電力増幅システムならびにそのモジュールおよび構成要素が、CRLH構造に基づいて設計され、高効率および高線形性が提供される。

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【課題】高周波多層基板において、制御配線や電源配線上を高周波信号が伝播し続けることを防止して、制御配線や電源配線から高周波回路への干渉を防止できる高周波多層基板の干渉防止回路を得ること。
【解決手段】制御配線もしくは電源配線３上の第１の分岐点Ｃと該第１の分岐点を挟んで配線方向の両側に設けた第２および第３の分岐点Ａ，Ｂとの間の各線路７ａ，７ｂの長さを高周波回路２が発生する高周波信号の基本波の１／４波長とし、第１の分岐点に、線路長が高周波信号の基本波の１／４波長のオープンスタブ８を接続し、第２および第３の分岐点Ａ，Ｂのそれぞれに、抵抗素子５ａ，５ｂの一端を接続するとともに、前記抵抗素子の他端を前記高周波信号に対して接地状態にする手段（６ａ，６ｂ）を設けた。 （もっと読む）

【課題】負の屈折率を有するメタマテリアルにおいて、電磁波の伝播効率を向上させる。
【解決手段】本発明は、複数の単位素子から構成され負の屈折率を有するメタマテリアルであって、単位素子の少なくとも一部が、グラフェン１により構成されるものである。また、複数のグラフェン１が、層間距離０．２ｎｍ以上となるように配置されることが好ましい。また、２層のグラフェン１が、層間距離０．１４ｎｍ以下となるように配置されたものを単位層とし、複数の単位層が、層間距離０．２ｎｍ以上となるように配置されてもよい。 （もっと読む）

【課題】大電流を流すことができ、かつ十分広い通過帯域を確保できるバイアス回路を提供することを課題とする。
【解決手段】キャリア信号を入力する入力ノード（ＲＦＩＮ）と、キャリア信号を出力する出力ノード（ＲＦＯＵＴ）と、前記入力ノード及び第１のノード間に接続され、キャリア信号の周波数に対して１／４波長のインピーダンス変換を行う第１のインピーダンス変換素子（２０１）と、前記第１のノード及び前記出力ノード間に接続され、キャリア信号の周波数に対して１／４波長のインピーダンス変換を行う第２のインピーダンス変換素子（２０２）と、前記第１のノード及び第２のノード間に接続され、キャリア信号の周波数に対して１／４波長のインピーダンス変換を行う第３のインピーダンス変換素子（２０３）と、前記第２のノードに接続される直流電源電圧ノード（２０４）と、前記第２のノードを交流接地状態にする接地回路（２０５）とを有する。 （もっと読む）

【課題】 広い帯域に亘る周波数範囲で良好な振幅補償や反射特性を得ることが可能であると共に、部品の性能ばらつきによる特性変化を軽減したイコライザを提供する。
【解決手段】 一端を入力端とし、他端を入力側開放端（Ａ）とした入力側線路と、入力側開放端（Ａ）から１／４波長分入力側に離間した位置（Ｂ）と対向する位置を出力側開始端（Ｃ）とし前記入力側開放端（Ａ）と対向する位置（Ｄ）まで入力側線路と平行配置して終端を出力端とした出力側線路と、Ｂ点とＣ点とを抵抗器を介して減衰させる回路と、Ａ点とＤ点とを抵抗器を介して減衰させる回路とを備え、Ａ点、Ｂ点、Ｃ点、Ｄ点をそれぞれスタブを用いて高周波開放点とし、減衰回路に挟まれた入出力線路の平行領域でカップリングさせて高周波帯域内の振幅又は電力を減衰制御するようにした。 （もっと読む）

【課題】ＤＣブロック回路を構成する高周波用基板について、伝送線路の特性インピーダンス整合をとりやすく、従来よりもさらに高周波に適した構造を提案する。
【解決手段】本提案に係る高周波用基板は、誘電体基板１０と、誘電体基板１０の表面に形成され、ギャップ１２を挟んで対向したランド部１３を有する伝送線路１１と、誘電体基板１０の裏面に形成され、ランド部相当領域に開口部１６を有する接地導体１５と、接地導体１５を当接させて誘電体基板１０が載置されると共に、開口部１６に相当する部位に貫通孔２１を有する金属基板２０と、を含んで構成される。 （もっと読む）

【課題】 20ＧＨｚ以上の高周波帯においても良好な終端特性を有し、搭載する半導体素子が正常に動作する配線基板を提供する。
【解決手段】 誘電体基板１の一方主面上の信号線路導体２と、信号線路導体２の両側に配置された第１の接地導体３と、誘電体基板１の内部に配置され第１の接地導体３と接続された第２の接地導体３ａと、信号線路導体２の一端と第１の接地導体３とを接続する第１の抵抗体４と、一方主面上に配置されたバイアス端子電極５と、第２の接地導体３ａと他方主面との間の誘電体基板１の内部に配置された、一端が信号線路導体２の一端に、他端がバイアス端子電極５に接続され、両端間の少なくとも一部が第２の抵抗体３ａからなるバイアス導体６とを具備する配線基板７である。信号線路導体２とバイアス導体６との電磁結合が小さく、電磁結合しても減衰して信号線路導体２への反射が小さいので良好な終端特性となる。 （もっと読む）

【課題】位相応答を広帯域とするとともに、より積極的に制御することのできる電磁波伝搬媒質を提供する。
【解決手段】入力された電磁波を伝搬する電磁波伝搬媒質であって、基材と、基材において電磁波の伝搬方向に並べられた複数の伝搬ユニットと、を備え、複数の伝搬ユニットにおける電磁波の伝搬特性は、特定の周波数帯域の電磁波に対する位相応答が所定の範囲内に入るように、少なくとも隣り合う伝搬ユニットにおいて互いに異なる。伝搬ユニットは、基材に伝送線路を形成するように、電磁波の伝送方向に並べられた複数の伝送ユニットとすることができ、複数の伝送ユニットは、それぞれ、電磁波の伝搬特性としての遮断周波数を有する。また、伝搬ユニットは、基材において、電磁波の伝送方向に並べられた複数の共振器とすることもでき、複数の共振器は、それぞれ、電磁波の伝搬特性としての共振周波数を有する。 （もっと読む）

【課題】シリコン単結晶基板と信号線路との間に絶縁膜を形成することなく、ミリ波帯域での基板への電磁波の漏れによる減衰が小さいコプレーナ線路及びその製造方法を提供する。
【解決手段】高抵抗シリコン基板２２と、高抵抗シリコン基板上に形成された信号線路４２と、高抵抗シリコン基板上の、信号線路を挟む位置に形成された１対の接地導体４４とを備える。信号線路と接地導体間の、高抵抗シリコン基板の主表面２２ａ側に、凹部２４が形成されている （もっと読む）

【課題】広帯域に渡って信号を伝達することができる伝送線路基板を得る。
【解決手段】誘電体基板１０の上面に、信号線路１２、第１の接地導体１４及び第２の接地導体１６が形成されている。第１，第２の接地導体１４，１６は、信号線路１２と電界結合している。第１の接地導体１４と第２の接地導体１６は互いに電位が異なる。重なった第１の接地導体１４の一部と第２の接地導体１６の一部との間に誘電体膜１８が形成されている。この重なった第１の接地導体１４の一部、誘電体膜１８、及び第２の接地導体１６の一部は、ＭＩＭキャパシタを構成している。第１の接地導体１４と第２の接地導体１６の間に、誘電体膜１８とは並列にチップコンデンサ２０が接続されている。第１の接地導体１４と第２の接地導体１６の間に、チップコンデンサ２０と直列に抵抗２２が接続されている。 （もっと読む）