【課題】分周信号を検査するにあたって、その周波数のみならず第１区間長および第２区間長をも検査し、比較対象に用いる信号を生成する高価な検査装置を必要としない自己診断回路を有する半導体集積回路およびその検査方法を提供する。
【解決手段】分周回路の検査を、生成される分周信号の周波数およびデューティー比、すなわち第１区間および第２区間の比率、の２つに対して行う。外部からはデューティー比を定義する２つの期待値を供給する。 （もっと読む）

【課題】
プローブ・ヘッドをプリント回路基板に電気的に相互接続するためのスペース・トランスフォーマを提供する。
【解決手段】
第１の面にテスト・デバイスのコンタクト・パッドを、また第２の面にプリント回路基板のコンタクト・パッドを形成されて有する。導電性回路パターンは、テスト・デバイスのコンタクト・パッドとプリント回路基板のコンタクト・パッドとの間に延びている。シム板がフレキシブル多層回路の第１の面の周囲に固定され、また底板がフレキシブル多層回路の第２の面の周囲に固定される。底板は、テスト・デバイスのコンタクト・パッドと揃った底板支柱によって分離され、プリント回路基板のコンタクト・パッドと揃った複数の内部開口を有する。複数の相互接続は、プリント回路基板のコンタクト・パッドに接着および電気的相互接続され内部開口を貫通して延びている。 （もっと読む）

【課題】より簡素な構成でより精度が良いスイッチング素子の劣化診断回路およびその動作方法を提供すること
【解決手段】スイッチ部１１及びスイッチ部１１に対して接続された容量部１２を含むと共に、入力波形に対してローパスフィルタ処理を実行するローパスフィルタ部１と、前記入力波形の入力に応じたローパスフィルタ部１の出力と参照電圧とに基づいて、ローパスフィルタ部１に含まれるスイッチ部１１の状態を示す状態値を生成する状態判定部２を備える劣化診断回路。 （もっと読む）

【課題】本発明は、同時測定を行うチップに関わる不要な干渉を最小限にする半導体ウェハ、当該半導体ウェハをテストするためのプローブ装置、プローブ装置ごとの相関を気にすることなく、治具の製作が可能となるウェハテスト装置及びウェハテスト方法を提供する。
【解決手段】本発明の半導体ウェハは、複数の半導体チップが形成されており、複数の半導体チップは、ｎ個（ｎは２以上の整数）の半導体チップが３６０／ｎ度ずつ回転して配置され、かつ上記ｎ個の半導体チップそれぞれの間に１つ以上の半導体チップが挟まれて配置された配置パターンを基本単位とし、当該基本単位を複数繰り返すように配置されている。 （もっと読む）

【課題】パッケージ内部の半導体チップが、ＢＧＡ基板に接触しているか否かを、簡単に把握することが可能技術を提供する。
【解決手段】半導体チップ（２）は、回路接続用電極（４）と、回路から独立に設けられた第１検査用電極（１１）と、第１検査用電極（１１）に短絡された第２検査用電極（１２）とを備える。基板（３）は、回路接続用電極（４）に対応する位置に配置される回路接続用基板側電極（５）と、第１検査用電極（１１）に対応する位置に配置される第１検査用基板側電極（２１）と、第２検査用電極（１２）に対応する位置に配置される第２検査用基板側電極（２２）とを備える。第２検査用電極（１２）は、半導体チップ（２）と基板（３）とが正常に接続されるとき、第２検査用基板側電極（２２）と電気的に絶縁する位置に配置される。 （もっと読む）

【課題】接点同士が凝着しないように剛性をもたせたアクチュエータ
【解決手段】第１接点が設けられた接点部と、第２接点を移動させて第１接点と接触または離間させるアクチュエータと、を備え、アクチュエータは、積層された第１圧電膜および第２圧電膜と、第１圧電膜における第２圧電膜とは反対の面側に設けられた第１絶縁層と、第２圧電膜における第１圧電膜とは反対の面側に設けられた第２絶縁層と、を有するスイッチ装置を提供する。 （もっと読む）

【課題】プローブカードに熱源を直に接触させて短時間でプローブカードを所定の温度に調整すると共に、熱的に安定したかを正確に判断することができるプローブカードの熱的安定化方法を提供する。
【解決手段】プローブカードの熱的安定化方法は、載置台に熱伝達用基板を載置し、載置台を介して熱伝達用基板の温度を調整する第１の工程と、載置台を上昇させて熱伝達用基板と複数のプローブを所定の目標荷重で接触させる第２の工程と、熱伝達用基板との間で熱を授受するプローブカードの熱的変化に即して変化する熱伝達用基板と複数のプローブとの接触荷重を検出する第３の工程と、プローブカードが熱的に安定するまで接触荷重が所定の目標荷重になるように昇降駆動機構を介して載置台を昇降制御する第４の工程と、を備えている。 （もっと読む）

【課題】差画像解析を用いた半導体装置の不良解析を短時間で、効率よく高精度に行う。
【解決手段】良品、および不良品サンプルの半導体装置にテストパターンの掃引を開始して顕微鏡により発光画像を取得する。取得した発光画像を囲う反応ボックスを設定してレイアウト座標系の位置データに変換し、良品サンプルの反応ボックスと不良品サンプルの反応ボックスとが重なっている面積を計算する。重なっている面積がしきい値より少ない反応ボックスを差分ボックスと判定し、その差分ボックスを発光解析コントローラに表示する。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の製造工程の増大を抑制しつつ、パッドの針跡を容易に確認できるようにする。
【解決手段】半導体装置は、半導体基板１と、半導体基板１上に形成された回路素子と、半導体基板１上に形成され、回路素子と電気的に接続されたパッド（接続パッド４）と、を有している。パッドは、平面視において、導体が存在する実体パターン４１と、前記導体が存在しない開口パターン４２と、を含む所定のパターン形状に形成されている。 （もっと読む）

【課題】プローブの複数端子と被測定物の位置関係を簡便且つ適正に求める。
【解決手段】プローブ装置１０は、複数端子を含むプローブ１１、そのプローブ１１を保持する保持部１２、保持部１２に設けられ、プローブ１１に向かって光１３ａを照射する照射部１３を含む。更に、プローブ装置１０は、照射部１３から照射される光１３ａによって被測定物２０上に投影されるプローブ１１の複数端子の影を含んだ像を取得する取得部１４を含む。取得部１４で取得される像から、プローブ１１の各端子と被測定物２０との位置関係が求められる。 （もっと読む）

【課題】被試験デバイスへ過剰な電流が流入することを防ぐ。
【解決手段】被試験デバイスを試験する試験装置であって、前記被試験デバイスに供給する電源電圧を発生する電源部と、前記電源部から前記被試験デバイスに至る経路上に設けられた誘導負荷部と、前記誘導負荷部に対して前記被試験デバイスと並列に接続された第１半導体スイッチと、前記被試験デバイスに対する電源電圧の供給を遮断する場合に、前記第１半導体スイッチをオンとする制御部とを備える試験装置を提供する。 （もっと読む）

【課題】半導体集積回路において、入力端子のオープン異常を、素子の追加量を抑えつつ且つ入力特性に影響を与えずに、検出可能にする。
【解決手段】マイコン２１は、センサ信号を入力するための入力端子２３が、プリント基板１１の信号配線１６に接続される。また、マイコン２１において、電源電圧（５Ｖ）のラインとグランドラインとの各々と、入力端子２３との間には、寄生ダイオードＤ１，Ｄ２がサージ電圧保護用のクランプダイオードとして機能するトランジスタ（ＭＯＳＦＥＴ）Ｔ１，Ｔ２が接続されている。そして、マイコン２１は、例えばトランジスタＴ２の方をハーフオン状態に駆動する駆動回路２９を有しており、トランジスタＴ２をオフさせているときの入力端子２３の電圧と、トランジスタＴ２をハーフオン状態に駆動したときの入力端子２３の電圧とに基づいて、入力端子２３が信号配線１６と非接続になった異常（オープン異常）の有無を判定する。 （もっと読む）

【課題】ＩＤＤＱテスト等にかかる時間を短縮できる半導体集積回路を提供する。
【解決手段】ＣＭＯＳ論理回路１０を集積した半導体集積回路１において、ＣＭＯＳ論理回路１０の複数の出力段ＣＭＯＳデバイス１２と、外部へ信号を出力する複数の出力端子３２との間に、出力論理値制御回路２０を設ける。出力論理値制御回路２０は、複数の出力段ＣＭＯＳデバイス１２に各々対応して複数設けられた２入力１出力の論理演算子２１で構成され、一方の入力端に出力段ＣＭＯＳデバイス１２が出力する論理値を、他方の入力端に制御信号２２を入力する。この論理演算子２１は、制御信号２２をＨｉｇｈ又はＬｏｗのどちらかに固定すれば出力端の論理値をＨｉｇｈ又はＬｏｗのどちらかに固定できる演算子である。 （もっと読む）

【課題】試験の異常時において被試験デバイスへの電源供給を高速に遮断する。
【解決手段】被試験デバイスを試験する試験装置であって、被試験デバイスに供給する電源電圧を発生する電源部と、電源部と被試験デバイスとの間の経路上に設けられた誘導負荷部と、誘導負荷部と被試験デバイスとの間の経路上に直列に接続された複数の半導体スイッチと、被試験デバイスへの電圧の供給を遮断する場合において、複数の半導体スイッチをオフとする制御部と、を備える試験装置を提供する。 （もっと読む）

【課題】半導体試験装置に備えられるモジュールの制御手順の設定をできる限り少なくすることを目的とする。
【解決手段】本発明は、ＤＵＴ２の試験を行うために複数のピンモジュール３や電源モジュール５のモジュールを設けた半導体試験装置１であって、各モジュールの制御を行う手順のうち最後のタイミングで制御するモジュール以外のモジュールの手順を設定した設定情報に対して、設定情報に設定していないモジュールを最後のタイミングで制御する手順として追加したシーケンス情報を生成するシーケンス情報生成部１４と、シーケンス情報生成部１４が生成した前記シーケンス情報の手順に基づいて、前記モジュールの制御を行うモジュール制御部１５と、を備えている。 （もっと読む）

【課題】電流電圧のパルス特性を向上させて電流電圧のＤＣ特性に近づける。
【解決手段】半導体層と、半導体層上に設けられたゲート絶縁膜と、ゲート絶縁膜上に設けられたゲート電極と、ゲート絶縁膜上に設けられ、ゲート絶縁膜上におけるゲート電極の端部の少なくとも一部においてゲート電極と接するゲート境界膜と、を備え、ゲート境界膜およびゲート絶縁膜は、同種の絶縁材料を含む半導体装置を提供する。ゲート電極およびゲート境界膜上に設けられた絶縁性の保護膜を更に備え、保護膜は、ゲート境界膜およびゲート絶縁膜とは別種の絶縁材料を含んでよい。 （もっと読む）

【課題】半導体デバイスに安定的に電源供給可能な電源装置を提供する。
【解決手段】ＤＵＴ１の電源端子には、負荷容量Ｃ_Ｌが接続される。電流検出部３０は、電源装置１００から出力される出力電流Ｉ_ｏｕｔを検出する。非線形制御部２０は、ＤＵＴ１の電源端子に流れ込む負荷電流Ｉ_Ｌが変動する第１タイミングから、負荷電流Ｉ_Ｌと出力電流Ｉ_ｏｕｔとが一致する第２タイミングまでの第１期間に、負荷容量Ｃ_Ｌに充放電される電荷量と、第２タイミングから、制御を終了する第３タイミングまでの第２期間に、負荷容量Ｃ_Ｌに充放電される電荷量と、がバランスするように、その出力量Ｓ_ｏｕｔ２を制御する。 （もっと読む）

【課題】 ダイシング後のウエハの半導体チップ各々を電気的特性の測定のために適切に位置調整することができる特性測定システム及びチップ特性測定方法を提供する。
【解決手段】 表面にダイシングテープが貼り付けられたウエハを裏面側から個片化して切り出された複数の半導体チップのうちの互いに隣接する２以上の半導体チップの配置間隔を、配置間隔調整手段によってダイシングテープを介して調整し、その配置間隔を調整した２以上の半導体チップに対して測定手段によって同時に電気的特性を測定する。 （もっと読む）

【課題】ウェーハにワンタッチ・テストを行うことができるテスタ及びそのテスタを含んだテスト装置を提供する。
【解決手段】回転自在な構造のテスト・インターフェースを具備することで、ウェーハ・インデキシングなしに、ウェーハにワンタッチ・テストを行うことができるテスタ及びそのテスタを含んだテスト装置であり、該テスト装置は、回転するＺＩＦリング１３０を具備したテストヘッド１００と、前記テストヘッド１００に電気的に連結され、ウェーハ内の多数の半導体デバイスをテストするための信号を、前記テストヘッド１００に伝達するテスト本体とを具備したテスタ、ＺＩＦリング１３０と結合するリング状のコネクタ部１３２と、中央部に配され、半導体デバイスをテストするための多数の探針が配されているニードル・ブロック３２０と、を具備したプローブカード、テストされるウェーハが置かれて支持されるウェーハ支持チャックを含む。 （もっと読む）

【課題】不良解析が容易な半導体装置を提供する。
【解決手段】実施形態によれば、待機状態と動作状態とを有する半導体装置が提供される。前記半導体装置は、機能素子部と、電荷供給部と、を備える。前記機能素子部は、前記動作状態において動作する第１機能素子を含む。前記電荷供給部は、前記第１機能素子に接続される。前記電荷供給部は、前記待機状態において第１制御信号が入力されたときに前記第１機能素子に電荷を供給する。 （もっと読む）