【課題】半導体装置の裏面側の空気循環が容易に行えることによって十分な放熱を行うことが可能な半導体装置を提供する。
【解決手段】本発明の半導体装置１０は、リードフレームを構成するリード端子１１、ダイパッド１２と、ダイパッド１２上に接続された半導体素子としてのＩＣチップ１３と、ＩＣチップ１３とリード端子１１を電気的に接続する金属細線１４とが樹脂などのパッケージ１５に内包されている。パッケージ１５の実装基板１９に面する側の裏面１７には、凹形状の溝部１８が複数形成されており、その両端はパッケージ１５の側面である外周面１６に達している。 （もっと読む）

【課題】プリント基板に実装されるＬＳＩの厚みの如何を問わず、簡単にヒートシンクを取付けることができるようにする。
【解決手段】雌ねじ部14は、雌ねじ金具14ｂが円柱ゲル14ａの上面に積重されて接合されたもので、円柱ゲル14ａの下面は、プリント基板（上部スチフナ５）側に接合されている。雄ねじ13の先端部を、ヒートシンクベース３ａの貫通穴３ｃに通し、上部スチフナ５に固着された雌ねじ部14に螺入させる。螺入が進むにつれて、雌ねじ部14は上昇し、円柱ゲル14ａも引張られて伸びる。円柱ゲル14ａは、伸びると復元力が発生するので、ヒートシンク３は、雌ねじ部14によってＬＳＩパッケージ２側に引張られる。この結果、ヒートシンク３はＬＳＩパッケージ２に荷重をかけることができるので、効率良く熱接触できると共に、復元力によって、ＬＳＩパッケージ２に固定しつつ、円柱ゲル14ａによって、ＬＳＩパッケージ２の高さのばらつきが吸収される。 （もっと読む）

【目的】溶接バラツキが少なく、低パワー・低エネルギーでレーザ溶接できるレーザ溶接部材およびそれを用いた半導体装置を提供する。
【解決手段】銅であるリードフレーム２９と銅より高融点材料であるＣｕＭｏやＣｕＷで形成されたヒートスプレッダ１７、１９とをレーザ溶接する場合に、リードフレーム２９の表面に電解Ｎｉめっき膜４３を形成し、この電解Ｎｉめっき膜４３面にレーザ光を照射してレーザ溶接することで、溶接バラツキが少なく、低パワー・低エネルギーでレーザ溶接することができる。
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【課題】 電子部品および電子部品を搭載したプリント配線板を効率よく冷却することのできる冷却システム、電子部品、およびプリント配線板を提供することを目的とする。
【解決手段】 電子回路が搭載されたパッケージ１１の裏面から下に向かって延在する信号入出力用の柱状端子１３と、パッケージ１１の周縁から下に延在するとともに柱状端子１３全体を取り巻いて一周に渡って延在し、流体の流入口１５および流出口１６が形成されてなるとともに下端面に一周に渡って導体膜１８ａが形成されてなるスカート部１８を有する電子部品１０と、表面に、複数の柱状端子１３の各先端がそれぞれ接続されるパッド２１と、スカート部１８下端面の導体膜１８ａが一周に渡って接続され、スカート部１８内側を流入口１５および流出口１６を除いて密封する帯状のパッド２２とを有するプリント配線板２０とを備えた。 （もっと読む）

【課題】構成部品の配置の自由度が高く、小型化が容易な電力変換装置を提供すること。
【解決手段】半導体素子を内蔵する複数の半導体モジュール２と、半導体モジュール２を両主面から冷却するための冷却器３とを有する電力変換装置１。冷却器３は、半導体モジュール２の両主面に配される複数の冷却管３１と、複数の冷却管３１の冷媒入口３１１同士及び冷媒出口３１２同士を連結する連結部３２とを有する。冷媒入口３１１と冷媒出口３１２との双方は、これらが形成された冷却管３１の表面に接触する半導体モジュール２の本体部２０の幾何学的重心を通過する中央直線Ｍによって区切られる２つの領域のうちの一方の領域に集中して存在している。 （もっと読む）

【課題】配線基板に装着する際に、配線基板に対して精度よく位置決めができ、且つ運搬等の取扱性が良好なヒートスプレッダーを提供する。
【解決手段】配線基板の両面の各々に実装された電子部品で生じる熱を放熱できるように、前記配線基板の各面に装着され、且つ前記装着状態がクリップによって挟み込まれて固定されるヒートスプレッダー２０ａであって、ヒートスプレッダー２０ａの端部の各々には、ヒートスプレッダー２０ａを配線基板に装着したとき、前記配線基板の端部に形成された位置決用切欠部に挿入され、ヒートスプレッダー２０ａを位置決めする突出部２８と、ヒートスプレッダー２０ａが配線基板に位置決めされて装着されたとき、前記配線基板の端部に形成された実装用切欠孔が露出するように形成された切欠２４とを具備し、且つヒートスプレッダー２０の突出部２８が、前記位置決用切欠部に挿入される挿入長が位置決用切欠部の内壁面厚さの１／２以下となるように形成されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ＬＥＤチップ等の半導体チップの発熱を効率良く放熱することができる半導体チップ収納用の放熱パッケージを実現する。
【解決手段】樹脂より成り、孔16が形成された略リング状の枠体18と、枠体18の底面18ａの略全面を覆う略円板状の先端部20ａ及び枠体18を貫通して外方へ向かって水平方向に取り出される後端部20ｂを有し、熱伝導性が良好な導電材料より成る第１のリードフレーム20を有する半導体チップ収納用の放熱パッケージ。 （もっと読む）

【課題】ＬＥＤが生じた熱エネルギーに対し良好な放熱効果を生じることが可能なＬＥＤと液相・気相放熱装置との結合による構造を提供する。
【解決手段】液相・気相放熱装置１１とＬＥＤユニット２１とを有し、液相・気相放熱装置１１は、金属ハウジング１２を有し内部に量が一定した液体１４と毛管構造１６とを有し、ＬＥＤユニット２１は、金属ハウジング１２の表面に配置され、上向きの電極板２２１を二つ有し底部に絶縁層２２２を有し絶縁層２２２により金属ハウジング１２に配置されるＬＥＤチップ２２と、金属ハウジング１２の表面に配置される絶縁板２６と、絶縁板２６に配置される二つの導電片２８と、電極板２２１と導電片２８とに別々に接続される二つのリード線２４と、リード線２４とＬＥＤチップ２２とを被覆するだけでなく少なくとも一部分の絶縁板２６と導電片２８をも被覆する樹脂モールド２９とから構成される。 （もっと読む）

【課題】半導体素子に機械的応力を殆ど発生させずに支持電極を放熱体の装着孔に嵌合させ、且つ放熱体の装着孔が膨張しても支持電極を装着孔内に確実に保持する。
【解決手段】本発明による半導体装置(10)では、固定部材(31)により底壁(11)のフランジ(11d)を装着孔(22)の内側傾斜面(22b)に対して押圧して放熱体(21)の装着孔(22)内に支持電極(1)を固定するので、固定部材(31)により径方向内側に作用する押圧力は、殆ど支持電極(1)の底壁(11)には加わらない。このため、半導体装置(10)を放熱体(21)の装着孔(22)に嵌合したときに、半導体素子(2)に機械的応力が殆ど発生しない。また、固定部材(31)によりフランジ(11d)を装着孔(22)の内側傾斜面(22b)に押圧するので、加熱により装着孔(22)が膨張しても、支持電極(1)を装着孔(22)内に確実に保持することができる。 （もっと読む）

【課題】パワー半導体モジュールの熱抵抗を低減し、小型化を図る。
【解決手段】パワー半導体素子１，２の両面に、電極金属層が被着された絶縁基板９，１８をはんだ付け等により接合する。絶縁基板９，１８は裏面にも金属層１１，２１が被着されており、それら金属層と放熱板１３，２３とがろう接により接合される。少なくとも一方の放熱板の放熱面には放熱フィンが設けられる。放熱板１３，２３は放熱面側にはケース１４，２４で覆われた空間が形成され、当該空間に流れる冷却媒体により、素子から放熱板に伝達された熱を除去する。 （もっと読む）

【課題】樹脂封止型半導体装置をインバータ，電源装置のプリント基板などに組付けて使用する際に、前記凹凸部が放熱フィンとして有効に機能させる。
【解決手段】樹脂封止型半導体パワーモジュールをインバータなどのプリント基板５に実装して使用する際に、樹脂パッケージ２の表面に形成した凹凸部３を、この凹凸部３が自然対流あるいは強制通風による冷却空気の流れと平行に向くような姿勢にしてプリント基板５に対向させて設置する。 （もっと読む）

【課題】ペレット接続用の半田層の厚さを一定にでき、温度サイクル時、ペレット、ディスク、リードフレームの熱膨張係数差によるペレットへの応力、半田層の疲労破壊を改善しえる樹脂封止半導体装置を提供する。
【解決手段】ペレット２５が搭載されるリードフレーム２１と、複数のリード端子２７と、ペレット２５とリード端子２７を電気的に接続するコネクター２６と、ペレット２５を少なくとも樹脂封止する外囲器２８と、リードフレーム２１とペレット２５間に半田層２３ａを介して設けられた金属製のディスク２４とを具備した樹脂封止型半導体装置であり、ディスク２４の片面には３個の突起２４ａを設けた。 （もっと読む）

【課題】樹脂封止された半導体チップの温度を簡単に精度よく評価できるようにする。
【解決手段】半導体チップ６を外部接続用のリード３に電気的に接続し、封止樹脂９により樹脂封止した半導体装置において、半導体チップ６に熱的に結合するダイパッド１から延び出た吊りリード１の一部を封止樹脂９の表面より露出させ、この露出部に、温度に応じて変色する示温材１０を設ける。 （もっと読む）

【課題】電子部品のヒートシンクとプリント回路基板上のサーマルランドとの間をはんだ接合するはんだ接合部内のボイド発生を抑制する。
【解決手段】電子部品２のヒートシンク４に対向するプリント回路基板１上のサーマルランド６にはんだを供給してはんだ接合部８を形成する。このはんだ接合の工程において、はんだ接合部８を除く領域の４隅４箇所に、電子部品２とプリント回路基板１の間の隙間を確保するための樹脂部材１１を配設し、はんだ接合部８のはんだを加熱溶融する際のガスの抜け道を確保する。 （もっと読む）

【課題】簡単な構成で電子部品が発する熱を効果的に外部に放出することができるプリント基板を実現する。
【解決手段】本発明のプリント基板１には、電子部品２が実装されている部分に複数のスルーホール１ａがプリント基板１を貫通するように設けられている。スルーホール１ａには、プリント基板１の裏面から放熱部品３の突起部３ｂが挿入されている。突起部３ｂの先端は電子部品２と接触している。放熱部品３は、熱伝導率が高い金属材料によって形成されている。電子部品２が発する熱は、突起部３ｂを介してプリント基板１の裏面側の本体部３ａに伝わり、本体部３ａから放出される。 （もっと読む）

【課題】チップの熱拡散効果の増進と静電放電保護の機能と効果を増進できる電子装置を提供する。
【解決手段】ケース、前記ケース内に設置され、第１金属接地層、第２金属接地層と、金属接続部を有し、前記第１金属接地層が前記第２金属接地層に相対し、前記金属接続部が前記第１金属接地層と前記第２金属接地層の間に接続され、前記第２金属接地層が前記ケースに接続されるプリント回路板、及び前記プリント回路板に電気的接続され、ダイと熱伝導部を含み、前記熱伝導部が前記ダイに接続され、前記第１金属接地層に半田付けされるチップを含み、前記チップより発生された熱量は、前記熱伝導部、前記第１金属接地層、前記金属接続部と、前記第２金属接地層によって前記ケースに伝導される電子装置。 （もっと読む）

【課題】装置全体のサイズを抑制することができ、騒音が発生することを防止可能な半導体チップ用冷却装置を提供する。
【解決手段】イオン交換樹脂層１０の表面に金属電極層１１が形成された高分子アクチュエータ１と、この高分子アクチュエータ１の固定端１ａ側を片持ち支持する支持部材２と、高分子アクチュエータ１に対して周期的に変化する電圧を印加させる駆動部５と、を備え、高分子アクチュエータ１を駆動部５により駆動することで、その自由端１ｂを往復運動させて風を発生させるように構成した。支持部材２は半導体チップＣの形状に対応した枠型形状を有し、枠の内部に複数の高分子アクチュエータ１を取り付け、各高分子アクチュエータ１が互いに干渉しないように駆動部５により駆動制御する。自由端１ｂが往復運動する方向は、半導体チップＣの表面に沿った方向である。 （もっと読む）

【課題】チムニー型ヒート・シンクを備えた、蓋をされたＭＣＭ ＩＣプラスチック・オーバーモールドされたパッケージを提供する。
【解決手段】 基板と、前記基板に取り付けられた、複数のＮ個の半導体ＩＣデバイスと、ＩＣデバイスに取り付けられた複数のＮ個のヒート・シンクと、上部表面を形成するポリマー性のオーバーモールドと、選択的に付された第１のポリマー材料の複数のＮ個のプラグと、第２のポリマー材料によって取り付けられた蓋と、を具備するオーバーモールドされたＭＣＭ ＩＣパッケージ。 （もっと読む）

【課題】従来の熱伝導基板は、パワー素子に発生した熱を、電極を介して、絶縁層や金属板に放熱していたため、電極以上の熱伝導を実現することができず、またシート状黒鉛層をエラストマー層で保護してなる熱伝導シートを併用して、必要な放熱性が得られない場合があった。
【解決手段】金属板１３の上に、シート状の伝熱樹脂層１２を介して、その一部にシート状の炭素系高熱伝導層１１を密着するように固定したリードフレーム１０を形成し、前記リードフレーム１０の上に、放熱が求められるパワー素子１５を実装することで、パワー素子１５を放熱する際に、放熱（あるいは熱伝導）に際してリードフレーム１０と炭素系高熱伝導層１１を併用することで、その放熱性を高める。 （もっと読む）

【課題】半導体装置でリード部分を封止体から部分的に露出させる構成を採用することなく、リード部分からの放熱特性の向上を図る。
【解決手段】一枚の導電性フレーム１０上に半導体チップを搭載し、その状態で導電性フレーム１０を折り曲げて、導電性フレーム１０内に半導体チップを内包させる。内包させる際に、半導体チップに形成したソース電極、ドレイン電極、ゲート電極と、導電性フレーム１０とを電気的に接続させ、その後に、導電性フレーム１０と半導体チップとの隙間に樹脂を封止して封止体２０を構成する。封止体２０を構成した後で、導電性フレーム１０を所定位置で切断して、外部接続ソース電極１０ｓ、外部接続ゲート電極１０ｇ、外部接続ドレイン電極１０ｄを形成する。 （もっと読む）