【課題】損失最小周波数での低損失性能を保持したまま、加工コストを低減できる平面基板構成や同軸管を用いた振幅イコライザを提供する。
【解決手段】裏面を地導体２とする第１絶縁性基板１と、第１絶縁性基板１の表面に形成した入出力端を有する主線路３と、主線路３の近傍に位置する一端を開放端とし、他端を短絡端とするパターンを延在させた第１絶縁性基板１の表面に形成したストリップ導体４と、ストリップ導体４のパターンに沿って第２絶縁性基板５の表面に形成した前記ストリップ導体４より短いストリップ線路７と、ストリップ線路７に沿って抵抗体膜８を介して両側からストリップ線路７を挟むようにパターン形成しストリップ導体４と分布的に短絡させた接地パターン９と、ストリップ導体４の開放端側に位置する前記ストリップ線路７と主線路３とを電気接続する電気接続手段１１とを備える。 （もっと読む）

【課題】同調周波数などのアンテナ特性バラツキを小さくする周波数補正回路付き同調型アンテナモジュールを提供する。
【解決手段】アンテナ素子２に可変容量手段３を接続し、その可変容量手段３の容量を周波数制御電源６の制御電圧で変化させ、アンテナ素子２で受信する電波の周波数に応じて同調周波数を変化させる同調型アンテナモジュール１において、周波数制御電源６と可変容量手段３間に、制御電圧を分圧する抵抗からなる分圧回路７を接続し、その分圧回路７で同調周波数を補正するものである。 （もっと読む）

【課題】広い周波数帯に渡って、挿入損失特性が良好で電流許容量の大きなバイアス回路を具えた高周波回路基板を提供する。
【解決手段】絶縁体で構成される基板１１と、前記基板１１上の主面上又は前記基板１１内の少なくとも一方に形成された、高周波の電気信号を伝送するための金属導体部１２と、前記基板１１の裏面上及び前記基板１１内の少なくとも一方に形成された電源層１３と、前記金属導体部１２内を伝送する前記電気信号に対して直流のバイアス電圧を重畳するためのバイアス回路１４とを具備し、前記基板１１は前記バイアス回路１４のインピーダンスを調整するためのインピーダンス調整機構を有するようにして高周波回路基板１０を構成する。 （もっと読む）

【課題】 抵抗体や電波吸収体の無反射条件を満足しつつ、不要共振周波数を抑制することのできるパッケージ構造を得ることを目的とする。
【解決手段】 半導体素子を収納するキャビティ２１の形成された誘電体多層基板６と、キャビティ２１を取り囲むようにキャビティ側壁内に配列された複数の金属充填スルーホール４と、キャビティ２１を取り囲むように設けられ、キャビティ側壁内における金属充填スルーホール４の配列から、不要共振波の４分の１波長の距離だけ内側に配列され、無反射終端された複数の抵抗体充填スルーホール７とを備えて、誘電体パッケージ２０を構成する。 （もっと読む）

【課題】簡易な構造で効率的に共振器間の結合容量を可変にすることができ、かつ集積化に適したチューナブルフィルタを提供する。
【解決手段】チューナブルフィルタ１０は、２以上の共振器１２ａ、１２ｂと、前記共振器１２ａ、１２ｂと同一基板上に形成され、互いに隣接する共振器１２ａ、１２ｂの間に設けられる可変容量結合部Ａを配置し、可変容量結合部Ａに直流バイアスを印加することにより、容量を変化させ共振器１２ａ、１２ｂ間の結合を変えてチューナブルフィルタ１０の帯域周波数を制御する。 （もっと読む）

【課題】３次元の電磁波伝播媒質として機能し、媒質の等価的な誘電率と透磁率の両者が同時に負の値となる、全く新たな構成による３次元左手系メタマテリアルを提供する。
【解決手段】立方体の単位格子５を３次元空間の互いに直交する３方向に繰り返し配置した構造の３次元左手系メタマテリアルであって、導体からなり、前記単位格子の各頂点を中心とする位置に配置された第１粒子体１と、導体からなり、前記単位格子の各面の中心である面心点を中心とする位置に配置された第２粒子体２と、導体からなり、前記第１粒子体と前記単位格子の中心点とを連結する第１連結部と、導体からなり、前記第２粒子体と前記中心点とを連結する第２連結部とを有する。 （もっと読む）

【課題】複数の共振器を備え、方向性結合器の機能を併せ持ったバンドパスフィルタを実現する。
【解決手段】バンドパスフィルタ１０は、入力ポート１と出力ポート２とモニタポート３とアイソレートポート４を備えている。バンドパスフィルタ１０は、更に、入力ポート１と出力ポート２との間に設けられ、バンドパスフィルタとしての機能を実現するバンドパスフィルタ部を備えている。バンドパスフィルタ部は共振器１１，１２，１３を備えている。バンドパスフィルタ１０は、更に、モニタポート３とアイソレートポート４とを接続し、方向性結合器における副線路として機能するように、バンドパスフィルタ部に対して電磁界結合する検出用線路１５を備えている。 （もっと読む）

【課題】方向性結合器を小型化することができる技術を提供する。
【解決手段】積層された複数の絶縁層と、前記複数の絶縁層それぞれの表面に所望のパターンで配線が形成された複数の配線層とを有する配線基板と、前記複数の配線層のうち、単一の配線層に形成された主線路（第１配線）１１と、前記複数の配線層に亘って形成され、主線路１１に沿って延在する延在部１３ａ、１３ｂ、１３ｃを備えた副線路（第２配線）１２とを備える方向性結合器１０であって、主線路１１は屈曲部を有さず、副線路１２は、主線路１１の一方の側面側にコイル形状のループを成すように形成する。 （もっと読む）

【課題】直流を確実にカットすることができると共にマイクロ波帯やミリ波帯において使用することができ、しかも、簡単な構造で且つ低コストな製造が可能なＤＣカット回路を提供する。
【解決手段】ＤＣカット回路１は誘電体基板２と入力ストリップライン３と出力ストリップライン４と共振器電極５とグランド電極６とを備える。入，出力ストリップライン３，４は、その開放端部３２，４２を中央部に位置させた状態で、誘電体基板２の表面２０に形成されている。入力及び出力ストリップライン３，４の開放端部３２，４２は、所定距離だけ離されて対向しており、その間に間隙Ｇを有する。共振器電極５は、誘電体基板２の波長の約２分の１の長さに設定され、間隙Ｇと対向するように、誘電体基板２内に形成されている。さらに、この共振器電極５は、両開放端部５１，５２が開放端部３２，４２と重なるように、形成されている。 （もっと読む）

【課題】 所要周波数帯では増幅器特性に影響を与えることなく、低周波帯から高周波帯まで広帯域に不要波を吸収でき、電圧降下を著しく小さく抑えることができるバイアス回路を得ることを目的とする。
【解決手段】 第２の伝送線路の中心位置に、長さが所望の周波数外で１／４波長を有する第２の先端開放線路を接続するとともに、第２の先端開放線路に直列に所望の周波数外の不要波を吸収するための抵抗で接続する構成とすることにより、高周波帯の不要波を全て吸収することができるようになり、広帯域に亘り安定して動作するバイアス回路を得ることができる。 （もっと読む）