配線基板及び配線基板の製造方法
【課題】反りを低減しつつも、微細配線を形成することができる配線基板を提供する。
【解決手段】配線基板１は、複数の配線層１１，２１，３１，４２，５１，６１と複数の絶縁層２０，３０，４０，５０，６０とが積層された構造を有している。積層される複数の絶縁層のうち少なくとも１つの絶縁層４０は、下層の配線層３１の配線パターン３１ｂを覆うように形成された補強材入りの絶縁層４０Ａと、その絶縁層４０Ａ上に積層され、絶縁層４０Ａよりも金属膜との密着性が高く、絶縁層４０Ａよりも薄い密着層４１Ａとを有している。また、積層される複数の配線層のうち少なくとも１つの配線層４２は、絶縁層４０Ａ及び密着層４１Ａを貫通して下層の配線層３１に接続されたビア配線４２ａと、密着層４１Ａ上に形成された配線パターン４２ｂを有している。
【解決手段】配線基板１は、複数の配線層１１，２１，３１，４２，５１，６１と複数の絶縁層２０，３０，４０，５０，６０とが積層された構造を有している。積層される複数の絶縁層のうち少なくとも１つの絶縁層４０は、下層の配線層３１の配線パターン３１ｂを覆うように形成された補強材入りの絶縁層４０Ａと、その絶縁層４０Ａ上に積層され、絶縁層４０Ａよりも金属膜との密着性が高く、絶縁層４０Ａよりも薄い密着層４１Ａとを有している。また、積層される複数の配線層のうち少なくとも１つの配線層４２は、絶縁層４０Ａ及び密着層４１Ａを貫通して下層の配線層３１に接続されたビア配線４２ａと、密着層４１Ａ上に形成された配線パターン４２ｂを有している。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、配線基板及び配線基板の製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来、搭載される半導体チップの高密度化が進み、配線基板の薄型化や、配線パターンの高密度化が要求されている。このような要求に応えるために、高い剛性を有し層間絶縁膜よりも厚いコア基板（支持部材）を除去した配線基板、いわゆるコアレス基板が提案されている。
【０００３】
コアレス基板の基本的なプロセスは、まず支持基板としての仮基板を用意し、この仮基板上にパッドとなる配線層を形成し、次いで所要の層数のビルドアップ配線層と絶縁層とを積層した後、最終的に仮基板を除去するものである。
【０００４】
近年では、この種のコアレス基板において、積層される絶縁層のうち任意の絶縁層を、補強材を入れて機械的強度を高めた絶縁層とすることにより、当該基板の反りを低減する技術が提案されている（例えば、特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００７−９６２６０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
ところが、上記補強材入りの絶縁層を有する配線基板では、補強材入りの絶縁層上に微細配線を形成することができないという問題がある。詳述すると、例えば補強材入りの絶縁層上にセミアディティブ法により配線パターンを形成する場合には、デスミア処理によって上記絶縁層の上面がエッチングされるため、上記絶縁層の上面の粗度が大きく（例えば、表面粗さＲａ値で８００〜１０００ｎｍ程度に）なる。このように上面（表面）が粗化されると、その上面に微細配線を高精度に形成することが困難となる。具体的には、上記デスミア処理後の補強材入りの絶縁層上には、Ｌ／Ｓ（ライン／スペース）＝１５μｍ／１５μｍ以下の微細配線を高精度に形成することが困難である。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の一観点によれば、配線層と絶縁層とが複数層積層されてなる配線基板において、前記積層される複数の絶縁層のうち少なくとも１つの絶縁層は、下層の配線層の上面及び側面を覆うように形成された補強材入り絶縁層と、前記補強材入り絶縁層上に積層され、前記補強材入り絶縁層よりも金属膜との密着性が高く、前記補強材入り絶縁層よりも薄い密着層とを有し、前記積層される複数の配線層のうち少なくとも１つの配線層は、前記密着層上に積層されるとともに、前記下層の配線層とビア配線により接続されている。
【発明の効果】
【０００８】
本発明の一観点によれば、反りを低減しつつも、微細配線を形成することができるという効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】第１実施形態の配線基板を示す概略断面図。
【図２】第１実施形態の半導体パッケージを示す概略断面図。
【図３】（ａ）〜（ｅ）は、第１実施形態の配線基板の製造方法を示す概略断面図。
【図４】（ａ）〜（ｃ）は、第１実施形態の配線基板の製造方法を示す概略断面図。
【図５】（ａ）〜（ｃ）は、第１実施形態の配線基板の製造方法を示す概略断面図。
【図６】（ａ）〜（ｃ）は、第１実施形態の配線基板の製造方法を示す概略断面図。
【図７】（ａ）、（ｂ）は、第１実施形態の配線基板の製造方法を示す概略断面図。
【図８】（ａ）は、第１実施形態の配線基板の製造方法を示す概略断面図、（ｂ）は第１実施形態の半導体パッケージの製造方法を示す概略断面図。
【図９】（ａ）、（ｂ）は、は第１実施形態の半導体パッケージの製造方法を示す概略断面図。
【図１０】（ａ）、（ｂ）は、第１実施形態の変形例の配線基板を示す概略断面図。
【図１１】第１実施形態の変形例の配線基板を示す概略断面図。
【図１２】（ａ）は、実施例１の配線基板を示す概略断面図、（ｂ）は、シミュレーション条件を示すテーブル、（ｃ）は、反りの測定方法を示す説明図。
【図１３】（ａ）〜（ｆ）は、実施例２，３及び比較例１〜４の配線基板を示す概略断面図。
【図１４】第２実施形態の配線基板を示す概略断面図。
【図１５】（ａ）〜（ｃ）は、第２実施形態の配線基板の製造方法を示す概略断面図。
【図１６】（ａ）〜（ｃ）は、第２実施形態の配線基板の製造方法を示す概略断面図。
【図１７】第２実施形態の変形例の配線基板を示す概略断面図。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
以下、添付図面を参照して各実施形態を説明する。尚、添付図面は、構造の概略を説明するためのものであり、実際の大きさを表していない。
（第１実施形態）
以下、第１実施形態を図１〜図９に従って説明する。
【００１１】
（第１実施形態に係る配線基板の構造）
まず、配線基板１の構造について説明する。
図１に示すように、配線基板１は、第１配線層１１と、第１絶縁層２０と、第２配線層２１と、第２絶縁層３０と、第３配線層３１と、第３絶縁層４０と、第４配線層４２と、第４絶縁層５０と、第５配線層５１と、第５絶縁層６０と、第６配線層６１とが順次積層された構造を有している。このように、本実施形態の配線基板１は、一般的なビルドアップ法を用いて作製される配線基板（支持基材としてのコア基板の両面又は片面に所要数のビルドアップ層を順次形成して積層したもの）とは異なり、支持基材を含まない「コアレス基板」の形態を有している。
【００１２】
なお、第２〜第６配線層２１，３１，４２，５１，６１の材料としては、例えば銅や銅合金などの金属を用いることができる。
配線基板１において、第１配線層１１は、図１では最下層に形成されている。この第１配線層１１は、第１導電層１２と第２導電層１３とを有している。第１導電層１２としては、例えば金（Ａｕ）膜、パラジウム（Ｐｄ）膜、ニッケル（Ｎｉ）膜を、Ａｕ膜が配線基板１の外部に露出するように、この順番で順次積層した導電層を用いることができる。また、第２導電層１３としては、例えば銅（Ｃｕ）層等を含む導電層を用いることができる。
【００１３】
第１配線層１１の一部、つまり第１導電層１２の第１主面１２Ａ（図中の下面）は第１絶縁層２０から露出しており、半導体チップ７０（図２参照）等と電気的に接続される電極パッド１１Ｐとして機能する。すなわち、本実施形態では、電極パッド１１Ｐが形成されている面がチップ搭載面となっている。第１絶縁層２０から露出する第１配線層１１の平面形状は例えば円形であり、その直径は例えば４０〜１２０μｍ程度とすることができる。第１絶縁層２０から露出する第１配線層１１のピッチは、例えば１００〜２００μｍ程度とすることができる。第１配線層１１の厚さは、例えば１０〜２０μｍ程度とすることができる。
【００１４】
第１絶縁層２０は、第１配線層１１の第２主面（図中の上面）及び側面を覆い、第１配線層１１の第１主面１２Ａを露出するように形成されている。第１絶縁層２０の材料としては、熱硬化性を有するエポキシ系の絶縁性樹脂を用いることができる。なお、絶縁性樹脂としては、熱硬化性を有する樹脂に限定されず、感光性を有する絶縁性樹脂を用いることができる。第１絶縁層２０の厚さは、例えば１５〜３５μｍ程度とすることができる。
【００１５】
第２配線層２１は、第１絶縁層２０上に形成されている。第２配線層２１は、第１絶縁層２０を貫通して第１配線層１１の上面を露出するビアホールＶＨ１内に充填されたビア配線２１ａと、第１絶縁層２０上に形成された配線パターン２１ｂを有している。ビア配線２１ａは、（ビアホールＶＨ１の底部に露出した）第１配線層１１と電気的に接続されている。なお、ビアホールＶＨ１及びそのビアホールＶＨ１に形成されるビア配線２１ａは、図１において下側（電極パッド１１Ｐ（チップ搭載面）側）から上側（第６配線層６１側）に向かうにつれて径が大きくなるテーパ状に形成されている。第２配線層２１の配線パターン２１ｂの厚さは、例えば２０〜３５μｍ程度とすることができる。
【００１６】
第２絶縁層３０は、第１絶縁層２０上に、第２配線層２１を覆うように形成されている。第２絶縁層３０の材料としては、例えば第１絶縁層２０と同一組成の絶縁性樹脂を用いることができる。第２絶縁層３０の厚さは、例えば１５〜３５μｍ程度とすることができる。
【００１７】
第３配線層３１は、第２絶縁層３０上に形成されている。第３配線層３１は、第２絶縁層３０を貫通して第２配線層２１の上面を露出するビアホールＶＨ２内に充填されたビア配線３１ａと、第２絶縁層３０上に形成された配線パターン３１ｂを有している。ビア配線３１ａは、ビアホールＶＨ２の底部に露出した第２配線層２１と電気的に接続されている。なお、ビアホールＶＨ２及びビア配線３１ａは、図１において下側から上側に向かうに連れて径が大きくなるテーパ状に形成されている。第３配線層３１の配線パターン３１ｂの厚さは、例えば２０〜３５μｍ程度とすることができる。
【００１８】
第３絶縁層４０は、絶縁層４０Ａと密着層４１Ａを有している。絶縁層４０Ａは、第２絶縁層３０上に、第３配線層３１（具体的には、配線パターン３１ｂ）の上面及び側面を覆うように形成されている。絶縁層４０Ａは、補強材入りの絶縁層であって、その他の絶縁層２０，３０，５０，６０よりも機械的強度（剛性や硬度等）が高い絶縁層である。この絶縁層４０Ａの材料としては、例えば熱硬化性樹脂に対し、補強材を入れた絶縁性樹脂を用いることができる。具体的には、絶縁層４０Ａの材料としては、ガラス、アラミド、ＬＣＰ（Liquid Crystal Polymer）繊維の織布や不織布に、エポキシ系やポリイミド系の熱硬化性樹脂を含浸させた補強材入りの絶縁性樹脂を用いることができる。また、絶縁層４０Ａの材料としては、当該絶縁層４０Ａのガラス転移温度Ｔｇがその他の絶縁層２０，３０，５０，６０のガラス転移温度Ｔｇ（例えば１５０℃程度）よりも高い温度（例えば２００〜２５０℃程度）になるように調整された絶縁性樹脂であることが好ましい。さらに、絶縁層４０Ａの材料としては、当該絶縁層４０Ａの熱膨張係数が第３及び第４配線層３１，４２等の材料である銅の熱膨張係数（例えば１７ｐｐｍ／℃程度）に近づくように調整された絶縁性樹脂であることがより好ましい。なお、絶縁層４０Ａの厚さは、例えば３０〜６０μｍ程度とすることができる。この絶縁層４０Ａは、機械的強度を高める観点から、補強材の入っていない他の絶縁層２０，３０，５０，６０よりも厚く形成することが好適である。
【００１９】
密着層４１Ａは、上記絶縁層４０Ａ上に、その絶縁層４０Ａの上面を覆うように形成されている。密着層４１Ａは、絶縁層４０Ａよりも金属膜（例えば、無電解めっき）との密着性が高い絶縁層であって、且つ絶縁層４０Ａよりも薄い絶縁層である。密着層４１Ａの厚さは、その密着層４１Ａ上に形成される第４配線層４２の配線パターン４２ｂよりも薄く形成することができる。すなわち、密着層４１Ａは、下層の第３配線層３１を被覆する上記絶縁層４０Ａ上に形成され、その絶縁層４０Ａやその他の絶縁層２０等のように、配線層を被覆して、積層された配線層同士の絶縁を確保する必要がないため、密着層４１Ａを配線パターン４２ｂよりも薄く形成することができる。このため、密着層４１Ａの厚さは、配線基板１の薄型化の観点から、配線パターン４２ｂよりも薄く設定することが好ましい。さらに言えば、密着層４１Ａの厚さは、配線基板１の反り低減の観点から、絶縁層４０Ａよりも十分に薄く設定することが好ましい。具体的には、密着層４１Ａの厚さは、絶縁層４０Ａの厚さの１７％以下が好ましく、絶縁層４０Ａの厚さの１０％以下がより好ましい。例えば密着層４１Ａの厚さは０．５〜５μｍ程度とすることができる。
【００２０】
密着層４１Ａの材料としては、例えばエポキシ系樹脂を主成分とする熱硬化性樹脂と、無機フィラーとを含有する絶縁性樹脂を用いることができる。具体的には、密着層４１Ａの材料としては、当該密着層４１Ａ上に無電解めっきを形成した際のピール強度が、少なくとも、絶縁層４０Ａ上に無電解めっきを形成した際のピール強度（例えば１００〜２００Ｎ／ｍ）よりも高くなるように組成（例えばエポキシ樹脂及び無機フィラーの含有量）が調整された絶縁性樹脂であることが好ましい。ここで、ピール強度とは、導体パターン（無電解めっき）と絶縁層との接着力を示す値（引き剥がし強度）のことである。このピール強度は、絶縁層から導体パターンを引き剥がすように垂直に引っ張ったときに、幅１ｍの導体パターンを絶縁層から引き剥がすために必要な力（Ｎ／ｍ）で表され、この値が大きいほど、導体パターンと絶縁層との密着強度が高いことを示している。さらに、密着層４１Ａの材料としては、当該密着層４１Ａ上に無電解めっきを形成した際のピール強度が、第１絶縁層２０上に無電解めっきを形成した際のピール強度（例えば６００〜７００Ｎ／ｍ）よりも高い８５０Ｎ／ｍ以上になるように調整された絶縁性樹脂であることがより好ましい。また、密着層４１Ａの材料としては、上記絶縁層４０Ａよりも耐薬品性（例えば、耐デスミア性）に優れた絶縁性樹脂であることが好ましい。すなわち、密着層４１Ａの材料としては、デスミア処理液によってエッチングされにくい絶縁性樹脂であることが好ましい。また、密着層４１Ａの材料としては、当該密着層４１Ａのガラス転移温度Ｔｇが１５０℃以上となるように調整された絶縁性樹脂であることが好ましい。以上のような特性を実現するための密着層４１Ａの具体的な材料としては、例えばエポキシ樹脂を３０ｖｏｌ％以上含有し、無機フィラーを比較的少量（例えば１ｖｏｌ％以上５０ｖｏｌ％以下）含有した絶縁性樹脂であることが好ましい。また、密着層４１Ａの材料の具体的な材料としては、エポキシ樹脂を３０ｖｏｌ％以上６５ｖｏｌ％以下含有し、無機フィラーを１ｖｏｌ％以上３０ｖｏｌ％以下含有した絶縁性樹脂であることがより好ましい。なお、密着層４１Ａは、上述のように無機フィラーの含有量が比較的少量であるため、熱膨張係数が４０〜１００ｐｐｍ／℃程度と比較的高い値になる。
【００２１】
さらに、密着層４１Ａは、絶縁層４０Ａよりも表面が平滑な絶縁層である。すなわち、密着層４１Ａの上面（絶縁層４０Ａと接する面とは反対側の面）は、凹凸が少ない平滑面（低粗度面）である。具体的には、密着層４１Ａの上面は、高低差の低い微細な凹凸が形成された低粗度面である。より具体的には、密着層４１Ａの上面の粗度は、表面粗さＲａ値で５０〜３５０ｎｍとなるように設定されている。ここで、表面粗さＲａ値とは、表面粗さを表わす数値の一種であり、算術平均粗さと呼ばれるものであって、具体的には測定領域内で変化する高さの絶対値を平均ラインである表面から測定して算術平均したものである。
【００２２】
第４配線層４２は、密着層４１Ａ上に形成されている。第４配線層４２は、第３絶縁層４０（絶縁層４０Ａ及び密着層４１Ａ）を貫通して第３配線層３１の上面を露出するビアホールＶＨ３内に充填されたビア配線４２ａと、密着層４１Ａ上に形成された配線パターン４２ｂを有している。ビア配線４２ａは、ビアホールＶＨ３の底部に露出した第３配線層３１と電気的に接続されている。なお、ビアホールＶＨ３及びビア配線４２ａは、図１において下側から上側に向かうに連れて径が大きくなるテーパ状に形成されている。第４配線層４２の配線パターン４２ｂの厚さは、例えば２０〜３５μｍ程度とすることができる。
【００２３】
第４絶縁層５０は、密着層４１Ａ上に、第４配線層４２を覆うように形成されている。第４絶縁層５０の材料としては、例えば第１絶縁層２０と同一組成の絶縁性樹脂を用いることができる。第４絶縁層５０の厚さは、例えば１５〜３５μｍ程度とすることができる。
【００２４】
第５配線層５１は、第４絶縁層５０上に形成されている。第５配線層５１は、第４絶縁層５０を貫通して第４配線層４２の上面を露出するビアホールＶＨ４内に充填されたビア配線５１ａと、第４絶縁層５０上に形成された配線パターン５１ｂを有している。ビア配線５１ａは、ビアホールＶＨ４の底部に露出した第４配線層４２と電気的に接続されている。なお、ビアホールＶＨ４及びビア配線５１ａは、図１において下側から上側に向かうに連れて径が大きくなるテーパ状に形成されている。第５配線層５１の配線パターン５１ｂの厚さは、例えば２０〜３５μｍ程度とすることができる。
【００２５】
第５絶縁層６０は、第４絶縁層５０上に、第５配線層５１を覆うように形成されている。第５絶縁層６０の材料としては、例えば第１絶縁層２０と同一組成の絶縁性樹脂を用いることができる。第５絶縁層６０の厚さは、例えば１５〜３５μｍ程度とすることができる。
【００２６】
第６配線層６１は、第５絶縁層６０上に形成された最上層（最外層）の配線層である。第６配線層６１は、第５絶縁層６０を貫通して第５配線層５１の上面を露出するビアホールＶＨ５内に充填されたビア配線６１ａと、第５絶縁層６０上に形成された配線パターン６１ｂを有している。ビア配線６１ａは、ビアホールＶＨ５の底部に露出した第５配線層５１と電気的に接続されている。なお、ビアホールＶＨ５及びビア配線６１ａは、図１において下側から上側に向かうに連れて径が大きくなるテーパ状に形成されている。第６配線層６１の配線パターン６１ｂの厚さは、例えば２０〜３５μｍ程度とすることができる。
【００２７】
上記電極パッド１１Ｐが形成されている面と反対側（図１では上側）の最外層の第５絶縁層６０には、ソルダレジスト層６２が積層されている。ソルダレジスト層６２の材料としては、例えばエポキシ系の絶縁性樹脂を用いることができる。ソルダレジスト層６２の厚さは、例えば１５〜３５μｍ程度とすることができる。
【００２８】
ソルダレジスト層６２には、第６配線層６１の配線パターン６１ｂの一部を外部接続用パッド６１Ｐとして露出させるための開口部６２Ｘが形成されている。この外部接続用パッド６１Ｐには、配線基板１をマザーボード等に実装する際に使用されるはんだボールやリードピン等の外部接続端子が接続されるようになっている。すなわち、本実施形態では、外部接続用パッド６１Ｐの形成されている面が外部接続端子面となっている。なお、必要に応じて、上記開口部６２Ｘから露出する配線パターン６１ｂ上に金属層を形成し、その金属層に上記外部接続端子を接続するようにしてもよい。金属層の例としては、Ａｕ層や、Ｎｉ／Ａｕ層（Ｎｉ層とＡｕ層をこの順番で積層した金属層）や、Ｎｉ／Ｐｄ／Ａｕ層（Ｎｉ層とＰｄ層とＡｕ層をこの順番で積層した金属層）などを挙げることができる。また、上記開口部６２Ｘから露出する配線パターン６１ｂ（又は、配線パターン６１ｂ上に金属層が形成されている場合には、その金属層）自体を、外部接続端子としてもよい。
【００２９】
上記ソルダレジスト層６２の開口部６２Ｘ（外部接続用パッド６１Ｐ）の平面形状は例えば円形であり、その直径は例えば２００〜１０００μｍ程度とすることができる。外部接続用パッド６１Ｐのピッチは、例えば５００〜１２００μｍ程度とすることができる。
【００３０】
（第１実施形態に係る半導体パッケージの構造）
次に、上記配線基板１を用いた半導体パッケージ２の構造を図２に従って説明する。なお、図２において、配線基板１は図１とは上下を反転して描かれている。
【００３１】
図２に示すように、半導体パッケージ２は、配線基板１と、その配線基板１にフリップチップ接合される半導体チップ７０と、アンダーフィル樹脂７２とを有している。配線基板１の電極パッド１１Ｐには、はんだ１４が形成されている。このはんだ１４としては、例えば共晶はんだや鉛（Ｐｂ）フリーはんだ（Ｓｎ−Ａｇ系、Ｓｎ−Ｃｕ系、Ｓｎ−Ａｇ−Ｃｕ系など）を用いることができる。
【００３２】
半導体チップ７０は、その回路形成面（図２では、下面）に、複数のバンプ７１が形成されている。この半導体チップ７０は、バンプ７１及びはんだ１４を介して、配線基板１の電極パッド１１Ｐと電気的に接続されている。
【００３３】
アンダーフィル樹脂７２は、配線基板１と半導体チップ７０との隙間を充填するように設けられている。このアンダーフィル樹脂７２は、バンプ７１と電極パッド１１Ｐとの接続部分の接続強度を向上させると共に、電極パッド１１Ｐの腐食やエレクトロマイグレーションの発生を抑制し、電極パッド１１Ｐの信頼性の低下を防ぐための樹脂である。このアンダーフィル樹脂７２の材料としては、例えばエポキシ系の絶縁性樹脂を用いることができる。
【００３４】
（作用）
配線基板１では、補強材を入れることにより絶縁層２０，３０，５０，６０より機械的強度を高めた絶縁層４０Ａが、積層形成された配線基板１の積層方向の中心付近に位置するように設けられている。これにより、補強材入りの絶縁層４０Ａを中心としてその下部に配設される絶縁層２０，３０及び配線層１１，２１，３１と、上部に配設される絶縁層５０，６０及び配線層４２，５１，６１とが略対称に配置されることになる。したがって、配線基板１の絶縁層４０Ａを中心とした上下のバランスが良好となり、配線基板１に反りが発生するのを抑制することができる。
【００３５】
さらに、配線基板１では、補強材入りの絶縁層４０Ａ上に密着層４１Ａを積層し、その密着層４１Ａ上に配線パターン４２ｂを形成するようにした。ここで、密着層４１Ａは、その上面（配線パターン４２ｂが形成される面）が低粗度面であって、且つ、金属膜（無電解めっき）との密着性が絶縁層４０Ａよりも高い絶縁層である。このため、このような密着層４１Ａの低粗度面に形成される配線パターン４２ｂを微細化させることが可能となる。
【００３６】
（第１実施形態に係る配線基板の製造方法）
次に、上記配線基板１の製造方法を説明する。
まず、配線基板１を製造するためには、図３（ａ）に示すように、支持基板８０を用意する。この支持基板８０としては、例えば金属板や金属箔を用いることができ、本実施形態では、例えば銅箔を用いる。この支持基板８０の厚さは、例えば３５〜１００μｍである。
【００３７】
次に、図３（ｂ）に示す工程では、支持基板８０の一方の面（図中の上面）に、開口部８１Ｘを有するレジスト層８１を形成する。開口部８１Ｘは、上記第１配線層１１（図１参照）の形成領域に対応する部分の支持基板８０の上面を露出するように形成される。レジスト層８１の材料としては、感光性のドライフィルム又は液状のフォトレジスト（例えばノボラック系樹脂やエポキシ系樹脂等の液状レジスト）等を用いることができる。例えば感光性のドライフィルムを用いる場合には、支持基板８０の上面にドライフィルムを熱圧着によりラミネートし、そのドライフィルムを露光・現像によりパターニングして、第１配線層１１の形成領域に対応する所定パターンの開口部８１Ｘを持つレジスト層８１を形成する。なお、液状のフォトレジストを用いる場合にも、同様の工程を経て、レジスト層８１を形成することができる。
【００３８】
続いて、図３（ｃ）に示す工程では、上記レジスト層８１をめっきマスクとして、支持基板８０の上面に、支持基板８０をめっき給電層に利用する電解めっきを施す。具体的には、レジスト層８１の開口部８１Ｘから露出された支持基板８０の上面に電解めっき法を施すことにより、開口部８１Ｘ内に第１導電層１２と第２導電層１３とを順に積層して第１配線層１１を形成する。例えば第１導電層１２がＡｕ膜、Ｐｄ膜、Ｎｉ膜をこの順番で順次積層した構造であり、第２導電層１３がＣｕ層である場合には、まず、支持基板８０をめっき給電層に利用する電解めっき法により、Ａｕ膜、Ｐｄ膜、Ｎｉ膜を順に積層して第１導電層１２を形成する。次いで、支持基板８０をめっき給電層に利用する電解めっき法により、第１導電層１２上にＣｕ層を形成して第２導電層１３を形成する。
【００３９】
次に、図３（ｄ）に示す工程（絶縁層形成工程）では、図３（ｃ）に示したレジスト層８１を除去した後、支持基板８０の上面に、第１配線層１１を覆うように第１絶縁層２０を形成する。なお、第１絶縁層２０は、例えば支持基板８０に樹脂フィルムをラミネートした後に、樹脂フィルムを押圧しながら１３０〜１５０℃程度の温度で熱処理して硬化させることにより形成することができる。
【００４０】
続いて、図３（ｅ）に示す工程では、第１配線層１１の上面が露出されるように、第１絶縁層２０の所定箇所にビアホールＶＨ１を形成する。このビアホールＶＨ１は、例えば炭酸ガスレーザやＵＶ−ＹＡＧレーザ等によるレーザ加工法によって形成することができる。なお、第１絶縁層２０が感光性樹脂を用いて形成されている場合には、例えばフォトリソグラフィ法により所要のビアホールＶＨ１を形成するようにしてもよい。
【００４１】
次いで、ビアホールＶＨ１をレーザ加工法によって形成した場合には、デスミア処理を行って、ビアホールＶＨ１の底部に露出する第１配線層１１の上面に付着した第１絶縁層２０の樹脂残渣（樹脂スミア）を除去する。
【００４２】
その後、図４（ａ）に示す工程（配線層形成工程）では、第１絶縁層２０のビアホールＶＨ１にビア導体を充填してビア配線２１ａを形成するとともに、そのビア配線２１ａを介して第１配線層１１に電気的に接続される配線パターン２１ｂを第１絶縁層２０上に形成する。これらビア配線２１ａ及び配線パターン２１ｂ、つまり第２配線層２１は、例えばセミアディティブ法やサブトラクティブ法などの各種の配線形成方法を用いて形成することができる。
【００４３】
次に、図４（ｂ）に示す工程では、図３（ｄ）〜図４（ａ）に示した工程を繰り返すことにより、第２絶縁層３０と第３配線層３１とを積層する。すなわち、図４（ｂ）に示すように、第１絶縁層２０及び第２配線層２１上に第２絶縁層３０を形成し、この第２絶縁層３０に、配線パターン２１ｂの上面に達するビアホールＶＨ２を形成する。その後、上記ビアホールＶＨ２にビア配線３１ａを形成するとともに、そのビア配線３１ａに電気的に接続される配線パターン３１ｂを形成する。
【００４４】
続いて、図４（ｃ）に示す工程では、絶縁層４０Ａ（図１参照）となる絶縁層４０Ｂ、つまりガラス、アラミド、ＬＣＰ（Liquid Crystal Polymer）繊維の織布や不織布に未硬化の熱硬化性樹脂を含浸させた補強材入りの絶縁層４０Ｂを用意する。この絶縁層４０Ｂは、Ｂ−ステージ（半硬化状態）のものが使用される。絶縁層４０Ｂの厚さは、例えば３０〜８０μｍとすることができる。
【００４５】
また、図４（ｃ）に示す工程では、キャリア８２に密着層４１Ａ（図１参照）となる絶縁層４１Ｂが接着された構造体８２Ａを用意する。絶縁層４１Ｂの材料としては、未硬化のエポキシ樹脂が３０ｖｏｌ％以上含有され、無機フィラーが１〜５０ｖｏｌ％の範囲で含有された絶縁性樹脂を用いることができる。絶縁層４１Ｂは、半硬化状態のものが使用される。絶縁層４１Ｂの厚さは、例えば１〜６μｍ程度とすることができる。また、絶縁層４１Ｂを搬送するためのキャリア８２としては、例えば銅箔を用いることができる。このキャリア８２の厚さは、例えば２〜１８μｍ程度とすることができる。
【００４６】
また、図４（ｃ）に示す工程（第１工程）では、図４（ｂ）に示した構造体の上面側に下から順に上記絶縁層４０Ｂと上記構造体８２Ａを配置する。このとき、構造体８２Ａは、絶縁層４１Ｂが絶縁層４０Ｂと対向するように絶縁層４１Ｂを下側に向けた状態で配置される。そして、図４（ｂ）に示した構造体、絶縁層４０Ｂ及び構造体８２Ａを両面側から真空雰囲気で１９０〜２５０℃程度の温度で加熱・加圧する。これにより、図５（ａ）に示すように、絶縁層４０Ｂ，４１Ｂが硬化して、第２絶縁層３０及び第３配線層３１上に絶縁層４０Ａ及び密着層４１Ａが形成される。また、上記絶縁層４０Ｂ，４１Ｂの硬化に伴って、第２絶縁層３０及び第３配線層３１と絶縁層４０Ａとが接着されるとともに、絶縁層４０Ａと密着層４１Ａとが接着される。これにより、第２絶縁層３０及び第３配線層３１上に、絶縁層４０Ａと密着層４１Ａとが順に積層された第３絶縁層４０が形成されたことになる。なお、例えば積層前の絶縁層４０Ｂの厚さが６０μｍ、配線パターン３１ｂの厚さが３５μｍである場合には、積層後の絶縁層４０Ａの厚さは４０μｍ程度となる。
【００４７】
続いて、図５（ｂ）に示す工程では、図５（ａ）に示したキャリア８２（銅箔）を密着層４１Ａに対して選択的に除去する。例えば塩化第二鉄水溶液、塩化第二銅水溶液又は過硫酸アンモニウム水溶液などを用いたウェットエッチングにより、密着層４１Ａに対してキャリア８２（銅箔）を選択的に除去することができる。
【００４８】
次に、図５（ｃ）に示す工程では、第３配線層３１の配線パターン３１ｂの上面が露出されるように、絶縁層４０Ａ及び密着層４１Ａの所定箇所にビアホールＶＨ３を形成する。このビアホールＶＨ３は、例えば炭酸ガスレーザやＵＶ−ＹＡＧレーザ等によるレーザ加工法によって形成することができる。なお、レーザ加工法により形成したビアホールＶＨ３は、第４絶縁層５０（図１参照）が形成される側に開口されるとともに、第３配線層３１の上面によって底面が形成された、開口部の面積が底面の面積よりも大きくなる円錐台状の凹部となる。
【００４９】
次いで、ビアホールＶＨ３をレーザ加工法によって形成した場合には、デスミア処理を行って、ビアホールＶＨ３の底部に露出する第３配線層３１の上面に付着した絶縁層４０Ａ及び密着層４１Ａの樹脂残渣を除去する。このデスミア処理は、例えば過マンガン酸塩法などを用いて行うことができる。このデスミア処理では、デスミア液（エッチング液）が密着層４１Ａの表面にも供給されるため、そのデスミア液によって密着層４１Ａの表面がエッチングされ、その密着層４１Ａの表面が粗面化される。但し、このとき、密着層４１Ａは、絶縁層４０Ａと比べて、熱硬化性樹脂（密着層４１Ａではエポキシ系樹脂）の含有量が３０ｖｏｌ％以上と高く、無機フィラーの含有量が１〜５０ｖｏｌ％と比較的少量であるため、デスミア処理の影響を受けにくい、つまり耐デスミア性に優れている。このため、この密着層４１Ａは、デスミア液によってエッチングされにくく、デスミア処理後もその表面が低粗度に維持される。具体的には、デスミア処理後の密着層４１Ａの表面の粗度は、表面粗さＲａ値で５０〜３５０ｎｍ程度と低い値に維持される。換言すると、デスミア処理を行っても表面粗さＲａ値で５０〜３５０ｎｍ程度と低い値に維持することの可能な耐デスミア性が得られるように、密着層４１Ａの組成（例えば、エポキシ系樹脂及び無機フィラーの含有量）が調整されている。
【００５０】
次に、図６（ａ）に示す工程では、ビアホールＶＨ３の底部に露出した配線パターン３１ｂの上面、ビアホールＶＨ３の内壁面及び密着層４１Ａの上面に銅等のシード層８３を形成する。このシード層８３は、例えば無電解銅めっき法やスパッタ法によって形成される。このとき、密着層４１Ａではシード層８３（例えば無電解銅めっき）との密着性を低下させる要因となる無機フィラーの含有量が比較的少量であるため、密着層４１Ａに対してシード層８３が良好に密着される。具体的には、密着層４１Ａでは無機フィラーの含有量が補強材の入っていない層間絶縁層（第１絶縁層２０等）における無機フィラーの含有量と同等もしくはその含有量よりも少量になっている。このため、密着層４１Ａとシード層８３との密着強度は、第１絶縁層２０とシード層との密着強度と同等もしくはその密着強度よりも高くなる。さらに、上述したように密着層４１Ａの上面の粗度が低いため、この密着層４１Ａ上に形成される第４配線層４２のファインライン化を実現することができる。
【００５１】
続いて、図６（ｂ）に示す工程では、第４配線層４２のパターンに対応した開口部８４Ｘを有するドライフィルムレジスト（ＤＦＲ）等によりレジスト層８４をシード層８３上に形成する。このレジスト層８４は、例えばフォトリソグラフィ法によって形成される。
【００５２】
次いで、図６（ｃ）に示す工程では、シード層８３を給電層とする電解めっき法により、ビアホールＶＨ３を含むレジスト層８４の開口部８４Ｘに銅などの金属めっき層４２Ｃを充填して形成する。ビアホールＶＨ３内では、シード層８３から内側にめっきが施されてビアホールＶＨ３内にビア導体４２Ｄが充填される。これにより、シード層８３及びビア導体４２Ｄによって構成されるビア配線４２ａが形成されるとともに、シード層８３及び金属めっき層４２Ｃによって構成される配線パターン４２ｂが形成される。このとき、上述したように低粗度面の密着層４１Ａ上に配線パターン４２ｂが形成されるため、配線パターン４２ｂのファインライン化を実現することができる。
【００５３】
次に、図７（ａ）に示す工程では、図６（ｃ）に示したレジスト層８４を除去した後に、上記金属めっき層４２Ｃ及びビア導体４２Ｄをマスクにして、不要なシード層８３をエッチングにより除去する。以上の図６（ａ）〜図７（ａ）に示した工程（第２工程）によって、絶縁層４０Ａ及び密着層４１Ａ上にビア配線４２ａ及び配線パターン４２ｂを有する第４配線層４２が形成される。すなわち、第４配線層４２はセミアディティブ法によって形成される。
【００５４】
次に、図７（ｂ）に示す工程では、図３（ｄ）〜図４（ａ）に示した工程を再度繰り返すことにより、絶縁層と配線層とを交互に積層する。すなわち、図７（ｂ）に示すように、
密着層４１Ａ及び第４配線層４２上に第４絶縁層５０を形成し、この第４絶縁層５０に、第４配線層４２の上面に達するビアホールＶＨ４を形成する。その後、上記ビアホールＶＨ４にビア配線５１ａを形成するとともに、そのビア配線５１ａに電気的に接続される配線パターン５１ｂを形成し、第５配線層５１を設ける。次に、第４絶縁層５０及び第５配線層５１上に第５絶縁層６０を形成し、この第５絶縁層６０に、配線パターン５１ｂの上面に達するビアホールＶＨ５を形成する。その後、上記ビアホールＶＨ５にビア配線６１ａを形成するとともに、そのビア配線６１ａに電気的に接続される配線パターン６１ｂを形成し、第６配線層６１を設ける。
【００５５】
次に、図７（ｂ）に示す工程では、第６配線層６１の所要の箇所に画定される外部接続用パッド６１Ｐを露出させるための開口部６２Ｘを有するソルダレジスト層６２を第５絶縁層６０及び第６配線層６１上に形成する。このソルダレジスト層６２は、例えば感光性のソルダレジストフィルムをラミネートし、又は液状のソルダレジストを塗布し、当該レジストを所要の形状にパターニングすることにより形成することができる。これにより、ソルダレジスト層６２の開口部６２Ｘから第６配線層６１の一部が外部接続用パッド６１Ｐとして露出される。なお、必要に応じて、外部接続用パッド６１Ｐ上に、例えばＮｉ層とＡｕ層をこの順番で積層した金属層を形成するようにしてもよい。この金属層は、例えば無電解めっき法により形成することができる。
【００５６】
次いで、図８（ａ）に示す工程では、仮基板として用いた支持基板８０（図７（ｂ）参照）を除去する。例えば支持基板８０として銅箔を用いる場合には、塩化第二鉄水溶液、塩化第二銅水溶液、過硫酸アンモニウム水溶液等を用いたウェットエッチングにより、支持基板８０の除去を行うことができる。この際、第１絶縁層２０から露出する第１配線層１１の最表層はＡｕ膜等であるため、銅箔である支持基板８０のみを選択的にエッチングすることができる。但し、第６配線層６１が銅層である場合には、開口部６２Ｘの底部に露出する第６配線層６１が支持基板８０とともにエッチングされることを防止するため、第６配線層６１をマスクして上記ウェットエッチングを行う必要がある。
【００５７】
以上の製造工程により、本実施形態の配線基板１を製造することができる。
（第１実施形態に係る半導体パッケージの製造方法）
次に、上述のように製造された配線基板１を用いた半導体パッケージ２の製造方法を説明する。
【００５８】
まず、図８（ｂ）に示す工程では、配線基板１の電極パッド１１Ｐにはんだ１４を形成する。このはんだ１４は、例えばはんだペーストの塗布やはんだボールの搭載により形成することができる。続いて、図９（ａ）に示す工程では、端子にバンプ７１を形成した半導体チップ７０を、電極パッド１１Ｐ上に位置決めし、はんだ１４とバンプ７１を溶融させ、半導体チップ７０と電極パッド１１Ｐとを電気的に接続する（フリップチップ接合）。そして、図９（ｂ）に示す工程では、半導体チップ７０と配線基板１の第１絶縁層２０との間に、液状のアンダーフィル樹脂７２を充填し、硬化する。以上の製造工程により、本実施形態の半導体パッケージ２を製造することができる。
【００５９】
以上説明した本実施形態によれば、以下の効果を奏することができる。
（１）配線基板１では、補強材入りの絶縁層４０Ａ上に密着層４１Ａを積層し、その密着層４１Ａ上に配線パターン４２ｂを形成するようにした。ここで、密着層４１Ａは、その上面（配線パターン４２ｂが形成される面）が低粗度面であって、且つ、金属膜（無電解めっき）との密着性が絶縁層４０Ａよりも高い絶縁層である。このため、このような密着層４１Ａの低粗度面に形成される配線パターン４２ｂを微細化させることが可能となる。具体的には、配線パターン４２ｂをＬ／Ｓ＝８μｍ／８μｍ程度まで微細化させることが可能となる。
【００６０】
（２）補強材入りの絶縁層４０Ａよりも耐デスミア性に優れた上記密着層４１Ａ上に配線パターン４２ｂを形成するようにした。ここで、デスミア処理後の密着層４１Ａの上面の表面粗度は、表面粗さＲａ値で５０〜３５０ｎｍと低い値に維持される。このため、このような密着層４１Ａの上面（低粗度面）に配線パターン４２ｂを形成する際に、セミアディティブ法を利用して微細配線形成を行うことができる。
【００６１】
（３）本実施形態の製造方法では、配線層１１，２１，３１及び絶縁層２０，３０の形成時には、それら配線層１１，２１，３１及び絶縁層２０，３０が支持基板８０に支持されるため、反りの発生が好適に抑制される。また、剛性の高い支持基板８０に支持された状態で、配線層１１，２１，３１及び絶縁層２０，３０等の形成が行われるため、配線基板の製造時に発生しうる薄板搬送の問題の発生を防止することができる。
【００６２】
また、第２絶縁層３０及び第３配線層３１の形成後に、機械的強度の高い絶縁層４０Ａを含む第３絶縁層４０が積層形成される。そして、配線層４２，５１，６１及び絶縁層５０，６０は、上記機械的強度の高い絶縁層４０Ａを含む第３絶縁層４０上に積層形成される。このため、配線層４２，５１，６１及び絶縁層５０，６０は、第３絶縁層４０及び支持基板８０に支持されるため、これら配線層４２，５１，６１及び絶縁層５０，６０の形成時にも、反りの発生が好適に抑制される。
【００６３】
（４）従来から行われている多層配線基板の製造工程を大きく変更することなく、上記配線基板１を製造できるため、設備コストの低減を図ることができる。これにより、配線基板１の製造コストの低減も図ることができる。
【００６４】
（５）配線基板１では、補強材を入れることにより絶縁層２０，３０，５０，６０より機械的強度を高めた絶縁層４０Ａが、積層形成された配線基板１の積層方向の中心付近に位置するように設けられている。これにより、補強材入りの絶縁層４０Ａを中心としてその下部に配設される絶縁層２０，３０及び配線層１１，２１，３１と、上部に配設される絶縁層５０，６０及び配線層４２，５１，６１とが略対称に配置されることになる。したがって、配線基板１の絶縁層４０Ａを中心とした上下のバランスが良好となり、配線基板１に反りが発生するのを抑制することができる。なお、樹脂よりなる絶縁層と金属よりなる配線層の熱膨張係数の違い等に起因して配線基板１に反りが発生すると、半導体チップ７０を配線基板１に適正に実装することができなくなり、実装信頼性が低下してしまう。これに対し、本実施形態では、上記反りの発生が抑制されるため、半導体チップ７０を配線基板１に適正に実装することができ、実装信頼性を向上させることができる。
【００６５】
なお、上記第１実施形態は、これを適宜変更した以下の態様にて実施することもできる。
（第１実施形態の変形例）
・上記第１実施形態では、積層方向の中心付近に、補強材入りの絶縁層４０Ａと、低粗度で且つ無電解めっきとの密着性を向上させた密着層４１Ａとを有する絶縁層４０を設けるようにした。これに限らず、配線基板において、積層される層間絶縁層の少なくとも１つの絶縁層が、上記絶縁層４０Ａ及び密着層４１Ａを有する絶縁層４０であれば良いため、その絶縁層４０の形成位置及び数は特に限定されない。
【００６６】
・例えば図１０（ａ）に示されるように、積層方向の中心付近に、補強材入りの絶縁層４０Ａと密着層４１Ａとを有する絶縁層４０を複数（本例では、２つ）設けるようにしてもよい。すなわち、この２つの絶縁層４０を有する配線基板１Ａは、図１に示す配線基板１に対して絶縁層４０（上側の絶縁層４０）が追加され、その絶縁層４０上に形成された配線層４３が追加されている。この配線層４３は、補強材入りの絶縁層４０Ａ及び密着層４１Ａを貫通して配線層４２の上面を露出するビアホールＶＨ６内に充填されたビア配線４３ａと、密着層４１Ａ上に形成された配線パターン４３ｂを有している。このような構造とすることにより、積層方向の中心付近における配線基板１Ａの剛性をより高めることができる。これにより、絶縁層４０による補強効果を高めることができるため、配線基板１Ａの反りを効果的に低減することができる。換言すると、上記複数の絶縁層４０が高い剛性を有するコア基板（支持部材）と同等の効果を発揮する。
【００６７】
ここで、コア基板の上下両面にビルドアップ配線層と絶縁層とを積層した配線基板では、コア基板にスルーホールを形成する必要がある。しかし、このスルーホールの微細化が困難であるため、配線基板全体の高密度を図ることができないという問題点がある。また、上記スルーホールにめっきを施す場合には、ボイドレスでスルーホールめっきを形成することが困難であるという問題もある。
【００６８】
これに対し、図１０（ａ）に示した構造によれば、複数の絶縁層４０上に形成される配線層４２，４３は、各絶縁層４０に形成されたビアホールＶＨ３，ＶＨ６に充填されたビア配線４２ａ，４３ａを介して層間接続される。このようなビア配線４２ａ，４３ａは、微細化が容易であり、ボイドレスで形成することも容易である。このため、配線基板全体の高密度化を実現することができ、さらに配線層の層間接続の信頼性を向上させることができる。
【００６９】
・また、例えば図１０（ｂ）に示されるように、外部接続端子面側の最外層の層間絶縁層を、補強材入りの絶縁層４０Ａと密着層４１Ａとを有する絶縁層４０に変更するようにしてもよい。すなわち、配線基板１Ｂでは、図１に示す配線基板１における第５絶縁層６０が絶縁層４０に変更され、配線基板１における絶縁層４０が補強材の入っていない絶縁層４４に変更されている。また、配線基板１Ｂにおいて、絶縁層４０上に積層された配線層６３は、補強材入りの絶縁層４０Ａ及び密着層４１Ａを貫通して配線層５１の上面を露出するビアホールＶＨ７内に充填されたビア配線６３ａと、密着層４１Ａ上に形成された配線パターン６３ｂを有している。なお、ソルダレジスト層６２の開口部６２Ｘから露出する配線層６３は、外部接続用パッド６３Ｐとして機能する。このように、補強材入りの絶縁層４０Ａと密着層４１Ａとを有する絶縁層４０を、外部接続端子面側に偏らせて設けるようにしてもよい。また、図示は省略するが、補強材入りの絶縁層４０Ａと密着層４１Ａとを有する絶縁層４０を、チップ搭載面側に偏らせて設けるようにしてもよい。
【００７０】
・例えば図１１に示されるように、全ての層間絶縁層を、補強材入りの絶縁層４０Ａと密着層４１Ａとを有する絶縁層４０に変更するようにしてもよい。すなわち、配線基板１Ｃでは、図１に示す配線基板１における絶縁層２０，３０，５０，６０の全てが絶縁層４０に変更されている。この場合には、配線基板１Ｃの反りを効果的に低減することができる。例えば配線基板１Ｃに用いられる材料などの応力や、積層される層の数、層の厚さ等から考えて、配線基板１Ｃの反りが大きくなる懸念がある場合には、本例のように全ての層間絶縁層を、補強材入りの絶縁層４０Ａと密着層４１Ａとを有する絶縁層４０に変更することが好ましい。
【００７１】
以上のように、上記第１実施形態の配線基板１において、積層される複数の層間絶縁層の任意の絶縁層を上記絶縁層４０Ａ及び密着層４１Ａを有する絶縁層４０に変更してもよい。換言すると、上記第１実施形態の配線基板１の製造方法によれば、任意の絶縁層を上記絶縁層４０に変更することができる。すなわち、配線基板の特性（積層される層の数、層の厚さや配線層の占有面積など）に応じて、任意の絶縁層を上記絶縁層４０に適宜変更することができる。
【００７２】
［実施例］
次に、実施例及び比較例を挙げて上記第１実施形態及びその変形例をさらに具体的に説明する。
【００７３】
ここでは、密着層４１Ａを追加した場合に、その密着層４１Ａが配線基板の反り改善に対して悪影響を及ぼすか否かを検証した結果を説明する。すなわち、密着層４１Ａでは、無機フィラーの含有量が比較的少量であるため、熱膨張係数が他の絶縁層２０，３０，４０Ａ等に比べて高くなる（例えば、４０〜１００ｐｐｍ／℃程度）。この密着層４１Ａの熱膨張係数は、配線層（銅）の熱膨張係数（例えば、１７ｐｐｍ／℃程度）と大きく相違する。このため、それら熱膨張係数の相違によって配線基板１に反りが生じることが懸念される。すなわち、補強材入りの絶縁層４０Ａを追加したことにより配線基板の反りが改善され、密着層４１Ａを形成したことにより配線パターンの微細化が実現されるものの、密着層４１Ａを追加したことにより上記絶縁層４０Ａによる反り改善に悪影響が及ぼされることが懸念される。そこで、図１２（ａ）及び図１３に示すように、絶縁層４０Ａと密着層４１Ａを有する絶縁層４０を設けた配線基板（実施例１〜３）、絶縁層４０の代わりに絶縁層４０Ａのみを設けた配線基板（比較例１〜３）、及び絶縁層４０Ａ及び密着層４１Ａを設けていない配線基板（比較例４）の各々について反りのシミュレーションを行った。
【００７４】
（実施例１）
図１２（ａ）に示すように、実施例１の配線基板は、７層の配線層Ｃ１〜Ｃ７と６層の絶縁層Ａ１〜Ａ６とを交互に積層し、最下層の絶縁層Ａ６にソルダレジスト層ＳＲを積層したものである。この配線基板は、上記第１実施形態の配線基板１の製造方法と同様に、チップ搭載面側の配線層Ｃ１〜Ｃ７及び絶縁層Ａ１〜Ａ６から順に支持基板上に積層して形成したものである。ここで、絶縁層Ａ４は、補強材入りの絶縁層４０Ａと密着層４１Ａとが積層された絶縁層４０であり、その他の絶縁層Ａ１〜Ａ３，Ａ５，Ａ６は補強材の入っていない絶縁層である。
【００７５】
シミュレーション条件としては、絶縁層４０Ａの熱膨張係数を１６．５ｐｐｍ／℃、ヤング率を約３００００ＭＰａに調整し、密着層４１Ａの熱膨張係数を７０〜９０ｐｐｍ／℃、ヤング率を約２０００ＭＰａに調整することで、絶縁層４０の熱膨張係数を１７．０ｐｐｍ／℃、ヤング率を約２９０００ＭＰａに調整した。また、補強材の入っていない絶縁層の熱膨張係数を３９ｐｐｍ／℃、ヤング率を約５０００ＭＰａに調整し、ソルダレジスト層ＳＲの熱膨張係数を４０ｐｐｍ／℃、ヤング率を約３８００ＭＰａに調整した。
【００７６】
また、配線基板の平面形状を４５ｍｍ×４５ｍｍの矩形状とした。具体的には、図１２（ｂ）に示すように、配線層Ｃ１〜Ｃ７の層厚を１５μｍ、絶縁層Ａ１の層厚を１５μｍ、補強材の入っていない絶縁層Ａ２，Ａ３，Ａ５，Ａ６の層厚を３０μｍ、補強材入りの絶縁層Ａ４の層厚を４０μｍ、ソルダレジスト層ＳＲの層厚を１５μｍとした。ここで、絶縁層４０である絶縁層Ａ４の層厚（４０μｍ）は、絶縁層４０Ａの厚さ（３８μｍ）と密着層４１Ａの厚さ（２μｍ）を合算した厚さである。また、配線層Ｃ１〜Ｃ７の残銅率がそれぞれ１．５％、６６．８％、８８．６％、６２．３％、８２．５％、７６．１％、８２．２％となるように、各配線層Ｃ１〜Ｃ７のＣｕ面積を調整した。ここで、残銅率とは、ある絶縁層上の面積に占める、配線層を形成する銅層の面積の比率である。
【００７７】
なお、以上説明したシミュレーション条件は、他の実施例２，３及び比較例１〜４でも同様である。
（実施例２）
図１３（ａ）に示すように、実施例２の配線基板は、絶縁層Ａ４に加えて絶縁層Ａ３，Ａ５を上記絶縁層４０としたものである。
【００７８】
（実施例３）
図１３（ｂ）に示すように、実施例３の配線基板は、全ての絶縁層Ａ１〜Ａ６を上記絶縁層４０としたものである。
【００７９】
（比較例１）
図１３（ｃ）に示すように、比較例１の配線基板は、実施例１の配線基板の絶縁層Ａ４から密着層４１Ａを省略し、実施例１の配線基板の絶縁層４０を補強材入りの絶縁層４０Ａ単体に変更したものである。
【００８０】
（比較例２）
図１３（ｄ）に示すように、比較例２の配線基板は、実施例２の配線基板の絶縁層Ａ３〜Ａ５から密着層４１Ａを省略し、実施例２の配線基板の絶縁層４０を補強材入りの絶縁層４０Ａ単体に変更したものである。
【００８１】
（比較例３）
図１３（ｅ）に示すように、比較例３の配線基板は、実施例３の配線基板の絶縁層Ａ１〜Ａ６から密着層４１Ａを省略し、実施例３の配線基板の絶縁層４０を補強材入りの絶縁層４０Ａ単体に変更したものである。
【００８２】
（比較例４）
図１３（ｆ）に示すように、比較例４の配線基板は、全ての絶縁層Ａ１〜Ａ６を補強材の入っていない絶縁層としたものである。このとき、絶縁層Ａ１の厚さを１５μｍとし、その他全ての絶縁層Ａ２〜Ａ６の厚さを３０μｍとした。
【００８３】
（測定方法）
各例の配線基板を１９０度の環境下に置いて応力を開放後、温度を２５度に下げたときの反りを測定した。反りは、図１２（ｃ）に示すように、配線基板の１／２対角長における各端部、つまり基板中央部Ｂ１と角部Ｂ２との高さの差を測定した。なお、チップ搭載面が凸状に反った場合の反り量をプラスとし、チップ搭載面が凹状に反った場合の反り量をマイナスとして、表１にシミュレーション結果を示した。
【００８４】
【表１】
（シミュレーション結果）
表１に示すように、まず、全ての絶縁層Ａ１〜Ａ６が補強材の入っていない絶縁層である比較例４の配線基板では、反り量が−６７１μｍであった。これに対し、絶縁層Ａ１〜Ａ６のうち少なくとも１つの絶縁層を絶縁層４０（補強材入りの絶縁層４０Ａ＋密着層４１Ａ）とした実施例１〜３の配線基板では、反り量がそれぞれ−６４３μｍ、−５６１μｍ、−８９μｍであり、上記比較例４よりも反り量が小さくなっていることが分かる。上述したように、熱膨張係数の高い密着層４１Ａを設けると、反り改善効果に悪影響が及ぼされることが懸念されたが、上記シミュレーション結果から明らかなように、密着層４１Ａを設けた場合であっても、配線基板の反りを十分に改善することができた。さらに、実施例１と比較例１、及び、実施例２と比較例２をそれぞれ比較すると、実施例１，２における反り量は、密着層４１Ａが存在しない場合（比較例１，２）の反り量と同等であった。このことから、熱膨張係数が配線層の熱膨張係数と大きく相違する密着層４１Ａを追加した場合であっても、その密着層４１Ａが上記絶縁層４０Ａによる配線基板の反り改善に対して悪影響を及ぼさないことが分かる。この理由について考察する。本実施例１，２では、密着層４１Ａの厚さが絶縁層４０Ａの厚さの約５．３％に調整され、密着層４１Ａのヤング率が絶縁層４０Ａのヤング率の約６．７％に調整されている。このように密着層４１Ａの厚さが絶縁層４０Ａに比べて十分に薄く、さらに密着層４１Ａのヤング率が絶縁層４０Ａに比べて小さいために、補強材入りの絶縁層４０Ａによる反り改善効果を弱める作用が少なく、密着層４１Ａが上記反り改善に対して悪影響を及ぼさなかったものと考えられる。
【００８５】
また、全ての絶縁層Ａ１〜Ａ６を絶縁層４０（補強材入りの絶縁層４０Ａ＋密着層４１Ａ）とした実施例３では、反り量が−８９μｍであり、高い反り改善効果が得られることが分かる。但し、実施例３と比較例３を比較すると、実施例３における反り量の絶対値が比較例３のそれよりも５０μｍ以上大きくなっている。これは、反り量の絶対値が小さくなるにつれて、反り量に対する密着層４１Ａの熱膨張係数（やヤング率）の影響が大きくなるためと考えられる。これに伴って、密着層４１Ａの有無により反り量の差が増加すると考えられる。しかし、このような反り量の差は、反り量の絶対値が十分に小さくなったときに生じる差である。従って、上記シミュレーション結果からも明らかなように、たとえ比較例３との反り量の差が増加したとしても、密着層４１Ａを有する絶縁層４０による反り改善効果は十分に得られていると言える。
【００８６】
（第２実施形態）
以下、第２実施形態を図１４〜図１６に従って説明する。
上記第１実施形態では、チップ搭載面側から配線層及び絶縁層を交互に積層して形成された配線基板について説明した。これに対し、本実施形態では、外部接続端子面側から配線層及び絶縁層を交互に積層して形成された配線基板について説明する。また、上記第１実施形態では、積層方向の中心付近に補強材入りの絶縁層と密着層とを有する絶縁層を設けるようにしたが、本実施形態では、外部接続端子面側の最外層に補強材入りの絶縁層と密着層とを有する絶縁層を設けるようにした。
【００８７】
図１４に示すように、配線基板３は、第１配線層１１１と、第１絶縁層１２０と、第２配線層１２２と、第２絶縁層１３０と、第３配線層１３１と、第３絶縁層１４０と、第４配線層１４１と、第４絶縁層１５０と、第５配線層１５１と、第５絶縁層１６０と、第６配線層１６１とが順次積層された構造を有している。このように、本実施形態の配線基板３は、上記第１実施形態の配線基板１と同様に、支持基材を含まない「コアレス基板」の形態を有している。
【００８８】
なお、第２〜第６配線層１２２，１３１，１４１，１５１，１６１の材料としては、例えば銅や銅合金などの金属を用いることができる。
配線基板３において、第１配線層１１１は、図１４では最下層に形成されている。この第１配線層１１１は、第１導電層１１２と第２導電層１１３とを有している。第１導電層１１２としては、例えばＡｕ膜、Ｐｄ膜、Ｎｉ膜を、Ａｕ膜が配線基板３の外部に露出するように、この順番で順次積層した導電層を用いることができる。また、第２導電層１１３としては、例えばＣｕ層等を含む導電層を用いることができる。
【００８９】
第１配線層１１１の一部、つまり第１導電層１１２の第１主面１１２Ａ（図中の下面）は第１絶縁層１２０から露出しており、マザーボード等に実装する際に使用されるはんだボールやリードピン等の外部接続端子が接続される外部接続用パッド１１１Ｐとして機能する。すなわち、本実施形態では、外部接続用パッド１１１Ｐが形成されている面が外部接続端子面となっている。また、本実施形態では、第１導電層１１２の第１主面１１２Ａが第１絶縁層１２０の第１主面（図中の下面）と面一になっている。なお、第１絶縁層１２０から露出する第１配線層１１１自体を、外部接続端子としてもよい。
【００９０】
第１絶縁層１２０から露出する第１配線層１１１の平面形状は例えば円形であり、その直径は例えば２００〜１０００μｍ程度とすることができる。第１絶縁層１２０から露出する第１配線層１１１のピッチは、例えば５００〜１２００μｍ程度とすることができる。第１配線層１１１の厚さは、例えば１０〜２０μｍ程度とすることができる。
【００９１】
第１絶縁層１２０は、絶縁層１２０Ａと密着層１２１Ａとを有している。絶縁層１２０Ａは、第１配線層１１１の第２主面（図中の上面）及び側面を覆い、第１配線層１１１の第１主面１１２Ａを露出するように形成されている。絶縁層１２０Ａは、上記第１実施形態の絶縁層４０Ａと同一組成の絶縁層であり、補強材入りの絶縁層である。絶縁層１２０Ａの材料としては、熱硬化性を有するエポキシ系の絶縁性樹脂を用いることができる。なお、絶縁性樹脂としては、熱硬化性を有する樹脂に限定されず、感光性を有する絶縁性樹脂を用いることができる。絶縁層１２０Ａの厚さは、例えば３０〜６０μｍ程度とすることができる。
【００９２】
密着層１２１Ａは、上記絶縁層１２０Ａ上に、その絶縁層１２０Ａの上面を覆うように形成されている。この密着層１２１Ａは、上記第１実施形態の密着層４１Ａと同一組成の絶縁層であり、絶縁層１２０Ａよりも表面が平滑（低粗度）であって且つ絶縁層１２０Ａよりも金属膜（例えば、無電解めっき）との密着性が高い絶縁層である。密着層１２１Ａの材料としては、例えばエポキシ樹脂の含有量を３０ｖｏｌ％以上とし、無機フィラーの含有量を１〜５０ｖｏｌ％の範囲内とした絶縁性樹脂を用いることができる。
【００９３】
密着層１２１Ａの表面粗度は、例えば表面粗さＲａ値で５０〜３５０ｎｍとなるように設定されている。また、密着層１２１Ａの厚さは、例えば０．５〜５μｍ程度とすることができる。
【００９４】
第２配線層１２２は、第１絶縁層１２０上に形成されている。第２配線層１２２は、絶縁層１２０Ａ及び密着層１２１Ａを貫通して第１配線層１１１の上面を露出するビアホールＶＨ１１内に充填されたビア配線１２２ａと、密着層１２１Ａ上に形成された配線パターン１２２ｂを有している。ビア配線１２２ａは、ビアホールＶＨ１１の底部に露出した第１配線層１１１と電気的に接続されている。なお、ビアホールＶＨ１１及びビア配線１２２ａは、図１４において下側（外部接続端子面側）から上側（第６配線層１６１側）に向かうに連れて径が大きくなるテーパ状に形成されている。第２配線層１２２の配線パターン１２２ｂの厚さは、例えば２０〜３５μｍ程度とすることができる。
【００９５】
第３〜第６配線層１３１，１４１，１５１，１６１は、第２〜第５絶縁層１３０，１４０，１５０，１６０を介在して積層され、各絶縁層１３０，１４０，１５０，１６０に形成されたビアホールＶＨ１２，ＶＨ１３，ＶＨ１４，ＶＨ１５に充填されたビア配線１３１ａ，１４１ａ，１５１ａ，１６１ａを介して層間接続されている。
【００９６】
なお、第２〜第５絶縁層１３０，１４０，１５０，１６０の材料としては、熱硬化性を有するエポキシ系の絶縁性樹脂を用いることができる。なお、絶縁性樹脂としては、熱硬化性を有する樹脂に限定されず、感光性を有する絶縁性樹脂を用いることができる。これら第２〜第５絶縁層１３０，１４０，１５０，１６０の厚さは、例えば１５〜３５μｍ程度とすることができる。
【００９７】
上記第３配線層１３１は、上記第２配線層１２２の配線パターン１２２ｂと電気的に接続されているビア配線１３１ａと、そのビア配線１３１ａに電気的に接続されている配線パターン１３１ｂとを有している。第４配線層１４１は、配線パターン１３１ｂと電気的に接続されているビア配線１４１ａと、そのビア配線１４１ａに電気的に接続されている配線パターン１４１ｂとを有している。第５配線層１５１は、配線パターン１４１ｂと電気的に接続されているビア配線１５１ａと、そのビア配線１５１ａに電気的に接続されている配線パターン１５１ｂとを有している。第６配線層１６１は、配線パターン１５１ｂと電気的に接続されているビア配線１６１ａと、そのビア配線１６１ａと電気的に接続されている配線パターン１６１ｂとを有している。これら第３〜第６配線層１３１，１４１，１５１，１６１のビア配線１３１ａ，１４１ａ，１５１ａ，１６１ａはそれぞれ、図１４において下側（外部接続用パッド１１１Ｐ側）から上側（配線パターン１６１ｂ側）になるにつれて径が大きくなるテーパ状に形成されている。具体的には、ビア配線１３１ａ，１４１ａ，１５１ａ，１６１ａはそれぞれ、外部接続用パッド１１１Ｐ側の端面が配線パターン１６１ｂ側の端面よりも小径となる円錐台形状に形成されている。
【００９８】
上記第５絶縁層１６０には、ソルダレジスト層１６２が積層されている。ソルダレジスト層１６２の材料としては、例えばエポキシ系の絶縁性樹脂を用いることができる。ソルダレジスト層１６２の厚さは、例えば１５〜３５μｍ程度とすることができる。
【００９９】
ソルダレジスト層１６２には、上記配線パターン１６１ｂの一部を電極パッド１６１Ｐとして露出させるための開口部１６２Ｘが形成されている。この電極パッド１６１Ｐには、例えば半導体チップ等が電気的に接続されるようになっている。すなわち、本実施形態では、電極パッド１６１Ｐが形成されている面がチップ搭載面となっている。なお、必要に応じて、上記開口部１６２Ｘから露出する第６配線層１６１の配線パターン１６１ｂ上に金属層を形成し、その金属層に半導体チップを電気的に接続するようにしてもよい。金属層の例としては、Ａｕ層や、Ｎｉ／Ａｕ層（Ｎｉ層とＡｕ層をこの順番で積層した金属層）や、Ｎｉ／Ｐｄ／Ａｕ層（Ｎｉ層とＰｄ層とＡｕ層をこの順番で積層した金属層）などを挙げることができる。
【０１００】
上記ソルダレジスト層１６２の開口部１６２Ｘ（電極パッド１６１Ｐ）の平面形状は例えば円形であり、その直径は例えば４０〜１２０μｍ程度とすることができる。電極パッド１６１Ｐのピッチは、例えば１００〜２００μｍ程度とすることができる。
【０１０１】
（第２実施形態に係る配線基板の製造方法）
次に、上記配線基板３の製造方法を説明する。
まず、配線基板３を製造するためには、図１５（ａ）に示すように、支持基板１８０を用意する。この支持基板１８０としては、例えば金属板や金属箔を用いることができ、本実施形態では、例えば銅箔を用いる。この支持基板１８０の厚さは、例えば３５〜１００μｍである。続いて、支持基板１８０の一方の面（図中の上面）に、第１配線層１１１の形状に対応した開口部１８１Ｘを有するレジスト層１８１を形成する。次いで、レジスト層１８１をめっきマスクとして、支持基板１８０の上面に、支持基板１８０をめっき給電層に利用する電解めっきを施す。具体的には、レジスト層１８１の開口部１８１Ｘから露出された支持基板１８０の上面に電解めっき法を施すことにより、開口部１８１Ｘ内に第１導電層１１２と第２導電層１１３とを順に積層して第１配線層１１１を形成する。例えば第１導電層１１２がＡｕ膜、Ｐｄ膜、Ｎｉ膜をこの順番で順次積層した構造であり、第２導電層１１３がＣｕ層である場合には、まず、支持基板１８０をめっき給電層に利用する電解めっき法により、Ａｕ膜、Ｐｄ膜、Ｎｉ膜を順に積層して第１導電層１１２を形成する。次いで、支持基板１８０をめっき給電層に利用する電解めっき法により、第１導電層１１２上にＣｕ層を形成して第２導電層１１３を形成する。
【０１０２】
次に、図１５（ｂ）に示す工程では、図１５（ａ）に示したレジスト層１８１を除去する。また、絶縁層１２０Ａ（図１４参照）となる絶縁層１２０Ｂ、つまりガラス、アラミド、ＬＣＰ（Liquid Crystal Polymer）繊維の織布や不織布に未硬化の熱硬化性樹脂（例えば、エポキシ系樹脂やポリイミド系樹脂など）を含浸させた補強材入りの絶縁層１２０Ｂを用意する。この絶縁層１２０Ｂは、Ｂ−ステージのものが使用される。絶縁層１２０Ｂの厚さは、例えば３０〜８０μｍとすることができる。
【０１０３】
また、図１５（ｂ）に示す工程では、キャリア１８２に密着層１２１Ａ（図１４参照）となる絶縁層１２１Ｂが接着された構造体１８２Ａを用意する。絶縁層１２１Ｂの材料としては、例えば未硬化のエポキシ樹脂が３０ｖｏｌ％以上含有され、無機フィラーが１〜５０ｖｏｌ％の範囲で含有された絶縁性樹脂を用いることができる。絶縁層１２１Ｂは、半硬化状態のものが使用される。絶縁層１２１Ｂの厚さは、例えば１〜６μｍ程度とすることができる。また、絶縁層１２１Ｂを搬送するためのキャリア１８２としては、例えば銅箔を用いることができる。このキャリア１８２の厚さは、例えば２〜１８μｍ程度とすることができる。
【０１０４】
また、図１５（ｂ）に示す工程では、支持基板１８０の上面に第１配線層１１１が形成された構造体の上面側に、下から順に上記絶縁層１２０Ｂと上記構造体１８２Ａを配置する。このとき、構造体１８２Ａは、絶縁層１２１Ｂが絶縁層１２０Ｂと対向するように絶縁層１２１Ｂを下側に向けた状態で配置される。そして、支持基板１８０の上面に第１配線層１１１が形成された構造体、絶縁層１２０Ｂ及び構造体１８２Ａを両面側から真空雰囲気で１９０〜２５０℃程度の温度で加熱・加圧する。これにより、図１５（ｃ）に示すように、絶縁層１２０Ｂ，１２１Ｂが硬化して、支持基板１８０及び第１配線層１１１上に絶縁層１２０Ａ及び密着層１２１Ａが積層形成される。また、上記絶縁層１２０Ｂ，１２１Ｂの硬化に伴って、支持基板１８０及び第１配線層１１１と絶縁層１２０Ａとが接着されるとともに、絶縁層１２０Ａと密着層１２１Ａとが接着される。
【０１０５】
続いて、図１５（ｃ）に示す工程では、図１５（ｂ）に示したキャリア１８２（銅箔）を、密着層１２１Ａに対して選択的にエッチングにより除去する。
次に、図１６（ａ）に示す工程では、第１配線層１１１の上面が露出されるように、絶縁層１２０Ａ及び密着層１２１Ａの所定箇所にビアホールＶＨ１１を形成する。このビアホールＶＨ１１は、例えば炭酸ガスレーザやＵＶ−ＹＡＧレーザ等によるレーザ加工法によって形成することができる。
【０１０６】
次いで、ビアホールＶＨ１１をレーザ加工法によって形成した場合には、デスミア処理を行って、ビアホールＶＨ１１の底部に露出する第１配線層１１１の上面に付着した絶縁層１２０Ａ及び密着層１２１Ａの樹脂残渣を除去する。このデスミア処理は、例えば過マンガン酸塩法などを用いて行うことができる。なお、このデスミア処理後の密着層１２１Ａの上面の粗度は、表面粗さＲａ値で５０〜３５０ｎｍ程度と低い値に維持される。
【０１０７】
次に、図１６（ｂ）に示す工程では、第１絶縁層１２０上に第２配線層１２２を形成する。この第２配線層１２２は、図６（ａ）〜図７（ａ）で説明した工程と同様に、セミアディティブ法によって形成することができる。
【０１０８】
すなわち、無電解めっき法やスパッタ法により、ビアホールＶＨ１１の底部に露出した第１配線層１１１の上面、ビアホールＶＨ１１の内壁面及び密着層１２１Ａの上面に銅等のシード層（図示略）を形成する。このとき、密着層１２１Ａの上面（低粗度面）にシード層が形成され、高い密着強度で密着層１２１Ａとシード層とが密着される。次に、シード層上に第２配線層１２２の形状に対応する開口部を備えたレジスト層（図示略）を形成する。続いて、シード層を給電層に利用した電解めっき法により、レジスト層の開口部に銅等からなる配線層（図示略）を形成する。次いで、レジスト層を除去した後に、配線層をマスクにして、配線層に覆われていない部分のシード層をエッチングにより除去する。これにより、ビアホールＶＨ１１内に充填されたビア配線１２２ａと、密着層１２１Ａ上に形成された配線パターン１２２ｂとを有する第２配線層１２２が第１絶縁層１２０上に形成される。
【０１０９】
次に、図１６（ｃ）に示す工程では、図３（ｄ）〜図４（ａ）に示した工程を再度繰り返すことにより、絶縁層と配線層とを交互に積層する。すなわち、図１６（ｃ）に示すように、密着層１２１Ａ及び第２配線層１２２上に第２絶縁層１３０を形成し、この第２絶縁層１３０上に第３配線層１３１を形成する。同様に、第３絶縁層１４０、第４配線層１４１、第４絶縁層１５０、第５配線層１５１、第５絶縁層１６０、第６配線層１６１を順に積層形成する。
【０１１０】
次に、図１６（ｃ）に示す工程では、第６配線層１６１の所要の箇所に画定される電極パッド１６１Ｐを露出させるための開口部１６２Ｘを有するソルダレジスト層１６２を第５絶縁層１６０及び第６配線層１６１上に形成する。これにより、ソルダレジスト層１６２の開口部１６２Ｘから第６配線層１６１の一部が電極パッド１６１Ｐとして露出される。その後、支持基板１８０を除去することにより、図１４に示した配線基板３を製造することができる。
【０１１１】
以上説明した実施形態によれば、第１実施形態の（１）〜（４）の効果に加えて以下の効果を奏する。
（１）外部接続用パッド１１１Ｐ側の最外層の層間絶縁層のみを、補強材入りの絶縁層１２０Ａと密着層１２１Ａとを有する絶縁層１２０とした。この理由を以下に説明する。
【０１１２】
まず、一般的に、外部接続用パッド１１１Ｐとして用いられる配線層（ここでは、第１配線層１１１）は残銅率が高く、電極パッド１６１Ｐとして用いられる配線層（ここでは、第６配線層１６１）は残銅率が低い。なお、本実施形態の場合には、金属層として銅を想定して残銅率と称するが、金属層は銅以外であってもよい。
【０１１３】
上述したような残銅率の差により配線基板３に反りが生じやすくなる。具体的には、層間絶縁層のガラス転移温度Ｔｇよりも低い常温環境下では、残銅率の低い層、つまり絶縁樹脂の含有量の多い層の方が縮みやすいため、電極パッド１６１Ｐ側（チップ搭載面側）が凹状に反る傾向にある。その一方で、層間絶縁層のガラス転移温度Ｔｇよりも高い高温環境下では、残銅率の低い層が残銅率の高い層に向かって反る、つまり外部接続用パッド１１１Ｐ側（外部接続端子面側）が凹状に反る傾向にある。
【０１１４】
これに対し、本実施形態では、外部接続用パッド１１１Ｐ側の最外層の層間絶縁層（ここでは、第１絶縁層１２０）、つまり反りの生じやすい第１絶縁層１２０に補強材入りの絶縁層１２０Ａを設けるようにした。これにより、第１絶縁層１２０の剛性を高めることができるため、配線基板３の反りを効果的に低減することができる。すなわち、例えば高温環境下で配線基板３が反った場合に、凹状となる外部接続端子面側の最外層の絶縁層１２０の剛性を高めることにより、配線基板３を反らす応力に効果的に対抗でき、配線基板３の反りを低減できる効果が大きい。
【０１１５】
さらに、配線基板３が高温になり、上記絶縁層１２０Ａ以外の絶縁層１３０，１４０，１５０，１６０のガラス転移温度Ｔｇを超えた場合であっても、そのガラス転移温度Ｔｇよりも絶縁層１２０Ａのガラス転移温度Ｔｇが高いため、その絶縁層１２０Ａ内の補強材の剛性により反りの発生を抑制でき、高温環境下における挙動が安定する。
【０１１６】
（２）また、補強材入りの絶縁層１２０Ａの厚さは、補強材を含まない他の絶縁層（例えば、第２絶縁層１３０）の厚さよりも厚くなる。これにより、第１絶縁層１２０に形成されるビアホールＶＨ１１は、第５絶縁層１６０に形成されるビアホールＶＨ１５よりも深くなり、且つ、開口端における径（ソルダレジスト層１６２側の径）も大きくなる。すなわち、ビアホールＶＨ１１はビアホールＶＨ１５よりも容積が大きくなる。但し、ビアホールＶＨ１１は外部接続端子面側に設けられており、この外部接続端子面側は外部接続用パッド１１１Ｐのピッチを電極パッド１６１Ｐよりも広くできる等、チップ搭載面側と比べてデザインルールが緩いため、ビアホールＶＨ１１の大容量は問題とならない。すなわち、上述のように外部接続用パッド１１１Ｐ側の最外層の絶縁層１２０に補強材入りの絶縁層１２０Ａを設けるようにしても、デザインルールを緩めることなく、所望のビアホールＶＨ１１や配線層１１１，１２２等を形成することができる。
【０１１７】
なお、上記各実施形態は、これを適宜変更した以下の態様にて実施することもできる。
（第２実施形態の変形例）
・上記第２実施形態では、外部接続端子面側の最外層の層間絶縁層に、補強材入りの絶縁層１２０Ａと、低粗度で且つ無電解めっきとの密着性を向上させた密着層１２１Ａとを有する絶縁層１２０を設けるようにした。これに限らず、配線基板において、積層される層間絶縁層の少なくとも１つの絶縁層が、上記絶縁層１２０Ａ及び密着層１２１Ａを有する絶縁層１２０であれば良いため、その絶縁層１２０の形成位置及び数は特に限定されない。
【０１１８】
・例えば図１７に示されるように、積層方向の中心付近の層間絶縁層を、補強材入りの絶縁層１２０Ａと密着層１２１Ａとを有する絶縁層１２０に変更するようにしてもよい。すなわち、配線基板３Ａでは、図１４に示す配線基板３における第３絶縁層１４０が絶縁層１２０に変更され、配線基板３における絶縁層１２０が補強材の入っていない絶縁層１２３に変更されている。また、配線基板３Ａにおいて、絶縁層１２０上に積層された配線層１４２は、補強材入りの絶縁層１２０Ａ及び密着層１２１Ａを貫通して配線層１３１の上面を露出するビアホールＶＨ１６内に充填されたビア配線１４２ａと、密着層１２１Ａ上に形成された配線パターン１４２ｂを有している。このような構造とすることにより、上記第１実施形態と同様の効果を奏する。
【０１１９】
（その他の変形例）
・上記各実施形態では、支持基板８０，１８０上に１個の配線基板１，３を作成する例を示したが、支持基板８０，１８０上に複数の配線基板１，３となる部材を作成し、それを個片化して複数の配線基板１，３を得るような工程としてもよい。
【０１２０】
・上記各実施形態では、絶縁層４０Ａ，１２０Ａの材料としては、補強材入りの絶縁性樹脂を用いるようにした。これに限らず、例えば絶縁層４０Ａ，１２０Ａの材料として、例えばシリカ（ＳｉＯ２）等のフィラーの含有量が２０〜７０％程度であるエポキシ系の絶縁性樹脂を用いるようにしてもよい。この場合には、フィラーの含有量を調整することにより、絶縁層４０Ａ，１２０Ａの熱膨張係数が配線層の熱膨張係数（例えば１７ｐｐｍ／℃程度）に近づくように調整する（例えば、フィラーの含有量を増やすと熱膨張係数が小さくなる）。
【０１２１】
・上記各実施形態では、絶縁層４０Ａ，１２０Ａ及び密着層４１Ａ，１２１Ａを一括積層する際に、密着層４１Ａ，１２１Ａとなる絶縁層４１Ｂ，１２１Ｂをキャリア８２，１８２にそれぞれ接着するようにした。これに限らず、例えばキャリア８２上に絶縁層４１Ｂと絶縁層４０Ｂを設けた構造体を用意し、その構造体を下層の配線層及び絶縁層上に積層した後、キャリア８２を除去するようにしてもよい。また、絶縁層４０Ｂ上に絶縁層４１Ｂを設けた構造体を用意し、その構造体を下層の配線層及び絶縁層上に積層するようにしてもよい。
【０１２２】
・上記各実施形態では、主にビルドアップ工法により支持基板の片側（一方の面）に配線層及び絶縁層を積層し、最後に支持基板を除去してコアレスの配線基板を製造するようにした。これに限らず、例えば主にビルドアップ工法により支持基板の両側（一方の面及び他方の面）に配線層及び絶縁層を積層し、最後に支持基板を除去して複数のコアレス配線基板を製造するようにしてもよい。この場合には、支持基板の一方の面及び他方の面の何れにも、図３〜図７に示した工程と同様にチップ搭載面側から配線層及び絶縁層を順次積層し、最後に支持基板を除去する。もしくは、支持基板の一方の面及び他方の面の何れにも、図１５及び図１６に示した工程と同様に外部接続端子面側から配線層及び絶縁層を順次積層し、最後に支持基板を除去する。
【０１２３】
・上記各実施形態では、配線基板１に半導体チップ７０を実装する場合について説明したが、被実装体としては半導体チップ７０に限定されない。例えば配線基板１の上に別の配線基板を積み重ねる構造を有するパッケージ（パッケージ・オン・パッケージ）にも、本発明を適用することが可能である。
【０１２４】
・上記各実施形態における配線基板１，３の層の数や配線の取り回し、もしくは半導体チップ７０の実装の形態（例えばフリップチップ実装、ワイヤボンディングによる実装、又はこれらの組み合わせ）などは様々に変形・変更することが可能である。
【符号の説明】
【０１２５】
１，１Ａ〜１Ｃ，３，３Ａ 配線基板
１１，２１，３１，４２，５１，６１ 配線層
２０，３０，４０，５０，６０ 絶縁層
４０Ａ，１２０Ａ 絶縁層（補強材入り絶縁層）
４１Ａ，１２１Ａ 密着層
４０Ｂ，１２０Ｂ 絶縁層（第１樹脂）
４１Ｂ，１２１Ｂ 絶縁層（第２樹脂）
８０，１８０ 支持基板
８３，１８３ シード層
１１１，１２２，１３１，１４１，１５１，１６１ 配線層
１２０，１３０，１４０，１５０，１６０ 絶縁層
【技術分野】
【０００１】
本発明は、配線基板及び配線基板の製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来、搭載される半導体チップの高密度化が進み、配線基板の薄型化や、配線パターンの高密度化が要求されている。このような要求に応えるために、高い剛性を有し層間絶縁膜よりも厚いコア基板（支持部材）を除去した配線基板、いわゆるコアレス基板が提案されている。
【０００３】
コアレス基板の基本的なプロセスは、まず支持基板としての仮基板を用意し、この仮基板上にパッドとなる配線層を形成し、次いで所要の層数のビルドアップ配線層と絶縁層とを積層した後、最終的に仮基板を除去するものである。
【０００４】
近年では、この種のコアレス基板において、積層される絶縁層のうち任意の絶縁層を、補強材を入れて機械的強度を高めた絶縁層とすることにより、当該基板の反りを低減する技術が提案されている（例えば、特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００７−９６２６０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
ところが、上記補強材入りの絶縁層を有する配線基板では、補強材入りの絶縁層上に微細配線を形成することができないという問題がある。詳述すると、例えば補強材入りの絶縁層上にセミアディティブ法により配線パターンを形成する場合には、デスミア処理によって上記絶縁層の上面がエッチングされるため、上記絶縁層の上面の粗度が大きく（例えば、表面粗さＲａ値で８００〜１０００ｎｍ程度に）なる。このように上面（表面）が粗化されると、その上面に微細配線を高精度に形成することが困難となる。具体的には、上記デスミア処理後の補強材入りの絶縁層上には、Ｌ／Ｓ（ライン／スペース）＝１５μｍ／１５μｍ以下の微細配線を高精度に形成することが困難である。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の一観点によれば、配線層と絶縁層とが複数層積層されてなる配線基板において、前記積層される複数の絶縁層のうち少なくとも１つの絶縁層は、下層の配線層の上面及び側面を覆うように形成された補強材入り絶縁層と、前記補強材入り絶縁層上に積層され、前記補強材入り絶縁層よりも金属膜との密着性が高く、前記補強材入り絶縁層よりも薄い密着層とを有し、前記積層される複数の配線層のうち少なくとも１つの配線層は、前記密着層上に積層されるとともに、前記下層の配線層とビア配線により接続されている。
【発明の効果】
【０００８】
本発明の一観点によれば、反りを低減しつつも、微細配線を形成することができるという効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】第１実施形態の配線基板を示す概略断面図。
【図２】第１実施形態の半導体パッケージを示す概略断面図。
【図３】（ａ）〜（ｅ）は、第１実施形態の配線基板の製造方法を示す概略断面図。
【図４】（ａ）〜（ｃ）は、第１実施形態の配線基板の製造方法を示す概略断面図。
【図５】（ａ）〜（ｃ）は、第１実施形態の配線基板の製造方法を示す概略断面図。
【図６】（ａ）〜（ｃ）は、第１実施形態の配線基板の製造方法を示す概略断面図。
【図７】（ａ）、（ｂ）は、第１実施形態の配線基板の製造方法を示す概略断面図。
【図８】（ａ）は、第１実施形態の配線基板の製造方法を示す概略断面図、（ｂ）は第１実施形態の半導体パッケージの製造方法を示す概略断面図。
【図９】（ａ）、（ｂ）は、は第１実施形態の半導体パッケージの製造方法を示す概略断面図。
【図１０】（ａ）、（ｂ）は、第１実施形態の変形例の配線基板を示す概略断面図。
【図１１】第１実施形態の変形例の配線基板を示す概略断面図。
【図１２】（ａ）は、実施例１の配線基板を示す概略断面図、（ｂ）は、シミュレーション条件を示すテーブル、（ｃ）は、反りの測定方法を示す説明図。
【図１３】（ａ）〜（ｆ）は、実施例２，３及び比較例１〜４の配線基板を示す概略断面図。
【図１４】第２実施形態の配線基板を示す概略断面図。
【図１５】（ａ）〜（ｃ）は、第２実施形態の配線基板の製造方法を示す概略断面図。
【図１６】（ａ）〜（ｃ）は、第２実施形態の配線基板の製造方法を示す概略断面図。
【図１７】第２実施形態の変形例の配線基板を示す概略断面図。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
以下、添付図面を参照して各実施形態を説明する。尚、添付図面は、構造の概略を説明するためのものであり、実際の大きさを表していない。
（第１実施形態）
以下、第１実施形態を図１〜図９に従って説明する。
【００１１】
（第１実施形態に係る配線基板の構造）
まず、配線基板１の構造について説明する。
図１に示すように、配線基板１は、第１配線層１１と、第１絶縁層２０と、第２配線層２１と、第２絶縁層３０と、第３配線層３１と、第３絶縁層４０と、第４配線層４２と、第４絶縁層５０と、第５配線層５１と、第５絶縁層６０と、第６配線層６１とが順次積層された構造を有している。このように、本実施形態の配線基板１は、一般的なビルドアップ法を用いて作製される配線基板（支持基材としてのコア基板の両面又は片面に所要数のビルドアップ層を順次形成して積層したもの）とは異なり、支持基材を含まない「コアレス基板」の形態を有している。
【００１２】
なお、第２〜第６配線層２１，３１，４２，５１，６１の材料としては、例えば銅や銅合金などの金属を用いることができる。
配線基板１において、第１配線層１１は、図１では最下層に形成されている。この第１配線層１１は、第１導電層１２と第２導電層１３とを有している。第１導電層１２としては、例えば金（Ａｕ）膜、パラジウム（Ｐｄ）膜、ニッケル（Ｎｉ）膜を、Ａｕ膜が配線基板１の外部に露出するように、この順番で順次積層した導電層を用いることができる。また、第２導電層１３としては、例えば銅（Ｃｕ）層等を含む導電層を用いることができる。
【００１３】
第１配線層１１の一部、つまり第１導電層１２の第１主面１２Ａ（図中の下面）は第１絶縁層２０から露出しており、半導体チップ７０（図２参照）等と電気的に接続される電極パッド１１Ｐとして機能する。すなわち、本実施形態では、電極パッド１１Ｐが形成されている面がチップ搭載面となっている。第１絶縁層２０から露出する第１配線層１１の平面形状は例えば円形であり、その直径は例えば４０〜１２０μｍ程度とすることができる。第１絶縁層２０から露出する第１配線層１１のピッチは、例えば１００〜２００μｍ程度とすることができる。第１配線層１１の厚さは、例えば１０〜２０μｍ程度とすることができる。
【００１４】
第１絶縁層２０は、第１配線層１１の第２主面（図中の上面）及び側面を覆い、第１配線層１１の第１主面１２Ａを露出するように形成されている。第１絶縁層２０の材料としては、熱硬化性を有するエポキシ系の絶縁性樹脂を用いることができる。なお、絶縁性樹脂としては、熱硬化性を有する樹脂に限定されず、感光性を有する絶縁性樹脂を用いることができる。第１絶縁層２０の厚さは、例えば１５〜３５μｍ程度とすることができる。
【００１５】
第２配線層２１は、第１絶縁層２０上に形成されている。第２配線層２１は、第１絶縁層２０を貫通して第１配線層１１の上面を露出するビアホールＶＨ１内に充填されたビア配線２１ａと、第１絶縁層２０上に形成された配線パターン２１ｂを有している。ビア配線２１ａは、（ビアホールＶＨ１の底部に露出した）第１配線層１１と電気的に接続されている。なお、ビアホールＶＨ１及びそのビアホールＶＨ１に形成されるビア配線２１ａは、図１において下側（電極パッド１１Ｐ（チップ搭載面）側）から上側（第６配線層６１側）に向かうにつれて径が大きくなるテーパ状に形成されている。第２配線層２１の配線パターン２１ｂの厚さは、例えば２０〜３５μｍ程度とすることができる。
【００１６】
第２絶縁層３０は、第１絶縁層２０上に、第２配線層２１を覆うように形成されている。第２絶縁層３０の材料としては、例えば第１絶縁層２０と同一組成の絶縁性樹脂を用いることができる。第２絶縁層３０の厚さは、例えば１５〜３５μｍ程度とすることができる。
【００１７】
第３配線層３１は、第２絶縁層３０上に形成されている。第３配線層３１は、第２絶縁層３０を貫通して第２配線層２１の上面を露出するビアホールＶＨ２内に充填されたビア配線３１ａと、第２絶縁層３０上に形成された配線パターン３１ｂを有している。ビア配線３１ａは、ビアホールＶＨ２の底部に露出した第２配線層２１と電気的に接続されている。なお、ビアホールＶＨ２及びビア配線３１ａは、図１において下側から上側に向かうに連れて径が大きくなるテーパ状に形成されている。第３配線層３１の配線パターン３１ｂの厚さは、例えば２０〜３５μｍ程度とすることができる。
【００１８】
第３絶縁層４０は、絶縁層４０Ａと密着層４１Ａを有している。絶縁層４０Ａは、第２絶縁層３０上に、第３配線層３１（具体的には、配線パターン３１ｂ）の上面及び側面を覆うように形成されている。絶縁層４０Ａは、補強材入りの絶縁層であって、その他の絶縁層２０，３０，５０，６０よりも機械的強度（剛性や硬度等）が高い絶縁層である。この絶縁層４０Ａの材料としては、例えば熱硬化性樹脂に対し、補強材を入れた絶縁性樹脂を用いることができる。具体的には、絶縁層４０Ａの材料としては、ガラス、アラミド、ＬＣＰ（Liquid Crystal Polymer）繊維の織布や不織布に、エポキシ系やポリイミド系の熱硬化性樹脂を含浸させた補強材入りの絶縁性樹脂を用いることができる。また、絶縁層４０Ａの材料としては、当該絶縁層４０Ａのガラス転移温度Ｔｇがその他の絶縁層２０，３０，５０，６０のガラス転移温度Ｔｇ（例えば１５０℃程度）よりも高い温度（例えば２００〜２５０℃程度）になるように調整された絶縁性樹脂であることが好ましい。さらに、絶縁層４０Ａの材料としては、当該絶縁層４０Ａの熱膨張係数が第３及び第４配線層３１，４２等の材料である銅の熱膨張係数（例えば１７ｐｐｍ／℃程度）に近づくように調整された絶縁性樹脂であることがより好ましい。なお、絶縁層４０Ａの厚さは、例えば３０〜６０μｍ程度とすることができる。この絶縁層４０Ａは、機械的強度を高める観点から、補強材の入っていない他の絶縁層２０，３０，５０，６０よりも厚く形成することが好適である。
【００１９】
密着層４１Ａは、上記絶縁層４０Ａ上に、その絶縁層４０Ａの上面を覆うように形成されている。密着層４１Ａは、絶縁層４０Ａよりも金属膜（例えば、無電解めっき）との密着性が高い絶縁層であって、且つ絶縁層４０Ａよりも薄い絶縁層である。密着層４１Ａの厚さは、その密着層４１Ａ上に形成される第４配線層４２の配線パターン４２ｂよりも薄く形成することができる。すなわち、密着層４１Ａは、下層の第３配線層３１を被覆する上記絶縁層４０Ａ上に形成され、その絶縁層４０Ａやその他の絶縁層２０等のように、配線層を被覆して、積層された配線層同士の絶縁を確保する必要がないため、密着層４１Ａを配線パターン４２ｂよりも薄く形成することができる。このため、密着層４１Ａの厚さは、配線基板１の薄型化の観点から、配線パターン４２ｂよりも薄く設定することが好ましい。さらに言えば、密着層４１Ａの厚さは、配線基板１の反り低減の観点から、絶縁層４０Ａよりも十分に薄く設定することが好ましい。具体的には、密着層４１Ａの厚さは、絶縁層４０Ａの厚さの１７％以下が好ましく、絶縁層４０Ａの厚さの１０％以下がより好ましい。例えば密着層４１Ａの厚さは０．５〜５μｍ程度とすることができる。
【００２０】
密着層４１Ａの材料としては、例えばエポキシ系樹脂を主成分とする熱硬化性樹脂と、無機フィラーとを含有する絶縁性樹脂を用いることができる。具体的には、密着層４１Ａの材料としては、当該密着層４１Ａ上に無電解めっきを形成した際のピール強度が、少なくとも、絶縁層４０Ａ上に無電解めっきを形成した際のピール強度（例えば１００〜２００Ｎ／ｍ）よりも高くなるように組成（例えばエポキシ樹脂及び無機フィラーの含有量）が調整された絶縁性樹脂であることが好ましい。ここで、ピール強度とは、導体パターン（無電解めっき）と絶縁層との接着力を示す値（引き剥がし強度）のことである。このピール強度は、絶縁層から導体パターンを引き剥がすように垂直に引っ張ったときに、幅１ｍの導体パターンを絶縁層から引き剥がすために必要な力（Ｎ／ｍ）で表され、この値が大きいほど、導体パターンと絶縁層との密着強度が高いことを示している。さらに、密着層４１Ａの材料としては、当該密着層４１Ａ上に無電解めっきを形成した際のピール強度が、第１絶縁層２０上に無電解めっきを形成した際のピール強度（例えば６００〜７００Ｎ／ｍ）よりも高い８５０Ｎ／ｍ以上になるように調整された絶縁性樹脂であることがより好ましい。また、密着層４１Ａの材料としては、上記絶縁層４０Ａよりも耐薬品性（例えば、耐デスミア性）に優れた絶縁性樹脂であることが好ましい。すなわち、密着層４１Ａの材料としては、デスミア処理液によってエッチングされにくい絶縁性樹脂であることが好ましい。また、密着層４１Ａの材料としては、当該密着層４１Ａのガラス転移温度Ｔｇが１５０℃以上となるように調整された絶縁性樹脂であることが好ましい。以上のような特性を実現するための密着層４１Ａの具体的な材料としては、例えばエポキシ樹脂を３０ｖｏｌ％以上含有し、無機フィラーを比較的少量（例えば１ｖｏｌ％以上５０ｖｏｌ％以下）含有した絶縁性樹脂であることが好ましい。また、密着層４１Ａの材料の具体的な材料としては、エポキシ樹脂を３０ｖｏｌ％以上６５ｖｏｌ％以下含有し、無機フィラーを１ｖｏｌ％以上３０ｖｏｌ％以下含有した絶縁性樹脂であることがより好ましい。なお、密着層４１Ａは、上述のように無機フィラーの含有量が比較的少量であるため、熱膨張係数が４０〜１００ｐｐｍ／℃程度と比較的高い値になる。
【００２１】
さらに、密着層４１Ａは、絶縁層４０Ａよりも表面が平滑な絶縁層である。すなわち、密着層４１Ａの上面（絶縁層４０Ａと接する面とは反対側の面）は、凹凸が少ない平滑面（低粗度面）である。具体的には、密着層４１Ａの上面は、高低差の低い微細な凹凸が形成された低粗度面である。より具体的には、密着層４１Ａの上面の粗度は、表面粗さＲａ値で５０〜３５０ｎｍとなるように設定されている。ここで、表面粗さＲａ値とは、表面粗さを表わす数値の一種であり、算術平均粗さと呼ばれるものであって、具体的には測定領域内で変化する高さの絶対値を平均ラインである表面から測定して算術平均したものである。
【００２２】
第４配線層４２は、密着層４１Ａ上に形成されている。第４配線層４２は、第３絶縁層４０（絶縁層４０Ａ及び密着層４１Ａ）を貫通して第３配線層３１の上面を露出するビアホールＶＨ３内に充填されたビア配線４２ａと、密着層４１Ａ上に形成された配線パターン４２ｂを有している。ビア配線４２ａは、ビアホールＶＨ３の底部に露出した第３配線層３１と電気的に接続されている。なお、ビアホールＶＨ３及びビア配線４２ａは、図１において下側から上側に向かうに連れて径が大きくなるテーパ状に形成されている。第４配線層４２の配線パターン４２ｂの厚さは、例えば２０〜３５μｍ程度とすることができる。
【００２３】
第４絶縁層５０は、密着層４１Ａ上に、第４配線層４２を覆うように形成されている。第４絶縁層５０の材料としては、例えば第１絶縁層２０と同一組成の絶縁性樹脂を用いることができる。第４絶縁層５０の厚さは、例えば１５〜３５μｍ程度とすることができる。
【００２４】
第５配線層５１は、第４絶縁層５０上に形成されている。第５配線層５１は、第４絶縁層５０を貫通して第４配線層４２の上面を露出するビアホールＶＨ４内に充填されたビア配線５１ａと、第４絶縁層５０上に形成された配線パターン５１ｂを有している。ビア配線５１ａは、ビアホールＶＨ４の底部に露出した第４配線層４２と電気的に接続されている。なお、ビアホールＶＨ４及びビア配線５１ａは、図１において下側から上側に向かうに連れて径が大きくなるテーパ状に形成されている。第５配線層５１の配線パターン５１ｂの厚さは、例えば２０〜３５μｍ程度とすることができる。
【００２５】
第５絶縁層６０は、第４絶縁層５０上に、第５配線層５１を覆うように形成されている。第５絶縁層６０の材料としては、例えば第１絶縁層２０と同一組成の絶縁性樹脂を用いることができる。第５絶縁層６０の厚さは、例えば１５〜３５μｍ程度とすることができる。
【００２６】
第６配線層６１は、第５絶縁層６０上に形成された最上層（最外層）の配線層である。第６配線層６１は、第５絶縁層６０を貫通して第５配線層５１の上面を露出するビアホールＶＨ５内に充填されたビア配線６１ａと、第５絶縁層６０上に形成された配線パターン６１ｂを有している。ビア配線６１ａは、ビアホールＶＨ５の底部に露出した第５配線層５１と電気的に接続されている。なお、ビアホールＶＨ５及びビア配線６１ａは、図１において下側から上側に向かうに連れて径が大きくなるテーパ状に形成されている。第６配線層６１の配線パターン６１ｂの厚さは、例えば２０〜３５μｍ程度とすることができる。
【００２７】
上記電極パッド１１Ｐが形成されている面と反対側（図１では上側）の最外層の第５絶縁層６０には、ソルダレジスト層６２が積層されている。ソルダレジスト層６２の材料としては、例えばエポキシ系の絶縁性樹脂を用いることができる。ソルダレジスト層６２の厚さは、例えば１５〜３５μｍ程度とすることができる。
【００２８】
ソルダレジスト層６２には、第６配線層６１の配線パターン６１ｂの一部を外部接続用パッド６１Ｐとして露出させるための開口部６２Ｘが形成されている。この外部接続用パッド６１Ｐには、配線基板１をマザーボード等に実装する際に使用されるはんだボールやリードピン等の外部接続端子が接続されるようになっている。すなわち、本実施形態では、外部接続用パッド６１Ｐの形成されている面が外部接続端子面となっている。なお、必要に応じて、上記開口部６２Ｘから露出する配線パターン６１ｂ上に金属層を形成し、その金属層に上記外部接続端子を接続するようにしてもよい。金属層の例としては、Ａｕ層や、Ｎｉ／Ａｕ層（Ｎｉ層とＡｕ層をこの順番で積層した金属層）や、Ｎｉ／Ｐｄ／Ａｕ層（Ｎｉ層とＰｄ層とＡｕ層をこの順番で積層した金属層）などを挙げることができる。また、上記開口部６２Ｘから露出する配線パターン６１ｂ（又は、配線パターン６１ｂ上に金属層が形成されている場合には、その金属層）自体を、外部接続端子としてもよい。
【００２９】
上記ソルダレジスト層６２の開口部６２Ｘ（外部接続用パッド６１Ｐ）の平面形状は例えば円形であり、その直径は例えば２００〜１０００μｍ程度とすることができる。外部接続用パッド６１Ｐのピッチは、例えば５００〜１２００μｍ程度とすることができる。
【００３０】
（第１実施形態に係る半導体パッケージの構造）
次に、上記配線基板１を用いた半導体パッケージ２の構造を図２に従って説明する。なお、図２において、配線基板１は図１とは上下を反転して描かれている。
【００３１】
図２に示すように、半導体パッケージ２は、配線基板１と、その配線基板１にフリップチップ接合される半導体チップ７０と、アンダーフィル樹脂７２とを有している。配線基板１の電極パッド１１Ｐには、はんだ１４が形成されている。このはんだ１４としては、例えば共晶はんだや鉛（Ｐｂ）フリーはんだ（Ｓｎ−Ａｇ系、Ｓｎ−Ｃｕ系、Ｓｎ−Ａｇ−Ｃｕ系など）を用いることができる。
【００３２】
半導体チップ７０は、その回路形成面（図２では、下面）に、複数のバンプ７１が形成されている。この半導体チップ７０は、バンプ７１及びはんだ１４を介して、配線基板１の電極パッド１１Ｐと電気的に接続されている。
【００３３】
アンダーフィル樹脂７２は、配線基板１と半導体チップ７０との隙間を充填するように設けられている。このアンダーフィル樹脂７２は、バンプ７１と電極パッド１１Ｐとの接続部分の接続強度を向上させると共に、電極パッド１１Ｐの腐食やエレクトロマイグレーションの発生を抑制し、電極パッド１１Ｐの信頼性の低下を防ぐための樹脂である。このアンダーフィル樹脂７２の材料としては、例えばエポキシ系の絶縁性樹脂を用いることができる。
【００３４】
（作用）
配線基板１では、補強材を入れることにより絶縁層２０，３０，５０，６０より機械的強度を高めた絶縁層４０Ａが、積層形成された配線基板１の積層方向の中心付近に位置するように設けられている。これにより、補強材入りの絶縁層４０Ａを中心としてその下部に配設される絶縁層２０，３０及び配線層１１，２１，３１と、上部に配設される絶縁層５０，６０及び配線層４２，５１，６１とが略対称に配置されることになる。したがって、配線基板１の絶縁層４０Ａを中心とした上下のバランスが良好となり、配線基板１に反りが発生するのを抑制することができる。
【００３５】
さらに、配線基板１では、補強材入りの絶縁層４０Ａ上に密着層４１Ａを積層し、その密着層４１Ａ上に配線パターン４２ｂを形成するようにした。ここで、密着層４１Ａは、その上面（配線パターン４２ｂが形成される面）が低粗度面であって、且つ、金属膜（無電解めっき）との密着性が絶縁層４０Ａよりも高い絶縁層である。このため、このような密着層４１Ａの低粗度面に形成される配線パターン４２ｂを微細化させることが可能となる。
【００３６】
（第１実施形態に係る配線基板の製造方法）
次に、上記配線基板１の製造方法を説明する。
まず、配線基板１を製造するためには、図３（ａ）に示すように、支持基板８０を用意する。この支持基板８０としては、例えば金属板や金属箔を用いることができ、本実施形態では、例えば銅箔を用いる。この支持基板８０の厚さは、例えば３５〜１００μｍである。
【００３７】
次に、図３（ｂ）に示す工程では、支持基板８０の一方の面（図中の上面）に、開口部８１Ｘを有するレジスト層８１を形成する。開口部８１Ｘは、上記第１配線層１１（図１参照）の形成領域に対応する部分の支持基板８０の上面を露出するように形成される。レジスト層８１の材料としては、感光性のドライフィルム又は液状のフォトレジスト（例えばノボラック系樹脂やエポキシ系樹脂等の液状レジスト）等を用いることができる。例えば感光性のドライフィルムを用いる場合には、支持基板８０の上面にドライフィルムを熱圧着によりラミネートし、そのドライフィルムを露光・現像によりパターニングして、第１配線層１１の形成領域に対応する所定パターンの開口部８１Ｘを持つレジスト層８１を形成する。なお、液状のフォトレジストを用いる場合にも、同様の工程を経て、レジスト層８１を形成することができる。
【００３８】
続いて、図３（ｃ）に示す工程では、上記レジスト層８１をめっきマスクとして、支持基板８０の上面に、支持基板８０をめっき給電層に利用する電解めっきを施す。具体的には、レジスト層８１の開口部８１Ｘから露出された支持基板８０の上面に電解めっき法を施すことにより、開口部８１Ｘ内に第１導電層１２と第２導電層１３とを順に積層して第１配線層１１を形成する。例えば第１導電層１２がＡｕ膜、Ｐｄ膜、Ｎｉ膜をこの順番で順次積層した構造であり、第２導電層１３がＣｕ層である場合には、まず、支持基板８０をめっき給電層に利用する電解めっき法により、Ａｕ膜、Ｐｄ膜、Ｎｉ膜を順に積層して第１導電層１２を形成する。次いで、支持基板８０をめっき給電層に利用する電解めっき法により、第１導電層１２上にＣｕ層を形成して第２導電層１３を形成する。
【００３９】
次に、図３（ｄ）に示す工程（絶縁層形成工程）では、図３（ｃ）に示したレジスト層８１を除去した後、支持基板８０の上面に、第１配線層１１を覆うように第１絶縁層２０を形成する。なお、第１絶縁層２０は、例えば支持基板８０に樹脂フィルムをラミネートした後に、樹脂フィルムを押圧しながら１３０〜１５０℃程度の温度で熱処理して硬化させることにより形成することができる。
【００４０】
続いて、図３（ｅ）に示す工程では、第１配線層１１の上面が露出されるように、第１絶縁層２０の所定箇所にビアホールＶＨ１を形成する。このビアホールＶＨ１は、例えば炭酸ガスレーザやＵＶ−ＹＡＧレーザ等によるレーザ加工法によって形成することができる。なお、第１絶縁層２０が感光性樹脂を用いて形成されている場合には、例えばフォトリソグラフィ法により所要のビアホールＶＨ１を形成するようにしてもよい。
【００４１】
次いで、ビアホールＶＨ１をレーザ加工法によって形成した場合には、デスミア処理を行って、ビアホールＶＨ１の底部に露出する第１配線層１１の上面に付着した第１絶縁層２０の樹脂残渣（樹脂スミア）を除去する。
【００４２】
その後、図４（ａ）に示す工程（配線層形成工程）では、第１絶縁層２０のビアホールＶＨ１にビア導体を充填してビア配線２１ａを形成するとともに、そのビア配線２１ａを介して第１配線層１１に電気的に接続される配線パターン２１ｂを第１絶縁層２０上に形成する。これらビア配線２１ａ及び配線パターン２１ｂ、つまり第２配線層２１は、例えばセミアディティブ法やサブトラクティブ法などの各種の配線形成方法を用いて形成することができる。
【００４３】
次に、図４（ｂ）に示す工程では、図３（ｄ）〜図４（ａ）に示した工程を繰り返すことにより、第２絶縁層３０と第３配線層３１とを積層する。すなわち、図４（ｂ）に示すように、第１絶縁層２０及び第２配線層２１上に第２絶縁層３０を形成し、この第２絶縁層３０に、配線パターン２１ｂの上面に達するビアホールＶＨ２を形成する。その後、上記ビアホールＶＨ２にビア配線３１ａを形成するとともに、そのビア配線３１ａに電気的に接続される配線パターン３１ｂを形成する。
【００４４】
続いて、図４（ｃ）に示す工程では、絶縁層４０Ａ（図１参照）となる絶縁層４０Ｂ、つまりガラス、アラミド、ＬＣＰ（Liquid Crystal Polymer）繊維の織布や不織布に未硬化の熱硬化性樹脂を含浸させた補強材入りの絶縁層４０Ｂを用意する。この絶縁層４０Ｂは、Ｂ−ステージ（半硬化状態）のものが使用される。絶縁層４０Ｂの厚さは、例えば３０〜８０μｍとすることができる。
【００４５】
また、図４（ｃ）に示す工程では、キャリア８２に密着層４１Ａ（図１参照）となる絶縁層４１Ｂが接着された構造体８２Ａを用意する。絶縁層４１Ｂの材料としては、未硬化のエポキシ樹脂が３０ｖｏｌ％以上含有され、無機フィラーが１〜５０ｖｏｌ％の範囲で含有された絶縁性樹脂を用いることができる。絶縁層４１Ｂは、半硬化状態のものが使用される。絶縁層４１Ｂの厚さは、例えば１〜６μｍ程度とすることができる。また、絶縁層４１Ｂを搬送するためのキャリア８２としては、例えば銅箔を用いることができる。このキャリア８２の厚さは、例えば２〜１８μｍ程度とすることができる。
【００４６】
また、図４（ｃ）に示す工程（第１工程）では、図４（ｂ）に示した構造体の上面側に下から順に上記絶縁層４０Ｂと上記構造体８２Ａを配置する。このとき、構造体８２Ａは、絶縁層４１Ｂが絶縁層４０Ｂと対向するように絶縁層４１Ｂを下側に向けた状態で配置される。そして、図４（ｂ）に示した構造体、絶縁層４０Ｂ及び構造体８２Ａを両面側から真空雰囲気で１９０〜２５０℃程度の温度で加熱・加圧する。これにより、図５（ａ）に示すように、絶縁層４０Ｂ，４１Ｂが硬化して、第２絶縁層３０及び第３配線層３１上に絶縁層４０Ａ及び密着層４１Ａが形成される。また、上記絶縁層４０Ｂ，４１Ｂの硬化に伴って、第２絶縁層３０及び第３配線層３１と絶縁層４０Ａとが接着されるとともに、絶縁層４０Ａと密着層４１Ａとが接着される。これにより、第２絶縁層３０及び第３配線層３１上に、絶縁層４０Ａと密着層４１Ａとが順に積層された第３絶縁層４０が形成されたことになる。なお、例えば積層前の絶縁層４０Ｂの厚さが６０μｍ、配線パターン３１ｂの厚さが３５μｍである場合には、積層後の絶縁層４０Ａの厚さは４０μｍ程度となる。
【００４７】
続いて、図５（ｂ）に示す工程では、図５（ａ）に示したキャリア８２（銅箔）を密着層４１Ａに対して選択的に除去する。例えば塩化第二鉄水溶液、塩化第二銅水溶液又は過硫酸アンモニウム水溶液などを用いたウェットエッチングにより、密着層４１Ａに対してキャリア８２（銅箔）を選択的に除去することができる。
【００４８】
次に、図５（ｃ）に示す工程では、第３配線層３１の配線パターン３１ｂの上面が露出されるように、絶縁層４０Ａ及び密着層４１Ａの所定箇所にビアホールＶＨ３を形成する。このビアホールＶＨ３は、例えば炭酸ガスレーザやＵＶ−ＹＡＧレーザ等によるレーザ加工法によって形成することができる。なお、レーザ加工法により形成したビアホールＶＨ３は、第４絶縁層５０（図１参照）が形成される側に開口されるとともに、第３配線層３１の上面によって底面が形成された、開口部の面積が底面の面積よりも大きくなる円錐台状の凹部となる。
【００４９】
次いで、ビアホールＶＨ３をレーザ加工法によって形成した場合には、デスミア処理を行って、ビアホールＶＨ３の底部に露出する第３配線層３１の上面に付着した絶縁層４０Ａ及び密着層４１Ａの樹脂残渣を除去する。このデスミア処理は、例えば過マンガン酸塩法などを用いて行うことができる。このデスミア処理では、デスミア液（エッチング液）が密着層４１Ａの表面にも供給されるため、そのデスミア液によって密着層４１Ａの表面がエッチングされ、その密着層４１Ａの表面が粗面化される。但し、このとき、密着層４１Ａは、絶縁層４０Ａと比べて、熱硬化性樹脂（密着層４１Ａではエポキシ系樹脂）の含有量が３０ｖｏｌ％以上と高く、無機フィラーの含有量が１〜５０ｖｏｌ％と比較的少量であるため、デスミア処理の影響を受けにくい、つまり耐デスミア性に優れている。このため、この密着層４１Ａは、デスミア液によってエッチングされにくく、デスミア処理後もその表面が低粗度に維持される。具体的には、デスミア処理後の密着層４１Ａの表面の粗度は、表面粗さＲａ値で５０〜３５０ｎｍ程度と低い値に維持される。換言すると、デスミア処理を行っても表面粗さＲａ値で５０〜３５０ｎｍ程度と低い値に維持することの可能な耐デスミア性が得られるように、密着層４１Ａの組成（例えば、エポキシ系樹脂及び無機フィラーの含有量）が調整されている。
【００５０】
次に、図６（ａ）に示す工程では、ビアホールＶＨ３の底部に露出した配線パターン３１ｂの上面、ビアホールＶＨ３の内壁面及び密着層４１Ａの上面に銅等のシード層８３を形成する。このシード層８３は、例えば無電解銅めっき法やスパッタ法によって形成される。このとき、密着層４１Ａではシード層８３（例えば無電解銅めっき）との密着性を低下させる要因となる無機フィラーの含有量が比較的少量であるため、密着層４１Ａに対してシード層８３が良好に密着される。具体的には、密着層４１Ａでは無機フィラーの含有量が補強材の入っていない層間絶縁層（第１絶縁層２０等）における無機フィラーの含有量と同等もしくはその含有量よりも少量になっている。このため、密着層４１Ａとシード層８３との密着強度は、第１絶縁層２０とシード層との密着強度と同等もしくはその密着強度よりも高くなる。さらに、上述したように密着層４１Ａの上面の粗度が低いため、この密着層４１Ａ上に形成される第４配線層４２のファインライン化を実現することができる。
【００５１】
続いて、図６（ｂ）に示す工程では、第４配線層４２のパターンに対応した開口部８４Ｘを有するドライフィルムレジスト（ＤＦＲ）等によりレジスト層８４をシード層８３上に形成する。このレジスト層８４は、例えばフォトリソグラフィ法によって形成される。
【００５２】
次いで、図６（ｃ）に示す工程では、シード層８３を給電層とする電解めっき法により、ビアホールＶＨ３を含むレジスト層８４の開口部８４Ｘに銅などの金属めっき層４２Ｃを充填して形成する。ビアホールＶＨ３内では、シード層８３から内側にめっきが施されてビアホールＶＨ３内にビア導体４２Ｄが充填される。これにより、シード層８３及びビア導体４２Ｄによって構成されるビア配線４２ａが形成されるとともに、シード層８３及び金属めっき層４２Ｃによって構成される配線パターン４２ｂが形成される。このとき、上述したように低粗度面の密着層４１Ａ上に配線パターン４２ｂが形成されるため、配線パターン４２ｂのファインライン化を実現することができる。
【００５３】
次に、図７（ａ）に示す工程では、図６（ｃ）に示したレジスト層８４を除去した後に、上記金属めっき層４２Ｃ及びビア導体４２Ｄをマスクにして、不要なシード層８３をエッチングにより除去する。以上の図６（ａ）〜図７（ａ）に示した工程（第２工程）によって、絶縁層４０Ａ及び密着層４１Ａ上にビア配線４２ａ及び配線パターン４２ｂを有する第４配線層４２が形成される。すなわち、第４配線層４２はセミアディティブ法によって形成される。
【００５４】
次に、図７（ｂ）に示す工程では、図３（ｄ）〜図４（ａ）に示した工程を再度繰り返すことにより、絶縁層と配線層とを交互に積層する。すなわち、図７（ｂ）に示すように、
密着層４１Ａ及び第４配線層４２上に第４絶縁層５０を形成し、この第４絶縁層５０に、第４配線層４２の上面に達するビアホールＶＨ４を形成する。その後、上記ビアホールＶＨ４にビア配線５１ａを形成するとともに、そのビア配線５１ａに電気的に接続される配線パターン５１ｂを形成し、第５配線層５１を設ける。次に、第４絶縁層５０及び第５配線層５１上に第５絶縁層６０を形成し、この第５絶縁層６０に、配線パターン５１ｂの上面に達するビアホールＶＨ５を形成する。その後、上記ビアホールＶＨ５にビア配線６１ａを形成するとともに、そのビア配線６１ａに電気的に接続される配線パターン６１ｂを形成し、第６配線層６１を設ける。
【００５５】
次に、図７（ｂ）に示す工程では、第６配線層６１の所要の箇所に画定される外部接続用パッド６１Ｐを露出させるための開口部６２Ｘを有するソルダレジスト層６２を第５絶縁層６０及び第６配線層６１上に形成する。このソルダレジスト層６２は、例えば感光性のソルダレジストフィルムをラミネートし、又は液状のソルダレジストを塗布し、当該レジストを所要の形状にパターニングすることにより形成することができる。これにより、ソルダレジスト層６２の開口部６２Ｘから第６配線層６１の一部が外部接続用パッド６１Ｐとして露出される。なお、必要に応じて、外部接続用パッド６１Ｐ上に、例えばＮｉ層とＡｕ層をこの順番で積層した金属層を形成するようにしてもよい。この金属層は、例えば無電解めっき法により形成することができる。
【００５６】
次いで、図８（ａ）に示す工程では、仮基板として用いた支持基板８０（図７（ｂ）参照）を除去する。例えば支持基板８０として銅箔を用いる場合には、塩化第二鉄水溶液、塩化第二銅水溶液、過硫酸アンモニウム水溶液等を用いたウェットエッチングにより、支持基板８０の除去を行うことができる。この際、第１絶縁層２０から露出する第１配線層１１の最表層はＡｕ膜等であるため、銅箔である支持基板８０のみを選択的にエッチングすることができる。但し、第６配線層６１が銅層である場合には、開口部６２Ｘの底部に露出する第６配線層６１が支持基板８０とともにエッチングされることを防止するため、第６配線層６１をマスクして上記ウェットエッチングを行う必要がある。
【００５７】
以上の製造工程により、本実施形態の配線基板１を製造することができる。
（第１実施形態に係る半導体パッケージの製造方法）
次に、上述のように製造された配線基板１を用いた半導体パッケージ２の製造方法を説明する。
【００５８】
まず、図８（ｂ）に示す工程では、配線基板１の電極パッド１１Ｐにはんだ１４を形成する。このはんだ１４は、例えばはんだペーストの塗布やはんだボールの搭載により形成することができる。続いて、図９（ａ）に示す工程では、端子にバンプ７１を形成した半導体チップ７０を、電極パッド１１Ｐ上に位置決めし、はんだ１４とバンプ７１を溶融させ、半導体チップ７０と電極パッド１１Ｐとを電気的に接続する（フリップチップ接合）。そして、図９（ｂ）に示す工程では、半導体チップ７０と配線基板１の第１絶縁層２０との間に、液状のアンダーフィル樹脂７２を充填し、硬化する。以上の製造工程により、本実施形態の半導体パッケージ２を製造することができる。
【００５９】
以上説明した本実施形態によれば、以下の効果を奏することができる。
（１）配線基板１では、補強材入りの絶縁層４０Ａ上に密着層４１Ａを積層し、その密着層４１Ａ上に配線パターン４２ｂを形成するようにした。ここで、密着層４１Ａは、その上面（配線パターン４２ｂが形成される面）が低粗度面であって、且つ、金属膜（無電解めっき）との密着性が絶縁層４０Ａよりも高い絶縁層である。このため、このような密着層４１Ａの低粗度面に形成される配線パターン４２ｂを微細化させることが可能となる。具体的には、配線パターン４２ｂをＬ／Ｓ＝８μｍ／８μｍ程度まで微細化させることが可能となる。
【００６０】
（２）補強材入りの絶縁層４０Ａよりも耐デスミア性に優れた上記密着層４１Ａ上に配線パターン４２ｂを形成するようにした。ここで、デスミア処理後の密着層４１Ａの上面の表面粗度は、表面粗さＲａ値で５０〜３５０ｎｍと低い値に維持される。このため、このような密着層４１Ａの上面（低粗度面）に配線パターン４２ｂを形成する際に、セミアディティブ法を利用して微細配線形成を行うことができる。
【００６１】
（３）本実施形態の製造方法では、配線層１１，２１，３１及び絶縁層２０，３０の形成時には、それら配線層１１，２１，３１及び絶縁層２０，３０が支持基板８０に支持されるため、反りの発生が好適に抑制される。また、剛性の高い支持基板８０に支持された状態で、配線層１１，２１，３１及び絶縁層２０，３０等の形成が行われるため、配線基板の製造時に発生しうる薄板搬送の問題の発生を防止することができる。
【００６２】
また、第２絶縁層３０及び第３配線層３１の形成後に、機械的強度の高い絶縁層４０Ａを含む第３絶縁層４０が積層形成される。そして、配線層４２，５１，６１及び絶縁層５０，６０は、上記機械的強度の高い絶縁層４０Ａを含む第３絶縁層４０上に積層形成される。このため、配線層４２，５１，６１及び絶縁層５０，６０は、第３絶縁層４０及び支持基板８０に支持されるため、これら配線層４２，５１，６１及び絶縁層５０，６０の形成時にも、反りの発生が好適に抑制される。
【００６３】
（４）従来から行われている多層配線基板の製造工程を大きく変更することなく、上記配線基板１を製造できるため、設備コストの低減を図ることができる。これにより、配線基板１の製造コストの低減も図ることができる。
【００６４】
（５）配線基板１では、補強材を入れることにより絶縁層２０，３０，５０，６０より機械的強度を高めた絶縁層４０Ａが、積層形成された配線基板１の積層方向の中心付近に位置するように設けられている。これにより、補強材入りの絶縁層４０Ａを中心としてその下部に配設される絶縁層２０，３０及び配線層１１，２１，３１と、上部に配設される絶縁層５０，６０及び配線層４２，５１，６１とが略対称に配置されることになる。したがって、配線基板１の絶縁層４０Ａを中心とした上下のバランスが良好となり、配線基板１に反りが発生するのを抑制することができる。なお、樹脂よりなる絶縁層と金属よりなる配線層の熱膨張係数の違い等に起因して配線基板１に反りが発生すると、半導体チップ７０を配線基板１に適正に実装することができなくなり、実装信頼性が低下してしまう。これに対し、本実施形態では、上記反りの発生が抑制されるため、半導体チップ７０を配線基板１に適正に実装することができ、実装信頼性を向上させることができる。
【００６５】
なお、上記第１実施形態は、これを適宜変更した以下の態様にて実施することもできる。
（第１実施形態の変形例）
・上記第１実施形態では、積層方向の中心付近に、補強材入りの絶縁層４０Ａと、低粗度で且つ無電解めっきとの密着性を向上させた密着層４１Ａとを有する絶縁層４０を設けるようにした。これに限らず、配線基板において、積層される層間絶縁層の少なくとも１つの絶縁層が、上記絶縁層４０Ａ及び密着層４１Ａを有する絶縁層４０であれば良いため、その絶縁層４０の形成位置及び数は特に限定されない。
【００６６】
・例えば図１０（ａ）に示されるように、積層方向の中心付近に、補強材入りの絶縁層４０Ａと密着層４１Ａとを有する絶縁層４０を複数（本例では、２つ）設けるようにしてもよい。すなわち、この２つの絶縁層４０を有する配線基板１Ａは、図１に示す配線基板１に対して絶縁層４０（上側の絶縁層４０）が追加され、その絶縁層４０上に形成された配線層４３が追加されている。この配線層４３は、補強材入りの絶縁層４０Ａ及び密着層４１Ａを貫通して配線層４２の上面を露出するビアホールＶＨ６内に充填されたビア配線４３ａと、密着層４１Ａ上に形成された配線パターン４３ｂを有している。このような構造とすることにより、積層方向の中心付近における配線基板１Ａの剛性をより高めることができる。これにより、絶縁層４０による補強効果を高めることができるため、配線基板１Ａの反りを効果的に低減することができる。換言すると、上記複数の絶縁層４０が高い剛性を有するコア基板（支持部材）と同等の効果を発揮する。
【００６７】
ここで、コア基板の上下両面にビルドアップ配線層と絶縁層とを積層した配線基板では、コア基板にスルーホールを形成する必要がある。しかし、このスルーホールの微細化が困難であるため、配線基板全体の高密度を図ることができないという問題点がある。また、上記スルーホールにめっきを施す場合には、ボイドレスでスルーホールめっきを形成することが困難であるという問題もある。
【００６８】
これに対し、図１０（ａ）に示した構造によれば、複数の絶縁層４０上に形成される配線層４２，４３は、各絶縁層４０に形成されたビアホールＶＨ３，ＶＨ６に充填されたビア配線４２ａ，４３ａを介して層間接続される。このようなビア配線４２ａ，４３ａは、微細化が容易であり、ボイドレスで形成することも容易である。このため、配線基板全体の高密度化を実現することができ、さらに配線層の層間接続の信頼性を向上させることができる。
【００６９】
・また、例えば図１０（ｂ）に示されるように、外部接続端子面側の最外層の層間絶縁層を、補強材入りの絶縁層４０Ａと密着層４１Ａとを有する絶縁層４０に変更するようにしてもよい。すなわち、配線基板１Ｂでは、図１に示す配線基板１における第５絶縁層６０が絶縁層４０に変更され、配線基板１における絶縁層４０が補強材の入っていない絶縁層４４に変更されている。また、配線基板１Ｂにおいて、絶縁層４０上に積層された配線層６３は、補強材入りの絶縁層４０Ａ及び密着層４１Ａを貫通して配線層５１の上面を露出するビアホールＶＨ７内に充填されたビア配線６３ａと、密着層４１Ａ上に形成された配線パターン６３ｂを有している。なお、ソルダレジスト層６２の開口部６２Ｘから露出する配線層６３は、外部接続用パッド６３Ｐとして機能する。このように、補強材入りの絶縁層４０Ａと密着層４１Ａとを有する絶縁層４０を、外部接続端子面側に偏らせて設けるようにしてもよい。また、図示は省略するが、補強材入りの絶縁層４０Ａと密着層４１Ａとを有する絶縁層４０を、チップ搭載面側に偏らせて設けるようにしてもよい。
【００７０】
・例えば図１１に示されるように、全ての層間絶縁層を、補強材入りの絶縁層４０Ａと密着層４１Ａとを有する絶縁層４０に変更するようにしてもよい。すなわち、配線基板１Ｃでは、図１に示す配線基板１における絶縁層２０，３０，５０，６０の全てが絶縁層４０に変更されている。この場合には、配線基板１Ｃの反りを効果的に低減することができる。例えば配線基板１Ｃに用いられる材料などの応力や、積層される層の数、層の厚さ等から考えて、配線基板１Ｃの反りが大きくなる懸念がある場合には、本例のように全ての層間絶縁層を、補強材入りの絶縁層４０Ａと密着層４１Ａとを有する絶縁層４０に変更することが好ましい。
【００７１】
以上のように、上記第１実施形態の配線基板１において、積層される複数の層間絶縁層の任意の絶縁層を上記絶縁層４０Ａ及び密着層４１Ａを有する絶縁層４０に変更してもよい。換言すると、上記第１実施形態の配線基板１の製造方法によれば、任意の絶縁層を上記絶縁層４０に変更することができる。すなわち、配線基板の特性（積層される層の数、層の厚さや配線層の占有面積など）に応じて、任意の絶縁層を上記絶縁層４０に適宜変更することができる。
【００７２】
［実施例］
次に、実施例及び比較例を挙げて上記第１実施形態及びその変形例をさらに具体的に説明する。
【００７３】
ここでは、密着層４１Ａを追加した場合に、その密着層４１Ａが配線基板の反り改善に対して悪影響を及ぼすか否かを検証した結果を説明する。すなわち、密着層４１Ａでは、無機フィラーの含有量が比較的少量であるため、熱膨張係数が他の絶縁層２０，３０，４０Ａ等に比べて高くなる（例えば、４０〜１００ｐｐｍ／℃程度）。この密着層４１Ａの熱膨張係数は、配線層（銅）の熱膨張係数（例えば、１７ｐｐｍ／℃程度）と大きく相違する。このため、それら熱膨張係数の相違によって配線基板１に反りが生じることが懸念される。すなわち、補強材入りの絶縁層４０Ａを追加したことにより配線基板の反りが改善され、密着層４１Ａを形成したことにより配線パターンの微細化が実現されるものの、密着層４１Ａを追加したことにより上記絶縁層４０Ａによる反り改善に悪影響が及ぼされることが懸念される。そこで、図１２（ａ）及び図１３に示すように、絶縁層４０Ａと密着層４１Ａを有する絶縁層４０を設けた配線基板（実施例１〜３）、絶縁層４０の代わりに絶縁層４０Ａのみを設けた配線基板（比較例１〜３）、及び絶縁層４０Ａ及び密着層４１Ａを設けていない配線基板（比較例４）の各々について反りのシミュレーションを行った。
【００７４】
（実施例１）
図１２（ａ）に示すように、実施例１の配線基板は、７層の配線層Ｃ１〜Ｃ７と６層の絶縁層Ａ１〜Ａ６とを交互に積層し、最下層の絶縁層Ａ６にソルダレジスト層ＳＲを積層したものである。この配線基板は、上記第１実施形態の配線基板１の製造方法と同様に、チップ搭載面側の配線層Ｃ１〜Ｃ７及び絶縁層Ａ１〜Ａ６から順に支持基板上に積層して形成したものである。ここで、絶縁層Ａ４は、補強材入りの絶縁層４０Ａと密着層４１Ａとが積層された絶縁層４０であり、その他の絶縁層Ａ１〜Ａ３，Ａ５，Ａ６は補強材の入っていない絶縁層である。
【００７５】
シミュレーション条件としては、絶縁層４０Ａの熱膨張係数を１６．５ｐｐｍ／℃、ヤング率を約３００００ＭＰａに調整し、密着層４１Ａの熱膨張係数を７０〜９０ｐｐｍ／℃、ヤング率を約２０００ＭＰａに調整することで、絶縁層４０の熱膨張係数を１７．０ｐｐｍ／℃、ヤング率を約２９０００ＭＰａに調整した。また、補強材の入っていない絶縁層の熱膨張係数を３９ｐｐｍ／℃、ヤング率を約５０００ＭＰａに調整し、ソルダレジスト層ＳＲの熱膨張係数を４０ｐｐｍ／℃、ヤング率を約３８００ＭＰａに調整した。
【００７６】
また、配線基板の平面形状を４５ｍｍ×４５ｍｍの矩形状とした。具体的には、図１２（ｂ）に示すように、配線層Ｃ１〜Ｃ７の層厚を１５μｍ、絶縁層Ａ１の層厚を１５μｍ、補強材の入っていない絶縁層Ａ２，Ａ３，Ａ５，Ａ６の層厚を３０μｍ、補強材入りの絶縁層Ａ４の層厚を４０μｍ、ソルダレジスト層ＳＲの層厚を１５μｍとした。ここで、絶縁層４０である絶縁層Ａ４の層厚（４０μｍ）は、絶縁層４０Ａの厚さ（３８μｍ）と密着層４１Ａの厚さ（２μｍ）を合算した厚さである。また、配線層Ｃ１〜Ｃ７の残銅率がそれぞれ１．５％、６６．８％、８８．６％、６２．３％、８２．５％、７６．１％、８２．２％となるように、各配線層Ｃ１〜Ｃ７のＣｕ面積を調整した。ここで、残銅率とは、ある絶縁層上の面積に占める、配線層を形成する銅層の面積の比率である。
【００７７】
なお、以上説明したシミュレーション条件は、他の実施例２，３及び比較例１〜４でも同様である。
（実施例２）
図１３（ａ）に示すように、実施例２の配線基板は、絶縁層Ａ４に加えて絶縁層Ａ３，Ａ５を上記絶縁層４０としたものである。
【００７８】
（実施例３）
図１３（ｂ）に示すように、実施例３の配線基板は、全ての絶縁層Ａ１〜Ａ６を上記絶縁層４０としたものである。
【００７９】
（比較例１）
図１３（ｃ）に示すように、比較例１の配線基板は、実施例１の配線基板の絶縁層Ａ４から密着層４１Ａを省略し、実施例１の配線基板の絶縁層４０を補強材入りの絶縁層４０Ａ単体に変更したものである。
【００８０】
（比較例２）
図１３（ｄ）に示すように、比較例２の配線基板は、実施例２の配線基板の絶縁層Ａ３〜Ａ５から密着層４１Ａを省略し、実施例２の配線基板の絶縁層４０を補強材入りの絶縁層４０Ａ単体に変更したものである。
【００８１】
（比較例３）
図１３（ｅ）に示すように、比較例３の配線基板は、実施例３の配線基板の絶縁層Ａ１〜Ａ６から密着層４１Ａを省略し、実施例３の配線基板の絶縁層４０を補強材入りの絶縁層４０Ａ単体に変更したものである。
【００８２】
（比較例４）
図１３（ｆ）に示すように、比較例４の配線基板は、全ての絶縁層Ａ１〜Ａ６を補強材の入っていない絶縁層としたものである。このとき、絶縁層Ａ１の厚さを１５μｍとし、その他全ての絶縁層Ａ２〜Ａ６の厚さを３０μｍとした。
【００８３】
（測定方法）
各例の配線基板を１９０度の環境下に置いて応力を開放後、温度を２５度に下げたときの反りを測定した。反りは、図１２（ｃ）に示すように、配線基板の１／２対角長における各端部、つまり基板中央部Ｂ１と角部Ｂ２との高さの差を測定した。なお、チップ搭載面が凸状に反った場合の反り量をプラスとし、チップ搭載面が凹状に反った場合の反り量をマイナスとして、表１にシミュレーション結果を示した。
【００８４】
【表１】
（シミュレーション結果）
表１に示すように、まず、全ての絶縁層Ａ１〜Ａ６が補強材の入っていない絶縁層である比較例４の配線基板では、反り量が−６７１μｍであった。これに対し、絶縁層Ａ１〜Ａ６のうち少なくとも１つの絶縁層を絶縁層４０（補強材入りの絶縁層４０Ａ＋密着層４１Ａ）とした実施例１〜３の配線基板では、反り量がそれぞれ−６４３μｍ、−５６１μｍ、−８９μｍであり、上記比較例４よりも反り量が小さくなっていることが分かる。上述したように、熱膨張係数の高い密着層４１Ａを設けると、反り改善効果に悪影響が及ぼされることが懸念されたが、上記シミュレーション結果から明らかなように、密着層４１Ａを設けた場合であっても、配線基板の反りを十分に改善することができた。さらに、実施例１と比較例１、及び、実施例２と比較例２をそれぞれ比較すると、実施例１，２における反り量は、密着層４１Ａが存在しない場合（比較例１，２）の反り量と同等であった。このことから、熱膨張係数が配線層の熱膨張係数と大きく相違する密着層４１Ａを追加した場合であっても、その密着層４１Ａが上記絶縁層４０Ａによる配線基板の反り改善に対して悪影響を及ぼさないことが分かる。この理由について考察する。本実施例１，２では、密着層４１Ａの厚さが絶縁層４０Ａの厚さの約５．３％に調整され、密着層４１Ａのヤング率が絶縁層４０Ａのヤング率の約６．７％に調整されている。このように密着層４１Ａの厚さが絶縁層４０Ａに比べて十分に薄く、さらに密着層４１Ａのヤング率が絶縁層４０Ａに比べて小さいために、補強材入りの絶縁層４０Ａによる反り改善効果を弱める作用が少なく、密着層４１Ａが上記反り改善に対して悪影響を及ぼさなかったものと考えられる。
【００８５】
また、全ての絶縁層Ａ１〜Ａ６を絶縁層４０（補強材入りの絶縁層４０Ａ＋密着層４１Ａ）とした実施例３では、反り量が−８９μｍであり、高い反り改善効果が得られることが分かる。但し、実施例３と比較例３を比較すると、実施例３における反り量の絶対値が比較例３のそれよりも５０μｍ以上大きくなっている。これは、反り量の絶対値が小さくなるにつれて、反り量に対する密着層４１Ａの熱膨張係数（やヤング率）の影響が大きくなるためと考えられる。これに伴って、密着層４１Ａの有無により反り量の差が増加すると考えられる。しかし、このような反り量の差は、反り量の絶対値が十分に小さくなったときに生じる差である。従って、上記シミュレーション結果からも明らかなように、たとえ比較例３との反り量の差が増加したとしても、密着層４１Ａを有する絶縁層４０による反り改善効果は十分に得られていると言える。
【００８６】
（第２実施形態）
以下、第２実施形態を図１４〜図１６に従って説明する。
上記第１実施形態では、チップ搭載面側から配線層及び絶縁層を交互に積層して形成された配線基板について説明した。これに対し、本実施形態では、外部接続端子面側から配線層及び絶縁層を交互に積層して形成された配線基板について説明する。また、上記第１実施形態では、積層方向の中心付近に補強材入りの絶縁層と密着層とを有する絶縁層を設けるようにしたが、本実施形態では、外部接続端子面側の最外層に補強材入りの絶縁層と密着層とを有する絶縁層を設けるようにした。
【００８７】
図１４に示すように、配線基板３は、第１配線層１１１と、第１絶縁層１２０と、第２配線層１２２と、第２絶縁層１３０と、第３配線層１３１と、第３絶縁層１４０と、第４配線層１４１と、第４絶縁層１５０と、第５配線層１５１と、第５絶縁層１６０と、第６配線層１６１とが順次積層された構造を有している。このように、本実施形態の配線基板３は、上記第１実施形態の配線基板１と同様に、支持基材を含まない「コアレス基板」の形態を有している。
【００８８】
なお、第２〜第６配線層１２２，１３１，１４１，１５１，１６１の材料としては、例えば銅や銅合金などの金属を用いることができる。
配線基板３において、第１配線層１１１は、図１４では最下層に形成されている。この第１配線層１１１は、第１導電層１１２と第２導電層１１３とを有している。第１導電層１１２としては、例えばＡｕ膜、Ｐｄ膜、Ｎｉ膜を、Ａｕ膜が配線基板３の外部に露出するように、この順番で順次積層した導電層を用いることができる。また、第２導電層１１３としては、例えばＣｕ層等を含む導電層を用いることができる。
【００８９】
第１配線層１１１の一部、つまり第１導電層１１２の第１主面１１２Ａ（図中の下面）は第１絶縁層１２０から露出しており、マザーボード等に実装する際に使用されるはんだボールやリードピン等の外部接続端子が接続される外部接続用パッド１１１Ｐとして機能する。すなわち、本実施形態では、外部接続用パッド１１１Ｐが形成されている面が外部接続端子面となっている。また、本実施形態では、第１導電層１１２の第１主面１１２Ａが第１絶縁層１２０の第１主面（図中の下面）と面一になっている。なお、第１絶縁層１２０から露出する第１配線層１１１自体を、外部接続端子としてもよい。
【００９０】
第１絶縁層１２０から露出する第１配線層１１１の平面形状は例えば円形であり、その直径は例えば２００〜１０００μｍ程度とすることができる。第１絶縁層１２０から露出する第１配線層１１１のピッチは、例えば５００〜１２００μｍ程度とすることができる。第１配線層１１１の厚さは、例えば１０〜２０μｍ程度とすることができる。
【００９１】
第１絶縁層１２０は、絶縁層１２０Ａと密着層１２１Ａとを有している。絶縁層１２０Ａは、第１配線層１１１の第２主面（図中の上面）及び側面を覆い、第１配線層１１１の第１主面１１２Ａを露出するように形成されている。絶縁層１２０Ａは、上記第１実施形態の絶縁層４０Ａと同一組成の絶縁層であり、補強材入りの絶縁層である。絶縁層１２０Ａの材料としては、熱硬化性を有するエポキシ系の絶縁性樹脂を用いることができる。なお、絶縁性樹脂としては、熱硬化性を有する樹脂に限定されず、感光性を有する絶縁性樹脂を用いることができる。絶縁層１２０Ａの厚さは、例えば３０〜６０μｍ程度とすることができる。
【００９２】
密着層１２１Ａは、上記絶縁層１２０Ａ上に、その絶縁層１２０Ａの上面を覆うように形成されている。この密着層１２１Ａは、上記第１実施形態の密着層４１Ａと同一組成の絶縁層であり、絶縁層１２０Ａよりも表面が平滑（低粗度）であって且つ絶縁層１２０Ａよりも金属膜（例えば、無電解めっき）との密着性が高い絶縁層である。密着層１２１Ａの材料としては、例えばエポキシ樹脂の含有量を３０ｖｏｌ％以上とし、無機フィラーの含有量を１〜５０ｖｏｌ％の範囲内とした絶縁性樹脂を用いることができる。
【００９３】
密着層１２１Ａの表面粗度は、例えば表面粗さＲａ値で５０〜３５０ｎｍとなるように設定されている。また、密着層１２１Ａの厚さは、例えば０．５〜５μｍ程度とすることができる。
【００９４】
第２配線層１２２は、第１絶縁層１２０上に形成されている。第２配線層１２２は、絶縁層１２０Ａ及び密着層１２１Ａを貫通して第１配線層１１１の上面を露出するビアホールＶＨ１１内に充填されたビア配線１２２ａと、密着層１２１Ａ上に形成された配線パターン１２２ｂを有している。ビア配線１２２ａは、ビアホールＶＨ１１の底部に露出した第１配線層１１１と電気的に接続されている。なお、ビアホールＶＨ１１及びビア配線１２２ａは、図１４において下側（外部接続端子面側）から上側（第６配線層１６１側）に向かうに連れて径が大きくなるテーパ状に形成されている。第２配線層１２２の配線パターン１２２ｂの厚さは、例えば２０〜３５μｍ程度とすることができる。
【００９５】
第３〜第６配線層１３１，１４１，１５１，１６１は、第２〜第５絶縁層１３０，１４０，１５０，１６０を介在して積層され、各絶縁層１３０，１４０，１５０，１６０に形成されたビアホールＶＨ１２，ＶＨ１３，ＶＨ１４，ＶＨ１５に充填されたビア配線１３１ａ，１４１ａ，１５１ａ，１６１ａを介して層間接続されている。
【００９６】
なお、第２〜第５絶縁層１３０，１４０，１５０，１６０の材料としては、熱硬化性を有するエポキシ系の絶縁性樹脂を用いることができる。なお、絶縁性樹脂としては、熱硬化性を有する樹脂に限定されず、感光性を有する絶縁性樹脂を用いることができる。これら第２〜第５絶縁層１３０，１４０，１５０，１６０の厚さは、例えば１５〜３５μｍ程度とすることができる。
【００９７】
上記第３配線層１３１は、上記第２配線層１２２の配線パターン１２２ｂと電気的に接続されているビア配線１３１ａと、そのビア配線１３１ａに電気的に接続されている配線パターン１３１ｂとを有している。第４配線層１４１は、配線パターン１３１ｂと電気的に接続されているビア配線１４１ａと、そのビア配線１４１ａに電気的に接続されている配線パターン１４１ｂとを有している。第５配線層１５１は、配線パターン１４１ｂと電気的に接続されているビア配線１５１ａと、そのビア配線１５１ａに電気的に接続されている配線パターン１５１ｂとを有している。第６配線層１６１は、配線パターン１５１ｂと電気的に接続されているビア配線１６１ａと、そのビア配線１６１ａと電気的に接続されている配線パターン１６１ｂとを有している。これら第３〜第６配線層１３１，１４１，１５１，１６１のビア配線１３１ａ，１４１ａ，１５１ａ，１６１ａはそれぞれ、図１４において下側（外部接続用パッド１１１Ｐ側）から上側（配線パターン１６１ｂ側）になるにつれて径が大きくなるテーパ状に形成されている。具体的には、ビア配線１３１ａ，１４１ａ，１５１ａ，１６１ａはそれぞれ、外部接続用パッド１１１Ｐ側の端面が配線パターン１６１ｂ側の端面よりも小径となる円錐台形状に形成されている。
【００９８】
上記第５絶縁層１６０には、ソルダレジスト層１６２が積層されている。ソルダレジスト層１６２の材料としては、例えばエポキシ系の絶縁性樹脂を用いることができる。ソルダレジスト層１６２の厚さは、例えば１５〜３５μｍ程度とすることができる。
【００９９】
ソルダレジスト層１６２には、上記配線パターン１６１ｂの一部を電極パッド１６１Ｐとして露出させるための開口部１６２Ｘが形成されている。この電極パッド１６１Ｐには、例えば半導体チップ等が電気的に接続されるようになっている。すなわち、本実施形態では、電極パッド１６１Ｐが形成されている面がチップ搭載面となっている。なお、必要に応じて、上記開口部１６２Ｘから露出する第６配線層１６１の配線パターン１６１ｂ上に金属層を形成し、その金属層に半導体チップを電気的に接続するようにしてもよい。金属層の例としては、Ａｕ層や、Ｎｉ／Ａｕ層（Ｎｉ層とＡｕ層をこの順番で積層した金属層）や、Ｎｉ／Ｐｄ／Ａｕ層（Ｎｉ層とＰｄ層とＡｕ層をこの順番で積層した金属層）などを挙げることができる。
【０１００】
上記ソルダレジスト層１６２の開口部１６２Ｘ（電極パッド１６１Ｐ）の平面形状は例えば円形であり、その直径は例えば４０〜１２０μｍ程度とすることができる。電極パッド１６１Ｐのピッチは、例えば１００〜２００μｍ程度とすることができる。
【０１０１】
（第２実施形態に係る配線基板の製造方法）
次に、上記配線基板３の製造方法を説明する。
まず、配線基板３を製造するためには、図１５（ａ）に示すように、支持基板１８０を用意する。この支持基板１８０としては、例えば金属板や金属箔を用いることができ、本実施形態では、例えば銅箔を用いる。この支持基板１８０の厚さは、例えば３５〜１００μｍである。続いて、支持基板１８０の一方の面（図中の上面）に、第１配線層１１１の形状に対応した開口部１８１Ｘを有するレジスト層１８１を形成する。次いで、レジスト層１８１をめっきマスクとして、支持基板１８０の上面に、支持基板１８０をめっき給電層に利用する電解めっきを施す。具体的には、レジスト層１８１の開口部１８１Ｘから露出された支持基板１８０の上面に電解めっき法を施すことにより、開口部１８１Ｘ内に第１導電層１１２と第２導電層１１３とを順に積層して第１配線層１１１を形成する。例えば第１導電層１１２がＡｕ膜、Ｐｄ膜、Ｎｉ膜をこの順番で順次積層した構造であり、第２導電層１１３がＣｕ層である場合には、まず、支持基板１８０をめっき給電層に利用する電解めっき法により、Ａｕ膜、Ｐｄ膜、Ｎｉ膜を順に積層して第１導電層１１２を形成する。次いで、支持基板１８０をめっき給電層に利用する電解めっき法により、第１導電層１１２上にＣｕ層を形成して第２導電層１１３を形成する。
【０１０２】
次に、図１５（ｂ）に示す工程では、図１５（ａ）に示したレジスト層１８１を除去する。また、絶縁層１２０Ａ（図１４参照）となる絶縁層１２０Ｂ、つまりガラス、アラミド、ＬＣＰ（Liquid Crystal Polymer）繊維の織布や不織布に未硬化の熱硬化性樹脂（例えば、エポキシ系樹脂やポリイミド系樹脂など）を含浸させた補強材入りの絶縁層１２０Ｂを用意する。この絶縁層１２０Ｂは、Ｂ−ステージのものが使用される。絶縁層１２０Ｂの厚さは、例えば３０〜８０μｍとすることができる。
【０１０３】
また、図１５（ｂ）に示す工程では、キャリア１８２に密着層１２１Ａ（図１４参照）となる絶縁層１２１Ｂが接着された構造体１８２Ａを用意する。絶縁層１２１Ｂの材料としては、例えば未硬化のエポキシ樹脂が３０ｖｏｌ％以上含有され、無機フィラーが１〜５０ｖｏｌ％の範囲で含有された絶縁性樹脂を用いることができる。絶縁層１２１Ｂは、半硬化状態のものが使用される。絶縁層１２１Ｂの厚さは、例えば１〜６μｍ程度とすることができる。また、絶縁層１２１Ｂを搬送するためのキャリア１８２としては、例えば銅箔を用いることができる。このキャリア１８２の厚さは、例えば２〜１８μｍ程度とすることができる。
【０１０４】
また、図１５（ｂ）に示す工程では、支持基板１８０の上面に第１配線層１１１が形成された構造体の上面側に、下から順に上記絶縁層１２０Ｂと上記構造体１８２Ａを配置する。このとき、構造体１８２Ａは、絶縁層１２１Ｂが絶縁層１２０Ｂと対向するように絶縁層１２１Ｂを下側に向けた状態で配置される。そして、支持基板１８０の上面に第１配線層１１１が形成された構造体、絶縁層１２０Ｂ及び構造体１８２Ａを両面側から真空雰囲気で１９０〜２５０℃程度の温度で加熱・加圧する。これにより、図１５（ｃ）に示すように、絶縁層１２０Ｂ，１２１Ｂが硬化して、支持基板１８０及び第１配線層１１１上に絶縁層１２０Ａ及び密着層１２１Ａが積層形成される。また、上記絶縁層１２０Ｂ，１２１Ｂの硬化に伴って、支持基板１８０及び第１配線層１１１と絶縁層１２０Ａとが接着されるとともに、絶縁層１２０Ａと密着層１２１Ａとが接着される。
【０１０５】
続いて、図１５（ｃ）に示す工程では、図１５（ｂ）に示したキャリア１８２（銅箔）を、密着層１２１Ａに対して選択的にエッチングにより除去する。
次に、図１６（ａ）に示す工程では、第１配線層１１１の上面が露出されるように、絶縁層１２０Ａ及び密着層１２１Ａの所定箇所にビアホールＶＨ１１を形成する。このビアホールＶＨ１１は、例えば炭酸ガスレーザやＵＶ−ＹＡＧレーザ等によるレーザ加工法によって形成することができる。
【０１０６】
次いで、ビアホールＶＨ１１をレーザ加工法によって形成した場合には、デスミア処理を行って、ビアホールＶＨ１１の底部に露出する第１配線層１１１の上面に付着した絶縁層１２０Ａ及び密着層１２１Ａの樹脂残渣を除去する。このデスミア処理は、例えば過マンガン酸塩法などを用いて行うことができる。なお、このデスミア処理後の密着層１２１Ａの上面の粗度は、表面粗さＲａ値で５０〜３５０ｎｍ程度と低い値に維持される。
【０１０７】
次に、図１６（ｂ）に示す工程では、第１絶縁層１２０上に第２配線層１２２を形成する。この第２配線層１２２は、図６（ａ）〜図７（ａ）で説明した工程と同様に、セミアディティブ法によって形成することができる。
【０１０８】
すなわち、無電解めっき法やスパッタ法により、ビアホールＶＨ１１の底部に露出した第１配線層１１１の上面、ビアホールＶＨ１１の内壁面及び密着層１２１Ａの上面に銅等のシード層（図示略）を形成する。このとき、密着層１２１Ａの上面（低粗度面）にシード層が形成され、高い密着強度で密着層１２１Ａとシード層とが密着される。次に、シード層上に第２配線層１２２の形状に対応する開口部を備えたレジスト層（図示略）を形成する。続いて、シード層を給電層に利用した電解めっき法により、レジスト層の開口部に銅等からなる配線層（図示略）を形成する。次いで、レジスト層を除去した後に、配線層をマスクにして、配線層に覆われていない部分のシード層をエッチングにより除去する。これにより、ビアホールＶＨ１１内に充填されたビア配線１２２ａと、密着層１２１Ａ上に形成された配線パターン１２２ｂとを有する第２配線層１２２が第１絶縁層１２０上に形成される。
【０１０９】
次に、図１６（ｃ）に示す工程では、図３（ｄ）〜図４（ａ）に示した工程を再度繰り返すことにより、絶縁層と配線層とを交互に積層する。すなわち、図１６（ｃ）に示すように、密着層１２１Ａ及び第２配線層１２２上に第２絶縁層１３０を形成し、この第２絶縁層１３０上に第３配線層１３１を形成する。同様に、第３絶縁層１４０、第４配線層１４１、第４絶縁層１５０、第５配線層１５１、第５絶縁層１６０、第６配線層１６１を順に積層形成する。
【０１１０】
次に、図１６（ｃ）に示す工程では、第６配線層１６１の所要の箇所に画定される電極パッド１６１Ｐを露出させるための開口部１６２Ｘを有するソルダレジスト層１６２を第５絶縁層１６０及び第６配線層１６１上に形成する。これにより、ソルダレジスト層１６２の開口部１６２Ｘから第６配線層１６１の一部が電極パッド１６１Ｐとして露出される。その後、支持基板１８０を除去することにより、図１４に示した配線基板３を製造することができる。
【０１１１】
以上説明した実施形態によれば、第１実施形態の（１）〜（４）の効果に加えて以下の効果を奏する。
（１）外部接続用パッド１１１Ｐ側の最外層の層間絶縁層のみを、補強材入りの絶縁層１２０Ａと密着層１２１Ａとを有する絶縁層１２０とした。この理由を以下に説明する。
【０１１２】
まず、一般的に、外部接続用パッド１１１Ｐとして用いられる配線層（ここでは、第１配線層１１１）は残銅率が高く、電極パッド１６１Ｐとして用いられる配線層（ここでは、第６配線層１６１）は残銅率が低い。なお、本実施形態の場合には、金属層として銅を想定して残銅率と称するが、金属層は銅以外であってもよい。
【０１１３】
上述したような残銅率の差により配線基板３に反りが生じやすくなる。具体的には、層間絶縁層のガラス転移温度Ｔｇよりも低い常温環境下では、残銅率の低い層、つまり絶縁樹脂の含有量の多い層の方が縮みやすいため、電極パッド１６１Ｐ側（チップ搭載面側）が凹状に反る傾向にある。その一方で、層間絶縁層のガラス転移温度Ｔｇよりも高い高温環境下では、残銅率の低い層が残銅率の高い層に向かって反る、つまり外部接続用パッド１１１Ｐ側（外部接続端子面側）が凹状に反る傾向にある。
【０１１４】
これに対し、本実施形態では、外部接続用パッド１１１Ｐ側の最外層の層間絶縁層（ここでは、第１絶縁層１２０）、つまり反りの生じやすい第１絶縁層１２０に補強材入りの絶縁層１２０Ａを設けるようにした。これにより、第１絶縁層１２０の剛性を高めることができるため、配線基板３の反りを効果的に低減することができる。すなわち、例えば高温環境下で配線基板３が反った場合に、凹状となる外部接続端子面側の最外層の絶縁層１２０の剛性を高めることにより、配線基板３を反らす応力に効果的に対抗でき、配線基板３の反りを低減できる効果が大きい。
【０１１５】
さらに、配線基板３が高温になり、上記絶縁層１２０Ａ以外の絶縁層１３０，１４０，１５０，１６０のガラス転移温度Ｔｇを超えた場合であっても、そのガラス転移温度Ｔｇよりも絶縁層１２０Ａのガラス転移温度Ｔｇが高いため、その絶縁層１２０Ａ内の補強材の剛性により反りの発生を抑制でき、高温環境下における挙動が安定する。
【０１１６】
（２）また、補強材入りの絶縁層１２０Ａの厚さは、補強材を含まない他の絶縁層（例えば、第２絶縁層１３０）の厚さよりも厚くなる。これにより、第１絶縁層１２０に形成されるビアホールＶＨ１１は、第５絶縁層１６０に形成されるビアホールＶＨ１５よりも深くなり、且つ、開口端における径（ソルダレジスト層１６２側の径）も大きくなる。すなわち、ビアホールＶＨ１１はビアホールＶＨ１５よりも容積が大きくなる。但し、ビアホールＶＨ１１は外部接続端子面側に設けられており、この外部接続端子面側は外部接続用パッド１１１Ｐのピッチを電極パッド１６１Ｐよりも広くできる等、チップ搭載面側と比べてデザインルールが緩いため、ビアホールＶＨ１１の大容量は問題とならない。すなわち、上述のように外部接続用パッド１１１Ｐ側の最外層の絶縁層１２０に補強材入りの絶縁層１２０Ａを設けるようにしても、デザインルールを緩めることなく、所望のビアホールＶＨ１１や配線層１１１，１２２等を形成することができる。
【０１１７】
なお、上記各実施形態は、これを適宜変更した以下の態様にて実施することもできる。
（第２実施形態の変形例）
・上記第２実施形態では、外部接続端子面側の最外層の層間絶縁層に、補強材入りの絶縁層１２０Ａと、低粗度で且つ無電解めっきとの密着性を向上させた密着層１２１Ａとを有する絶縁層１２０を設けるようにした。これに限らず、配線基板において、積層される層間絶縁層の少なくとも１つの絶縁層が、上記絶縁層１２０Ａ及び密着層１２１Ａを有する絶縁層１２０であれば良いため、その絶縁層１２０の形成位置及び数は特に限定されない。
【０１１８】
・例えば図１７に示されるように、積層方向の中心付近の層間絶縁層を、補強材入りの絶縁層１２０Ａと密着層１２１Ａとを有する絶縁層１２０に変更するようにしてもよい。すなわち、配線基板３Ａでは、図１４に示す配線基板３における第３絶縁層１４０が絶縁層１２０に変更され、配線基板３における絶縁層１２０が補強材の入っていない絶縁層１２３に変更されている。また、配線基板３Ａにおいて、絶縁層１２０上に積層された配線層１４２は、補強材入りの絶縁層１２０Ａ及び密着層１２１Ａを貫通して配線層１３１の上面を露出するビアホールＶＨ１６内に充填されたビア配線１４２ａと、密着層１２１Ａ上に形成された配線パターン１４２ｂを有している。このような構造とすることにより、上記第１実施形態と同様の効果を奏する。
【０１１９】
（その他の変形例）
・上記各実施形態では、支持基板８０，１８０上に１個の配線基板１，３を作成する例を示したが、支持基板８０，１８０上に複数の配線基板１，３となる部材を作成し、それを個片化して複数の配線基板１，３を得るような工程としてもよい。
【０１２０】
・上記各実施形態では、絶縁層４０Ａ，１２０Ａの材料としては、補強材入りの絶縁性樹脂を用いるようにした。これに限らず、例えば絶縁層４０Ａ，１２０Ａの材料として、例えばシリカ（ＳｉＯ２）等のフィラーの含有量が２０〜７０％程度であるエポキシ系の絶縁性樹脂を用いるようにしてもよい。この場合には、フィラーの含有量を調整することにより、絶縁層４０Ａ，１２０Ａの熱膨張係数が配線層の熱膨張係数（例えば１７ｐｐｍ／℃程度）に近づくように調整する（例えば、フィラーの含有量を増やすと熱膨張係数が小さくなる）。
【０１２１】
・上記各実施形態では、絶縁層４０Ａ，１２０Ａ及び密着層４１Ａ，１２１Ａを一括積層する際に、密着層４１Ａ，１２１Ａとなる絶縁層４１Ｂ，１２１Ｂをキャリア８２，１８２にそれぞれ接着するようにした。これに限らず、例えばキャリア８２上に絶縁層４１Ｂと絶縁層４０Ｂを設けた構造体を用意し、その構造体を下層の配線層及び絶縁層上に積層した後、キャリア８２を除去するようにしてもよい。また、絶縁層４０Ｂ上に絶縁層４１Ｂを設けた構造体を用意し、その構造体を下層の配線層及び絶縁層上に積層するようにしてもよい。
【０１２２】
・上記各実施形態では、主にビルドアップ工法により支持基板の片側（一方の面）に配線層及び絶縁層を積層し、最後に支持基板を除去してコアレスの配線基板を製造するようにした。これに限らず、例えば主にビルドアップ工法により支持基板の両側（一方の面及び他方の面）に配線層及び絶縁層を積層し、最後に支持基板を除去して複数のコアレス配線基板を製造するようにしてもよい。この場合には、支持基板の一方の面及び他方の面の何れにも、図３〜図７に示した工程と同様にチップ搭載面側から配線層及び絶縁層を順次積層し、最後に支持基板を除去する。もしくは、支持基板の一方の面及び他方の面の何れにも、図１５及び図１６に示した工程と同様に外部接続端子面側から配線層及び絶縁層を順次積層し、最後に支持基板を除去する。
【０１２３】
・上記各実施形態では、配線基板１に半導体チップ７０を実装する場合について説明したが、被実装体としては半導体チップ７０に限定されない。例えば配線基板１の上に別の配線基板を積み重ねる構造を有するパッケージ（パッケージ・オン・パッケージ）にも、本発明を適用することが可能である。
【０１２４】
・上記各実施形態における配線基板１，３の層の数や配線の取り回し、もしくは半導体チップ７０の実装の形態（例えばフリップチップ実装、ワイヤボンディングによる実装、又はこれらの組み合わせ）などは様々に変形・変更することが可能である。
【符号の説明】
【０１２５】
１，１Ａ〜１Ｃ，３，３Ａ 配線基板
１１，２１，３１，４２，５１，６１ 配線層
２０，３０，４０，５０，６０ 絶縁層
４０Ａ，１２０Ａ 絶縁層（補強材入り絶縁層）
４１Ａ，１２１Ａ 密着層
４０Ｂ，１２０Ｂ 絶縁層（第１樹脂）
４１Ｂ，１２１Ｂ 絶縁層（第２樹脂）
８０，１８０ 支持基板
８３，１８３ シード層
１１１，１２２，１３１，１４１，１５１，１６１ 配線層
１２０，１３０，１４０，１５０，１６０ 絶縁層
【特許請求の範囲】
【請求項１】
配線層と絶縁層とが複数層積層されてなる配線基板において、
前記積層される複数の絶縁層のうち少なくとも１つの絶縁層は、下層の配線層の上面及び側面を覆うように形成された補強材入り絶縁層と、前記補強材入り絶縁層上に積層され、前記補強材入り絶縁層よりも金属膜との密着性が高く、前記補強材入り絶縁層よりも薄い密着層とを有し、
前記積層される複数の配線層のうち少なくとも１つの配線層は、前記密着層上に積層されるとともに、前記下層の配線層とビア配線により接続されていることを特徴とする配線基板。
【請求項２】
前記密着層上に積層される配線層は、前記密着層上に形成された配線パターンと、前記密着層及び前記補強材入り絶縁層を貫通して形成された前記ビア配線からなり、
前記ビア配線が前記下層の配線層と接続されていることを特徴とする請求項１に記載の配線基板。
【請求項３】
前記密着層の前記配線層が形成される側の表面の粗度が、表面粗さＲａ値で５０〜３５０ｎｍであることを特徴とする請求項１又は２に記載の配線基板。
【請求項４】
前記密着層は、エポキシ樹脂を主成分とする熱硬化性樹脂と、無機フィラーとを含有する絶縁層であって、
前記密着層は、該密着層上に無電解めっきを形成した際のピール強度が８５０Ｎ／ｍ以上であることを特徴とする請求項１〜３のいずれか１つに記載の配線基板。
【請求項５】
樹脂を用いて絶縁層を形成する絶縁層形成工程と、配線層を形成する配線層形成工程とを支持基板上で繰り返し実施した後に、前記支持基板を除去する工程を実施する配線基板の製造方法において、
前記絶縁層形成工程のうち少なくとも１つの絶縁層形成工程は、補強材を含む第１樹脂により補強材入り絶縁層を形成し、前記補強材入り絶縁層よりも金属膜との密着性が高い第２樹脂により、前記補強材入り絶縁層よりも薄い密着層を前記補強材入り絶縁層上に形成する第１工程を有し、
前記配線層形成工程のうち少なくとも１つの配線層形成工程は、前記第１工程で形成された絶縁層の前記密着層上に前記配線層を形成する第２工程を有することを特徴とする配線基板の製造方法。
【請求項６】
前記第１工程では、
前記支持基板を含む構造体上に、半硬化状態の前記第１樹脂と半硬化状態の前記第２樹脂とを配置し、加熱・加圧によって前記第１樹脂及び前記第２樹脂を硬化させることにより、前記補強材入り絶縁層及び前記密着層を形成すると同時に、前記構造体上に前記補強材入り絶縁層及び前記密着層を積層することを特徴とする請求項５に記載の配線基板の製造方法。
【請求項７】
前記第２工程は、
前記第１工程で形成された前記絶縁層を貫通するビアホールを形成する工程と、
デスミア処理を実施する工程と、
セミアディティブ法により前記絶縁層上に前記配線層を形成する工程と、
を有することを特徴とする請求項５又は６に記載の配線基板の製造方法。
【請求項８】
前記デスミア処理後の前記密着層の前記配線層が形成される側の表面の粗度が、表面粗さＲａ値で５０〜３５０ｎｍであることを特徴とする請求項７に記載の配線基板の製造方法。
【請求項１】
配線層と絶縁層とが複数層積層されてなる配線基板において、
前記積層される複数の絶縁層のうち少なくとも１つの絶縁層は、下層の配線層の上面及び側面を覆うように形成された補強材入り絶縁層と、前記補強材入り絶縁層上に積層され、前記補強材入り絶縁層よりも金属膜との密着性が高く、前記補強材入り絶縁層よりも薄い密着層とを有し、
前記積層される複数の配線層のうち少なくとも１つの配線層は、前記密着層上に積層されるとともに、前記下層の配線層とビア配線により接続されていることを特徴とする配線基板。
【請求項２】
前記密着層上に積層される配線層は、前記密着層上に形成された配線パターンと、前記密着層及び前記補強材入り絶縁層を貫通して形成された前記ビア配線からなり、
前記ビア配線が前記下層の配線層と接続されていることを特徴とする請求項１に記載の配線基板。
【請求項３】
前記密着層の前記配線層が形成される側の表面の粗度が、表面粗さＲａ値で５０〜３５０ｎｍであることを特徴とする請求項１又は２に記載の配線基板。
【請求項４】
前記密着層は、エポキシ樹脂を主成分とする熱硬化性樹脂と、無機フィラーとを含有する絶縁層であって、
前記密着層は、該密着層上に無電解めっきを形成した際のピール強度が８５０Ｎ／ｍ以上であることを特徴とする請求項１〜３のいずれか１つに記載の配線基板。
【請求項５】
樹脂を用いて絶縁層を形成する絶縁層形成工程と、配線層を形成する配線層形成工程とを支持基板上で繰り返し実施した後に、前記支持基板を除去する工程を実施する配線基板の製造方法において、
前記絶縁層形成工程のうち少なくとも１つの絶縁層形成工程は、補強材を含む第１樹脂により補強材入り絶縁層を形成し、前記補強材入り絶縁層よりも金属膜との密着性が高い第２樹脂により、前記補強材入り絶縁層よりも薄い密着層を前記補強材入り絶縁層上に形成する第１工程を有し、
前記配線層形成工程のうち少なくとも１つの配線層形成工程は、前記第１工程で形成された絶縁層の前記密着層上に前記配線層を形成する第２工程を有することを特徴とする配線基板の製造方法。
【請求項６】
前記第１工程では、
前記支持基板を含む構造体上に、半硬化状態の前記第１樹脂と半硬化状態の前記第２樹脂とを配置し、加熱・加圧によって前記第１樹脂及び前記第２樹脂を硬化させることにより、前記補強材入り絶縁層及び前記密着層を形成すると同時に、前記構造体上に前記補強材入り絶縁層及び前記密着層を積層することを特徴とする請求項５に記載の配線基板の製造方法。
【請求項７】
前記第２工程は、
前記第１工程で形成された前記絶縁層を貫通するビアホールを形成する工程と、
デスミア処理を実施する工程と、
セミアディティブ法により前記絶縁層上に前記配線層を形成する工程と、
を有することを特徴とする請求項５又は６に記載の配線基板の製造方法。
【請求項８】
前記デスミア処理後の前記密着層の前記配線層が形成される側の表面の粗度が、表面粗さＲａ値で５０〜３５０ｎｍであることを特徴とする請求項７に記載の配線基板の製造方法。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図１６】
【図１７】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図１６】
【図１７】
【公開番号】特開２０１３−６２３１４（Ｐ２０１３−６２３１４Ａ）
【公開日】平成２５年４月４日（２０１３．４．４）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１１−１９８５６４（Ｐ２０１１−１９８５６４）
【出願日】平成２３年９月１２日（２０１１．９．１２）
【出願人】（０００１９０６８８）新光電気工業株式会社 (1,516)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２５年４月４日（２０１３．４．４）
【国際特許分類】
【出願日】平成２３年９月１２日（２０１１．９．１２）
【出願人】（０００１９０６８８）新光電気工業株式会社 (1,516)
【Ｆターム（参考）】
[ Back to top ]