電子回路基板とその製造方法及び電子回路基板を用いた表示装置
【課題】繰り返し折り曲げても断線不良の起きない、接続信頼性が高いフレキシブル基板及びその製造方法、さらにその基板を用いた表示装置を提供する。
【解決手段】フレキシブル性を有するデバイスであって、基板に形成される金属配線12の少なくとも一部が導電性高分子により覆われている。具体的には、基板11上に金属の配線12を形成し、その配線上を覆うように導電性高分子の配線13を形成し、金属配線12と導電性高分子配線13とを多層構造にする。
【解決手段】フレキシブル性を有するデバイスであって、基板に形成される金属配線12の少なくとも一部が導電性高分子により覆われている。具体的には、基板11上に金属の配線12を形成し、その配線上を覆うように導電性高分子の配線13を形成し、金属配線12と導電性高分子配線13とを多層構造にする。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電子回路基板及びその製造方法、さらにそれらを用いた表示装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年、無機半導体に代わる半導体として有機半導体の開発が活発に行われている。代表的な応用例としてシートディスプレイやIDタグが挙げられる。これらの大きな特徴は、有機材料を用いることによって非常に安いコストによって製造可能であるということと、無機材料と違って自由に曲げることができるフレキシブル性である。
【０００３】
製造費の低コスト化については、蒸着やスパッタのように設備費の高い真空装置を用いるプロセスからインクジェットのような大気中で製造ができ、設備費の安いプロセスへの革新を目指して開発が進められている。
【０００４】
一方、デバイスがフレキシブルになることにより生じる課題として、曲げ応力により配線が断線し、電子機器の機能に障害をきたすことが考えられる。この解決手段として、基板材料と配線材料の伸び率を揃えるといった方法や、配線材料に導電性高分子を用いる方法がある。また、異なる2種類の金属配線を組み合わせる方法もある。（特許文献１、２）
さらに、基板上に形成した導電性高分子配線を電極として用いて、導電性高分子配線上に金属配線をめっきにより形成する方法も開示されている（特許文献３、４）。この方法により、金属配線を蒸着装置のような真空設備を用いることなく形成でき、また、レジストを用いるようなエネルギーロスの高い工法を避けることができる。
【特許文献１】特開２０００−３０５１０４号公報
【特許文献２】特開２００３−１００７５０号公報
【特許文献３】特開平０５−３３５７１８号公報
【特許文献４】特開２００４−０３１３９２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
ディスプレイやRFタグに応用する場合、高周波で使用されるため高速で電気を流す低抵抗な配線材料が求められる。しかし、導電性高分子は金属材料に比べ電気抵抗が大きく、高周波デバイスに応用が難しいという課題が生じる。また、配線材料として金属を用いた場合、繰り返し曲げていると金属疲労によりクラックが生じて断線してしまうという課題が生じる。
【０００６】
また、導電性高分子を電極として金属をめっきしたものでは、めっき処理をする際に導電性高分子が劣化し導電性が大きく低下しているものと推察され、やはり上記課題が生じる。なお、使用可能な金属材料としては酸性浴でめっき可能な金属材料に限定されてしまう。
【０００７】
本発明は上記課題を解決するためになされたものであり、金属配線にクラックが生じても導電性高分子を電気が流れ、接続信頼性を向上させた電子回路基板とその製造方法及び電子回路基板を用いた表示装置を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の電子回路基板は、基板に形成される金属配線上に導電率０．１S/cm以上の導電性高分子が形成されていることを特徴とする。
【０００９】
また、本発明の電子回路基板は、基板に形成される金属配線の折り曲げられる部分が導電率０．１S/cm以上の導電性高分子との多層構造を有していることを特徴とする。
【００１０】
また、本発明の電子回路基板の配線形成方法は、基板上に金属配線及び導電性高分子配線を形成する際、塗布法により導電性高分子配線を形成することを特徴とする。
【００１１】
また、本発明の別の電子回路基板の配線形成方法は、基板上に配線を形成する際、基板上に形成した金属配線上にモノマーと電解質と溶媒からなる電解液を塗布し、金属配線に電圧をかけることにより、導電性高分子を金属配線上に電解重合させることを特徴とする。
【００１２】
また、本発明の別の電子回路基板の配線形成方法は、基板上に配線を形成する際、モノマーと電解質と溶媒からなる電解液中に金属配線が形成された基板を浸し、電極に電圧をかけることにより導電性高分子を金属配線上に重合することを特徴とする。
【発明の効果】
【００１３】
本発明によれば、金属配線の少なくとも一部を導電性高分子で覆うことにより、デバイスを繰り返し折り曲げても配線が断線することなく、安定した接続を果たすことができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１４】
（実施の形態１）
本発明の電子回路基板は、基板に形成される金属配線上に導電率０．１S/cm以上の導電性高分子が形成されている。ここで金属配線と導電性高分子の構造の例を図１Ａ−Ｄに示す。図１Ａは、基板11上に金属の配線12が形成されており、その配線上に導電性高分子の配線13が金属配線をすべて覆うように形成されている。また、図１Ｂ及び図１Ｃは、基板11上の金属配線12上の一部を導電性高分子配線13が覆っている構造である。また、図１Ｄは、金属配線12と導電性高分子配線13が多層になっている構造である。これらのように、導電率０．１S/cm以上の導電性高分子配線が基板に形成される金属配線の少なくとも一部に形成されていれば、金属配線が断線しても導電性高分子配線を伝って電気が流れるため、接続不良を防ぐことができる。また、金属配線と導電性高分子配線の配線構造は、図１Ａ−Ｄに示した構造以外でも良い。
【００１５】
（実施の形態２）
本実施形態の電子回路基板は、基板に形成される金属配線の折り曲げられる部分が導電率０．１S/cm以上の導電性高分子との多層構造を有しているように構成されている。ここで金属配線と導電性高分子の構造の例を図２Ａ−Ｄに示す。図２Ａは、基板21上に導電性高分子23の配線が形成されており、その配線上に金属の配線22が導電性高分子配線23の一部を覆っている構造である。図２Ｂは、基板21上に形成された導電性高分子配線23をすべて覆うように金属配線22が形成されている構造である。また、図２Ｃは、金属配線22の上下、側面ともに導電性高分子配線23により覆っている構造である。また、図２Ｄは、導電性高分子配線23と金属配線22が多層になっている構造である。これらのように、導電率０．１S/cm以上の導電性高分子配線が基板に形成される金属配線の折り曲げられる部分に形成されていれば、金属配線が断線しても導電性高分子配線を伝って電気が流れるため、接続不良を防ぐことができる。
【００１６】
実施の形態１及び２で記述したような電子回路基板は、たとえば、液晶表示装置や、エレクトロルミネッセンス型表示装置、エレクトロルミネッセンス素子、可変抵抗、スイッチ素子、光センサー素子、メモリー素子、ＲＦタグなど様々な装置に利用可能であり、伝送速度が高速かつ接続信頼性の高い電子回路基板を実現可能である。
【００１７】
さらに、この電子回路基板を用いた表示装置において、ディスプレイの折りたたみ部がディスプレイを等分するように形成されていることが好ましい。図３に折りたたみ部の例を示す。たとえば、図３Ａの実線３１で示したようなディスプレイの場合、ディスプレイの縦方向と横方向の中央にそれぞれ折りたたみ部を形成することにより、ディスプレイをａ１〜ａ４の４つの同じ大きさに分割することができる。また、図３Ｂのように、ディスプレイの縦方向３２に２本、ディスプレイの横幅を３等分する箇所に折りたたみ部を形成することにより、ディスプレイをｂ１〜ｂ３の３つの同じ大きさに分割することができる。このように、ディスプレイを等分するように折りたたみ部を形成することで、ディスプレイを折りたたむ際に、きれいに折りたたむことができる。また、４つのディスプレイを張り合わせることで図３Ａのような一つのディスプレイを形成する場合、ａ１と同じサイズのディスプレイを作ればよいため、異なるサイズのディスプレイを製造しなくて済み、製造コストを安くすることができる。
【００１８】
さらに、折りたたみ部により分割されたディスプレイが独立して機能することが好ましい。たとえば、図３Ａのような４分割されるディスプレイにおいて、実線３１で示したディスプレイが一つのディスプレイとして機能するだけでなく、分割されたａ１〜ａ４のディスプレイもそれぞれ一つのディスプレイとして機能する。これにより、折りたたんだ状態においてもディスプレイとして使用することができる。また、ディスプレイは、液晶表示装置、有機エレクトロルミネッセンス表示装置、電気泳動表示装置でも良い。
【００１９】
このように表示部分に折りたたみ部があるため、大きなディスプレイも小さく収納することができ、省スペース、携帯性に優れ、かつ、接続信頼性の高いディスプレイを実現することができると同時に、一つのディスプレイを複数のディスプレイとして機能させることが可能な表示装置を実現できる。
【００２０】
（実施の形態３）
次に、本発明の電子回路基板の製造方法について説明する。本発明における電子回路基板の製造方法は、基板上に金属配線及び導電性高分子配線を形成する工程において、塗布法により導電性高分子配線を形成することを備える。ここで金属配線と導電性高分子の構造は図１Ａ−Ｄ及び図２Ａ−Ｄに示すような構造でも良く、さらに、それ以外の構造でも良い。このように金属配線に接するように導電性高分子配線を形成することにより、曲げにより金属配線にクラックが生じても導電性高分子で繋がっているため、接続信頼性の高いデバイスを実現することができる。
【００２１】
（実施の形態４）
次に、本発明の別の電子回路基板の製造方法について説明する。本発明における電子回路基板の製造方法は、基板上に配線を形成する工程において、基板上に形成した金属配線上にモノマーと電解質と溶媒からなる電解液を塗布し、金属配線に電圧をかけることにより、導電性高分子を金属配線上に電解重合させることを備える。ここで金属配線と導電性高分子の構造は図１に示すような構造でも良く、金属配線上又は側面に導電性高分子配線が形成される構造ならばそれ以外でも良い。また、電解液の塗布方法は、インクジェットやスピンコートなどを用いることができる。これにより、溶解しにくく塗布プロセスでは形成困難であった導電性高分子も金属配線上で重合することができるようになり、また、金属配線がパターン化されているため導電性高分子のパターン化を省略することができる。
【００２２】
（実施の形態５）
次に、本発明の別の電子回路基板の製造方法について説明する。本発明における電子回路基板の製造方法は、基板上に配線を形成する工程において、モノマーと電解質と溶媒からなる電解液中に金属配線が形成された基板を浸し、電極に電圧をかけることにより導電性高分子を金属配線上に重合することを備える。ここで金属配線と導電性高分子の構造は図１に示すような構造でも良く、金属配線上又は側面に導電性高分子配線が形成される構造ならばそれ以外でも良い。金属配線上又は側面に導電性高分子配線が形成される構造ならばそれ以外でも良い。
【００２３】
実施の形態３、４及び５で記述した本発明の電子回路基板の製造方法において、前記導電性高分子の導電度は、特に限定するものではないが、たとえば、０．１Ｓ/ｃｍ以上、好ましくは１Ｓ/ｃｍ以上、さらに好ましくは、１×１０２Ｓ/ｃｍ以上である。このような製造方法によれば、前述したような繰り返し折り曲げても配線が断線することなく、安定した接続を果たすことができる電子回路基板を製造することが可能である。
【００２４】
前記記載の電子回路基板に用いる基板材料として、ポリエーテルスルホン、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレン、ポリイミド、エポキシ樹脂、アクリル樹脂などのフレキシブルなプラスチック基板やガラス、布、紙などを用いることができる。ただし、防湿のためプラスチック基板内に金属箔が入っていても、基板表面にSiO2やAl2O3などの酸化膜が形成されていても良い。金属配線材料には、AlやCu、Au、Agなどの低抵抗金属を用いる。その他にも、Ni、Ti、ITO、Cr、Wやそれらの合金を用いても良い。形成方法は、蒸着、スパッタ、インクジェットなどが用いられる。
【００２５】
導電性高分子材料にはポリピロール、ポリチオフェン、ポリアセチレン、ポリジアセチレン、ポリアセン、ポリフェニレン、ポリフェニレンビニレン、ポリピリジノピリジン、ポリアニリン及びそれらの誘導体からなる群から選択された少なくとも一つを用いる。形成方法は、スピンコートやインクジェットなどが用いられる。
【００２６】
以下、本発明を実施例を用いてさらに具体的に説明する。
【００２７】
（実施例１）
本実施例においては、導電性高分子配線上に金属配線を形成した電子回路基板について説明する。図４Ａ−Ｂは、本実施例で作製した電子回路基板の断面及び投影図である。図４Ａに示すように、基板４１上に導電性高分子配線パターン４３を形成し、その上に金属配線４２を形成した。また、図４Ｂのように、金属配線４２は導電性高分子配線４３上の一部に形成されており、この多層化された配線の中央部分を折り曲げ部４４とした。
【００２８】
基板４１には厚み５０μｍのＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）フィルムを用いた。このフィルム上に、インクジェット法によりＰＥＤＯＴ（ポリエチレンジオキシチオフェン０．０１ｍｏｌ％／L）とＰＳＳ（ポリスチレンサルファネート０．０２ｍｏｌ％／Ｌ）を含有する水溶液を滴下して乾燥させることにより、導電性高分子配線４３を形成した。つぎに、導電性高分子配線４３上に金をマスク蒸着し、金属配線パターン４２を形成した。このとき、導電性高分子配線４３は厚み１μｍ、金配線４２は厚み０．２μｍとした。
【００２９】
この電子回路基板の金属配線の導通試験を、基板を折り曲げる前後で行った。比較のため、電子回路基板上に導電性高分子配線を形成しない、金属配線のみの基板を作製し、同様に導通試験を行った。その結果、導電性高分子を形成しなかった基板は、繰り返し折り曲げているうちに導通が取れなくなったのに対し、導電性高分子を形成した基板は、何度折り曲げても導通が確認された。
【００３０】
（実施例２）
本実施例においては、金属配線の上に導電性高分子配線を電解重合により形成した電子回路基板について説明する。図５Ａ−Ｂは、本実施例で作製した電子回路基板の断面及び投影図である。図５Ａに示すように、基板５１上に金属パターン５２を形成し、その上に導電性高分子配線５３を形成した。また、図５Ｂのように、導電性高分子配線５３は金属配線をすべて覆うように接続されており、この多層化された配線の中央部分を折り曲げ部５４とした。
【００３１】
基板５１には厚み５０μｍのＰＥＴフィルムを用いた。このフィルム上に、金をマスク蒸着により形成した。つぎに、金配線５２上にチオフェンモノマー０．２ｍｏｌ％／Ｌとアセトニトリルとテトラアルキルアンモニウム塩１ｍｏｌ％／Ｌからなる電解液をインクジェットにより塗布し、金属配線に２０Ｖの電圧をかけた。これにより、金属配線上にポリチオフェン配線が形成された。このとき導電性高分子配線は厚み１μｍ、金配線は厚み０．５μｍであった。
【００３２】
この電子回路基板の金属配線の導通試験を、実施例１と同様に基板を折り曲げる前後で行った。比較のため、電子回路基板上に、導電性高分子配線を形成しない、金属配線のみの基板を作製し、同様に導通試験を行った。その結果、導電性高分子を形成しなかった基板は、繰り返し折り曲げているうちに導通が取れなくなったのに対し、導電性高分子を形成した基板は、何度折り曲げても導通が確認された。
【００３３】
（実施例３）
本実施例においては、金属配線の上に導電性高分子配線を実施例２とは異なる電解重合法により形成した電子回路基板について説明する。配線構造は実施例２と同様、図５Ａ−Ｂに示すような構造を用いた。
【００３４】
基板には厚み５０μｍのＰＥＴフィルムを用いた。このフィルム上に、金をマスク蒸着により形成した。つぎに、金属配線を形成した基板をピロールモノマー０．３ｍｏｌ％／Ｌとナフタレンスルホン酸ナトリウム０．１５ｍｏｌ％／Ｌからなる電解液中に浸し、金属配線に５Ｖの電圧をかけた。これにより、金属配線上にポリピロール配線が形成された。このとき導電性高分子配線は厚み１μｍ、金配線は厚み０．５μｍであった。
【００３５】
この電子回路基板の金属配線の導通試験を、実施例１と同様に基板を折り曲げる前後で行った。比較のため、電子回路基板上に、導電性高分子配線を形成しない、金属配線のみの基板を作製し、同様に導通試験を行った。その結果、導電性高分子を形成しなかった基板は、繰り返し折り曲げているうちに導通が取れなくなったのに対し、導電性高分子を形成した基板は、何度折り曲げても導通が確認された。
【００３６】
（実施例４）
本実施例においては、金属配線の一部に導電性高分子配線を形成した電子回路基板を用いた折りたたみ可能なディスプレイについて説明する。図６は、本実施例で作製したアクティブマトリックス型ディスプレイの構成を模式的に示す斜視図である。図６に示すように、本実例に係るアクティブマトリックス型ディスプレイは、基板６１上に画素電極に接続されたトランジスタ駆動回路（ＴＦＴ駆動回路部７０）がアレイ状に配置されており、そのトランジスタ駆動回路上に有機EL層６２と保護フィルム６４とが配設されている。なお、有機EL層６２の上面には、透明電極６３が設けられている。ここで、有機EL層は、電子輸送層、発光層、正孔輸送層などの各層が積層され構成されている。そして、各々のトランジスタ駆動回路の所定の電極から延長されたソース電極線とゲート電極線とは、各々ここでは図示しない制御回路へ接続されている。６５はゲート走査ライン、６６はソース走査ラインである。
【００３７】
基板上に形成したトランジスタ駆動回路の拡大図を図７に示す。図７において、７１はゲート電極、７２はゲート絶縁膜、７３は半導体、７４はソース電極、７５はドレイン電極、７６は絶縁膜、７７はゲート走査ライン、７８はソース走査ライン、７９は画素電極である。ゲート走査ライン７７とソース走査ライン７８の配線の構造は、実施例１に示した配線構造と同様である。
【００３８】
このように、基板上の配線を導電性高分子と金属配線から形成することにより、折りたたんでも接続不良を起こさない、安定したディスプレイを実現することができた。
【００３９】
尚、本実施の形態では、表示部に有機ELを用いた場合について説明したが、本発明の効果はこの構成を有するアクティブマトリックス型ディスプレイに限定されるものではない。つまり、トランジスタ駆動回路を必要とするアクティブマトリックス型ディスプレイであれば、その効果は同様に発揮される。また、画素を駆動する駆動回路部の構成は、本実施の形態で示した構成に限定されるものではない。つまり、例えば、一つの画素を駆動するために電流駆動用のトランジスタとそれを制御するためのスイッチング用トランジスタを組合わせた構成としても良い。また、さらに複数個のトランジスタを組合わせた回路構成とすることも可能である。
【００４０】
（実施例５）
本実施例においては、金属配線上に導電性高分子配線を電解重合により形成した電子回路基板を用いた無線IDタグについて説明する。図8は、本実施例で作製した無線IDタグの構成を模式的に示した斜視図である。図８に示すように、無線IDタグ８０は、フィルム状のプラスチック基板８１を基材として用いている。この基板８１上には、アンテナ部８２とメモリーIC部８３とが設けられている。ここで、アンテナ部８２とメモリーIC部８３は、実施の形態において説明したような配線基板を使用することが可能である。本実施例では、実施例１と同様の基板を用いてアンテナ部８２を作製した。そして、この無線IDタグ80は、裏面にも接着効果を持たせることで、菓子袋やドリンク缶のような平坦でないものにも貼り付けて使用することが可能である。尚、無線IDタグ８０の表面には、必要に応じて保護膜が設けられる。
【００４１】
このように、本発明の配線基板を用いて無線IDタグを構成することにより、様々な形状、又は素材へ貼り付けることが可能な無線IDタグを具現化することが可能になる。又、メモリー構成要素であるトランジスタのキャリア移動度が改善されることにより、反応速度（処理速度）が速く、通信周波数の高い無線IDタグを提供することが可能になる。
【００４２】
尚、本発明の効果は、図８に示した無線IDタグの構成に限定されるものではない。したがって、アンテナ部、メモリーIC部の配置や構成方法は、任意に設定可能である。例えば、倫理回路部を無線IDタグに組み込むことも可能である。
【００４３】
（実施例６）
本実施例においては、金属配線上に導電性高分子配線を電解重合により形成した電子回路基板を用いた携行用機器について説明する。図９〜図１１は、本実施例で作製したいくつかの携行用機器の構成を模式的に示した斜視図である。
【００４４】
図９は携帯テレビである。携帯テレビ９０は、表示装置９１、受信装置９２、側面スイッチ９３、前面スイッチ９４、音声出力部９５、入出力装置９６、記録メディア挿入部９７を備えている。本発明の配線基板が、前記携帯テレビ９０を構成する演算素子や記録素子やスイッチング素子等に適宜使用される。本実施例では、実施例４と同様の基板を用いて表示装置９１を作製した。
【００４５】
図１０は、通信端末である。通信端末１００は、表示装置１０１、送受信装置１０２、音声出力部１０３、カメラ部１０４、折畳み用可動部１０５、操作スイッチ１０６、音声入力部１０７、を備えている。本発明の配線基板が、前記通信端末１００を構成する演算素子や記憶装置やスイッチング素子等に適宜使用される。本実施例では、実施例４と同様の基板を用いて表示装置１０１を作製した。
【００４６】
図１１は、携帯用医療機器である。携帯用医療機器１１０は、表示装置１１１、操作スイッチ１１２、医療的処置部１１３、経皮コンタクト部１１４を備えている。携帯用医療機器１１０は例えば、腕１１５などに巻きつけられて携行される。医療的処置部１１３は、経皮コンタクト部１１４より得られる生態情報を処理し、それに応じて経皮コンタクト部１１４を通じて薬物投与を行うなどの医療的処置を行う部分である。本発明の配線基板が、前記携帯用医療機器１１０を構成する演算素子や記憶装置やスイッチング素子等に適宜使用される。本実施例では、実施例４と同様の基板を用いて表示装置１１１を作製した。
【００４７】
尚、以上説明した実施の形態における実施例と比較例の比較から明らかのように、本発明の効果は、各構成要素の材料に起因するのではなく、ゲート電極をどのように配置するかという構成によって生じるものである。したがって、各構成要素を形成する材料は本実施例の形態で示した材料に限定されない。
【００４８】
例えば、本発明の電界効果トランジスタを作製するための基板としては、素体にPETフィルムではなくポリエチレンフタレートやポリイミドなどの別のポリマーフィルムを用いて良いし、バリア層としてAl膜やニッケル、クロム、銅などの金属又はそれらの合金や、無機酸化物や無機窒化物などの絶縁体の膜を用いても良い。
【００４９】
また、電極材料としては、実施例では金を用いたが、これに限定されるものではない。例えば、白金、銀、銅、アルミニウム、クロム、モリブデン、ニッケルなどや、これらの合金、ポリシリコン、アモルファスシリコン、ITOなどの無機材料が望ましい。これらの導電材は、蒸着法、スパッタ法などにより膜厚５０から５００nm程度に成膜され、通常のフォトリソグラフィ工程、及びエッチング工程により、所望の形状に加工される。
【００５０】
また、導電性高分子材料としては、ポリチオフェン及びポリピロールを用いたが、これらに限定されるものではない。ポリアセチレン、ポリジアセチレン、ポリアセン、ポリフェニレン、ポリフェニレンビニレン、ポリピリジノピリジン、ポリアニリン及びそれらの誘導体を用いても良い。これら導電性高分子は、スピンコート法、キャスト法、インクジェットなどにより膜厚５０nmから１０００nm程度に成膜される。
【００５１】
なお、本発明の電子回路基板を備えるものとして表示装置について説明したが、本発明の電子回路基板を用いたＩＤタグやセンサ、その他のデバイスにおいても同様の効果が得られることは明らかである。
【００５２】
［産業上の利用可能性］
本発明における電子回路基板は、デバイスを繰り返し折り曲げても配線が断線することなく、優れた接続信頼性を実現するという効果を有し、この基板を用いシートライクディスプレイや無線IDタグ等への応用において有用である。
【図面の簡単な説明】
【００５３】
【図１】図１Ａ−Ｄは本発明の一実施形態における電子回路基板の概略断面図。
【図２】図２Ａ−Ｄは本発明の別の実施形態における電子回路基板の概略断面図。
【図３】図３Ａ−Ｂは本発明のさらに別の実施形態における電子回路基板を用いた折りたたみディスプレイの概略平面図。
【図４】図４Ａは本発明の実施例１における電子回路基板の概略断面図、図４Ｂは同平面図。
【図５】図５Ａは本発明の実施例２及び３における電子回路基板の概略断面図、図５Ｂは同平面図。
【図６】図６は本発明の実施例４におけるディスプレイの構成を模式的に示す斜視分解図。
【図７】図７は本発明の実施例４におけるディスプレイにおけるトランジスタ駆動回路の拡大図。
【図８】図８は本発明の実施例５における無線ＩＤタグの構成を模式的に示す斜視図。
【図９】図９は本発明の実施例６における携帯テレビの一例の構成を模式的に示す斜視図。
【図１０】図１０は本発明の実施例６における通信端末の一例の構成を模式的に示す斜視図。
【図１１】図１１は本発明の実施例６における携帯用医療機器の一例の構成を模式的に示す斜視図。
【符号の説明】
【００５４】
11,21,41,51,61,71 基板
12,22,42,52 金属配線
13,23,43,53 導電性高分子配線
31 ディスプレイ
32 折りたたみ部
62 有機EL層
63 透明電極
64 保護フィルム
65,77 ゲート走査ライン
66,78 ソース走査ライン
70 TFT駆動回路部
71 ゲート電極
72 ゲート絶縁膜
73 半導体
74 ソース電極
75 ドレイン電極
76 絶縁膜
79 画素電極
80 無線ＩＤタグ
81 基板
82 アンテナ部
83 メモリー部
90 携帯テレビ
91 表示装置
92 送受信装置
93 音声出力部
94 前面スイッチ
95 音声出力部
96 入出力装置
97 記録メディア挿入部
100 携帯端末
101 表示装置
102 送受信装置
103 音声出力部
104 カメラ部
105 折たたみ用可動部
106 操作スイッチ
107 音声入力部
110 携帯用医療機器
111 表示装置
112 操作スイッチ
113 医療的処置部
114 経皮コンタクト部
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電子回路基板及びその製造方法、さらにそれらを用いた表示装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年、無機半導体に代わる半導体として有機半導体の開発が活発に行われている。代表的な応用例としてシートディスプレイやIDタグが挙げられる。これらの大きな特徴は、有機材料を用いることによって非常に安いコストによって製造可能であるということと、無機材料と違って自由に曲げることができるフレキシブル性である。
【０００３】
製造費の低コスト化については、蒸着やスパッタのように設備費の高い真空装置を用いるプロセスからインクジェットのような大気中で製造ができ、設備費の安いプロセスへの革新を目指して開発が進められている。
【０００４】
一方、デバイスがフレキシブルになることにより生じる課題として、曲げ応力により配線が断線し、電子機器の機能に障害をきたすことが考えられる。この解決手段として、基板材料と配線材料の伸び率を揃えるといった方法や、配線材料に導電性高分子を用いる方法がある。また、異なる2種類の金属配線を組み合わせる方法もある。（特許文献１、２）
さらに、基板上に形成した導電性高分子配線を電極として用いて、導電性高分子配線上に金属配線をめっきにより形成する方法も開示されている（特許文献３、４）。この方法により、金属配線を蒸着装置のような真空設備を用いることなく形成でき、また、レジストを用いるようなエネルギーロスの高い工法を避けることができる。
【特許文献１】特開２０００−３０５１０４号公報
【特許文献２】特開２００３−１００７５０号公報
【特許文献３】特開平０５−３３５７１８号公報
【特許文献４】特開２００４−０３１３９２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
ディスプレイやRFタグに応用する場合、高周波で使用されるため高速で電気を流す低抵抗な配線材料が求められる。しかし、導電性高分子は金属材料に比べ電気抵抗が大きく、高周波デバイスに応用が難しいという課題が生じる。また、配線材料として金属を用いた場合、繰り返し曲げていると金属疲労によりクラックが生じて断線してしまうという課題が生じる。
【０００６】
また、導電性高分子を電極として金属をめっきしたものでは、めっき処理をする際に導電性高分子が劣化し導電性が大きく低下しているものと推察され、やはり上記課題が生じる。なお、使用可能な金属材料としては酸性浴でめっき可能な金属材料に限定されてしまう。
【０００７】
本発明は上記課題を解決するためになされたものであり、金属配線にクラックが生じても導電性高分子を電気が流れ、接続信頼性を向上させた電子回路基板とその製造方法及び電子回路基板を用いた表示装置を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の電子回路基板は、基板に形成される金属配線上に導電率０．１S/cm以上の導電性高分子が形成されていることを特徴とする。
【０００９】
また、本発明の電子回路基板は、基板に形成される金属配線の折り曲げられる部分が導電率０．１S/cm以上の導電性高分子との多層構造を有していることを特徴とする。
【００１０】
また、本発明の電子回路基板の配線形成方法は、基板上に金属配線及び導電性高分子配線を形成する際、塗布法により導電性高分子配線を形成することを特徴とする。
【００１１】
また、本発明の別の電子回路基板の配線形成方法は、基板上に配線を形成する際、基板上に形成した金属配線上にモノマーと電解質と溶媒からなる電解液を塗布し、金属配線に電圧をかけることにより、導電性高分子を金属配線上に電解重合させることを特徴とする。
【００１２】
また、本発明の別の電子回路基板の配線形成方法は、基板上に配線を形成する際、モノマーと電解質と溶媒からなる電解液中に金属配線が形成された基板を浸し、電極に電圧をかけることにより導電性高分子を金属配線上に重合することを特徴とする。
【発明の効果】
【００１３】
本発明によれば、金属配線の少なくとも一部を導電性高分子で覆うことにより、デバイスを繰り返し折り曲げても配線が断線することなく、安定した接続を果たすことができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１４】
（実施の形態１）
本発明の電子回路基板は、基板に形成される金属配線上に導電率０．１S/cm以上の導電性高分子が形成されている。ここで金属配線と導電性高分子の構造の例を図１Ａ−Ｄに示す。図１Ａは、基板11上に金属の配線12が形成されており、その配線上に導電性高分子の配線13が金属配線をすべて覆うように形成されている。また、図１Ｂ及び図１Ｃは、基板11上の金属配線12上の一部を導電性高分子配線13が覆っている構造である。また、図１Ｄは、金属配線12と導電性高分子配線13が多層になっている構造である。これらのように、導電率０．１S/cm以上の導電性高分子配線が基板に形成される金属配線の少なくとも一部に形成されていれば、金属配線が断線しても導電性高分子配線を伝って電気が流れるため、接続不良を防ぐことができる。また、金属配線と導電性高分子配線の配線構造は、図１Ａ−Ｄに示した構造以外でも良い。
【００１５】
（実施の形態２）
本実施形態の電子回路基板は、基板に形成される金属配線の折り曲げられる部分が導電率０．１S/cm以上の導電性高分子との多層構造を有しているように構成されている。ここで金属配線と導電性高分子の構造の例を図２Ａ−Ｄに示す。図２Ａは、基板21上に導電性高分子23の配線が形成されており、その配線上に金属の配線22が導電性高分子配線23の一部を覆っている構造である。図２Ｂは、基板21上に形成された導電性高分子配線23をすべて覆うように金属配線22が形成されている構造である。また、図２Ｃは、金属配線22の上下、側面ともに導電性高分子配線23により覆っている構造である。また、図２Ｄは、導電性高分子配線23と金属配線22が多層になっている構造である。これらのように、導電率０．１S/cm以上の導電性高分子配線が基板に形成される金属配線の折り曲げられる部分に形成されていれば、金属配線が断線しても導電性高分子配線を伝って電気が流れるため、接続不良を防ぐことができる。
【００１６】
実施の形態１及び２で記述したような電子回路基板は、たとえば、液晶表示装置や、エレクトロルミネッセンス型表示装置、エレクトロルミネッセンス素子、可変抵抗、スイッチ素子、光センサー素子、メモリー素子、ＲＦタグなど様々な装置に利用可能であり、伝送速度が高速かつ接続信頼性の高い電子回路基板を実現可能である。
【００１７】
さらに、この電子回路基板を用いた表示装置において、ディスプレイの折りたたみ部がディスプレイを等分するように形成されていることが好ましい。図３に折りたたみ部の例を示す。たとえば、図３Ａの実線３１で示したようなディスプレイの場合、ディスプレイの縦方向と横方向の中央にそれぞれ折りたたみ部を形成することにより、ディスプレイをａ１〜ａ４の４つの同じ大きさに分割することができる。また、図３Ｂのように、ディスプレイの縦方向３２に２本、ディスプレイの横幅を３等分する箇所に折りたたみ部を形成することにより、ディスプレイをｂ１〜ｂ３の３つの同じ大きさに分割することができる。このように、ディスプレイを等分するように折りたたみ部を形成することで、ディスプレイを折りたたむ際に、きれいに折りたたむことができる。また、４つのディスプレイを張り合わせることで図３Ａのような一つのディスプレイを形成する場合、ａ１と同じサイズのディスプレイを作ればよいため、異なるサイズのディスプレイを製造しなくて済み、製造コストを安くすることができる。
【００１８】
さらに、折りたたみ部により分割されたディスプレイが独立して機能することが好ましい。たとえば、図３Ａのような４分割されるディスプレイにおいて、実線３１で示したディスプレイが一つのディスプレイとして機能するだけでなく、分割されたａ１〜ａ４のディスプレイもそれぞれ一つのディスプレイとして機能する。これにより、折りたたんだ状態においてもディスプレイとして使用することができる。また、ディスプレイは、液晶表示装置、有機エレクトロルミネッセンス表示装置、電気泳動表示装置でも良い。
【００１９】
このように表示部分に折りたたみ部があるため、大きなディスプレイも小さく収納することができ、省スペース、携帯性に優れ、かつ、接続信頼性の高いディスプレイを実現することができると同時に、一つのディスプレイを複数のディスプレイとして機能させることが可能な表示装置を実現できる。
【００２０】
（実施の形態３）
次に、本発明の電子回路基板の製造方法について説明する。本発明における電子回路基板の製造方法は、基板上に金属配線及び導電性高分子配線を形成する工程において、塗布法により導電性高分子配線を形成することを備える。ここで金属配線と導電性高分子の構造は図１Ａ−Ｄ及び図２Ａ−Ｄに示すような構造でも良く、さらに、それ以外の構造でも良い。このように金属配線に接するように導電性高分子配線を形成することにより、曲げにより金属配線にクラックが生じても導電性高分子で繋がっているため、接続信頼性の高いデバイスを実現することができる。
【００２１】
（実施の形態４）
次に、本発明の別の電子回路基板の製造方法について説明する。本発明における電子回路基板の製造方法は、基板上に配線を形成する工程において、基板上に形成した金属配線上にモノマーと電解質と溶媒からなる電解液を塗布し、金属配線に電圧をかけることにより、導電性高分子を金属配線上に電解重合させることを備える。ここで金属配線と導電性高分子の構造は図１に示すような構造でも良く、金属配線上又は側面に導電性高分子配線が形成される構造ならばそれ以外でも良い。また、電解液の塗布方法は、インクジェットやスピンコートなどを用いることができる。これにより、溶解しにくく塗布プロセスでは形成困難であった導電性高分子も金属配線上で重合することができるようになり、また、金属配線がパターン化されているため導電性高分子のパターン化を省略することができる。
【００２２】
（実施の形態５）
次に、本発明の別の電子回路基板の製造方法について説明する。本発明における電子回路基板の製造方法は、基板上に配線を形成する工程において、モノマーと電解質と溶媒からなる電解液中に金属配線が形成された基板を浸し、電極に電圧をかけることにより導電性高分子を金属配線上に重合することを備える。ここで金属配線と導電性高分子の構造は図１に示すような構造でも良く、金属配線上又は側面に導電性高分子配線が形成される構造ならばそれ以外でも良い。金属配線上又は側面に導電性高分子配線が形成される構造ならばそれ以外でも良い。
【００２３】
実施の形態３、４及び５で記述した本発明の電子回路基板の製造方法において、前記導電性高分子の導電度は、特に限定するものではないが、たとえば、０．１Ｓ/ｃｍ以上、好ましくは１Ｓ/ｃｍ以上、さらに好ましくは、１×１０２Ｓ/ｃｍ以上である。このような製造方法によれば、前述したような繰り返し折り曲げても配線が断線することなく、安定した接続を果たすことができる電子回路基板を製造することが可能である。
【００２４】
前記記載の電子回路基板に用いる基板材料として、ポリエーテルスルホン、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレン、ポリイミド、エポキシ樹脂、アクリル樹脂などのフレキシブルなプラスチック基板やガラス、布、紙などを用いることができる。ただし、防湿のためプラスチック基板内に金属箔が入っていても、基板表面にSiO2やAl2O3などの酸化膜が形成されていても良い。金属配線材料には、AlやCu、Au、Agなどの低抵抗金属を用いる。その他にも、Ni、Ti、ITO、Cr、Wやそれらの合金を用いても良い。形成方法は、蒸着、スパッタ、インクジェットなどが用いられる。
【００２５】
導電性高分子材料にはポリピロール、ポリチオフェン、ポリアセチレン、ポリジアセチレン、ポリアセン、ポリフェニレン、ポリフェニレンビニレン、ポリピリジノピリジン、ポリアニリン及びそれらの誘導体からなる群から選択された少なくとも一つを用いる。形成方法は、スピンコートやインクジェットなどが用いられる。
【００２６】
以下、本発明を実施例を用いてさらに具体的に説明する。
【００２７】
（実施例１）
本実施例においては、導電性高分子配線上に金属配線を形成した電子回路基板について説明する。図４Ａ−Ｂは、本実施例で作製した電子回路基板の断面及び投影図である。図４Ａに示すように、基板４１上に導電性高分子配線パターン４３を形成し、その上に金属配線４２を形成した。また、図４Ｂのように、金属配線４２は導電性高分子配線４３上の一部に形成されており、この多層化された配線の中央部分を折り曲げ部４４とした。
【００２８】
基板４１には厚み５０μｍのＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）フィルムを用いた。このフィルム上に、インクジェット法によりＰＥＤＯＴ（ポリエチレンジオキシチオフェン０．０１ｍｏｌ％／L）とＰＳＳ（ポリスチレンサルファネート０．０２ｍｏｌ％／Ｌ）を含有する水溶液を滴下して乾燥させることにより、導電性高分子配線４３を形成した。つぎに、導電性高分子配線４３上に金をマスク蒸着し、金属配線パターン４２を形成した。このとき、導電性高分子配線４３は厚み１μｍ、金配線４２は厚み０．２μｍとした。
【００２９】
この電子回路基板の金属配線の導通試験を、基板を折り曲げる前後で行った。比較のため、電子回路基板上に導電性高分子配線を形成しない、金属配線のみの基板を作製し、同様に導通試験を行った。その結果、導電性高分子を形成しなかった基板は、繰り返し折り曲げているうちに導通が取れなくなったのに対し、導電性高分子を形成した基板は、何度折り曲げても導通が確認された。
【００３０】
（実施例２）
本実施例においては、金属配線の上に導電性高分子配線を電解重合により形成した電子回路基板について説明する。図５Ａ−Ｂは、本実施例で作製した電子回路基板の断面及び投影図である。図５Ａに示すように、基板５１上に金属パターン５２を形成し、その上に導電性高分子配線５３を形成した。また、図５Ｂのように、導電性高分子配線５３は金属配線をすべて覆うように接続されており、この多層化された配線の中央部分を折り曲げ部５４とした。
【００３１】
基板５１には厚み５０μｍのＰＥＴフィルムを用いた。このフィルム上に、金をマスク蒸着により形成した。つぎに、金配線５２上にチオフェンモノマー０．２ｍｏｌ％／Ｌとアセトニトリルとテトラアルキルアンモニウム塩１ｍｏｌ％／Ｌからなる電解液をインクジェットにより塗布し、金属配線に２０Ｖの電圧をかけた。これにより、金属配線上にポリチオフェン配線が形成された。このとき導電性高分子配線は厚み１μｍ、金配線は厚み０．５μｍであった。
【００３２】
この電子回路基板の金属配線の導通試験を、実施例１と同様に基板を折り曲げる前後で行った。比較のため、電子回路基板上に、導電性高分子配線を形成しない、金属配線のみの基板を作製し、同様に導通試験を行った。その結果、導電性高分子を形成しなかった基板は、繰り返し折り曲げているうちに導通が取れなくなったのに対し、導電性高分子を形成した基板は、何度折り曲げても導通が確認された。
【００３３】
（実施例３）
本実施例においては、金属配線の上に導電性高分子配線を実施例２とは異なる電解重合法により形成した電子回路基板について説明する。配線構造は実施例２と同様、図５Ａ−Ｂに示すような構造を用いた。
【００３４】
基板には厚み５０μｍのＰＥＴフィルムを用いた。このフィルム上に、金をマスク蒸着により形成した。つぎに、金属配線を形成した基板をピロールモノマー０．３ｍｏｌ％／Ｌとナフタレンスルホン酸ナトリウム０．１５ｍｏｌ％／Ｌからなる電解液中に浸し、金属配線に５Ｖの電圧をかけた。これにより、金属配線上にポリピロール配線が形成された。このとき導電性高分子配線は厚み１μｍ、金配線は厚み０．５μｍであった。
【００３５】
この電子回路基板の金属配線の導通試験を、実施例１と同様に基板を折り曲げる前後で行った。比較のため、電子回路基板上に、導電性高分子配線を形成しない、金属配線のみの基板を作製し、同様に導通試験を行った。その結果、導電性高分子を形成しなかった基板は、繰り返し折り曲げているうちに導通が取れなくなったのに対し、導電性高分子を形成した基板は、何度折り曲げても導通が確認された。
【００３６】
（実施例４）
本実施例においては、金属配線の一部に導電性高分子配線を形成した電子回路基板を用いた折りたたみ可能なディスプレイについて説明する。図６は、本実施例で作製したアクティブマトリックス型ディスプレイの構成を模式的に示す斜視図である。図６に示すように、本実例に係るアクティブマトリックス型ディスプレイは、基板６１上に画素電極に接続されたトランジスタ駆動回路（ＴＦＴ駆動回路部７０）がアレイ状に配置されており、そのトランジスタ駆動回路上に有機EL層６２と保護フィルム６４とが配設されている。なお、有機EL層６２の上面には、透明電極６３が設けられている。ここで、有機EL層は、電子輸送層、発光層、正孔輸送層などの各層が積層され構成されている。そして、各々のトランジスタ駆動回路の所定の電極から延長されたソース電極線とゲート電極線とは、各々ここでは図示しない制御回路へ接続されている。６５はゲート走査ライン、６６はソース走査ラインである。
【００３７】
基板上に形成したトランジスタ駆動回路の拡大図を図７に示す。図７において、７１はゲート電極、７２はゲート絶縁膜、７３は半導体、７４はソース電極、７５はドレイン電極、７６は絶縁膜、７７はゲート走査ライン、７８はソース走査ライン、７９は画素電極である。ゲート走査ライン７７とソース走査ライン７８の配線の構造は、実施例１に示した配線構造と同様である。
【００３８】
このように、基板上の配線を導電性高分子と金属配線から形成することにより、折りたたんでも接続不良を起こさない、安定したディスプレイを実現することができた。
【００３９】
尚、本実施の形態では、表示部に有機ELを用いた場合について説明したが、本発明の効果はこの構成を有するアクティブマトリックス型ディスプレイに限定されるものではない。つまり、トランジスタ駆動回路を必要とするアクティブマトリックス型ディスプレイであれば、その効果は同様に発揮される。また、画素を駆動する駆動回路部の構成は、本実施の形態で示した構成に限定されるものではない。つまり、例えば、一つの画素を駆動するために電流駆動用のトランジスタとそれを制御するためのスイッチング用トランジスタを組合わせた構成としても良い。また、さらに複数個のトランジスタを組合わせた回路構成とすることも可能である。
【００４０】
（実施例５）
本実施例においては、金属配線上に導電性高分子配線を電解重合により形成した電子回路基板を用いた無線IDタグについて説明する。図8は、本実施例で作製した無線IDタグの構成を模式的に示した斜視図である。図８に示すように、無線IDタグ８０は、フィルム状のプラスチック基板８１を基材として用いている。この基板８１上には、アンテナ部８２とメモリーIC部８３とが設けられている。ここで、アンテナ部８２とメモリーIC部８３は、実施の形態において説明したような配線基板を使用することが可能である。本実施例では、実施例１と同様の基板を用いてアンテナ部８２を作製した。そして、この無線IDタグ80は、裏面にも接着効果を持たせることで、菓子袋やドリンク缶のような平坦でないものにも貼り付けて使用することが可能である。尚、無線IDタグ８０の表面には、必要に応じて保護膜が設けられる。
【００４１】
このように、本発明の配線基板を用いて無線IDタグを構成することにより、様々な形状、又は素材へ貼り付けることが可能な無線IDタグを具現化することが可能になる。又、メモリー構成要素であるトランジスタのキャリア移動度が改善されることにより、反応速度（処理速度）が速く、通信周波数の高い無線IDタグを提供することが可能になる。
【００４２】
尚、本発明の効果は、図８に示した無線IDタグの構成に限定されるものではない。したがって、アンテナ部、メモリーIC部の配置や構成方法は、任意に設定可能である。例えば、倫理回路部を無線IDタグに組み込むことも可能である。
【００４３】
（実施例６）
本実施例においては、金属配線上に導電性高分子配線を電解重合により形成した電子回路基板を用いた携行用機器について説明する。図９〜図１１は、本実施例で作製したいくつかの携行用機器の構成を模式的に示した斜視図である。
【００４４】
図９は携帯テレビである。携帯テレビ９０は、表示装置９１、受信装置９２、側面スイッチ９３、前面スイッチ９４、音声出力部９５、入出力装置９６、記録メディア挿入部９７を備えている。本発明の配線基板が、前記携帯テレビ９０を構成する演算素子や記録素子やスイッチング素子等に適宜使用される。本実施例では、実施例４と同様の基板を用いて表示装置９１を作製した。
【００４５】
図１０は、通信端末である。通信端末１００は、表示装置１０１、送受信装置１０２、音声出力部１０３、カメラ部１０４、折畳み用可動部１０５、操作スイッチ１０６、音声入力部１０７、を備えている。本発明の配線基板が、前記通信端末１００を構成する演算素子や記憶装置やスイッチング素子等に適宜使用される。本実施例では、実施例４と同様の基板を用いて表示装置１０１を作製した。
【００４６】
図１１は、携帯用医療機器である。携帯用医療機器１１０は、表示装置１１１、操作スイッチ１１２、医療的処置部１１３、経皮コンタクト部１１４を備えている。携帯用医療機器１１０は例えば、腕１１５などに巻きつけられて携行される。医療的処置部１１３は、経皮コンタクト部１１４より得られる生態情報を処理し、それに応じて経皮コンタクト部１１４を通じて薬物投与を行うなどの医療的処置を行う部分である。本発明の配線基板が、前記携帯用医療機器１１０を構成する演算素子や記憶装置やスイッチング素子等に適宜使用される。本実施例では、実施例４と同様の基板を用いて表示装置１１１を作製した。
【００４７】
尚、以上説明した実施の形態における実施例と比較例の比較から明らかのように、本発明の効果は、各構成要素の材料に起因するのではなく、ゲート電極をどのように配置するかという構成によって生じるものである。したがって、各構成要素を形成する材料は本実施例の形態で示した材料に限定されない。
【００４８】
例えば、本発明の電界効果トランジスタを作製するための基板としては、素体にPETフィルムではなくポリエチレンフタレートやポリイミドなどの別のポリマーフィルムを用いて良いし、バリア層としてAl膜やニッケル、クロム、銅などの金属又はそれらの合金や、無機酸化物や無機窒化物などの絶縁体の膜を用いても良い。
【００４９】
また、電極材料としては、実施例では金を用いたが、これに限定されるものではない。例えば、白金、銀、銅、アルミニウム、クロム、モリブデン、ニッケルなどや、これらの合金、ポリシリコン、アモルファスシリコン、ITOなどの無機材料が望ましい。これらの導電材は、蒸着法、スパッタ法などにより膜厚５０から５００nm程度に成膜され、通常のフォトリソグラフィ工程、及びエッチング工程により、所望の形状に加工される。
【００５０】
また、導電性高分子材料としては、ポリチオフェン及びポリピロールを用いたが、これらに限定されるものではない。ポリアセチレン、ポリジアセチレン、ポリアセン、ポリフェニレン、ポリフェニレンビニレン、ポリピリジノピリジン、ポリアニリン及びそれらの誘導体を用いても良い。これら導電性高分子は、スピンコート法、キャスト法、インクジェットなどにより膜厚５０nmから１０００nm程度に成膜される。
【００５１】
なお、本発明の電子回路基板を備えるものとして表示装置について説明したが、本発明の電子回路基板を用いたＩＤタグやセンサ、その他のデバイスにおいても同様の効果が得られることは明らかである。
【００５２】
［産業上の利用可能性］
本発明における電子回路基板は、デバイスを繰り返し折り曲げても配線が断線することなく、優れた接続信頼性を実現するという効果を有し、この基板を用いシートライクディスプレイや無線IDタグ等への応用において有用である。
【図面の簡単な説明】
【００５３】
【図１】図１Ａ−Ｄは本発明の一実施形態における電子回路基板の概略断面図。
【図２】図２Ａ−Ｄは本発明の別の実施形態における電子回路基板の概略断面図。
【図３】図３Ａ−Ｂは本発明のさらに別の実施形態における電子回路基板を用いた折りたたみディスプレイの概略平面図。
【図４】図４Ａは本発明の実施例１における電子回路基板の概略断面図、図４Ｂは同平面図。
【図５】図５Ａは本発明の実施例２及び３における電子回路基板の概略断面図、図５Ｂは同平面図。
【図６】図６は本発明の実施例４におけるディスプレイの構成を模式的に示す斜視分解図。
【図７】図７は本発明の実施例４におけるディスプレイにおけるトランジスタ駆動回路の拡大図。
【図８】図８は本発明の実施例５における無線ＩＤタグの構成を模式的に示す斜視図。
【図９】図９は本発明の実施例６における携帯テレビの一例の構成を模式的に示す斜視図。
【図１０】図１０は本発明の実施例６における通信端末の一例の構成を模式的に示す斜視図。
【図１１】図１１は本発明の実施例６における携帯用医療機器の一例の構成を模式的に示す斜視図。
【符号の説明】
【００５４】
11,21,41,51,61,71 基板
12,22,42,52 金属配線
13,23,43,53 導電性高分子配線
31 ディスプレイ
32 折りたたみ部
62 有機EL層
63 透明電極
64 保護フィルム
65,77 ゲート走査ライン
66,78 ソース走査ライン
70 TFT駆動回路部
71 ゲート電極
72 ゲート絶縁膜
73 半導体
74 ソース電極
75 ドレイン電極
76 絶縁膜
79 画素電極
80 無線ＩＤタグ
81 基板
82 アンテナ部
83 メモリー部
90 携帯テレビ
91 表示装置
92 送受信装置
93 音声出力部
94 前面スイッチ
95 音声出力部
96 入出力装置
97 記録メディア挿入部
100 携帯端末
101 表示装置
102 送受信装置
103 音声出力部
104 カメラ部
105 折たたみ用可動部
106 操作スイッチ
107 音声入力部
110 携帯用医療機器
111 表示装置
112 操作スイッチ
113 医療的処置部
114 経皮コンタクト部
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板に形成される金属配線上に導電率０．１S/cm以上の導電性高分子が形成されていることを特徴とする電子回路基板。
【請求項２】
基板は折り曲げ可能であり、前記基板に形成される金属配線の折り曲げられる部分は、前記金属配線と導電率０．１S/cm以上の導電性高分子との多層構造であることを特徴とする電子回路基板。
【請求項３】
請求項１又は２に記載の電子回路基板を用いた表示装置。
【請求項４】
前記表示装置には折りたたみ部があり、前記折りたたみ部はディスプレイを等分するように形成されている請求項３に記載の表示装置。
【請求項５】
前記折りたたみ部により分割されたディスプレイが独立して機能する請求項４に記載のディスプレイ。
【請求項６】
請求項１又は２に記載の電子回路基板を用いたIDタグ。
【請求項７】
請求項１又は２に記載の電子回路基板を用いた携行用機器。
【請求項８】
基板上に金属配線及び導電性高分子配線を形成する際に、塗布法により導電性高分子配線を形成することを特徴とする電子回路基板の製造方法。
【請求項９】
基板上に配線を形成する際に、基板上に形成した金属配線上にモノマーと電解質と溶媒からなる電解液を塗布し、金属配線に電圧をかけることにより、導電性高分子を金属配線上に電解重合させることを特徴とする電子回路基板の製造方法。
【請求項１０】
基板上に配線を形成する際に、モノマーと電解質と溶媒からなる電解液中に金属配線が形成された基板を浸し、電極に電圧をかけることにより導電性高分子を金属配線上に重合することを特徴とする電子回路基板の製造方法。
【請求項１】
基板に形成される金属配線上に導電率０．１S/cm以上の導電性高分子が形成されていることを特徴とする電子回路基板。
【請求項２】
基板は折り曲げ可能であり、前記基板に形成される金属配線の折り曲げられる部分は、前記金属配線と導電率０．１S/cm以上の導電性高分子との多層構造であることを特徴とする電子回路基板。
【請求項３】
請求項１又は２に記載の電子回路基板を用いた表示装置。
【請求項４】
前記表示装置には折りたたみ部があり、前記折りたたみ部はディスプレイを等分するように形成されている請求項３に記載の表示装置。
【請求項５】
前記折りたたみ部により分割されたディスプレイが独立して機能する請求項４に記載のディスプレイ。
【請求項６】
請求項１又は２に記載の電子回路基板を用いたIDタグ。
【請求項７】
請求項１又は２に記載の電子回路基板を用いた携行用機器。
【請求項８】
基板上に金属配線及び導電性高分子配線を形成する際に、塗布法により導電性高分子配線を形成することを特徴とする電子回路基板の製造方法。
【請求項９】
基板上に配線を形成する際に、基板上に形成した金属配線上にモノマーと電解質と溶媒からなる電解液を塗布し、金属配線に電圧をかけることにより、導電性高分子を金属配線上に電解重合させることを特徴とする電子回路基板の製造方法。
【請求項１０】
基板上に配線を形成する際に、モノマーと電解質と溶媒からなる電解液中に金属配線が形成された基板を浸し、電極に電圧をかけることにより導電性高分子を金属配線上に重合することを特徴とする電子回路基板の製造方法。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【公開番号】特開２００６−１６５３４１（Ｐ２００６−１６５３４１Ａ）
【公開日】平成１８年６月２２日（２００６．６．２２）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００４−３５５８１５（Ｐ２００４−３５５８１５）
【出願日】平成１６年１２月８日（２００４．１２．８）
【出願人】（０００００５８２１）松下電器産業株式会社 (73,050)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成１８年６月２２日（２００６．６．２２）
【国際特許分類】
【出願日】平成１６年１２月８日（２００４．１２．８）
【出願人】（０００００５８２１）松下電器産業株式会社 (73,050)
【Ｆターム（参考）】
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