【課題】半導体集積回路を実装する際に、リフローなどの熱履歴で発生する基板の反りが、最小限に小さく抑制されたハイブリッドコア基板、それを用いた半導体集積回路パッケージ、ビルドアップ基板を提供する。
【解決手段】複数の開口部を有するコア基板に、実装する半導体チップと略同一のサイズの複数のセラミック基板３０２を勘合させ、さらにその表層にコア基板より弾性率の低い絶縁層３０３を積層したハイブリッドコア基板とすることで、該基板を半導体チップのはんだ接合法による実装に用いても、基板の反りを最小限に抑えることができ、かつ加工性に富むビルドアップ基板を得ることができる。 （もっと読む）

【課題】同時に導電ペーストバイアおよび金属バイアを備える回路板を製造する回路板の製造方法、並びに同時に導電ペーストバイア及び金属バイアを備える回路板を提供する。
【解決手段】回路板が第１配線構造および第２配線構造を含む。第１配線構造が、第１誘電層と第１配線層と第２配線層と金属バイアとを含む。第１誘電層が互いに対向する第１表面および第２表面を有する。第１配線材料層が第１表面上に配置される。第２配線材料層が第２表面上に配置される。金属バイアが第１誘電層中に配置され、第１配線材料層および第２配線材料層を電気接続する。第２配線構造が第１配線構造上に配置される。第２配線構造が第３配線層と第２誘電層と導電ペーストバイアとを含む。第２誘電層が第１表面上に配置され、第１配線層を被覆する。第３配線層が第２誘電層上に配置される。導電ペーストバイアが第２誘電層中に配置され、第１配線層および第３配線層を電気接続する。 （もっと読む）

【課題】複数のシリコン基板同士の電気接続長を短くして、寄生容量を最小にするとともに、パッケージ基板全体の反りを抑制して接続信頼性を有する半導体パッケージを提供する。
【解決手段】半導体パッケージ９は、半導体素子を備えた複数のシリコン基板１を内蔵する半導体パッケージにおいて、第１のシリコン基板にシリコン貫通ヴィア２を備え、パッケージ基板を形成するコア基板１０の基材の線膨張係数が、３〜８ｐｐｍ／℃である。 （もっと読む）

【課題】ビルドアップ基板の製造に好適な基板を提供すること。
【解決手段】本発明のハイブリッド基板は、複数のセラミック基板から成るセラミック基板集合体、セラミック基板集合体の両面に対向配置され、補強材と樹脂とから少なくとも構成された絶縁樹脂層、および、絶縁樹脂層上に配置された金属層を有して成る。特に本発明のハイブリッド基板においては、複数のセラミック基板が、対向配置された絶縁樹脂層間の同一平面上に沿ってタイリングされている。 （もっと読む）

【課題】配線板の表面および裏面に実装される電子部品を１回の接続工程で製造可能とした部品内蔵多層配線板およびその製造方法を提供する。
【解決手段】実施形態の部品内蔵多層配線板は、第１の印刷配線板と、第１の印刷配線板と同じ大きさの第２の印刷配線板と、第１の印刷配線板の表層に実装される第１電子部品と、第１の印刷配線板と第２の印刷配線板の間に内蔵され、第１電子部品と対向する前記第１の印刷配線板の裏層に実装される第２電子部品とを有する。そして、第１の印刷配線板の第１電子部品および第２電子部品の両端に設けられるスルーホールを用いて、第１の印刷配線板と第１電子部品との接続時に、第１の印刷配線板と第２電子部品との接続を同時に行う。 （もっと読む）

【課題】多層配線が簡易な方法によって低コストで形成される電子装置の製造方法を提供する。
【解決手段】第１配線層３０の上に、絶縁層２２の上に金属層３２ａが積層された積層膜ＣＦを形成する工程と、積層膜ＣＦの上に開口部２３ａが設けられたレジスト２３を形成する工程と、レジスト２３の開口部２３ａを通して金属層３２ａをエッチングすることにより金属層３２ａに開口部３２ｘを形成する工程と、ウェットブラスト法により、金属層３２ａの開口部３２ｘを通して絶縁層２２をエッチングすることにより、第１配線層３０に到達するビアホールＶＨを形成する工程と、ビアホールＶＨに導電性ペースト４０又ははんだからなるビア導体を形成することにより、第１配線層３０と第２配線層３２となる金属層３２ａとをビア導体で接続する工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】 高周波領域のＩＣチップ、特に３ＧＨｚを越えても誤動作やエラーの発生しないパッケージ基板を提供する。
【解決手段】 コア基板３０上の導体層３４Ｐを厚さ３０μｍに形成し、層間樹脂絶縁層５０上の導体回路５８を１５μｍに形成する。導体層３４Ｐを厚くすることにより、導体自体の体積を増やすし抵抗を低減することができる。更に、導体層３４を電源層として用いることで、ＩＣチップへの電源の供給能力を向上させることができる。 （もっと読む）

【課題】接着層の絶縁性が劣化することを防止するとともに、接合の信頼性が低下することを防止することを課題とする。
【解決手段】積層回路基板１は、基板１０Ａおよび基板１０Ｂの接続ランド１２同士が導電材料１３により接合され、複数の配線パターン１１が電気的に結合された多層構造のプリント配線基板である。また、積層回路基板１は、基板１０Ａと基板１０Ｂとの間に、ランド１２同士を接合するための貫通孔３１が形成されたプレート３０を有する。プレート３０は、導電材料１３を形成する位置に対応する貫通孔３１があり、貫通孔３１の径の大きさが導電材料１３の充填径よりも大きい。 （もっと読む）

【課題】ボイドの発生を防止しつつ、ランド間を接合することを課題とする。
【解決手段】積層回路基板は、表面に第１ランドが形成されている第１配線基板と、表面に第２ランドが形成されている第２配線基板とで形成される。さらに、積層回路基板は、第１配線基板と第２配線基板との間に配置され、第１ランドと第２ランドを導電性材料にて電気的に接合する接着層を有する。そして、接着層は、中心層を成す誘電材料の粘度が表裏層を成す誘電材料の粘度よりも高く形成される。 （もっと読む）

【課題】耐熱性、耐湿性、耐溶剤性及び耐薬品性が良好で、かつ印刷配線板の薄形・軽量化と高密度化に有効なビルドアップ積層方式に適した絶縁フィルムであって、高周波帯域での誘電率と誘電正接が低く高周波回路の低損失性を実現でき、しかも耐クラック性及び回路充填性などの成形性が良好な変性シアネートエステル系硬化性樹脂組成物を用いた絶縁ワニス及びフィルムの製造法を提供する。
【解決手段】（Ａ）シアネートエステル化合物、（Ｂ）フェノール類化合物、（Ｃ）ポリフェニレンエーテル樹脂、（Ｄ）充填材及び（Ｅ）エポキシ樹脂を必須成分として含有する樹脂組成物からなる絶縁ワニス。 （もっと読む）

【課題】 大電流を流すことができ、かつ、電源ノイズを低減することが可能な多層配線基板を提供する。
【解決手段】 多層配線基板１は、電源回路と三端子コンデンサ５０の入力端子５０ａとを接続する第１電源パターン１１、及び三端子コンデンサ５０の出力端子５０ｂとＩＣ６０の電源端子６０ａとを接続する第２電源パターン１２を含む第１配線層１０と、第１電源パターン１１と第１ビア４０により接続され、該第１ビア４０と三端子コンデンサ５１の入力端子５１ａとを接続する第３電源パターン２１、及び三端子コンデンサ５１の出力端子５１ｂと第２ビア４６の他端とを接続する第４電源パターン２２を含む第２配線層２０と、グランド層３０と、三端子コンデンサ５０のグランド端子５０ｃ，５０ｄとグランド層３０とを接続する第４ビア４１，４２と、三端子コンデンサ５１のグランド端子５１ｃ，５１ｄとグランド層３０とを接続する第５ビア４３，４４とを備える。 （もっと読む）

【課題】各セラミック層に挟まれる多数の側面電極を備えたセラミック多層配線基板を製造するのに、多数個取り用のグリーンシートを積層圧着してなる未焼成セラミック積層体とし、これを配線基板部位相互間の境界線で切断して未焼成配線基板とし、その側面に側面電極形成用のメタライズインク部位を露出させたものとし、これを焼成する場合で、側面電極の層間方向の端面と、これが接すべき各セラミック層の端面との間に剥離が生じるのと、側面電極が基板側面から凹むのを防ぐ。
【解決手段】 グリーンシート２０１の側面電極形成用のビアホール２１１に充填した柱状メタライズインク部位３０の端面、又はその端面が接すべきグリーンシート２０１の面の対応部位に、メタライズインクをパッド層を３８，３９なすよう補填印刷しておく。これにより圧着後の未焼成セラミック積層体の切断前、その内部のインクを高圧にする。 （もっと読む）

【課題】部品内蔵によっても配線板としての信頼性が低下しにくい部品内蔵配線板およびその製造方法を提供すること。
【解決手段】端子を有する電気／電子部品と、電気／電子部品の表面の少なくとも一部に密着して該電気／電子部品の少なくとも一部分を埋め込んだ板状絶縁層と、この板状絶縁層の上面上に設けられた第１の配線パターンと、板状絶縁層の上面に対向する下面上に設けられた、電気／電子部品の実装用のランドを含む第２の配線パターンと、電気／電子部品の端子と第２の配線パターンのランドとを電気的、機械的に接続する、すずおよび金を含むはんだ接続部材と、を具備し、第２の配線パターンが、基層と、該基層上位置選択的に積層された、はんだ接続部材と該基層との間に挟まれて位置するニッケル金属層とを有する。 （もっと読む）

【課題】半導体素子を搭載する配線基板において、コア用の絶縁板に形成されたスルーホール直上にビルドアップ用のビアホール形成ができ、コア用の配線導体においてもその幅や間隔を２０μｍ以下とした高密度な微細配線を有し、かつ厚みが１４０μｍ以下のコア用の絶縁板を使用可能な薄型の配線基板の製造方法を提供すること。
【解決手段】スルーホール７を有するコア用の絶縁板１のスルーホール７内壁のみにスルーホール７と同軸の貫通孔を有するように第１のめっき導体層１３を被着させ、次に貫通孔内および絶縁板１の上下面に、貫通孔内を充填するとともにコア用の絶縁板１の上下面において配線導体４を形成する第２のめっき導体層１４を被着する。 （もっと読む）

【課題】 従来よりも厚みの小さな電子部品内蔵基板を提供する。
【解決手段】 本発明の電子部品内蔵基板１００は、少なくとも一方の主面に収納部４が形成されたコア基板１０と、収納部４の底面に固定された電子部品６と、コア基板１０の主面上に形成された樹脂層７と、樹脂層７を貫通して形成され樹脂層内導電ビア８ａ、８ｂとを備えた構成からなる。 （もっと読む）

【課題】配線基板における樹脂材との密着性を向上することができる配線基板内蔵用コンデンサを提供すること。
【解決手段】セラミックコンデンサ１０１のコンデンサ本体１０４における側面１０６ａ〜１０６ｄには、セラミック誘電体層１０５を構成するセラミックが露出するとともに、コンデンサ本体１０４の厚さ方向に延びる凹部１０７が複数形成されている。コンデンサ本体１０４の側面１０６ａにおける複数の凹部１０７は、厚さ方向に沿った長さがコンデンサ本体１０４の厚さよりも小さく、側面側から見たときの基端部１０７ａの幅が先端部１０７ｂの幅よりも大きい。凹部１０７の先端部１０７ｂは、側面側から見て丸みを帯びた形状を有している。 （もっと読む）

【課題】表面電極と、内部電極や内部回路などの内部導体との間の絶縁性を確保することが可能で、信頼性の高い多層セラミック基板を確実に製造できるようにする。
【解決手段】セラミック積層体２０の焼成工程で、セラミック積層体の、表面電極パターン１１が形成された主面と、収縮抑制層３との間に、セラミック積層体を構成する第１のセラミックグリーン層１よりも収縮開始温度が低い第２のセラミックグリーン層２を配置した状態で焼成を行った後、第２のセラミックグリーン層が焼成されてなる第２のセラミック層と、収縮抑制層とを除去する。
第２のセラミックグリーン層として、収縮開始温度が、第１のセラミックグリーン層の収縮開始温度よりも２０℃以上低いものを用いる。
第２のセラミックグリーン層に含まれるセラミック材料としては、ガラス材料のみからなるものを用いる。
また、前記ガラス材料は、結晶化しないガラスからなるものを用いる。 （もっと読む）

【課題】電気的接続の高い信頼性を有するビアホール導体により層間接続された、Ｐｂフリーのニーズに対応することができる多層配線基板を提供することを目的とする。
【解決手段】絶縁樹脂層と絶縁樹脂層の両面にそれぞれ配設された配線とこれらの配線間を電気的に接続するためのビアホール導体とを有し、ビアホール導体は金属部分と樹脂部分とを含み、金属部分は、配線間を接続する銅粒子の結合体を含む第一金属領域と、錫，錫‐銅合金，及び錫‐銅金属間化合物等を主成分とする第二金属領域と、ビスマスを主成分とする第３金属領域と、を有し、結合体を形成する銅粒子同士が互いに面接触することにより面接触部を形成し、第二金属領域の少なくとも一部分が第一金属領域に接触している多層配線基板である。 （もっと読む）

【課題】支持基材に対して積層を行って分離した後の積層体を擬似的なコア基板として用い、積層数を容易に増やすことが可能な多層配線基板の製造方法を実現する。
【解決手段】本発明の多層配線基板の製造方法は、板状の支持基材１１上に樹脂絶縁層２０〜２３と導体層３０〜３２とを交互に積層して中間積層体を形成し、その表面側の全面に金属めっきを施した後に中間積層体と支持基材１１を分離し、分離後の積層体１０ｂに対し樹脂絶縁層と導体層とを交互に積層して配線積層部を形成することで多層配線基板が得られる。これにより、従来のコアレス配線基板よりも積層数を容易に増やすことが可能な多層配線基板を実現することができる。 （もっと読む）

【課題】 複数のグランドを持ち、これらのグランド上に配置されたデバイス間で高速信号伝送を行う場合のグランドからの伝導ノイズ抑制可能なプリント配線基板を提供すること。
【解決手段】 表面層に配置されノイズ吸収体がその上に配されたブリッジに複数のグランドが直接的にまたは高周波的に接続され、前記複数のグランドの一つを基準電位とする第１のデバイスと、前記第１のデバイスのグランド以外の前記複数のグランドの１つを基準電位とする第２のデバイスとを連結する高速信号配線がプリント配線基板の層方向の隣接層に配線され伝送線路構造を形成することを特徴とするプリント配線基板を主な発明とする。 （もっと読む）