範囲内にて設定されている。また、幅Ｗ３とＷ１幅との比が１０：１〜１０：９という好適範囲内にて設定され、幅Ｗ３とＷ１幅との比が１０：５〜１０：９という好適範囲内にて設定されている。以上のことから、本実施形態ではパターン上端５１、パターン下端５２及び最大幅部位５４に直角や鋭角の箇所が生じにくく、切断面におけるいずれの角もクラック発生の起点になりにくいものとすることができる。
【００５３】
なお、本発明の実施の形態は以下のように変更してもよい。
【００５４】
・上記実施形態の多層配線基板Ｋ１では、内層配線パターン２８，２９の積層方向切断面が略六角形状であったが、略六角形状以外のものであってもよい。例えば、図１５に示される別の実施形態の内層配線パターン２８Ａでは、積層方向切断面が略五角形状になっている。なお、このような内層配線パターン２８Ａは、実施形態のときよりもエッチング条件を強く設定し、上面側導体部分４５を多めにエッチングすること等により形成可能である。あるいは、図１６に示される別の実施形態の内層配線パターン２８Ｂのように、上面側導体部分４５が凸状湾曲面となっているカップケーキ状の積層方向切断面形状を有するものとしてもよい。このような内層配線パターン２８Ｂも、エッチング条件を強く設定すること等により同様に形成可能である。
【００５５】
・その他、図１７に示される別の実施形態の内層配線パターン２８Ｃのように、下層側導体部分４６を上記実施形態よりも丸みを帯びたものとすることができる。言い換えると、パターン下端５２の角をなくし、底面側導体部分４６が全体として半楕円形状になるようにしてもよい。このような内層配線パターン２８Ｃは、例えば開口６３及び溝６２を形成する際のレーザ加工条件を弱めに設定し、溝６２の底部を丸くすること等により形成可能である。
【００５６】
・上記実施形態の多層配線基板Ｋ１では、内層配線パターン２８，２９の積層方向切断面における最大幅部位５４が、仮想平面５３と同一の平面内に配置されていたが、別の位置に配置されていてもよい。例えば、図１８に示される別の実施形態の内層配線パターン２８Ｄのように、最大幅部位５４が仮想平面５３とパターン上端５１との間の位置に配置されていてもよい。
【００５７】
・上記実施形態では、本発明をコア基板１を有する多層配線基板Ｋ１に具体化したが、いわゆるコア基板を有しない多層配線基板に具体化することもできる。
【００５８】
・上記実施形態では、内層配線パターン２８，２９が、最大幅２０μｍ以下の微細パターンである場合について突条４６を設け、溝５１を埋めるようにしたが、最大幅が２０μｍ超である場合についても同様の構成を採用してもよい。
【００５９】
・上記実施形態では、内層配線パターン２８，２９における高さがｈ１１＜ｈ１２となっているものを例示したが、例えば高さがｈ１１＞ｈ１２となっていてもよい。ただし、この場合にあっても高さの比（ｈ１１：ｈ１２）は１：９〜８：２という好適範囲内に設定されることがよい。
【００６０】
・上記実施形態では、隣接する２つの同種の樹脂絶縁層１６，３０間に、内層配線パターン２８を配置した例を示したが、例えば隣接する２つの異種の樹脂絶縁層間に同様の構造を有する内層配線パターンを配置してもよい。
【００６１】
次に、前述した実施の形態によって把握される技術的思想を以下に列挙する。
（１）手段１において、前記内層配線パターンは金属めっき層からなること。
（２）手段１において、前記内層配線パターンは銅めっき層からなること。
（３）手段１、思想１乃至２のいずれか１項において、前記内層配線パターンにおいて前記上層側樹脂絶縁層に埋まっている上面側導体部分の高さと前記下層側樹脂絶縁層に埋まっている底面側導体部分の高さとの比が、１：９〜８：２の範囲内であること。
（４）手段１、思想１乃至３のいずれか１項において、前記内層配線パターンは、最大幅が２０μｍ以下の微細パターンであること。
（５）手段１、思想１乃至４のいずれか１項において、前記下層側樹脂絶縁層及び前記上層側樹脂絶縁層は、熱硬化性を有する同種の樹脂絶縁層からなること。
（６）手段１、思想１乃至４のいずれか１項において、前記下層側樹脂絶縁層及び前記上層側樹脂絶縁層は、熱膨張係数が５０ｐｐｍ／℃以下であってかつ熱硬化性を有する同種の樹脂絶縁層からなること。
（７）手段１において、前記内層配線パターンの積層方向切断面における全ての角が鈍角であること。
（８）手段１において、前記内層配線パターンは、積層方向切断面が略五角形状または略六角形状であること。
（９）手段１において、前記内層配線パターンは、前記パターン上端が凸状湾曲面となっているカップケーキ状の積層方向切断面形状を有すること。
（１０）手段１、思想１乃至９のいずれか１項において、において、前記多層配線基板は、樹脂絶縁層と導体層とを交互に積層してなるビルドアップ層を有するビルドアップ多層配線基板であることを特徴とする多層配線基板。
（１１）手段１、思想１乃至１０のいずれか１項において、前記底面側にて接する樹脂絶縁層にはビアホール形成用孔が形成され、そのビアホール形成用孔内にはフィルドビア導体が形成され、前記底面側導体部分の高さが、前記ビアホール形成用孔の深さよりも小さくなるように設定されていることを特徴とする多層配線基板。
（１２）手段１、思想１乃至１１のいずれか１項において、前記多層配線基板はコア基板を有することを特徴とする多層配線基板。
（１３）手段１、思想１乃至１１のいずれか１項において、前記多層配線基板はコア基板を有しないことを特徴とする多層配線基板。
【符号の説明】
【００６２】
１６，１７…下層側樹脂絶縁層
２０…基板本体
２８，２８Ａ，２８Ｂ，２８Ｃ，２８Ｄ，２９…内層配線パターン
３０，３１…上層側樹脂絶縁層
３２ａ…基板主面
３３ａ…基板裏面
４３…（内層配線パターンの）上面
４４…（内層配線パターンの）底面
５１…パターン上端
５２…パターン下端
５３…仮想平面
５４…最大幅部位
Ｋ１…多層配線基板
Ｗ１…パターン上端の幅
Ｗ２…パターン下端の幅
Ｗ３…最大幅部位の幅
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の樹脂絶縁層を積層してなり基板主面及び基板裏面を有する基板本体と、前記基板本体の面方向に沿って延びる内層配線パターンと、前記内層配線パターンの底面側に接する下層側樹脂絶縁層と、前記下層側樹脂絶縁層に隣接しかつ前記内層配線パターンの上面側に接する上層側樹脂絶縁層とを備え、前記内層配線パターンが前記下層側樹脂絶縁層及び前記上層側樹脂絶縁層の両方に対して埋まっている多層配線基板において、
前記内層配線パターンの積層方向切断面における最大幅部位がパターン上端とパターン下端との間の位置に配置されていることを特徴とする多層配線基板。
【請求項２】
前記最大幅部位は、前記下層側樹脂絶縁層及び前記上層側樹脂絶縁層の境界で形成される仮想平面と同一の平面内に配置されていることを特徴とする請求項１に記載の多層配線基板。
【請求項３】
前記最大幅部位は、前記下層側樹脂絶縁層及び前記上層側樹脂絶縁層の境界で形成される仮想平面と、前記パターン上端との間の位置に配置されていることを特徴とする請求項１に記載の多層配線基板。
【請求項４】
前記内層配線パターンの積層方向切断面は、鋭角及び直角を有しない形状を有していることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の多層配線基板。
【請求項５】
前記内層配線パターンの積層方向切断面において、前記上層側樹脂絶縁層に対して埋まっている箇所の角が丸みを帯びていることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載の多層配線基板。
【請求項６】
前記内層配線パターンの積層方向切断面において、前記最大幅部位の幅と前記パターン上端の幅との比が、１０：１〜１０：９の範囲内であることを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項に記載の多層配線基板。
【請求項７】
前記内層配線パターンの積層方向切断面において、前記最大幅部位の幅と前記パターン下端の幅との比が、１０：５〜１０：９の範囲内であることを特徴とする請求項１乃至６のいずれか１項に記載の多層配線基板。
【請求項８】
請求項１乃至７のいずれか１項に記載の多層配線基板の製造方法であって、
前記下層側樹脂絶縁層に内層配線パターン形成用の溝を形成する溝形成工程と、
前記溝内に充填されるとともに、前記溝よりも上方に隆起してなる導電部を形成する導電部形成工程と、
前記導電部の余剰部分を除去して形状を調整し、前記内層配線パターンを形成する形状調整工程と、
前記下層側樹脂絶縁層上に前記上層側樹脂絶縁層を形成し、前記下層側樹脂絶縁層と前記上層側樹脂絶縁層との間に前記内層配線パターンを埋め込む埋設工程と
を含むことを特徴とする多層配線基板の製造方法。
【請求項１】
複数の樹脂絶縁層を積層してなり基板主面及び基板裏面を有する基板本体と、前記基板本体の面方向に沿って延びる内層配線パターンと、前記内層配線パターンの底面側に接する下層側樹脂絶縁層と、前記下層側樹脂絶縁層に隣接しかつ前記内層配線パターンの上面側に接する上層側樹脂絶縁層とを備え、前記内層配線パターンが前記下層側樹脂絶縁層及び前記上層側樹脂絶縁層の両方に対して埋まっている多層配線基板において、
前記内層配線パターンの積層方向切断面における最大幅部位がパターン上端とパターン下端との間の位置に配置されていることを特徴とする多層配線基板。
【請求項２】
前記最大幅部位は、前記下層側樹脂絶縁層及び前記上層側樹脂絶縁層の境界で形成される仮想平面と同一の平面内に配置されていることを特徴とする請求項１に記載の多層配線基板。
【請求項３】
前記最大幅部位は、前記下層側樹脂絶縁層及び前記上層側樹脂絶縁層の境界で形成される仮想平面と、前記パターン上端との間の位置に配置されていることを特徴とする請求項１に記載の多層配線基板。
【請求項４】
前記内層配線パターンの積層方向切断面は、鋭角及び直角を有しない形状を有していることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の多層配線基板。
【請求項５】
前記内層配線パターンの積層方向切断面において、前記上層側樹脂絶縁層に対して埋まっている箇所の角が丸みを帯びていることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載の多層配線基板。
【請求項６】
前記内層配線パターンの積層方向切断面において、前記最大幅部位の幅と前記パターン上端の幅との比が、１０：１〜１０：９の範囲内であることを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項に記載の多層配線基板。
【請求項７】
前記内層配線パターンの積層方向切断面において、前記最大幅部位の幅と前記パターン下端の幅との比が、１０：５〜１０：９の範囲内であることを特徴とする請求項１乃至６のいずれか１項に記載の多層配線基板。
【請求項８】
請求項１乃至７のいずれか１項に記載の多層配線基板の製造方法であって、
前記下層側樹脂絶縁層に内層配線パターン形成用の溝を形成する溝形成工程と、
前記溝内に充填されるとともに、前記溝よりも上方に隆起してなる導電部を形成する導電部形成工程と、
前記導電部の余剰部分を除去して形状を調整し、前記内層配線パターンを形成する形状調整工程と、
前記下層側樹脂絶縁層上に前記上層側樹脂絶縁層を形成し、前記下層側樹脂絶縁層と前記上層側樹脂絶縁層との間に前記内層配線パターンを埋め込む埋設工程と
を含むことを特徴とする多層配線基板の製造方法。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図１６】
【図１７】
【図１８】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図１６】
【図１７】
【図１８】
【公開番号】特開２０１３−６２２９２（Ｐ２０１３−６２２９２Ａ）
【公開日】平成２５年４月４日（２０１３．４．４）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１１−１９８１９２（Ｐ２０１１−１９８１９２）
【出願日】平成２３年９月１２日（２０１１．９．１２）
【出願人】（０００００４５４７）日本特殊陶業株式会社 (2,912)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２５年４月４日（２０１３．４．４）
【国際特許分類】
【出願日】平成２３年９月１２日（２０１１．９．１２）
【出願人】（０００００４５４７）日本特殊陶業株式会社 (2,912)
【Ｆターム（参考）】
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