説明

Fターム[5F136DA01]の内容

半導体又は固体装置の冷却等 (35,223) | 冷却対象 (4,540) | 樹脂封止型装置 (813)

Fターム[5F136DA01]の下位に属するFターム

Fターム[5F136DA01]に分類される特許

141 - 160 / 166


【課題】絶縁性を確保して優れた放熱性を有し、また小型化が可能な二重モールド構造の半導体装置およびその製造方法、また、そのような半導体装置を搭載した電子機器を提供する。
【解決手段】光学的に位置決めされた発光素子2および受光素子3を内包するように透光性樹脂による1次モールドを行って1次樹脂封止部9を形成する。発光素子2および受光素子3は高精度で位置決めがなされる。1次樹脂封止部9に放熱体11を密接させて搭載した状態のもとで、1次樹脂封止部9の外周に遮光性樹脂による2次モールドを行って2次樹脂封止部10を形成し、併せて2次樹脂封止部10に放熱体11を埋設させる。 (もっと読む)


【課題】
半導体デバイスと放熱機構部との間の電気的絶縁性を向上し、かつ、半導体デバイスと放熱機構部との間の熱抵抗を小さくして、冷却性能の向上した半導体装置、及び、この半導体装置を用いて小型化,低コスト化及び高信頼化を図れる電力変換装置及び車載用電機システムを提供することにある。
【解決手段】
半導体デバイス3は、半導体チップと、この半導体チップの電極に電気的に接続されるリード配線とからなる。筒状の放熱ベース2には、半導体デバイス3を収納するとともに、熱伝導性に優れ、電気的絶縁性を有する高熱伝導樹脂によって、半導体デバイス3を一体的にモールド成形する。放熱ベース3には、その内部に冷却媒体通路10を備えたり、その外部に放熱フィンが形成される。若しくは、放熱ベース3は、第2の放熱ベースに収納される。 (もっと読む)


半導体パッケージ(10)は、熱を分散させるために、ダイ(14)上の1つまたは複数のサーマルボンドパッド(22、24、26)から封入材(16)内を上方に延びる複数の熱伝導体(56−64)を用いる。熱伝導体は、ボンドワイヤであってもよく、あるいは伝導性のスタッドバンプであってもよいが、ダイの側縁を越えては延びない。熱伝導体の1つまたは複数は、封入材内でループを形成していてもよく、あるいは封入材の上面で露出されていてもよい。一形態においては、さらに熱を除去すべく、熱拡散部(68)が封入材の上に配置される。別の形態では、熱拡散部は、熱伝導体を介してダイ内側の点に対する直接の電力またはグラウンド端子として機能する。アクティブなボンドパッドは、ダイの周辺に沿ってのみ配置してもよく、あるいはダイの内側にも含まれるようにしてもよい。
(もっと読む)


【課題】改めて放熱部材を取り付ける工程を省略しつつ、表面実装部品やベアチップの放熱を向上させる。
【解決手段】リードフレーム2は穴21を有しており、その上にはベアチップ31や表面実装部品32が配置されて接続される。リードフレーム2を放熱する放熱部1が、穴21を避けて設けられる。放熱部1、ベアチップ31、表面実装部品32、リードフレーム2が樹脂5で包まれ、封止されている。但し、樹脂5は穴21を露出させる開口51を有しているので、既にベアチップ31又は表面実装部品32が接続されていたリードフレーム2へ追加して、当該挿入部品41〜43を接続することができる。しかも、挿入部品41〜43を接続する際には既に樹脂5によってリードフレーム2と放熱部1とが封止されている。 (もっと読む)


【課題】プリント基板、セラミック基板、フレキシブルシート等が支持基板として半導体素子が実装されたBGA型の半導体装置がある。しかしこれらの支持基板は、本来必要でなく余分な材料であり、支持基板の厚みが、半導体装置を大型化にし、中に組み込まれた半導体素子の熱が放熱されにくい構造となっている。
【解決手段】導電パターン11A〜11Dが絶縁性樹脂10に埋め込まれて形成され、しかも導電箔20がハーフエッチングされて形成されるため、充分にその厚みを薄く形成できる。また放熱用の電極11Dが設けられるため、放熱性に優れた半導体装置が提供できる。 (もっと読む)


【課題】 熱伝導性能に優れるとともに、ハンドリング性を高めることが容易な熱伝導性成形体、並びにその製造方法及び取付け方法を提供する。
【解決手段】 熱伝導性成形体11は、発熱体と放熱体との間に介在して用いられ、熱伝導性高分子組成物から成形される。熱伝導性高分子組成物は、高分子マトリックス12と、熱伝導性充填材13とを含有する。熱伝導性充填材13の少なくとも一部は、繊維状に形成されるとともに一定方向に配向される。成形体11において、前記配向の方向と交差する外面上には、繊維状充填材14が露出している。成形体11はその使用時に、前記外面が発熱体及び放熱体の少なくとも一方に接触するように、発熱体と放熱体との間に介在され、繊維状充填材14は、成形体11の使用時に、成形体11内において高分子マトリックス12に対して相対的に没入する。 (もっと読む)


【課題】 本発明は電子素子の放熱に関し、より詳細には回路基板上に搭載された半導体等の電子素子を熱伝導性の良いグラファイト材を用いて放熱する放熱構造を提供することを目的とする。
【解決手順】 グラファイトシートを熱可塑性樹脂により少なくとも一方の面がグラファイトシートになるようにインサート成形した樹脂シャーシを用い、樹脂シャーシのグラファイト面上に絶縁シートを配置し、その絶縁シートに発熱部品を搭載した回路基板の半田面を接するように配置するよう構成する。 (もっと読む)


【課題】 押さえピンを用いずに金属板と樹脂シートとを密着させた、小型化された半導体素子を提供する。
【解決手段】 半導体素子で発生した熱が絶縁シートを介して放出される半導体装置が、絶縁シートと、絶縁シート上に載置された金属板と、金属板の上に固定された半導体素子およびフレームと、絶縁シートが露出した第1面と、第1面に対向する第2面とを備え、少なくとも絶縁シート、金属板、半導体素子、およびフレームが埋め込まれた筐体とを含む。更に筐体内に、金属板の上から筐体の第2面まで延び、金属板を絶縁シートに押し付けるための弾性部を含む。 (もっと読む)


半導体装置は、ワイドバンドギャップ半導体を用いたパワー半導体素子を含む半導体チップ61と、基材62,63と、第1,第2の中間部材65,68aと、熱伝達部材66と放熱フィン67と、半導体チップ61と,第1,第2の中間部材65,68a及び熱伝達部材66を封止する封止材68とを備えている。基材62,63の各先端部は外部接続端子62a,63aとなっている。第2の中間部材68aは第1の中間部材65より熱伝導率の低い材料によって構成され、半導体チップ61との接触面積は、第2の中間部材68aの方が第1の中間部材65よりも大きい。
(もっと読む)


【課題】半導体装置などの電子部品に対し、熱的ストレスを与えることなく、速やかに冷却処理或いは加熱処理を実施する事のできる温度制御方法温度制御装置を提供する。
【解決手段】電子部品1に接する第一の主面101よりも大きな面積を有する第二の主面102を有する熱伝導体103を用い、当該第二の主面102に発熱部104・冷却部105を配設して、電子部品1の自己発熱に対応して発熱部と104と冷却部105を同時に動作させることにより、被処理体1の温度を的確に、かつ俊敏性よく制御することができる。 (もっと読む)


【課題】
ブレード構造の情報処理装置において、ブレードの交換に影響されずにブレード上のチップを水冷することができる情報処理用ブレードを提供する。
を提供する。
【解決手段】
情報処理用ブレードは、ボード1bと、部品2と、保持機構4とを具備する。ボード1bは、ブレード構造を有し、情報処理装置本体に格納され情報処理を行う。部品2は、ボード1bに設けられ、動作中に発熱する。保持機構4は、ボード1bに設けられ、部品2と熱交換する熱交換部3を部品2上に保持可能である。保持機構4は、熱交換部3を部品2上に保持していないとき、部品2への電力供給を遮断する。 (もっと読む)


【課題】 適切な絶縁空間距離と絶縁沿面距離を備えた半導体モジュールを提供する。
【解決手段】 本発明の半導体モジュール10は、a)半導体素子を封止し、放熱器16が当接されるための主面20を有するパッケージ18と、b)パッケージ18の側面24から突出して主面20から離れる方向に曲げられた端子26とを有する半導体装置12と、底部30に端子26が挿通する端子穴32を備えて端子穴32に端子26が挿通された状態で半導体装置12のパッケージ18を収容する桝型のケーシング14とを有し、ケーシング14と半導体装置12の間に絶縁性樹脂34を充填して少なくともパッケージ18の側方に位置する端子部分を封止したこと特徴とする。 (もっと読む)


【課題】 LSIなどの電子部品の上に載置したヒートシンクを電子部品の形状にならう形で変形させることによって、良好な放熱性が得られるようにする。
【解決手段】 ヒートシンク1は、底面を複数の部分領域に分割する線に沿って容易に折れ曲がる構造を有する。ヒートシンク1を熱伝導グリース3を介してLSI4の上に載置し、ヒートシンク固定ピン2によって、ヒートシンク1の前記部分領域がLSI4と重なる部分の中央付近の箇所でLSI4に押し付けるように固定する。すると、接する電子部品の形状にならう形でヒートシンク1が変形し、LSI4とヒートシンク1間の平均的な距離が狭まり、熱抵抗の低減化が図れる。 (もっと読む)


【課題】 放熱フィン取り付け時の亀裂の発生を抑制することができる半導体装置を提供することである。
【解決手段】 本発明の半導体装置10は、切り欠き部24を有し、切り欠き部24にねじの軸部が収容された状態でねじの頭部とねじと螺合するめねじ部を有する部材との間に挟持されるように部材に固定される、リードフレームに載置された半導体素子を樹脂パッケージで封止してなる半導体装置であって、切り欠き部24が形成された外縁22と切り欠き部24とに挟まれた角部に設けられた、部材にねじによって固定されたときにねじの頭部との接触を回避する非接触部30と、部材にねじによって固定されたときにねじの頭部と部材の間に存在するようにパッケージ12に内含されている補強部材とを有する。 (もっと読む)


【課題】集積回路チップの放熱構造及びそれを備えたディスプレイ装置を提供する。
【解決手段】画像を具現するパネルを駆動する少なくとも一つの集積回路チップを実装した少なくとも一つの回路基板と、集積回路チップの裏面に隣接して配置された基底部及び水平に延びた仮想面から直角を除外した角度で基底部から傾いた複数の放熱板を備えるヒートシンクと、を備える集積回路チップの放熱構造である。 (もっと読む)


【課題】 半導体スタックの構成を有する半導体装置において、パワー半導体素子の冷却性を向上させた半導体装置を提供する。
【解決手段】 昇圧コンバータ10およびインバータ20,30を形成する複数の半導体モジュールは、冷却器61〜68と交互に積層される。積層方向に隣接する半導体モジュールは、パワー半導体素子の発熱中心が対向しないように、交互にずらして配設される。冷却器61〜68を接続する接続部材71〜77は、半導体モジュールをずらして積層したことにより発生する空きスペースに配設される。そして、各半導体モジュールは、発熱量の多いインバータ30、インバータ20および昇圧コンバータ10の順に冷却系統の上流側から配設される。 (もっと読む)


【課題】従来は最上部のLSIチップの上面以外にヒートシンクを取り付けることができないため、半導体装置全体として効率的な放熱ができず、また、最上部以外の下部のLSIチップの発熱による熱も効率良く放熱できない。
【解決手段】複数のLSIチップ2が中継基板1上に積層された積層構造の半導体装置において、上下に隣接するLSIチップ2との間又は最下部のLSIチップの下面と基板1との間に熱伝導性アンダーフィル樹脂10が設けられている。LSIチップ2の発熱は、最上部のLSIチップ2の表面及びLSIチップ2の各側面と熱伝導性アンダーフィル樹脂10の側面にそれぞれ接触し、かつ、被覆する放熱シート9を介して、放熱シート9のLSIチップ2と反対側表面が内面に接触され、かつ、積層構造の全体を覆うヒートシンク8に到達し、これより外部雰囲気中に放熱される。 (もっと読む)


【課題】電子構成部材を効率よく冷却する。
【解決手段】電子組立体のための熱管理システム100は、基板104に結合された集積回路パッケージ102と、コールドプレート110に結合された基板104と、集積回路パッケージ102とコールドプレート110との間に配置され、且つ、それらの双方と係合するバネ部材114と、バネ部材114によって形成されるチャンバ115内に配置される熱伝達素子116とを含む。
【効果】集積回路パッケージ102からコールドプレート110への効果的な熱伝達を促進する。 (もっと読む)


【課題】 高精度で信頼性が高く、かつローコストに生産が可能な回路部品モジュールおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】 放熱板8と、放熱板8の一面8bに積層された樹脂層6と、樹脂層6に埋込まれるとともに一部が放熱板8に接している電子部品31と、樹脂層6の放熱板と反対側の面6aに埋込まれて電子部品31とともに回路を構成する配線パターン5とを具備してなることを特徴とする回路部品モジュール100を提供する。 (もっと読む)


【課題】熱伝達のための技法が提供される。
【解決手段】本発明の一態様では、熱伝達デバイスが提供される。熱伝達デバイスは、熱伝達流体を収容するのに適した1つまたは複数のマイクロチャネルを備え、マイクロチャネルの1つまたは複数は、1つまたは複数のマイクロチャネルを通る熱伝達流体の流れに影響を与えるように構成された、1つまたは複数のマイクロチャネルの少なくとも1つの内部表面上の突出構造を有する。構造は、疎水性皮膜をコーティングされた支柱を備えることができる。 (もっと読む)


141 - 160 / 166