金属用のリガンドおよびそれらに基づいて改善された金属触媒法
【課題】遷移金属を触媒とする反応において、適切な基質の範囲、触媒の転移回数、反応条件および反応効率を含む多くの特徴を改善する。
【解決手段】 遷移金属用の新規なリガンドを提供し、遷移金属を触媒とする炭素−ヘテロ原子結合および炭素−炭素結合の形成反応において、これらのリガンドを含む触媒の利用法を提供する。
【解決手段】 遷移金属用の新規なリガンドを提供し、遷移金属を触媒とする炭素−ヘテロ原子結合および炭素−炭素結合の形成反応において、これらのリガンドを含む触媒の利用法を提供する。
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
一般構造式２で示される化合物であって、
【化１】
ＸはNR２、PR２、AsR２、ORまたはSRで表され；
ＹはNR２、PR２、AsR２、OR、SR、SiR３、アルキルまたはHで表され；
ここで、R、R１、R２、R３、R４、R５、R６、R７およびR８は、それぞれ別異の水素、ハロゲン、アルキル、アルケニル、アルキニル、ヒドロキシル、アルコキシル、シリルオキシ、アミノ、ニトロ、スルフヒドリル、アルキルチオ、イミン、アミド、ホスホリル、ホスホネート、ホスフィン、カルボニル、カルボキシル、カルボキシアミド、アンヒドリド、シリル、チオアルキル、アルキルスルフォニル、アリールスルフォニル、セレノアルキル、ケトン、アルデヒド、エステル、ヘテロアルキル、ニトリル、グアニジン、アミジン、アセタール、ケタール、アミンオキシド、アリール、ヘテロアリール、アジド、アジリジン、カルバメート、エポキシド、ヒドロキサム酸、イミド、オキシム、スルフォンアミド、チオアミド、チオカルバメート、ウレア、チオウレア、または−(CH２)m−R80であり；
互いにオルト位に存在する任意の置換基対はR１、R２、R３、R５、R６およびR７を含む群から選択され、これらの置換基は相互に作用して、総原子数が５〜７個からなる環構造骨格を表すことができ；該環構造は、その骨格内に１または２個のヘテロ原子を有することができ；また、該環構造はさらに置換基を有することも有しないことも可能であり、
R８０は、置換もしくは未置換アリール、シクロアルキル、シクロアルケニル、複素環、または多環を表し；
ｍは０〜８までの整数であり；
リガンドがキラルの場合には、鏡像異性体の混合物または鏡像異性体のうちのいずれか一方の形で提供することができ；
Ｒがアルキル、アリールまたはヘテロアリールである場合、ＸおよびＹは両方がPR２ではない；
ことを特徴とする化合物。
【請求項２】
ＸとＹが異なっており；
Rは、アルキル、ヘテロアルキル、シクロアルキル、ヘテロシクロアルキル、アリール、ヘテロアリール、アラルキル、ヘテロアラルキル、および−(CH２)m−R80を含む群からそれぞれ別異に選択され；
R１、R２、R３、R４、R５、R６、R７およびR８は、H、アルキル、ヘテロアルキル、シクロアルキル、ヘテロシクロアルキル、アリール、ヘテロアリール、アラルキル、ヘテロアラルキル、ハロゲン、−SiR３および−(CH２)m−R80を含む群からそれぞれ別異に選択される
ことを特徴とする請求項１記載の化合物。
【請求項３】
Ｙがアルキルであり；
ＸがPR２で表され；
ここでRは、アルキル、ヘテロアルキル、シクロアルキル、ヘテロシクロアルキル、アリール、ヘテロアリール、アラルキル、ヘテロアラルキル、および−(CH２)m−R80を含む群からそれぞれ別異に選択され；
R１、R２、R３、R４、R５、R６、R７およびR８は、H、アルキル、ヘテロアルキル、シクロアルキル、ヘテロシクロアルキル、アリール、ヘテロアリール、アラルキル、ヘテロアラルキル、ハロゲン、−SiR３および−(CH２)m−R80を含む群からそれぞれ別異に選択される
ことを特徴とする請求項１記載の化合物。
【請求項４】
Ｙがアルキルであり；
ＸがPR２で表され；
ここでRは、アルキルおよびシクロアルキルを含む群からそれぞれ別異に選択され；
R１、R２、R３、R４、R５、R６、R７およびR８は、H、アルキル、ヘテロアルキル、シクロアルキル、ヘテロシクロアルキル、アリール、ヘテロアリール、アラルキル、ヘテロアラルキル、ハロゲン、−SiR３および−(CH２)m−R80を含む群からそれぞれ別異に選択される
ことを特徴とする請求項１記載の化合物。
【請求項５】
ＸがPR２である場合に、Ｘ内のＰが不斉であり；鏡像異性体のうちの一方が多く存在することを特徴とする請求項１記載の化合物。
【請求項６】
ＸがPR２である場合に、Ｘ内のＰが不斉であり；ビフェニル核が軸性キラルであることを特徴とする請求項１記載の化合物。
【請求項７】
一般構造式４で示される化合物であって、
【化２】
Rは、アルキル、ヘテロアルキル、シクロアルキル、ヘテロシクロアルキル、アリール、ヘテロアリール、アラルキル、ヘテロアラルキル、および−(CH２)m−R80を含む群からそれぞれ別異に選択され；
ビナフチル核のAおよびA’環は、それぞれ別異に未置換であるか、または安定性および原子価則に基づく限度までは任意にR１およびR２で置換されており；
R１およびR２は、アルキル、ヘテロアルキル、シクロアルキル、ヘテロシクロアルキル、アリール、ヘテロアリール、アラルキル、ヘテロアラルキル、ハロゲン、−SiR３および−(CH２)m−R80を含む群からそれぞれ別異に選択され、
R８０は、置換もしくは未置換アリール、シクロアルキル、シクロアルケニル、複素環、または多環を表し；
ｍは０〜８までの整数であり；さらに、
リガンドがキラルの場合には、鏡像異性体の混合物または鏡像異性体のうちのいずれか一方の形で提供することができる
ことを特徴とする化合物。
【請求項８】
R１およびR２は水素であって、
Nに結合している２個のRは明らかに低級アルキル、好ましくはメチルであり；さらに、
Pに結合している２個のRは明らかにシクロアルキル、好ましくはシクロヘキシルである
ことを特徴とする請求項７記載の化合物。
【請求項９】
PR２基が不斉P原子を含むことを特徴とする請求項７記載の化合物。
【請求項１０】
PR２基が不斉P原子を含み、ビフェニル核が軸性キラルであることを特徴とする請求項７記載の化合物。
【請求項１１】
一般構造式６で示される化合物であって、
【化３】
Rは、アルキル、ヘテロアルキル、シクロアルキル、ヘテロシクロアルキル、アリール、ヘテロアリール、アラルキル、ヘテロアラルキル、および−(CH２)m−R80を含む群からそれぞれ別異に選択され；
ビフェニル核のAおよびA’環は、それぞれ別異に未置換であるか、または安定性および原子価則に基づく限度までは任意にR１およびR２で置換されており；
R１およびR２は、アルキル、ヘテロアルキル、シクロアルキル、ヘテロシクロアルキル、アリール、ヘテロアリール、アラルキル、ヘテロアラルキル、ハロゲン、−SiR３および−(CH２)m−R80を含む群からそれぞれ別異に選択され、
R８０は、置換もしくは未置換アリール、シクロアルキル、シクロアルケニル、複素環、または多環を表し；
ｍは０〜８までの整数であり；
リガンドがキラルの場合には、鏡像異性体の混合物または鏡像異性体のうちのいずれか一方の形で提供することができ；
Ｒの全ての例が同一であり、アルキル、シクロアルキルおよびアリールから成る群より選択される場合、R１およびR２の少なくとも２つの場合が存在し；さらに、
Ｒがアルキル、シクロアルキル、アリールおよびヘテロアリールから成る群より選択される場合、化合物６のビフェニル核は、6よび6’位置でメチルまたはメトキシ基を有しない；
ことを特徴とする化合物。
【請求項１２】
R１およびR２は存在せず、
すべてのRが低級アルキルまたはシクロアルキル、好ましくはシクロヘキシルである
ことを特徴とする請求項１１記載の化合物。
【請求項１３】
少なくとも１個のPR２基が不斉P原子を含むことを特徴とする請求項１１記載の化合物。
【請求項１４】
少なくとも１個のPR２基が不斉P原子を含み；ビフェニル核が軸性キラルであることを特徴とする請求項１１記載の化合物。
【請求項１５】
一般構造式８で示される化合物であって、
【化４】
ArおよびAr'は、随意に置換されたアリール部位またはヘテロアリール部位を含む群からそれぞれ別異に選択され；ArおよびAr'の両方が随意に置換されたアリールではなく；Ar'がナフチルを示し、Arがイソキノリニルを示し、ＹがHである場合、ＸはP(Ph)2ではなく；
ＸはNR２、PR２、AsR２、ORまたはSRで表され；
ＹはNR２、PR２、AsR２、OR、SR、SiR３、アルキルまたはHで表され；
Ｒは、アルキル、ヘテロアルキル、シクロアルキル、ヘテロシクロアルキル、アリール、ヘテロアリール、アラルキル、ヘテロアラルキル、および−(CH２)m−R80を含む群からそれぞれ別異に選択され、
R８０は、置換もしくは未置換アリール、シクロアルキル、シクロアルケニル、複素環、または多環を表し；
ｍは０〜８までの整数であり；さらに、
リガンドがキラルの場合には、鏡像異性体の混合物または鏡像異性体のうちのいずれか一方の形で提供することができる
ことを特徴とする化合物。
【請求項１６】
ＸがPR２である場合に、Ｘ内のＰ原子が不斉であり；鏡像異性体のうちの一方が多く存在することを特徴とする請求項１５記載の化合物。
【請求項１７】
ＸがPR２である場合に、Ｘ内のＰ原子が不斉であり；二芳香核が軸性キラルであり；さらに、鏡像異性体またはジアステレオ異性体のうちのひとつが多く存在することを特徴とする請求項１５記載の化合物。
【請求項１８】
一般構造式９で示される化合物であって、
【化５】
Arは、随意に置換された芳香環部位、複素芳香環部位またはフェロセニル部位を含む群を表し；
Ｒは、アルキル、ヘテロアルキル、シクロアルキル、ヘテロシクロアルキル、アリール、ヘテロアリール、アラルキル、ヘテロアラルキル、および−(CH２)m−R80を含む群からそれぞれ別異に選択され、
R８０は、置換もしくは未置換アリール、シクロアルキル、シクロアルケニル、複素環、または多環を表し；
ｍは０〜８までの整数であり；
リガンドがキラルの場合には、鏡像異性体の混合物または鏡像異性体のうちのいずれか一方の形で提供することができ；
Ｒの両方がシクロアルキルまたはアリールを示さず；
Arが2-メトキシフェニルである場合、PR2はシクロヘキシルメチルホスフィノ、tert-ブチルメチルホスフィノまたはジメチルホスフィノではなく；
Arがフェニルである場合、PR2はジメチルホスフィノまたは（tert-ブチル）メチルホスフィノではなく；
Ｒがそれぞれの発生アルキルについて独立して、シクロアルキル、アリールまたはヘテロアリールを示す場合、Arは6,6’-ジメチルビフェン-2-ylまたは6,6’-ジメトキシビフェン-2-ylではなく；
Ｒの両方がtert-ブチルを示す場合、Arはフェニル、2-メトキシフェニル、2-イソプロピルフェニル、2-エチルフェニル、2,3-ジメトキシフェニルまたは2,6-ジメトキシフェニルを示さない；
ことを特徴とする化合物。
【請求項１９】
Arが随意に置換された２−ビフェニル部位を表すことを特徴とする請求項１８記載の化合物。
【請求項２０】
Arが２−ビフェニル部位を表すことを特徴とする請求項１８記載の化合物。
【請求項２１】
Rがアルキルを表すことを特徴とする請求項１８記載の化合物。
【請求項２２】
Rがtert−ブチルまたはシクロヘキシルを表すことを特徴とする請求項１８記載の化合物。
【請求項２３】
Arが随意に置換された２−ビフェニル部位を表し；さらに、Rがアルキルを表すことを特徴とする請求項１８記載の化合物。
【請求項２４】
Arが２−ビフェニル部位を表し；さらに、Rがアルキルを表すことを特徴とする請求項１８記載の化合物。
【請求項２５】
Arが随意に置換された２−ビフェニル部位を表し；さらに、Rがtert−ブチルまたはシクロヘキシルを表すことを特徴とする請求項３８記載の化合物。
【請求項２６】
Arが２−ビフェニル部位を表し、さらに、Rがtert−ブチルまたはシクロヘキシルを表すことを特徴とする請求項１８記載の化合物。
【請求項２７】
PR２内のP原子が不斉であることを特徴とする請求項１８記載の化合物。
【請求項２８】
一般構造式１０で示される化合物であって、
【化６】
ＸはNR２、PR２、AsR２、ORまたはSRで表され；
Ｒは、アルキル、ヘテロアルキル、シクロアルキル、ヘテロシクロアルキル、アリール、ヘテロアリール、アラルキル、ヘテロアラルキル、および−(CH２)m−R80を含む群からそれぞれ別異に選択され；
o−テルフェニル核の３個のフェニル環はそれぞれ別異に未置換であるか、または安定性および原子価則に基づく限度までは任意にR１、R２もしくはR３で置換されており；
R１、R２およびR３は、アルキル、ヘテロアルキル、シクロアルキル、ヘテロシクロアルキル、アリール、ヘテロアリール、アラルキル、ヘテロアラルキル、ハロゲン、−SiR３−および−(CH２)m−R80を含む群からそれぞれ別異に選択され；
R８０は、置換もしくは未置換アリール、シクロアルキル、シクロアルケニル、複素環、または多環を表し；
ｍは０〜８までの整数であり；さらに、
リガンドがキラルの場合には、鏡像異性体の混合物または鏡像異性体のうちのいずれか一方の形で提供することができる
ことを特徴とする化合物。
【請求項２９】
式１で表される一般的な反応の方法であって、
【化７】
Arは、随意に置換された単環式芳香環部位および多環式芳香環部位、ならびに複素芳香環部位を含む群から選択され；
Ｘは、Cl、Br、I、-OS(O)２アルキルおよび-OS(O)２アリールを含む群から選択され；
R'およびR''は、H、アルキル、ヘテロアルキル、アリール、ヘテロアリール、アラルキル、アルコキシル、アミノ、トリアルキルシリルおよびトリアリールシリルを含む群からそれぞれ別異に選択され；
R'およびR''は、相互に作用して、総原子数が３〜10個からなる随意に置換された環構造骨格を表すことができ、該環構造は、R'およびR''が結合している窒素原子以外に１個またはそれ以上のヘテロ原子を随意に有することができ；
R'および／またはR''は、アミノ化反応が分子内で生じたかのようにArに共有することができ；
遷移金属は５〜12属の金属、好ましくはVIIIA属から選択され；
リガンドは、請求項１−２８に記載の任意のリガンドから選択され；さらに、
塩基は、ヒドリド類、カーボネート類、フルオライド類、ホスフェート類、アルコキシド類、フェノキシド類、アミド類、カーバニオン類およびシリルアニオン類を含む群から選択される
ことを特徴とする方法。
【請求項３０】
式２で表される一般的なカップリング反応の方法であって、
【化８】
このとき、ArおよびAr'は、随意に置換された芳香環部位、複素芳香環部位およびアルケニル部位を含む群からそれぞれ別異に選択され；
Ｘは、Cl、Br、I、-OS(O)２アルキルおよび-OS(O)２アリールを含む群から選択され；
Mは、B(OR)２、Mg（ハロゲン化物）またはZn（ハロゲン化物）で表され；Rは、H、メチル、アルキル、ヘテロアルキル、アリールまたはヘテロアリールからそれぞれ別異に選択され；あるいは、B(OR)２のように２個のRが存在する場合には、相互に作用して、随意に置換され、炭素数が２または３個である、２個のO原子間の連結鎖を表すこともでき；
ArおよびAr'は、反応が分子内で生じたかのように共有結合することができ；
遷移金属は５〜12属の金属、好ましくはVIIIA属から選択され；
リガンドは、請求項１−２８に記載の任意のリガンドから選択され；さらに、
塩基は、カーボネート類、ホスフェート類、フルオライド類、アルコキシド類、アミド類、カーバニオン類およびシリルアニオン類を含む群から選択される
ことを特徴とする方法。
【請求項３１】
式３で表される一般的なカップリング反応の方法であって、
【化９】
このとき、Arは、随意に置換された芳香環部位、複素芳香環部位およびアルケニル部位を含む群から選択され；
Rは、随意に置換されたアルキル、ヘテロアルキルおよびアラルキルを含む群から選択され；
R'は、アルキルおよびヘテロアルキルを含む群からそれぞれ別異に選択され、ここで、該アルキル基およびヘテロアルキル基の炭素−ホウ素結合は反応条件下において不活性であって、例えば、BR'２は相互に作用して９−ボロビシクロ[３．３．１]ノニルを形成しており、
Mは、B(R')２、Mg（ハロゲン化物）またはZn（ハロゲン化物）で表され；ArXのＸは、Cl、Br、I、-OS(O)２アルキルおよび-OS(O)２アリールを含む群から選択され；
ArおよびRは、反応が分子内で生じたかのように共有結合することができ；
遷移金属は５〜12属の金属、好ましくはVIIIA属から選択され；
リガンドは、請求項１−２８に記載の任意のリガンドから選択され；さらに、
塩基は、カーボネート類、ホスフェート類、フルオライド類、アルコキシド類、アミド類、カーバニオン類およびシリルアニオン類を含む群から選択される
ことを特徴とする方法。
【請求項３２】
式４で表される一般的なα−アリール化反応の方法であって、
【化１０】
このとき、Arは、随意に置換された単環式芳香環部位および多環式芳香環部位ならびに複素芳香環部位を含む群から選択され；
Xは、Cl、Br、I、-OS(O)２アルキルおよび-OS(O)２アリールを含む群から選択され；
Gは、ホルミル、アシル、−CN、−C(O)OR、−C(O)NR2、ニトロ、ニトロソ、−S(O)２R、−SO３R、−S(O)２NR２、−C(NR)-R、−C(NOR)-Rおよび−C(NNR２)-Rを含む群からそれぞれ別異に選択される電子求引性基を表し；
Rは、水素（H）、アルキル、アリール、ヘテロアルキル、ヘテロアリール、ハロゲン、アルキルアミノ、アリールアミノ、アルキルチオ、アリールチオ、アルコキシ、アリールオキシ、または−(CH２)m−R80を含む群からそれぞれ別異に選択され；
R８０は、それぞれ別異に、置換もしくは未置換アリール、シクロアルキル、シクロアルケニル、複素環、または多環を表し；
ｍは、０〜８までの整数からそれぞれ別異に選択され；
qは、１〜３までの整数であり；
pは、（３−q）に等しい整数であり；
ArおよびRのうちのひとつは、反応が分子内で生じたかのように共有結合することができ；
遷移金属は５〜12属の金属、好ましくはVIIIA属から選択され；
リガンドは、請求項１−２８に記載の任意のリガンドから選択され；さらに、
塩基は、カーボネート類、ホスフェート類、フルオライド類、アルコキシド類、アミド類、カーバニオン類およびシリルアニオン類を含む群から選択される
ことを特徴とする方法。
【請求項３３】
式５で表される一般的なα−ビニル化反応の方法であって、
【化１１】
このとき、Xは、Cl、Br、I、-OS(O)２アルキルおよび-OS(O)２アリールを含む群から選択され；
Gは、ホルミル、アシル、−CN、−C(O)OR、−C(O)NR2、ニトロ、ニトロソ、−S(O)２R、−SO３R、−S(O)２NR２、−C(NR)-R、−C(NOR)-Rおよび−C(NNR２)-Rを含む群からそれぞれ別異に選択される電子求引性基を表し；
Rは、水素（H）、アルキル、アリール、ヘテロアルキル、ヘテロアリール、ハロゲン、アルキルアミノ、アリールアミノ、アルキルチオ、アリールチオ、アルコキシ、アリールオキシ、または−(CH２)m−R80を含む群からそれぞれ別異に選択され；
R'は、水素（H）、アルキル、アリール、アラルキル、ヘテロアルキル、ヘテロアリール、ヘテロアラルキル、アルキルアミノ、アリールアミノ、アルキルチオ、アリールチオ、アルコキシ、アリールオキシ、または−(CH２)m−R80を含む群からそれぞれ別異に選択され；
R８０は、それぞれ別異に、置換もしくは未置換アリール、シクロアルキル、シクロアルケニル、複素環、または多環を表し；
ｍは、０〜８までの整数からそれぞれ別異に選択され；
qは、１〜３までの整数であり；
pは、（３−q）に等しい整数であり；
RのうちのひとつおよびR'のうちのひとつは、反応が分子内で生じたかのように共有結合することができ；
遷移金属は５〜12属の金属、好ましくはVIIIA属から選択され；
リガンドは、請求項１−２８に記載の任意のリガンドから選択され；さらに、
塩基は、カーボネート類、ホスフェート類、フルオライド類、アルコキシド類、アミド類、カーバニオン類およびシリルアニオン類を含む群から選択される
ことを特徴とする方法。
【請求項３４】
式６で表される一般的なo−アリール化反応の方法であって、
【化１２】
このとき、Arは、随意に置換された単環式芳香環部位および多環式芳香環部位ならびに複素芳香環部位を含む群から選択され；
Xは、Cl、Br、I、-OS(O)２アルキルおよび-OS(O)２アリールを含む群から選択され；
R''は、アルキル、アリール、アラルキル、ヘテロアルキル、ヘテロアリール、ヘテロアラルキル、−Si（アルキル）３、−Si（アリール）３または−(CH２)m−R80を含む群からそれぞれ別異に選択され；
R８０は、それぞれ別異に、置換もしくは未置換アリール、シクロアルキル、シクロアルケニル、複素環、または多環を表し；
ｍは、０〜８までの整数からそれぞれ別異に選択され；
ArおよびR''は、反応が分子内で生じたかのように共有結合することができ；
遷移金属は５〜12属の金属、好ましくはVIIIA属から選択され；
リガンドは、請求項１−２８に記載の任意のリガンドから選択され；さらに、
塩基は、カーボネート類、ホスフェート類、フルオライド類、アルコキシド類、アミド類、カーバニオン類およびシリルアニオン類を含む群から選択される
ことを特徴とする方法。
【請求項３５】
式７で示される一般的なo−ビニル化反応の方法であって、
【化１３】
このとき、Xは、Cl、Br、I、-OS(O)２アルキルおよび-OS(O)２アリールを含む群から選択され；
R'は、水素、アルキル、アリール、アラルキル、ヘテロアルキル、ヘテロアリール、ヘテロアラルキル、アルキルアミノ、アリールアミノ、アルキルチオ、アリールチオ、アルコキシ、アリールオキシまたは−(CH２)m−R80を含む群からそれぞれ別異に選択され；
R''は、アルキル、アリール、アラルキル、ヘテロアルキル、ヘテロアリール、ヘテロアラルキル、−Si（アルキル）３、−Si（アリール）３または−(CH２)m−R80を含む群からそれぞれ別異に選択され；
R８０は、それぞれ別異に、置換もしくは未置換アリール、シクロアルキル、シクロアルケニル、複素環、または多環を表し；
ｍは、０〜８までの整数からそれぞれ別異に選択され；
R''およびR'は、反応が分子内で生じたかのように共有結合することができ；
遷移金属は５〜12属の金属、好ましくはVIIIA属から選択され；
リガンドは、請求項１−２８に記載の任意のリガンドから選択され；さらに、
塩基は、カーボネート類、ホスフェート類、フルオライド類、アルコキシド類、アミド類、カーバニオン類およびシリルアニオン類を含む群から選択される
ことを特徴とする方法。
【請求項３６】
式８で表される一般的なヘック反応の方法であって、
【化１４】
このとき、Arは、随意に置換された芳香環部位、複素芳香環部位およびアルケニル部位を含む群から選択され；
Xは、Cl、Br、I、-OS(O)２アルキルおよび-OS(O)２アリールを含む群から選択され；
R'は、水素、アルキル、アリール、アラルキル、ヘテロアルキル、ヘテロアリール、ヘテロアラルキル、アルキルアミノ、アリールアミノ、アルキルチオ、アリールチオ、アルコキシ、アリールオキシまたは−(CH２)m−R80を含む群からそれぞれ別異に選択され；
R８０は、それぞれ別異に、置換もしくは未置換アリール、シクロアルキル、シクロアルケニル、複素環、または多環を表し；
ｍは、０〜８までの整数からそれぞれ別異に選択され；
ArおよびR'のうちのひとつは、反応が分子内で生じたかのように共有結合することができ；
遷移金属は５〜12属の金属、好ましくはVIIIA属から選択され；
リガンドは、請求項１−２８に記載の任意のリガンドから選択され；さらに、
塩基は、カーボネート類、ホスフェート類、フルオライド類、アルコキシド類、アミド類、カーバニオン類およびシリルアニオン類を含む群から選択される
ことを特徴とする方法。
【請求項３７】
式９で表される一般的なヘック反応の方法であって、
【化１５】
このとき、Arは、随意に置換された芳香環部位、複素芳香環部位およびアルケニル部位を含む群から選択され；
Xは、Cl、Br、I、-OS(O)２アルキルおよび-OS(O)２アリールを含む群から選択され；
R'は、水素、アルキル、アリール、アラルキル、ヘテロアルキル、ヘテロアリール、ヘテロアラルキル、アルキルアミノ、アリールアミノ、アルキルチオ、アリールチオ、アルコキシ、アリールオキシまたは−(CH２)m−R80を含む群からそれぞれ別異に選択され；
R８０は、それぞれ別異に、置換もしくは未置換アリール、シクロアルキル、シクロアルケニル、複素環、または多環を表し；
ｍは、０〜８までの整数からそれぞれ別異に選択され；
ArおよびR'は、反応が分子内で生じたかのように共有結合することができ；
遷移金属は５〜12属の金属、好ましくはVIIIA属から選択され；
リガンドは、請求項１−２８に記載の任意のリガンドから選択され；さらに、
塩基は、カーボネート類、ホスフェート類、フルオライド類、アルコキシド類、アミド類、カーバニオン類およびシリルアニオン類を含む群から選択される
ことを特徴とする方法。
【請求項１】
一般構造式２で示される化合物であって、
【化１】
ＸはNR２、PR２、AsR２、ORまたはSRで表され；
ＹはNR２、PR２、AsR２、OR、SR、SiR３、アルキルまたはHで表され；
ここで、R、R１、R２、R３、R４、R５、R６、R７およびR８は、それぞれ別異の水素、ハロゲン、アルキル、アルケニル、アルキニル、ヒドロキシル、アルコキシル、シリルオキシ、アミノ、ニトロ、スルフヒドリル、アルキルチオ、イミン、アミド、ホスホリル、ホスホネート、ホスフィン、カルボニル、カルボキシル、カルボキシアミド、アンヒドリド、シリル、チオアルキル、アルキルスルフォニル、アリールスルフォニル、セレノアルキル、ケトン、アルデヒド、エステル、ヘテロアルキル、ニトリル、グアニジン、アミジン、アセタール、ケタール、アミンオキシド、アリール、ヘテロアリール、アジド、アジリジン、カルバメート、エポキシド、ヒドロキサム酸、イミド、オキシム、スルフォンアミド、チオアミド、チオカルバメート、ウレア、チオウレア、または−(CH２)m−R80であり；
互いにオルト位に存在する任意の置換基対はR１、R２、R３、R５、R６およびR７を含む群から選択され、これらの置換基は相互に作用して、総原子数が５〜７個からなる環構造骨格を表すことができ；該環構造は、その骨格内に１または２個のヘテロ原子を有することができ；また、該環構造はさらに置換基を有することも有しないことも可能であり、
R８０は、置換もしくは未置換アリール、シクロアルキル、シクロアルケニル、複素環、または多環を表し；
ｍは０〜８までの整数であり；
リガンドがキラルの場合には、鏡像異性体の混合物または鏡像異性体のうちのいずれか一方の形で提供することができ；
Ｒがアルキル、アリールまたはヘテロアリールである場合、ＸおよびＹは両方がPR２ではない；
ことを特徴とする化合物。
【請求項２】
ＸとＹが異なっており；
Rは、アルキル、ヘテロアルキル、シクロアルキル、ヘテロシクロアルキル、アリール、ヘテロアリール、アラルキル、ヘテロアラルキル、および−(CH２)m−R80を含む群からそれぞれ別異に選択され；
R１、R２、R３、R４、R５、R６、R７およびR８は、H、アルキル、ヘテロアルキル、シクロアルキル、ヘテロシクロアルキル、アリール、ヘテロアリール、アラルキル、ヘテロアラルキル、ハロゲン、−SiR３および−(CH２)m−R80を含む群からそれぞれ別異に選択される
ことを特徴とする請求項１記載の化合物。
【請求項３】
Ｙがアルキルであり；
ＸがPR２で表され；
ここでRは、アルキル、ヘテロアルキル、シクロアルキル、ヘテロシクロアルキル、アリール、ヘテロアリール、アラルキル、ヘテロアラルキル、および−(CH２)m−R80を含む群からそれぞれ別異に選択され；
R１、R２、R３、R４、R５、R６、R７およびR８は、H、アルキル、ヘテロアルキル、シクロアルキル、ヘテロシクロアルキル、アリール、ヘテロアリール、アラルキル、ヘテロアラルキル、ハロゲン、−SiR３および−(CH２)m−R80を含む群からそれぞれ別異に選択される
ことを特徴とする請求項１記載の化合物。
【請求項４】
Ｙがアルキルであり；
ＸがPR２で表され；
ここでRは、アルキルおよびシクロアルキルを含む群からそれぞれ別異に選択され；
R１、R２、R３、R４、R５、R６、R７およびR８は、H、アルキル、ヘテロアルキル、シクロアルキル、ヘテロシクロアルキル、アリール、ヘテロアリール、アラルキル、ヘテロアラルキル、ハロゲン、−SiR３および−(CH２)m−R80を含む群からそれぞれ別異に選択される
ことを特徴とする請求項１記載の化合物。
【請求項５】
ＸがPR２である場合に、Ｘ内のＰが不斉であり；鏡像異性体のうちの一方が多く存在することを特徴とする請求項１記載の化合物。
【請求項６】
ＸがPR２である場合に、Ｘ内のＰが不斉であり；ビフェニル核が軸性キラルであることを特徴とする請求項１記載の化合物。
【請求項７】
一般構造式４で示される化合物であって、
【化２】
Rは、アルキル、ヘテロアルキル、シクロアルキル、ヘテロシクロアルキル、アリール、ヘテロアリール、アラルキル、ヘテロアラルキル、および−(CH２)m−R80を含む群からそれぞれ別異に選択され；
ビナフチル核のAおよびA’環は、それぞれ別異に未置換であるか、または安定性および原子価則に基づく限度までは任意にR１およびR２で置換されており；
R１およびR２は、アルキル、ヘテロアルキル、シクロアルキル、ヘテロシクロアルキル、アリール、ヘテロアリール、アラルキル、ヘテロアラルキル、ハロゲン、−SiR３および−(CH２)m−R80を含む群からそれぞれ別異に選択され、
R８０は、置換もしくは未置換アリール、シクロアルキル、シクロアルケニル、複素環、または多環を表し；
ｍは０〜８までの整数であり；さらに、
リガンドがキラルの場合には、鏡像異性体の混合物または鏡像異性体のうちのいずれか一方の形で提供することができる
ことを特徴とする化合物。
【請求項８】
R１およびR２は水素であって、
Nに結合している２個のRは明らかに低級アルキル、好ましくはメチルであり；さらに、
Pに結合している２個のRは明らかにシクロアルキル、好ましくはシクロヘキシルである
ことを特徴とする請求項７記載の化合物。
【請求項９】
PR２基が不斉P原子を含むことを特徴とする請求項７記載の化合物。
【請求項１０】
PR２基が不斉P原子を含み、ビフェニル核が軸性キラルであることを特徴とする請求項７記載の化合物。
【請求項１１】
一般構造式６で示される化合物であって、
【化３】
Rは、アルキル、ヘテロアルキル、シクロアルキル、ヘテロシクロアルキル、アリール、ヘテロアリール、アラルキル、ヘテロアラルキル、および−(CH２)m−R80を含む群からそれぞれ別異に選択され；
ビフェニル核のAおよびA’環は、それぞれ別異に未置換であるか、または安定性および原子価則に基づく限度までは任意にR１およびR２で置換されており；
R１およびR２は、アルキル、ヘテロアルキル、シクロアルキル、ヘテロシクロアルキル、アリール、ヘテロアリール、アラルキル、ヘテロアラルキル、ハロゲン、−SiR３および−(CH２)m−R80を含む群からそれぞれ別異に選択され、
R８０は、置換もしくは未置換アリール、シクロアルキル、シクロアルケニル、複素環、または多環を表し；
ｍは０〜８までの整数であり；
リガンドがキラルの場合には、鏡像異性体の混合物または鏡像異性体のうちのいずれか一方の形で提供することができ；
Ｒの全ての例が同一であり、アルキル、シクロアルキルおよびアリールから成る群より選択される場合、R１およびR２の少なくとも２つの場合が存在し；さらに、
Ｒがアルキル、シクロアルキル、アリールおよびヘテロアリールから成る群より選択される場合、化合物６のビフェニル核は、6よび6’位置でメチルまたはメトキシ基を有しない；
ことを特徴とする化合物。
【請求項１２】
R１およびR２は存在せず、
すべてのRが低級アルキルまたはシクロアルキル、好ましくはシクロヘキシルである
ことを特徴とする請求項１１記載の化合物。
【請求項１３】
少なくとも１個のPR２基が不斉P原子を含むことを特徴とする請求項１１記載の化合物。
【請求項１４】
少なくとも１個のPR２基が不斉P原子を含み；ビフェニル核が軸性キラルであることを特徴とする請求項１１記載の化合物。
【請求項１５】
一般構造式８で示される化合物であって、
【化４】
ArおよびAr'は、随意に置換されたアリール部位またはヘテロアリール部位を含む群からそれぞれ別異に選択され；ArおよびAr'の両方が随意に置換されたアリールではなく；Ar'がナフチルを示し、Arがイソキノリニルを示し、ＹがHである場合、ＸはP(Ph)2ではなく；
ＸはNR２、PR２、AsR２、ORまたはSRで表され；
ＹはNR２、PR２、AsR２、OR、SR、SiR３、アルキルまたはHで表され；
Ｒは、アルキル、ヘテロアルキル、シクロアルキル、ヘテロシクロアルキル、アリール、ヘテロアリール、アラルキル、ヘテロアラルキル、および−(CH２)m−R80を含む群からそれぞれ別異に選択され、
R８０は、置換もしくは未置換アリール、シクロアルキル、シクロアルケニル、複素環、または多環を表し；
ｍは０〜８までの整数であり；さらに、
リガンドがキラルの場合には、鏡像異性体の混合物または鏡像異性体のうちのいずれか一方の形で提供することができる
ことを特徴とする化合物。
【請求項１６】
ＸがPR２である場合に、Ｘ内のＰ原子が不斉であり；鏡像異性体のうちの一方が多く存在することを特徴とする請求項１５記載の化合物。
【請求項１７】
ＸがPR２である場合に、Ｘ内のＰ原子が不斉であり；二芳香核が軸性キラルであり；さらに、鏡像異性体またはジアステレオ異性体のうちのひとつが多く存在することを特徴とする請求項１５記載の化合物。
【請求項１８】
一般構造式９で示される化合物であって、
【化５】
Arは、随意に置換された芳香環部位、複素芳香環部位またはフェロセニル部位を含む群を表し；
Ｒは、アルキル、ヘテロアルキル、シクロアルキル、ヘテロシクロアルキル、アリール、ヘテロアリール、アラルキル、ヘテロアラルキル、および−(CH２)m−R80を含む群からそれぞれ別異に選択され、
R８０は、置換もしくは未置換アリール、シクロアルキル、シクロアルケニル、複素環、または多環を表し；
ｍは０〜８までの整数であり；
リガンドがキラルの場合には、鏡像異性体の混合物または鏡像異性体のうちのいずれか一方の形で提供することができ；
Ｒの両方がシクロアルキルまたはアリールを示さず；
Arが2-メトキシフェニルである場合、PR2はシクロヘキシルメチルホスフィノ、tert-ブチルメチルホスフィノまたはジメチルホスフィノではなく；
Arがフェニルである場合、PR2はジメチルホスフィノまたは（tert-ブチル）メチルホスフィノではなく；
Ｒがそれぞれの発生アルキルについて独立して、シクロアルキル、アリールまたはヘテロアリールを示す場合、Arは6,6’-ジメチルビフェン-2-ylまたは6,6’-ジメトキシビフェン-2-ylではなく；
Ｒの両方がtert-ブチルを示す場合、Arはフェニル、2-メトキシフェニル、2-イソプロピルフェニル、2-エチルフェニル、2,3-ジメトキシフェニルまたは2,6-ジメトキシフェニルを示さない；
ことを特徴とする化合物。
【請求項１９】
Arが随意に置換された２−ビフェニル部位を表すことを特徴とする請求項１８記載の化合物。
【請求項２０】
Arが２−ビフェニル部位を表すことを特徴とする請求項１８記載の化合物。
【請求項２１】
Rがアルキルを表すことを特徴とする請求項１８記載の化合物。
【請求項２２】
Rがtert−ブチルまたはシクロヘキシルを表すことを特徴とする請求項１８記載の化合物。
【請求項２３】
Arが随意に置換された２−ビフェニル部位を表し；さらに、Rがアルキルを表すことを特徴とする請求項１８記載の化合物。
【請求項２４】
Arが２−ビフェニル部位を表し；さらに、Rがアルキルを表すことを特徴とする請求項１８記載の化合物。
【請求項２５】
Arが随意に置換された２−ビフェニル部位を表し；さらに、Rがtert−ブチルまたはシクロヘキシルを表すことを特徴とする請求項３８記載の化合物。
【請求項２６】
Arが２−ビフェニル部位を表し、さらに、Rがtert−ブチルまたはシクロヘキシルを表すことを特徴とする請求項１８記載の化合物。
【請求項２７】
PR２内のP原子が不斉であることを特徴とする請求項１８記載の化合物。
【請求項２８】
一般構造式１０で示される化合物であって、
【化６】
ＸはNR２、PR２、AsR２、ORまたはSRで表され；
Ｒは、アルキル、ヘテロアルキル、シクロアルキル、ヘテロシクロアルキル、アリール、ヘテロアリール、アラルキル、ヘテロアラルキル、および−(CH２)m−R80を含む群からそれぞれ別異に選択され；
o−テルフェニル核の３個のフェニル環はそれぞれ別異に未置換であるか、または安定性および原子価則に基づく限度までは任意にR１、R２もしくはR３で置換されており；
R１、R２およびR３は、アルキル、ヘテロアルキル、シクロアルキル、ヘテロシクロアルキル、アリール、ヘテロアリール、アラルキル、ヘテロアラルキル、ハロゲン、−SiR３−および−(CH２)m−R80を含む群からそれぞれ別異に選択され；
R８０は、置換もしくは未置換アリール、シクロアルキル、シクロアルケニル、複素環、または多環を表し；
ｍは０〜８までの整数であり；さらに、
リガンドがキラルの場合には、鏡像異性体の混合物または鏡像異性体のうちのいずれか一方の形で提供することができる
ことを特徴とする化合物。
【請求項２９】
式１で表される一般的な反応の方法であって、
【化７】
Arは、随意に置換された単環式芳香環部位および多環式芳香環部位、ならびに複素芳香環部位を含む群から選択され；
Ｘは、Cl、Br、I、-OS(O)２アルキルおよび-OS(O)２アリールを含む群から選択され；
R'およびR''は、H、アルキル、ヘテロアルキル、アリール、ヘテロアリール、アラルキル、アルコキシル、アミノ、トリアルキルシリルおよびトリアリールシリルを含む群からそれぞれ別異に選択され；
R'およびR''は、相互に作用して、総原子数が３〜10個からなる随意に置換された環構造骨格を表すことができ、該環構造は、R'およびR''が結合している窒素原子以外に１個またはそれ以上のヘテロ原子を随意に有することができ；
R'および／またはR''は、アミノ化反応が分子内で生じたかのようにArに共有することができ；
遷移金属は５〜12属の金属、好ましくはVIIIA属から選択され；
リガンドは、請求項１−２８に記載の任意のリガンドから選択され；さらに、
塩基は、ヒドリド類、カーボネート類、フルオライド類、ホスフェート類、アルコキシド類、フェノキシド類、アミド類、カーバニオン類およびシリルアニオン類を含む群から選択される
ことを特徴とする方法。
【請求項３０】
式２で表される一般的なカップリング反応の方法であって、
【化８】
このとき、ArおよびAr'は、随意に置換された芳香環部位、複素芳香環部位およびアルケニル部位を含む群からそれぞれ別異に選択され；
Ｘは、Cl、Br、I、-OS(O)２アルキルおよび-OS(O)２アリールを含む群から選択され；
Mは、B(OR)２、Mg（ハロゲン化物）またはZn（ハロゲン化物）で表され；Rは、H、メチル、アルキル、ヘテロアルキル、アリールまたはヘテロアリールからそれぞれ別異に選択され；あるいは、B(OR)２のように２個のRが存在する場合には、相互に作用して、随意に置換され、炭素数が２または３個である、２個のO原子間の連結鎖を表すこともでき；
ArおよびAr'は、反応が分子内で生じたかのように共有結合することができ；
遷移金属は５〜12属の金属、好ましくはVIIIA属から選択され；
リガンドは、請求項１−２８に記載の任意のリガンドから選択され；さらに、
塩基は、カーボネート類、ホスフェート類、フルオライド類、アルコキシド類、アミド類、カーバニオン類およびシリルアニオン類を含む群から選択される
ことを特徴とする方法。
【請求項３１】
式３で表される一般的なカップリング反応の方法であって、
【化９】
このとき、Arは、随意に置換された芳香環部位、複素芳香環部位およびアルケニル部位を含む群から選択され；
Rは、随意に置換されたアルキル、ヘテロアルキルおよびアラルキルを含む群から選択され；
R'は、アルキルおよびヘテロアルキルを含む群からそれぞれ別異に選択され、ここで、該アルキル基およびヘテロアルキル基の炭素−ホウ素結合は反応条件下において不活性であって、例えば、BR'２は相互に作用して９−ボロビシクロ[３．３．１]ノニルを形成しており、
Mは、B(R')２、Mg（ハロゲン化物）またはZn（ハロゲン化物）で表され；ArXのＸは、Cl、Br、I、-OS(O)２アルキルおよび-OS(O)２アリールを含む群から選択され；
ArおよびRは、反応が分子内で生じたかのように共有結合することができ；
遷移金属は５〜12属の金属、好ましくはVIIIA属から選択され；
リガンドは、請求項１−２８に記載の任意のリガンドから選択され；さらに、
塩基は、カーボネート類、ホスフェート類、フルオライド類、アルコキシド類、アミド類、カーバニオン類およびシリルアニオン類を含む群から選択される
ことを特徴とする方法。
【請求項３２】
式４で表される一般的なα−アリール化反応の方法であって、
【化１０】
このとき、Arは、随意に置換された単環式芳香環部位および多環式芳香環部位ならびに複素芳香環部位を含む群から選択され；
Xは、Cl、Br、I、-OS(O)２アルキルおよび-OS(O)２アリールを含む群から選択され；
Gは、ホルミル、アシル、−CN、−C(O)OR、−C(O)NR2、ニトロ、ニトロソ、−S(O)２R、−SO３R、−S(O)２NR２、−C(NR)-R、−C(NOR)-Rおよび−C(NNR２)-Rを含む群からそれぞれ別異に選択される電子求引性基を表し；
Rは、水素（H）、アルキル、アリール、ヘテロアルキル、ヘテロアリール、ハロゲン、アルキルアミノ、アリールアミノ、アルキルチオ、アリールチオ、アルコキシ、アリールオキシ、または−(CH２)m−R80を含む群からそれぞれ別異に選択され；
R８０は、それぞれ別異に、置換もしくは未置換アリール、シクロアルキル、シクロアルケニル、複素環、または多環を表し；
ｍは、０〜８までの整数からそれぞれ別異に選択され；
qは、１〜３までの整数であり；
pは、（３−q）に等しい整数であり；
ArおよびRのうちのひとつは、反応が分子内で生じたかのように共有結合することができ；
遷移金属は５〜12属の金属、好ましくはVIIIA属から選択され；
リガンドは、請求項１−２８に記載の任意のリガンドから選択され；さらに、
塩基は、カーボネート類、ホスフェート類、フルオライド類、アルコキシド類、アミド類、カーバニオン類およびシリルアニオン類を含む群から選択される
ことを特徴とする方法。
【請求項３３】
式５で表される一般的なα−ビニル化反応の方法であって、
【化１１】
このとき、Xは、Cl、Br、I、-OS(O)２アルキルおよび-OS(O)２アリールを含む群から選択され；
Gは、ホルミル、アシル、−CN、−C(O)OR、−C(O)NR2、ニトロ、ニトロソ、−S(O)２R、−SO３R、−S(O)２NR２、−C(NR)-R、−C(NOR)-Rおよび−C(NNR２)-Rを含む群からそれぞれ別異に選択される電子求引性基を表し；
Rは、水素（H）、アルキル、アリール、ヘテロアルキル、ヘテロアリール、ハロゲン、アルキルアミノ、アリールアミノ、アルキルチオ、アリールチオ、アルコキシ、アリールオキシ、または−(CH２)m−R80を含む群からそれぞれ別異に選択され；
R'は、水素（H）、アルキル、アリール、アラルキル、ヘテロアルキル、ヘテロアリール、ヘテロアラルキル、アルキルアミノ、アリールアミノ、アルキルチオ、アリールチオ、アルコキシ、アリールオキシ、または−(CH２)m−R80を含む群からそれぞれ別異に選択され；
R８０は、それぞれ別異に、置換もしくは未置換アリール、シクロアルキル、シクロアルケニル、複素環、または多環を表し；
ｍは、０〜８までの整数からそれぞれ別異に選択され；
qは、１〜３までの整数であり；
pは、（３−q）に等しい整数であり；
RのうちのひとつおよびR'のうちのひとつは、反応が分子内で生じたかのように共有結合することができ；
遷移金属は５〜12属の金属、好ましくはVIIIA属から選択され；
リガンドは、請求項１−２８に記載の任意のリガンドから選択され；さらに、
塩基は、カーボネート類、ホスフェート類、フルオライド類、アルコキシド類、アミド類、カーバニオン類およびシリルアニオン類を含む群から選択される
ことを特徴とする方法。
【請求項３４】
式６で表される一般的なo−アリール化反応の方法であって、
【化１２】
このとき、Arは、随意に置換された単環式芳香環部位および多環式芳香環部位ならびに複素芳香環部位を含む群から選択され；
Xは、Cl、Br、I、-OS(O)２アルキルおよび-OS(O)２アリールを含む群から選択され；
R''は、アルキル、アリール、アラルキル、ヘテロアルキル、ヘテロアリール、ヘテロアラルキル、−Si（アルキル）３、−Si（アリール）３または−(CH２)m−R80を含む群からそれぞれ別異に選択され；
R８０は、それぞれ別異に、置換もしくは未置換アリール、シクロアルキル、シクロアルケニル、複素環、または多環を表し；
ｍは、０〜８までの整数からそれぞれ別異に選択され；
ArおよびR''は、反応が分子内で生じたかのように共有結合することができ；
遷移金属は５〜12属の金属、好ましくはVIIIA属から選択され；
リガンドは、請求項１−２８に記載の任意のリガンドから選択され；さらに、
塩基は、カーボネート類、ホスフェート類、フルオライド類、アルコキシド類、アミド類、カーバニオン類およびシリルアニオン類を含む群から選択される
ことを特徴とする方法。
【請求項３５】
式７で示される一般的なo−ビニル化反応の方法であって、
【化１３】
このとき、Xは、Cl、Br、I、-OS(O)２アルキルおよび-OS(O)２アリールを含む群から選択され；
R'は、水素、アルキル、アリール、アラルキル、ヘテロアルキル、ヘテロアリール、ヘテロアラルキル、アルキルアミノ、アリールアミノ、アルキルチオ、アリールチオ、アルコキシ、アリールオキシまたは−(CH２)m−R80を含む群からそれぞれ別異に選択され；
R''は、アルキル、アリール、アラルキル、ヘテロアルキル、ヘテロアリール、ヘテロアラルキル、−Si（アルキル）３、−Si（アリール）３または−(CH２)m−R80を含む群からそれぞれ別異に選択され；
R８０は、それぞれ別異に、置換もしくは未置換アリール、シクロアルキル、シクロアルケニル、複素環、または多環を表し；
ｍは、０〜８までの整数からそれぞれ別異に選択され；
R''およびR'は、反応が分子内で生じたかのように共有結合することができ；
遷移金属は５〜12属の金属、好ましくはVIIIA属から選択され；
リガンドは、請求項１−２８に記載の任意のリガンドから選択され；さらに、
塩基は、カーボネート類、ホスフェート類、フルオライド類、アルコキシド類、アミド類、カーバニオン類およびシリルアニオン類を含む群から選択される
ことを特徴とする方法。
【請求項３６】
式８で表される一般的なヘック反応の方法であって、
【化１４】
このとき、Arは、随意に置換された芳香環部位、複素芳香環部位およびアルケニル部位を含む群から選択され；
Xは、Cl、Br、I、-OS(O)２アルキルおよび-OS(O)２アリールを含む群から選択され；
R'は、水素、アルキル、アリール、アラルキル、ヘテロアルキル、ヘテロアリール、ヘテロアラルキル、アルキルアミノ、アリールアミノ、アルキルチオ、アリールチオ、アルコキシ、アリールオキシまたは−(CH２)m−R80を含む群からそれぞれ別異に選択され；
R８０は、それぞれ別異に、置換もしくは未置換アリール、シクロアルキル、シクロアルケニル、複素環、または多環を表し；
ｍは、０〜８までの整数からそれぞれ別異に選択され；
ArおよびR'のうちのひとつは、反応が分子内で生じたかのように共有結合することができ；
遷移金属は５〜12属の金属、好ましくはVIIIA属から選択され；
リガンドは、請求項１−２８に記載の任意のリガンドから選択され；さらに、
塩基は、カーボネート類、ホスフェート類、フルオライド類、アルコキシド類、アミド類、カーバニオン類およびシリルアニオン類を含む群から選択される
ことを特徴とする方法。
【請求項３７】
式９で表される一般的なヘック反応の方法であって、
【化１５】
このとき、Arは、随意に置換された芳香環部位、複素芳香環部位およびアルケニル部位を含む群から選択され；
Xは、Cl、Br、I、-OS(O)２アルキルおよび-OS(O)２アリールを含む群から選択され；
R'は、水素、アルキル、アリール、アラルキル、ヘテロアルキル、ヘテロアリール、ヘテロアラルキル、アルキルアミノ、アリールアミノ、アルキルチオ、アリールチオ、アルコキシ、アリールオキシまたは−(CH２)m−R80を含む群からそれぞれ別異に選択され；
R８０は、それぞれ別異に、置換もしくは未置換アリール、シクロアルキル、シクロアルケニル、複素環、または多環を表し；
ｍは、０〜８までの整数からそれぞれ別異に選択され；
ArおよびR'は、反応が分子内で生じたかのように共有結合することができ；
遷移金属は５〜12属の金属、好ましくはVIIIA属から選択され；
リガンドは、請求項１−２８に記載の任意のリガンドから選択され；さらに、
塩基は、カーボネート類、ホスフェート類、フルオライド類、アルコキシド類、アミド類、カーバニオン類およびシリルアニオン類を含む群から選択される
ことを特徴とする方法。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図１６】
【図１７】
【図１８】
【図１９】
【図２０】
【図２１】
【図２２】
【図２３】
【図２４】
【図２５】
【図２６】
【図２７】
【図２８】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図１６】
【図１７】
【図１８】
【図１９】
【図２０】
【図２１】
【図２２】
【図２３】
【図２４】
【図２５】
【図２６】
【図２７】
【図２８】
【公開番号】特開２０１２−１８４２４７（Ｐ２０１２−１８４２４７Ａ）
【公開日】平成２４年９月２７日（２０１２．９．２７）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１２−１１１５７９（Ｐ２０１２−１１１５７９）
【出願日】平成２４年５月１５日（２０１２．５．１５）
【分割の表示】特願２０００−５５９１１７（Ｐ２０００−５５９１１７）の分割
【原出願日】平成１１年７月９日（１９９９．７．９）
【出願人】（５９６０６０６９７）マサチューセッツ インスティテュート オブ テクノロジー (233)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２４年９月２７日（２０１２．９．２７）
【国際特許分類】
【出願日】平成２４年５月１５日（２０１２．５．１５）
【分割の表示】特願２０００−５５９１１７（Ｐ２０００−５５９１１７）の分割
【原出願日】平成１１年７月９日（１９９９．７．９）
【出願人】（５９６０６０６９７）マサチューセッツ インスティテュート オブ テクノロジー (233)
【Ｆターム（参考）】
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