説明

Fターム[5E343DD43]の内容

プリント配線の製造 (50,760) | 導体パターンの形成方法 (7,103) | メッキ (3,277) | 湿式メッキ (2,652) | 電解メッキ (1,191)

Fターム[5E343DD43]の下位に属するFターム

Fターム[5E343DD43]に分類される特許

101 - 120 / 1,078


【課題】多層ビルドアップ配線基板を容易に得ることを可能とする複合体を提供する。
【解決手段】本発明に係る複合体1は、シリコンウェーハ2と、シリコンウェーハ2の一方の表面2a上に積層された絶縁樹脂層3と、絶縁樹脂層3のシリコンウェーハ2側と反対の表面3a上に積層されており、金属により形成された金属層4と、金属層4の絶縁樹脂層3側とは反対の表面4a上に積層されており、金属層4の上記金属が酸化した酸化層5と、酸化層5の金属層4側とは反対の表面5a上に積層された銅層6とを備える。上記金属は、ニッケルであるか、又は銅よりも酸化還元電位が卑な金属である。 (もっと読む)


【課題】凹パターンに導電材料が充填されてなるランド部において、特に、広い(アスペクト比の低い)凹パターンに凹みなく導電材料が充填されており、寸法安定性がよく信頼性の高い配線基板を提供する。
【解決手段】本発明の配線基板は、樹脂材料からなる基板2と、前記基板の一面側に設けられた凹パターン3A(3)と、前記凹パターンに導電材料5が充填されてなる導電部と、を備えた配線基板1であって、前記凹パターンの底面部に、前記樹脂材料からなり、前記底面部に対して凸状に設けられた突起部4を有すること、を特徴とする。 (もっと読む)


【課題】縦横に複数の配線基板が配列された製品領域と、メッキ用電極が外側面に形成された耳部とを併有し、上記製品領域内のどの位置における配線基板でも、導体部分に被覆された金属メッキ被膜の厚みが均一な多数個取り配線基板を提供する。
【解決手段】複数の絶縁層s1〜s3を積層してなり、複数の配線基板を縦横に沿って配列した製品領域Paと、上記と同じ絶縁層s1〜s3を積層してなり、製品領域Paの外周に沿って位置する耳部5と、該耳部5の外側面に形成したメッキ用電極と、耳部5に形成され、メッキ用電極と製品領域Pa内の最外側に位置する複数の配線基板の導体部分から延びた接続配線との間を導通するメッキ用タイバー15とを含み、該メッキ用タイバー15の厚みは、メッキ用電極に近接する位置16から該メッキ用電極から離れた位置17に向かってテーパ状15tに厚くなっている、多数個取り配線基板。 (もっと読む)


【課題】1枚のセラミックス基板から多数個の回路基板を低コストで得る。
【解決手段】1枚の大きなセラミックス基板11と、これとほぼ同じ大きさであり、パターン化された金属パターン板12が準備される。これらは図1(c)に示されるように接合される。金属パターン板12は、中央の縦2列×横3列の同一パターン(単位パターン)が配列された回路パターン部12aと、その周辺にある周辺部12bとに大別される。回路パターン部12aと周辺部12bのどちらにおいても、これらを構成する個々のパターンは、これらよりも小さい結合部13で結合されている。結合部13については、分割後に例えばカッターやニッパーを用いて容易にこれを切断することができる。同様に、セラミックス基板11の裏面にパターン化された金属放熱板を形成することもできる。 (もっと読む)


【課題】回線電極を有する回路基板間の電気的接続において、低温接続性及び接続信頼性に優れる硬化剤付き回路基板並びに接続構造体を提供すること。
【解決手段】回路電極上に、フィルム形成性樹脂、硬化剤及び該硬化剤により硬化しない粘着性付与樹脂を含む硬化剤層と、保護フィルムから成る保護フィルム層とが順に形成されていることを特徴とする硬化剤付き回路基板。 (もっと読む)


【課題】めっきリードをエッチングにより除去しても、導体パターンが汚染されることを防止することのできる配線回路基板を提供すること。
【解決手段】配線回路基板1は、導体パターン6と、エッチング液が導体パターン6に浸入することを規制する規制部分を被覆するための被覆部34とを備える。 (もっと読む)


【課題】ビア導体の接続信頼性を高めることができる多層配線基板を提供すること。
【解決手段】多層配線基板において、下層導体層41と上層導体層42とを隔てる樹脂層間絶縁層33にビア穴51が形成され、ビア穴51内に下層導体層41と上層導体層42とを接続するビア導体52が形成されている。樹脂層間絶縁層33の表面は粗面であり、ビア穴51は樹脂層間絶縁層33の粗面にて開口している。ビア穴51を包囲する開口縁は、開口縁の周辺領域よりも低くなった段差部53とされ、段差部53の表面粗さは、開口縁の周辺領域の表面粗さよりも大きくなっている。 (もっと読む)


【課題】解像度及びレジスト剥離特性の向上に十分効果のある感光性樹脂組成物を提供
すること。
【解決手段】本発明の感光性樹脂組成物は、(A)スチレン又はスチレン誘導体に基づく構造単位と、(メタ)アクリル酸ベンジル又は(メタ)アクリル酸ベンジル誘導体に基づく構造単位と、(メタ)アクリル酸に基づく構造単位と、(メタ)アクリル酸アルキルエステルに基づく構造単位とを有し、分散度が1.0〜2.0であるバインダーポリマー、(B)光重合性化合物、及び、(C)光重合開始剤を含有する。 (もっと読む)


【課題】 小型軽量のチップコンデンサを確実に実装できる多層プリント配線板を提供する。
【解決手段】 チップコンデンサを搭載するためのパッド58up、58umは、レーザにより形成される開口151uにより露出される。即ち、形状性に優れるレーザにより開口を形成することでパッドの形状が略同一になる。従って、チップコンデンサのプラス端子に接続するパッド58upと、チップコンデンサのマイナス端子に接続するパッド58umとで、半田量及び半田濡れ性が略同等になる。このため、マンハッタン現象が生じ難い。 (もっと読む)


【課題】本発明は、高温環境下に曝されても基板との優れた密着性を示す金属膜を備えた積層体を簡便に形成しうる、積層体の製造方法を提供することにある。
【解決手段】基板上に、下地層形成用組成物を接触させて、シランカップリング剤含有下地層を形成する下地層形成工程と、シランカップリング剤含有下地層上に、重合性基、および、ポリマー層形成用組成物を接触させた後、エネルギーを付与して、ポリマー層を形成するポリマー層形成工程と、ポリマー層にめっき触媒またはその前駆体を付与する触媒付与工程と、めっき触媒またはその前駆体に対してめっきを行い、ポリマー層上に金属膜を形成するめっき工程と、を備える金属膜を有する積層体の製造方法であって、下地層形成用組成物および/またはポリマー層形成用組成物に、P=O基含有重合性化合物が含まれる、金属膜を有する積層体の製造方法。 (もっと読む)


【課題】 セラミック焼結体からなる絶縁基板の貫通孔内に配置された貫通導体の端面と、この端面を被覆しているめっき層との接合の信頼性が高い配線基板を提供する。
【解決手段】 セラミック焼結体からなり、厚み方向に貫通する貫通孔2を有する絶縁基板1と、貫通孔2内に配置された貫通導体3と、絶縁基板1の上面に露出した貫通導体3の端面を被覆するとともに、外周部の少なくとも一部が貫通導体3の端面よりも外側に延出するように被着されためっき層4と、絶縁基板1の上面に順次積層された、めっき層4と電気的に接続された配線導体5および樹脂絶縁層6を備える配線基板である。めっき層4の延出部分の変形により熱応力等を吸収して、めっき層4と貫通導体3の端面との間の剥離を抑制できる。 (もっと読む)


【課題】半導体素子の電極と接合する半導体素子用接続端子を低コスト且つ高品質に製造することを可能とし、半導体素子の実装の信頼性を向上させることが可能な多層配線基板の製造方法を提供する。
【解決手段】最外層上に第一金属層13が形成され、第一金属層13が半導体素子の接合面となる多層配線基板60を仮基板から分離した後、最外層の第一金属層13上に感光性樹脂層51を形成し、この感光性樹脂層51にパターニングにより半導体素子の接続端子用開口部52を第1配線層15の配線パターンに対応して形成する。次に第一金属層13を給電層として開口部52内に電解めっきにより第二金属層53を形成し、感光性樹脂層51を除去する。最後に第二金属53の直下に位置する個所の第一金属層13を除いた他の第一金属層13を除去することにより、半導体素子用接続端子54を有した多層配線基板61を得る。 (もっと読む)


【課題】導電層の剥離強度の低下を抑制することのできるプリント配線板用基板およびプリント配線板ならびにプリント配線板用基板の製造方法を提供することにある。
【解決手段】プリント配線板用基板1は、絶縁性基材10と、この絶縁性基材10に積層された第1導電層21と、この第1導電層21に積層された第2導電層24とを含む。第1導電層21は、金属粒子22Aと、第1導電層21に含まれる金属および金属イオンの拡散を抑制する金属不活性剤とを含む。 (もっと読む)


【課題】 回路となる部分にのみ密着性の強い無電解めっき層を選択的に形成し、他の非回路となる部分を粗化しない。
【解決手段】 波長が405〜1064nmのレーザービーム2を、合成樹脂の基体1の回路となる部分11に選択的に照射し、パラジウムのイオン触媒を吸着させた後に還元剤によって金属パラジウムに還元する。次いで回路となる部分11に無電解めっき層3を成形する。回路となる部分11は表面改質されると共に粗化されているためイオン触媒が強固に定着し、無電解めっき層3が強く密着する。レーザービーム2を照射されない非回路となる部分12にはイオン触媒が吸着しないため、無電解めっき層3が成形されない。 (もっと読む)


【課題】本発明はプリント基板及びその製造方法に関する。
【解決手段】本発明は、回路パターンを含むベース基板と、前記ベース基板上に備えられる導電性パッドと、前記導電性パッドに接合されるはんだボールと、前記ベース基板と前記導電性パッドとの間に備えられる剥離防止層と、を含むプリント基板及びその製造方法を開示する。 (もっと読む)


【課題】生産性および工業的な製造適性に優れ、その表面に形成されるパターン状の金属配線間の優れた絶縁信頼性およびその経時安定性に優れた金属パターン材料の製造方法を提供する。
【解決手段】所定の官能基を有するユニットを含む共重合体を含有する樹脂層12aを基板10上に形成する樹脂層形成工程と、該樹脂層12aにめっき触媒またはその前駆体を付与する触媒付与工程と、前記めっき触媒またはその前駆体に対してめっきを行うめっき工程と、前記めっき工程後に、pHが6.5以下であるエッチング液を使用してパターン状の金属膜を形成するパターン形成工程を含む、表面にパターン状の金属膜を備える金属パターン材料の製造方法。 (もっと読む)


【課題】本発明の目的は、多大なエネルギーを必要とせず製造が可能で、高温高湿環境下に曝されても基板との優れた密着性を示す金属膜を簡便に形成しうる金属膜形成方法を提供することにある。
【解決手段】基板上に、シアノ基を有する樹脂を含み、7.4mmol/g以上のシアノ基含有量を有する第1の樹脂層を形成する工程(1)と、前記第1の樹脂層上に、重合性基およびめっき触媒またはその前駆体と相互作用する官能基を有する樹脂と重合開始剤とを含む樹脂組成物層を形成する工程(2)と、前記樹脂組成物層にエネルギー付与して、硬化させ、第2の樹脂層を形成する工程(3)と、前記第2の樹脂層にめっき触媒またはその前駆体を付与する工程(4)と、めっきを行い、前記第2の樹脂層上に金属膜を形成する工程(5)と、を備える、金属膜形成方法。 (もっと読む)


【課題】微細な半導体素子接続パッドを含む配線導体を形成することが可能であるとともに、外部接続パッドに剥がれが発生することのない配線基板を提供すること。
【解決手段】絶縁基板1の一方の主面に、半導体素子Sの電極Tに接続される半導体素子接続パッド3aを含む第1の配線導体3が第1の金属箔8を下地としたセミアディティブ法により形成されているとともに、絶縁基板1の他方の主面に外部電気回路基板に接続される外部接続パッド4aを含む第2の配線導体4が第2の金属箔10を下地としたセミアディティブ法により形成されて成る配線基板であって、第1の金属箔8は、絶縁基板1上にプライマー樹脂層2を介して接着されているとともにプライマー樹脂2との接着面のRzが0.3〜1.0μmの平滑面であり、第2の金属箔10は、絶縁基板1上に直接接着されているとともに絶縁基板1との接着面のRzが1.5〜3.0μmの粗化面である (もっと読む)


【課題】切断時のバリの発生、あるいは、切断面からのダスト発生を招くことなく、形状の制約なしに、基板上に、めっき加工によって高精度の回路パターンを有する回路基板を形成する。
【解決手段】本発明の回路基板の製造方法は、少なくとも表面が絶縁性を呈する、個片状の絶縁性基体を用意する工程と、絶縁性基体表面に下地層を形成する工程と、下地層のうち、回路部と、給電用のパッド領域を残して、回路部の絶縁部となる非回路部の境界領域を選択的に除去し、輪郭を形成する輪郭形成工程と、パッド領域の下地層を給電部としてめっきを行い、めっき層を形成するめっき工程と、表面に露呈する前記下地層を選択的に除去する工程とを含み、前記回路部および前記給電用のパッド領域の端面が、前記絶縁性基体の端面から所定の距離を隔てて形成され、前記回路部及び前記給電用のパッド領域において、前記下地層表面全体が前記めっき層で被覆されたことを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】半導体チップなどの電子部品が実装される配線基板の製造方法において、狭ピッチの配線層を信頼性よく形成すること。
【解決手段】第1配線層20の上に、絶縁樹脂層30を介してニッケル・銅合金層42が形成された積層体を形成する工程と、ニッケル・銅合金層42及び絶縁樹脂層30に、第1配線層20に到達するビアホールVHを形成する工程と、ビアホールVH内をデスミア処理する工程と、ニッケル・銅合金層42の上及びビアホールVHの内面にシード層44を形成する工程と、ビアホールVHを含む部分に開口部32aが設けられためっきレジスト32を形成する工程と、電解めっきによりめっきレジスト32の開口部32aに金属めっき層46を形成する工程と、めっきレジスト32を除去する工程と、金属めっき層46をマスクにしてシード層44及びニッケル・銅合金層42をエッチングして第2配線層40を形成する工程とを含む。 (もっと読む)


101 - 120 / 1,078