【課題】高温動作によるヒートサイクルに対する耐久性を高めた半導体装置を提供する。
【解決手段】ヒートスプレッダ２と、ヒートスプレッダ２上に半田層３を介して接合された半導体チップ４とを備え、半導体チップ４とともにヒートスプレッダ２がモールド樹脂によって樹脂封止された構成において、半導体チップの４配設領域を囲むように配設され、極性基を含み、曲げ強度およびガラス転移温度がモールド樹脂５よりも大きな樹脂材で構成されたガード１を備えている。 （もっと読む）

【課題】複数の半導体素子を有して構成される回路を樹脂により一体化するに際し、樹脂の膨張収縮に応じて半導体素子に作用する応力の影響を抑制する。
【解決手段】半導体素子４を載置し、ベースプレート９の基準面Ｒに接着される複数の素子基板７と、基準面Ｒに沿って複数の素子基板７の周囲を囲むケース部材２とを備え、ケース内空間に素子基板７と半導体素子４とを覆う高さまでモールド樹脂３が充填される半導体装置１００であって、ケース内空間を区画壁１２によって複数のモールド空間１１に区画する区画部材１を備える。区画壁１２は、基準面に当接すると共に基準面Ｒからの高さＨ６がモールド樹脂３の充填高さＨ５よりも高くなるように構成される。複数のモールド空間１１のそれぞれに少なくとも１つの素子基板７が収容されている。 （もっと読む）

【課題】熱源素子や熱伝導性部材の寸法公差や組立公差に起因する固定位置のばらつきを吸収しつつ、熱源素子と熱伝導性部材とを容易且つ確実に固定することができる、熱源素子と熱伝導性部材との固定構造、及び熱源素子と熱伝導性部材との固定方法を提供すること。
【解決手段】熱源素子２１とヒートシンク４０との固定構造は、筺体１０に収容された基板２０に実装された熱源素子２１と、筺体１０に収容されたヒートシンク４０とを、相互に当接した状態で固定するための、熱源素子２１とヒートシンク４０との固定構造であって、ヒートシンク４０は、ヒートシンク４０における熱源素子２１との当接面と略直交する方向に沿って、熱源素子２１に向かって移動することで熱源素子２１に当接し、当接した熱源素子２１とヒートシンク４０とをクリップ３０で狭持することにより、熱源素子２１とヒートシンク４０とを固定した。 （もっと読む）

【課題】本発明に係る放熱基板及び電子部品は、高熱伝導性及び高熱放射性を有し、これにより熱に起因する部品の誤作動、性能の低下や劣化、さらには信頼性低下が生じ難くなった。
【解決手段】本発明に係る放熱基板は、金属板としての金属シート３、硬化層２と、接着層１の順で積層された放熱基板である。硬化層２がＣステージ状で放熱性を有する。硬化層２の接着層側の表面が表面粗さ０．１μｍ以上２０μｍ以下である。接着層１がＢステージ状である。硬化層及び接着層が、エポキシ樹脂、硬化剤及び無機フィラーからなり、硬化層の示差走査型熱量計から計算した硬化率が９０％以上であり、接着層の硬化率が１０％以上７５％以下であるのが好ましい。 （もっと読む）

【課題】簡易な構成で冷却性能を向上させることができる電力変換装置を提供すること。
【解決手段】電力変換装置１は、半導体モジュール２を積層して構成してなる。半導体モジュール２は、半導体素子と放熱板２２と封止部２３とから構成される半導体モールド部２０と、壁部２４と、貫通冷媒流路４１とを有する。半導体モールド部２０には、パワー端子２５１及び制御端子２６１が法線方向Ｘに直交する方向に突出して設けられている。積層方向の両端に配される半導体モジュール２には、蓋部３が配設されている。隣り合う半導体モジュール２の間及び蓋部３と半導体モジュール２との間であって壁部２４の内側には、貫通冷媒流路４１に連通すると共に放熱面２２１に沿った沿面冷媒流路が形成されている。貫通冷媒流路４１は、半導体モールド部２０を基準として、パワー端子２５１が突出している方向及び制御端子２６１が突出している方向に形成されている。 （もっと読む）

【課題】本発明は、簡易な方法で半導体パッケージ部と放熱フィンとの間の密着性を高め、放熱性を高めることができる半導体装置を提供する事を目的とする。
【解決手段】本発明にかかる半導体装置は、放熱フィン１３、１４と、放熱フィン１３、１４上面の一部を露呈して当該上面に接合された絶縁シート４と、絶縁シート４上に配置されたヒートスプレッダ２と、ヒートスプレッダ２上に配置されたパワー素子１と、放熱フィン１３、１４上面の一部を含む所定の面と、絶縁シート４と、ヒートスプレッダ２と、パワー素子１とを覆って形成されたトランスファーモールド樹脂８とを備え、放熱フィン１３、１４上面は、絶縁シート４の端部を拘束すべく形成された凸形状および／又は凹形状を有する。 （もっと読む）

【課題】パワー半導体モジュールに用いられるパワー半導体素子の放熱効率の向上とパワー半導体素子の周辺部品の耐電圧確保を両立することである。
【解決手段】パワー半導体素子の一方の主面と対向する第１導体板と前記パワー半導体素子の他方の主面と対向する第２導体板を有するパワー半導体モジュールの製造方法であって、前記第１導体板の一方の面に第１突出面を有する第１突出部を形成する場合に、当該第１突出面の向かい合った所定の２辺が前記第１導体板の向かい合った所定の２辺とそれぞれ重なるように、引き抜きにより形成する第１工程と、前記第１突出面に形成されるとともに第２突出面を有する第２突出部を形成する場合に、前記第１突出面の一部をプレスすることにより前記第２突出面を形成させる第２工程と、を有する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、圧入等実装において外部応力に対応できる半導体装置を提供する。

【解決手段】本発明の半導体装置は、皿形状を有する放熱板と、放熱板の皿内部に配設された半導体素子と、半導体素子上に取り付けられたリードピンと、リードピンの一部と半導体素子を覆うように放熱板の皿内部に充填された保護樹脂とを備えた半導体装置において、リードピンは半導体素子上に電気的接続状態で取り付けられている取付部、取付部よりも径が小さい棒状のピン部、及び取付部とピン部との間を連結し取付部とピン部との中間径を有する中間部とで構成され、かつピン部の径と中間部の径との比率が１：１．５から１：２．０の範囲である。また、リードピンの中間部の長さと中間部を含んだピン部の長さとの比率が１：２から１：４の範囲である。 （もっと読む）

【課題】ヒートシンクが設置された半導体装置の冷却効率を向上させる。
【解決手段】半導体装置１００は、配線基板１２０、半導体チップ１４０、封止樹脂１８０、及びヒートシンク２００を有する。配線基板１２０は、本実施形態では金属性のリードフレームである。半導体チップ１４０は、電極パッドが上を向いている状態で、配線基板１２０上に搭載されている。封止樹脂１８０は、配線基板１２０と半導体チップ１４０を封止するための樹脂である。また、ヒートシンク２００は、封止樹脂１８０の半導体チップ１４０側に設けられている。ヒートシンク２００は、ベース板部２２０と、少なくとも一つ以上のフィン２４０を備える。ベース板部２２０は、封止樹脂１８０上面とは重なっていない延出領域２０２を有し、フィン２４０は、少なくとも延出領域２０２に設置されている。 （もっと読む）

【課題】基板に実装された発熱する電子部品の交換時に、電子部品に接着剤で取り付けられたヒートシンクを電子部品に損傷を与えずに除去する。
【解決手段】基板１上に実装された電子部品３に、熱伝導性の接着層５を介して取り付けられているヒートシンク１０を、ヒートシンク１０側から電子部品３側に作用する押圧部材２０を移動させることにより、電子部品３の横方向にヒートシンク１０を移動させ、ヒートシンク１０の電子部品３に対する移動により、ヒートシンク１０と電子部品３とを接着する接着層５に剪断力を作用させて、接着層５の接着力を低減させることによってヒートシンク１０を電子部品３から引き剥がすヒートシンクの分離方法である。押圧部材２０には、回転させてヒートシンク１０から突出させて先端の亜先細部２１を電子部品３に当接するイモネジ２０が使用できる。 （もっと読む）

【課題】半導体素子に放熱用の金属体を接続したものをモールド樹脂により封止してなる半導体実装体と、冷媒を流す冷却手段とを備え、金属体の放熱面を冷媒にて冷却するようにした半導体装置において、金属体の放熱面を構成する導体層と冷却手段とを確実に同電位とする。
【解決手段】一端側がモールド樹脂６０の内部にて導体層２３、３３に電気的に接続され、他端側がモールド樹脂６０より突出して冷却手段２００に電気的に接続された端子部材９０が設けられており、この端子部材９０を介して、導体層２３、３３と冷却手段２００との電気的接続がなされている。 （もっと読む）

【課題】半導体モジュールの積層体の組付が容易であり、長期の使用に対して合わせ面の封止状態を持続させることができる半導体モジュールの積層体を提供すること。
【解決手段】半導体モジュール２の積層体１は、半導体素子３をモールド樹脂４内に配置して形成した半導体モジュール２を複数積層してなる。モールド樹脂４は、冷媒流路４１と、冷媒流路４１の外周側の合わせ面４２の全周に形成したシール充填溝４６と、シール充填溝４６に連通する充填連結口４７とを有している。複数の半導体モジュール２に対する両側の積層端には、蓋体２１Ａ、２１Ｂが積層してあると共に、一方の蓋体２１Ａには、シール充填溝４６に連通する充填注入口２４が形成してある。半導体モジュール２の積層体１は、充填注入口２４から注入したシール材６を、充填連結口４７を経由して複数のシール充填溝４６へ連続して充填してなる。 （もっと読む）

【課題】半導体モジュールおよび冷却フィン付きプレートを冷却器上に設置した半導体装置において、エアが溜まることを抑制し、冷却効率の低下を抑制する。
【解決手段】冷却フィン２２よりも液冷媒出口３０ｂ側において、冷媒パイプ３２の底面から上方に向かって突出させたダム部３５を備える。このように、冷媒パイプ３２に対してダム部３５を備えると、このダム部３５によって液冷媒の流れが堰き止められ、液冷媒がダム部３５の高さ以上に溜まってから液冷媒出口３０ｂ側に流れることになる。このため、開口部３１内にエアが溜まったとしても、液冷媒がダム部３５の高さに至るまで液面が上昇させられることになるため、溜まったエアを排出させることが可能となる。また、液冷媒が高い位置まで溜まることになるため、冷却フィン付きプレート２０に備えられた冷却フィン２２の根元近傍まで液冷媒を接触させることが可能となる。 （もっと読む）

【課題】優れた冷却効果を有する電子機器の冷却構造を提供する。
【解決手段】電子機器の冷却構造は、吸気口１ｃおよび排気口が設けられた筐体と、筐体内に配置された、一方面に発熱部品３が実装された回路基板とを備えている。回路基板における一方面と筐体における回路基板の一方面に対向する対向壁１２との間には、発熱部品３と対向壁１２の双方に接触するように放熱部材が配置されている。放熱部材は、対向壁１２上に所定方向に配列され、所定方向に直交する通風方向の両側に開口する開口を形成するフィン４５および発熱部品３で発生する熱をフィン４５に伝えるプレート４１を含む。フィン４５間には、吸気口１ｃから排気口に至る空気の流れがファンによって生じさせられる。吸気口１ｃは、適切な位置に線上に設けられている。 （もっと読む）

【課題】半導体素子の底面に突起を形成することなく、半導体素子の位置決めを確実かつ簡単に行うことが出来る半導体装置を提供する。
【解決手段】ヒートシンク３に表面実装型パッケージの半導体素子１と配線部材２を取り付けて構成される半導体装置において、配線部材２に半導体素子１が嵌合される嵌合部２２を形成し、配線部材２に形成された嵌合部２２に半導体素子１を嵌合することによって半導体素子１の位置決めを行うようにしたものである。 （もっと読む）

【課題】更なる耐腐食性を向上させたパワーモジュール及びそれを用いた電力変換装置を提供することである。
【解決手段】本発明の課題を解決するために、本発明に係るパワーモジュールは、上それぞれの主面が対向する２枚の金属ベースと、前記一方の金属ベースはケースの第１開口部を塞ぐように配置され、かつ前記他方の金属ベースは前記ケースの第２開口部を塞ぐように配置され、さらに前記ケースと前記２枚の金属ベースとの接合箇所には樹脂系接着剤が塗布されており、前記ケースの内壁と樹脂封止材との間には、前記樹脂系接着剤が露出するように形成された空隙部を有し、当該空隙部は前記第１開口部と連通する。 （もっと読む）

【課題】簡便な構造で、効果的に半導体モジュールを冷却できるインバータ装置を提供する。
【解決手段】半導体モジュール１０と扁平冷却管５０とを交互に積層したインバータ装置１００であって、半導体モジュール１０は、正極側スイッチング素子１１と電磁鋼板の正極側放熱板７６と、正極側放熱板７６の周囲にコイル状に巻回される正極側バスバ１５と、負極側スイッチング素子１２と、電磁鋼板の負極側放熱板７３と、負極側放熱板７３の周囲にコイル状に巻回される負極側バスバ１６と、を含み、扁平冷却管５０は、内部に電磁鋼板のフィン５６を有する。 （もっと読む）

【課題】簡単に放熱効果の高い半導体パッケージを得ることができるとともに、モールド成型と、ヒートスプレッダ取り付けが同時に行えるので、製造工程を減らし、コストを低減することができる半導体パッケージを提供する。
【解決手段】半導体チップ２が搭載された基板と、前記基板の両側面に当接した側面部と、前記基板の上方を囲うとともに一部に開口部を有する上面部と、前記側面部の下端部から実装基板の長手方向に延び実装基板に接続された底面部を有する放熱板３と、前記基板と、前記放熱板に囲まれた空間に充填されたモールド樹脂とを備える。 （もっと読む）

【課題】複数分割された電子基板の少なくとも一方の電子基板を両面実装基板として、少ない平面積で広い実装面積を確保し、小型化された樹脂封止形電子制御装置を得る。
【解決手段】一対の隔梁部材２０Ａ，２０Ａの両面に接着された第一及び第二の電子基
板３０Ａ，４０Ａは両面実装された外側回路部品３１，３２，４１，４２と内側回路部品３３，４３を備え、内側回路部品の高さは隔梁部材２０Ａの厚さ寸法以下であり、外側回路部品の中の発熱部品３２，４２は隔梁部材２０Ａと隣接対向して設けられている。 （もっと読む）

【課題】コスト低減、信頼性向上、冷却性向上、小型化、パワー素子温度検出の容易化が可能な半導体パッケージおよびその製造方法を提供すること。
【解決手段】半導体パッケージ１００は、ヒートシンク１１０と、ヒートシンク１１０の一方の面に搭載されたパワー素子１１２とを有し、パワー素子１１２が搭載された面を含んで樹脂モールドされている。パワー素子１１２が搭載された面と反対側のヒートシンク１１０の他方の面に伝熱材２１０を介して放熱部材２００が配置されている。放熱部材２００はヒートシンク１１０に当接する凸部２００Ａを有し、凸部２００Ａに半導体パッケージ１００を嵌合させる。 （もっと読む）