【課題】作動時に大量の熱を発する電子部品を収容しても熱伝導性に優れ、かつ電子部品の熱膨張係数と適合させることができる電子部品収納用パッケージおよび電子装置を提供する。
【解決手段】電子部品収納用パッケージおよび電子装置には、熱伝導率のよい第１金属層１１と、第１金属層１１より低熱膨張係数を有し厚さの薄い第２金属層１０とが交互に５層以上積層され、最下層および最上層には第１金属層１１ｃ，１１ｂが配されているとともに、内層に配される第１金属層１１ａの少なくとも１層の厚さが最下層および最上層に配される第１金属層１１ｃ，１１ｂの厚さよりも厚い放熱部材１が用いられている。また、放熱部材の外周部は、下方または上方に向かってだれるように変形している。 （もっと読む）

【課題】樹脂封止の際に、半導体チップの表面電極および裏面電極がモールド樹脂で覆われないようにする。
【解決手段】樹脂封止を行うモールド金型の下型５２の凹部５３に低弾性緩衝シート４０を設置してから半導体チップ１０を搭載した金属フレーム１５を半導体チップ１０の表側を下にして設置する。これにより、電極が形成されている半導体チップ１０の表側の面と金属フレーム１５の立設部１７の端面とが低弾性緩衝シート４０に密着された状態になる。したがって、この状態で、溶融したモールド樹脂の注入を行ったとしても、その密着部にモールド樹脂が浸入することはなくなるので、その後の酸化膜の除去および電極の形成の工程を確実に行うことができる。 （もっと読む）

【課題】電子素子に応じた適切な放熱構造とすることができる冷却装置を提供する。
【解決手段】複数の電子素子２１を冷却する冷却装置１であって、電子素子２１と対向して配置され、冷媒が流通可能な収容室１０ａを電子素子２１それぞれに対応した位置に画成するベース部１０を備え、収容室１０ａには、当該収容室１０ａに対応する電子素子２１の発熱量に基づいて設定された放熱能力を発揮する冷却フィン１２が収容されることにより、部分的な冷却フィン１２の設計が可能となる。このため、電子素子２１の発熱量にばらつきが生じた場合であっても、適切な放熱構造とすることができる。 （もっと読む）

【課題】マイコンとパワーＭＯＳＦＥＴを含む半導体装置の小型化を図ることができる技術を提供する。
【解決手段】本発明による半導体装置は、マイコンを形成した半導体チップＣＨＰ１と、パワーＭＯＳＦＥＴを形成した半導体チップＣＨＰ２とを１パッケージ化している。これにより、マイコンを形成した半導体チップＣＨＰ１と、パワーＭＯＳＦＥＴを形成した半導体チップＣＨＰ２を別々にパッケージする場合に比べて小型化することができる。 （もっと読む）

【課題】冷却性能を向上させた半導体装置を提供する。
【解決手段】熱拡散部５は、ノズル１１を挿入可能な開口部５ａを有する筒状となっており、内側には、放熱フィン９が設けられており、半導体素子２と熱拡散部５は樹脂モールド６で一体化されている。樹脂モールド６により、半導体素子２、入力電極３Ａ、出力電極３Ｂ、絶縁材４、熱拡散部５が一体モジュール化されている。 （もっと読む）

【課題】絶縁性と放熱性を高めた半導体モジュールのパッケージを低コストで実現する。
【解決手段】酸化アルミニウムの粉末を溶射して、金属基材１の第１面１Ａに絶縁層７を形成する。この絶縁層７は熱処理によって熱伝導率が高められているか、六方晶系の結晶構造を有する。金属基材の第２面１Ｂには、直接的または間接的に接するように、半導体回路素子２が搭載される。 （もっと読む）

【課題】冷却性能および絶縁性能を損なうことなく、低背化された電力変換装置を実現する。
【解決手段】複数のパワー半導体および上記複数のパワー半導体間を接続する導体を有するとともに上面が樹脂で封止された半導体モジュールと、上記半導体モジュールの上面に面するとともに上記半導体モジュールを制御する制御基板と、上記半導体モジュールの下面に対面するとともに上記半導体モジュールを冷却する冷却器と、を備え、上記半導体モジュールは、上記制御基板と上記冷却器の間に配置されるとともに、上記冷却器に直接半田で接合固定される。 （もっと読む）

【課題】装置の製造寸法のばらつきにも関わらず、冷却効果に優れ組み付けも容易な冷却流体冷却型半導体装置を提供する。
【解決手段】所定間隔を隔てて複数配置される冷却チューブ２と、冷却チューブ２の両端部に設けられる一対のヘッダ５、６と、冷却チューブ２の間に挟圧される半導体モジュール１とを備え、ヘッダ５、６には、冷却チューブ２よりも容易に変形可能な変形容易部位が形成され、ヘッダ５、６の半導体モジュール１の厚さ方向の剛性が、冷却チューブ２の半導体モジュール１の厚さ方向の剛性よりも小さくされている。 （もっと読む）

【課題】 半導体モジュールが短絡することを防止しながら、半導体基板の放熱性能を向上する技術を提供する。
【解決手段】 ＩＧＢＴが形成されている半導体基板１８と、半導体基板１８の第１の表面１８ａに形成されており、ＧＮＤ電位を有するエミッタ電極１８ｄと、半導体基板１８の第２の表面１８ｅに形成されており、ＧＮＤ電位よりも高い電位を有するコレクタ電極１８ｆと、コレクタ電極１８ｆと接合されている第２放熱板３０と、を備え、第２放熱板３０は、半導体基板１８の側面１８ｂに熱的に接触している側壁２６を備えている。 （もっと読む）

【課題】実装工程を容易にする粘着力と熱伝導性を悪化させず、かつプロセスを増やすことなく表面の粘着力に違いを持つ樹脂シートを提供する。
【解決手段】刃断面形状が非対称であるナイフを用いてスライスすることにより、第１の面とそれに対向する第２の面とを有し、第１の面及び第２の面の間と、第１の面と、第２の面と、は同一の材料であって、第１の面と第２の面との粘着力が異なる樹脂シートを提供する。 （もっと読む）

【課題】放熱部材とヒートシンクとの間の熱伝導性を高めることができるとともに、コストの低廉化を図ることができる発熱デバイスを提供する。
【解決手段】発熱デバイス３は、半導体素子５と、半導体素子５からの発熱を受けて放熱し、パッケージ一部を外部に露出させて半導体素子５と共にパッケージ９によって封止されたヒートシンク６と、ヒートシンク６の外部露出部に溶接され、ヒートシンク６からの熱を受けて放熱する放熱部材７とを備えた。 （もっと読む）

【課題】本発明は、製造を容易化でき、装置を小型化でき、信頼性を高めることができる電力用半導体装置を提供することを目的とする。
【解決手段】モールド樹脂で封止され、該モールド樹脂から露出する放熱面を有する第一パワーモジュールと、モールド樹脂で封止され、該モールド樹脂から露出する放熱面を有する第二パワーモジュールと、該第一パワーモジュールの放熱面にはんだにより固着された第一冷却部と、該第二パワーモジュールの放熱面にはんだにより固着された第二冷却部とを備え、該第一冷却部と該第二冷却部は冷媒通路となる空隙を形成するように固着され冷却器を形成することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】パワーモジュール半製品を構成するヒートプレートを絶縁基板より面積的に小さくしても、成形時の絶縁基板の亀裂や破壊による損傷を防止することができると共に、製品としてのパワーモジュールの極小化の要請に十分答え得る実用化製品を提供する。
【解決手段】パワーモジュール半製品Ｙを、両外部接続端子５、６における一端側の外部表出側端部５ｂ及びヒートプレート２の他面側をそれぞれ表出させた状態で、成形樹脂層により封止して構成する場合、積層基板体Ｘを構成するパワーモジュール基板３に、成形樹脂層７を成形する上側成形型１１と共に成形型を構成する下側成形型１２に設けた位置決めピン１４が挿入される位置決め孔８を設けて、パワーモジュール半製品Ｙのキャビティー１３内における位置決めを行うようにした。 （もっと読む）

【課題】放熱性能を向上させつつ、耐久性を高めることができる半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置１は、放熱器２と、放熱器２上に載置され、接続面１３ａを有する導体１３と、放熱器２上に載置され、接続面１４ａを有する導体１４と、導体１３の接続面１３ａと面接触された第１電極面２１と、導体１４の接続面１４ａと面接触された電極面２２であって、電極面２１と対向する位置に形成された電極面２２を有する半導体素子１６ａと、硬化性樹脂を含み、導体１３と、導体１４と、半導体素子１６ａとを封止する封止部材１９とを備える。 （もっと読む）

【課題】光源となる半導体チップを、金属接合材を用いて強固に接合することができ、かつ、搭載された半導体チップで発生する熱を、金属板を通して効率よく放散させることが可能な、金属基板を提供する。
【解決手段】光源となる半導体チップを搭載するための光源搭載面を有する金属基板１００であって、Ａｕ以外の金属からなる放熱金属板１１１と、該放熱金属板上の一部に積層された絶縁樹脂製の白色フィルム１２０と、該放熱金属板上の他の一部に積層された光源搭載面形成層と、を有し、前記光源搭載面形成層は前記放熱金属板と直接接する金属層であり、前記光源搭載面は前記光源搭載面形成層の最表層をなすＡｕ層１１４の表面である。 （もっと読む）

【課題】半導体チップをヒートシンクに埋め込んだ半導体装置において、別途、配線基板を用いることなく、半導体チップの再配線を行えるようにする。
【解決手段】ヒートシンク２０の一面２１の凹部２２に収納された半導体チップ１０の電極面１１およびその周囲のヒートシンク２０の一面２１を電気絶縁性の絶縁膜４０で被覆し、さらに、絶縁膜４０を、凹部２２の開口部における半導体チップ１０の電極面１１とヒートシンク２０の一面２１との隙間を埋めるように設け、絶縁膜４０のうち半導体チップ１０の電極１２に対応する部位に開口部４１を設け、ヒートシンク２０の一面２１のうち凹部２２の開口部の周囲部分に位置する絶縁膜４０の表面に、外部との電気的接続を行う電気端子６０を設け、絶縁膜４０の表面に、絶縁膜４０の開口部４１を介して電極１２と電気端子６０とを電気的に接続する配線層７０を設けた。 （もっと読む）

【課題】アルミニウム、アルミニウム合金、マグネシウム又はマグネシウム合金からなる放熱部材を用いた場合であっても、部品点数、製造工数が増大することなく、放熱効率を向上させることのできる発光装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】発光装置１は、はんだ材３と接合可能な金属からなる金属部２２を有する発光部２と、アルミニウム、アルミニウム合金、マグネシウム又はマグネシウム合金からなり、はんだ材３と接合可能な処理が施された接合部４３を有する放熱部材４と、を備えており、発光部２の金属部２２及び放熱部材４の接合部４３がはんだ材３により接合されている。 （もっと読む）

【課題】発熱による性能劣化を抑制し、かつ小型の半導体モジュールの形態としたＤＣ−ＤＣコンバータを得る。
【解決手段】このＤＣ−ＤＣコンバータ１０においては、金属で構成されたリードフレーム１１〜１６上に絶縁性材料で構成された基板２０が搭載される。リードフレーム１１〜１６上には、基板２０の他に、その周囲に、インダクタ３１、ダイオード３２、シャント抵抗３３、ＭＯＳＦＥＴ３４、３５が搭載される。インダクタ３１、ダイオード３２，ＭＯＳＦＥＴ３４、３５が発生する熱は、リードフレーム１１、１２、１４、１５によって効率的に放熱される。制御用ＩＣ２１、２２は熱伝導率の低い材料で構成された基板２０を介してリードフレーム１４に搭載される。 （もっと読む）

【課題】電子デバイスパッケージ構造形成のための垂直配線の追加工程を部品として集約させ、かつ、従来より用いられている金型プレスを使う通常の製造技術を用いて極めてシンプルに低コストで作成可能にする。
【解決手段】配線用部品は、上面に配線層を形成した基板上に半導体チップを含む回路素子を配置した電子デバイスパッケージに組み込んで用いられる。この配線用部品は、ポスト電極の高さに等しい板厚を有する金属板から半抜きに打ち抜くことにより形成されたポスト電極と、該ポスト電極と繋ぎ部を介して連結した半抜き板とから成る。 （もっと読む）

【課題】この発明は、端子に接続される周辺回路が半導体チップで発生する熱により破壊されるのを防止できるパワー半導体装置を提供することを目的する。
【解決手段】パワー半導体装置は、半導体チップ１３と、半導体チップ１３と電気的に接続された端子１２と、半導体チップ１３の全体および端子１２の一部を収容するパッケージ１１と、端子１２におけるパッケージ１１から突出する部分を直接冷却する冷却手段２０とを含む。冷却手段２０は、たとえば、内部に冷却液が流通する液冷パイプ２１と、端子１２におけるパッケージ１１から突出する部分を液冷パイプ２１に熱的に接続する接続部材２２とを含む。 （もっと読む）